「ion diffusion」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method of forming the contact of a semiconductor element which can prevent diffusion of impurity ions and reduce the contact resistance and leakage current by forming an embedded layer for preventing ion diffusion.例文帳に追加

イオン拡散防止埋込み層を形成することにより、不純物イオンの拡散を抑制し、コンタクト抵抗及び漏れ電流を低減することができる半導体素子のコンタクト形成方法に関するものである。 - 特許庁

To provide a direct methanol fuel cell having a hydrogen ion conductive thin film (PCM), a catalyst contacting to the PCM, a gas diffusion layer contacting to the catalyst, and a conductive plate contacting to a gas diffusion thin film.例文帳に追加

水素イオン伝導薄膜（ＰＣＭ）、ＰＣＭと接触する触媒、触媒と接触するガス拡散層及びガス拡散薄膜と接触する伝導板を有するダイレクトメタノール型燃料電池を提供する。 - 特許庁

Then, a p-type conductive diffusion preventing layer 31 for preventing the diffusion of a diffusion layer 23a is configured to be formed by CB Halo Ion Implantation process using the second interlayer film 35 as a mask while a first side wall insulation film exposed within the contact hole 25a is separated.例文帳に追加

そして、コンタクト孔２５ａ内に露出する第１の側壁絶縁膜を剥離した状態で、第２の層間膜３５をマスクに、ＣＢハロー・Ｉ／Ｉにより、拡散層２３ａの拡散を防止するためのｐ導電型の拡散防止層３１を形成する構成となっている。 - 特許庁

To provide a high-voltage transistor whose source/drain diffusion region can become a double diffusion drain junction structure, without forming a space oxide film by using a silicon nitride film as a protection film at impurity implantation, and for which the source/drain diffusion region of a more stabilized double diffusion structure can be formed by a one-time pattern process and an ion implantation process.例文帳に追加

高電圧用トランジスタの製造方法においてシリコン窒化膜を不純物注入時に防護膜とすることによってスペース酸化膜を形成しなくてもソース／ドレイン拡散領域を二重拡散ドレインジャンクション構造とし一度のパターン工程及びイオン注入工程により安定した二重拡散構造のソース／ドレイン拡散領域を形成する。 - 特許庁

To realize an illuminated defect repair using an ion beam device in which the deterioration in the quality in the periphery of a repair region due to a Ga ion diffusion in cleaning after post treatment of a halo component by a laser beam repair machine does not occur.例文帳に追加

レーザー修正機によるハロー成分のポストトリートメント後の洗浄時にGaイオン拡散に起因する修正領域周辺の品質劣化の起こらないイオンビーム装置を用いた白欠陥修正を実現する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a silicon carbide semiconductor element, capable of maintaining an ion implanted impurity profile, by preventing external or internal diffusion of the ion implanted impurities or particularly a boron (B) at a high-temperature annealing time.例文帳に追加

イオン注入された不純物、特にほう素（Ｂ）の高温アニール時の外方、内方への拡散を防止し、注入された不純物プロフィルを維持できる炭化けい素半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

In a case of manufacturing the SRAM cell, when implantation of impurity ions is performed at first time, ion implantation is performed under the condition where the ion concentration is comparatively high and acceleration voltage is low, and a source/drain diffusion layer 13 is formed.例文帳に追加

ＳＲＡＭセルの製造時において、１回目に不純物イオンを注入するときにはイオン濃度を比較的高く低加速電圧の条件でイオン注入し、ソース／ドレイン拡散層１３を形成する。 - 特許庁

According to the fabricating method of the solid-state imaging device of the present invention, the impurity diffusion region is formed by performing multiple times ion implantation using the same impurity ion in the same incident direction by changing a tilt angle.例文帳に追加

本発明の固体撮像素子の製造方法は、同一の不純物イオンを用いて、同一の入射方向で、且つ、チルト角度を変えてイオン注入を複数回行うことで、不純物拡散領域を形成する。 - 特許庁

The diffusion and transfer of the catalyst can be prevented by interposing the diffusion preventing member formed with the hydrocarbon ion exchange resin material between the catalyst layer and the electrolyte membrane, based on such knowledge that in the process diffusing to the electrolyte membrane of Pt ions generated in the catalyst layer, the diffusion is suppressed by the hydrocarbon ion exchange resin material.例文帳に追加

Ｐｔイオンが触媒層にて発生した後、電解質膜へ拡散する過程において、炭化水素イオン交換樹脂材料によりその拡散が抑制されるとの知見に基づき、炭化水素イオン交換樹脂材料から形成された拡散防止部材を触媒層及び電解質膜の間に介設することにより、触媒の拡散・移動を防止する構成を見出した。 - 特許庁

The channel region having the region of high impurity concentration and the region of low impurity concentration is formed in terms of self-matching by ion implantation through an implantation mask of two kinds of second conductivity impurities different in diffusion coefficients, extension of the implantation mask, ion implantation of the first conductivity impurity and diffusion of the second conductivity impurity with the large diffusion coefficient owing to activation annealing.例文帳に追加

拡散係数の異なる２種の第２導電型不純物の注入マスクを介したイオン注入、注入マスクの拡幅、第１導電型不純物のイオン注入、活性化アニールによる拡散係数の大きな第２導電型不純物の拡散により、不純物濃度が高い領域と低い領域とを有したチャネル領域を自己整合的に形成する。 - 特許庁

To provide a positive electrode active material which has an olivine structure and is superior in Li ion diffusion performance in the active material.例文帳に追加

本発明は、オリビン構造を有し、かつ、活物質内部におけるＬｉイオン拡散性に優れた正極活物質を提供することを主目的とする。 - 特許庁

(2) In the manufacturing process of the Si chip 2, the Si chip 2 is formed by subjecting a silicon wafer acquired by the preceding process to each process such as etching, oxidation, diffusion, CVD or ion implantation.例文帳に追加

（２）Ｓｉチップ２の製造工程では、シリコンウェーハに、前工程により、エッチング、酸化、拡散、ＣＶＤ、イオン注入、等の工程を経て形成する。 - 特許庁

To form an ohm contact electrode by improving a Fermi energy level of an oddly shaped interface based on a tunnel effect of electrons and holes by an ion diffusion method.例文帳に追加

イオンの拡散方法で電子、正孔のトンネル効果により前記異形インターフェースのフェルミエネルギーレベルを改良してオーム接触電極を形成させる。 - 特許庁

To provide a compound generating a high electromotive force as an active electrode material for a lithium battery, among sulfides being expected to have a high ion diffusion.例文帳に追加

高イオン拡散が期待される硫化物において、リチウム電池用電極活物質として高い起電力を発生する化合物を提供する。 - 特許庁

Consequently, the occurrence of diffusion limit phenomenon where ion migration amount in a battery not being able to catch up with the battery discharge rate can be prevented.例文帳に追加

これにより、電池の放電速度に対して、電池内部のイオン移動量が追いつかなくなる拡散限界現象が発生するのを防ぐことができる。 - 特許庁

To plastic materials, a conductive substance, a conductive body diffusion substance for diffusing the conductive substance into the plastic materials and a minus ion generating mineral are added.例文帳に追加

プラスチック材に、導電性物質と、この導電物質をプラスチック材料内に拡散させる導電材拡散物質と、マイナスイオン発生鉱物とを添加する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a silicon wafer capable of effectively and efficiently removing an injection damage while suppressing the diffusion of an injected ion.例文帳に追加

注入したイオンの拡散を抑制しつつ、効果的に効率的よく注入ダメージを除去することができるシリコンウェーハの製造方法を提供する。 - 特許庁

Oxygen is introduced into a part of a surface layer of a semiconductor wafer by internal diffusion associated with a heat treatment in an atmosphere of an oxidized gas or ion implantation.例文帳に追加

半導体ウェーハの表層の一部に、酸化性ガスの雰囲気での熱処理に伴う内方拡散またはイオン注入によって酸素を導入する。 - 特許庁

After etching of a trench groove 1a, a solid diffusion source film 5 including boron is formed in the trench groove 1a instead of the conventional implantation of tilt ion.例文帳に追加

トレンチ溝１ａのエッチング後に、従来のチルトイオン注入の代わりに、ボロンを多く含む固体拡散源膜５をトレンチ溝１ａ内に成膜する。 - 特許庁

In the ion implantation for regulating the threshold voltage, redistribution of impurities due to well diffusion is prevented as much as possible through adoption of arsenic.例文帳に追加

そこで、しきい値電圧調節用イオン注入において、砒素を採用することにより、ウエル拡散により不純物の再分布を極力防止する。 - 特許庁

After a gate electrode 92 and a gate sidewall 101 are formed, an ion is vertically implanted into a substrate 81 to form a deep source/drain diffusion layer 112.例文帳に追加

ゲート電極９２及びゲート側壁１０１を形成後、基板８１に対して垂直にイオン注入し深いソース−ドレイン拡散層１１２を形成する。 - 特許庁

The very shallow impurity diffusion layer is formed by conducting an annealing process using RLSA plasma, after performing carrying out ion implantation process at low energy.例文帳に追加

極浅の不純物拡散層は、低エネルギーでのイオン打ち込み工程の後、ＲＬＳＡプラズマを用いたアニール工程を行うことにより形成される。 - 特許庁

The particle diameter is made to be within this range, thereby preventing reduction in the adhesive strength of the positive electrode material and simultaneously preventing delay of solid phase diffusion of a lithium ion.例文帳に追加

粒径をこの範囲内とすることで正極材料の接着強度の低下が防止され、同時にリチウムイオンの固体内拡散の遅延が防止される。 - 特許庁

This glass article characterized by forming a metal ion diffusion- preventing film 2 consists mainly of indium oxide and/or tin oxide on the surface of an alkali-containing glass substrate 1.例文帳に追加

アルカリ含有ガラス基板１の表面に、酸化インジウム及び／又は酸化スズを主成分とする金属イオン拡散防止膜２を形成してなるガラス物品。 - 特許庁

An n ion is implanted on the surface of a silicon substrate 10 in a parallel line state to provide diffusion regions 11 which serve as electrodes for the variable capacity diode.例文帳に追加

シリコン基板１０の表面には平行線状にｎイオンが注入されて、可変容量ダイオードの電極となる拡散領域１１が設けられる。 - 特許庁

Oxide films 6 are formed on the inner walls of the trenches 4 and vanadium ion diffusion regions 7 are formed on the periphery of the oxide films 6.例文帳に追加

トレンチ４の内壁面には酸化膜６が形成されるとともに、酸化膜６の外周側にバナジウムイオン拡散領域７が形成されている。 - 特許庁

To solve the problem that a process for decreasing a leak current caused by an influence of defect in an implantation of a fluorine ion is required for a p-channel MOS transistor which suppresses diffusion of a boron ion to channel regions in a lateral direction by the fluorine ion to prevent an occurrence of a short channel effect.例文帳に追加

フッ素イオンによりボロンイオンのチャネル領域への横方向拡散を抑制して短チャネル効果の発生を防止するｐチャネル型ＭＯＳトランジスタには、フッ素イオン注入時の欠陥による影響起因のるリーク電流を減らすプロセスが必要となっている。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an ion conductivity imparting agent capable of providing a gas diffusion electrode having a good ion conductivity inside an electrode and therefore stably usable over a long period in a solid polymer fuel cell having a hydrocarbon type negative ion exchange membrane as an electrolyte membrane.例文帳に追加

電解質膜が炭化水素系陰イオン交換膜である固体高分子型燃料電池において、電極内部におけるイオン伝導性が良好で長期間安定に使用できるガス拡散電極を与えることができるイオン伝導性付与剤の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device having a TAT(Trench Access Transistor) DRAM cell in which an impurity ion is implanted to a diffusion layer to prevent the impurity ion from penetrating a gate electrode and entering a channel region of a transistor, and to prevent, a concentration of impurity from increasing and a leakage current increasing when implanting the impurity ion into the diffusion layer of a transistor of TAT DRAM cell.例文帳に追加

ＴＡＴ・ＤＲＡＭセルのトランジスタの拡散層に不純物イオンを注入する際、不純物イオンがゲート電極を貫通して、トランジスタのチャネル領域にも進入し、不純物濃度が上昇してリーク電流が増加することがないように、拡散層に不純物イオンを注入するようにした、ＴＡＴ・ＤＲＡＭセルを有する半導体装置の作製方法を提供する。 - 特許庁

The membrane electrode assembly 100 is equipped with an ion conductive membrane 110; an anode catalyst layer 200 arranged on one side of the ion conductive membrane; a cathode catalyst layer 300 arranged on the other side of the ion conductive membrane 110; an anode diffusion layer 400 arranged on the outside of the anode catalyst layer; and a cathode diffusion layer 500 arranged on the outside of the cathode catalyst layer 300.例文帳に追加

膜電極接合体１００は、イオン伝導膜１１０と、イオン伝導膜の一方に配置されたアノード触媒層２００と、イオン伝導膜１１０の他方に配置されたカソード触媒層３００と、アノード触媒層の外側に配置されたアノード拡散層４００と、カソード触媒層３００の外側に配置されたカソード拡散層５００とを備える。 - 特許庁

An N-type well diffusion layer 8 is formed by ion-implanting N-type dopants using a first resist mask to cover only an NMOS forming region Rnm, and then a P type well diffusion layer 11 is formed by ion-implanting P-type dopants using a second resist mask 9 to cover only a PMOS forming region Rpm.例文帳に追加

ＮＭＯＳ形成領域Ｒnmのみを覆う第１のレジストマスクを用いてＮ型不純物のイオン注入を行なって、Ｎ型ウェル拡散層８を形成した後、ＰＭＯＳ形成領域Ｒpmのみを覆う第２のレジストマスク９を用いて、Ｐ型不純物のイオン注入を行なって、Ｐ型ウェル拡散層１１を形成する。 - 特許庁

In addition, in the diffusion welding method, after the ion bombardment treatment by the gaseous glow discharge is performed on the surface of the two members 1, the two members 1 are superposed on each other, pressurized, and heated for the diffusion welding.例文帳に追加

また、本発明の拡散接合方法は、二つの被接合部材１の表面に気体のグロー放電によるイオンボンバード処理を施した後、この二つの被接合部材１を重ね合わせ押圧するとともに加熱して拡散接合する。 - 特許庁

An N-type impurity is applied through ion implantation by using the gate electrode 602 as a mask, and the entire substrate is heated so as to form an N-type second impurity diffusion layer 608 in a shallower area than the first impurity diffusion layer 605.例文帳に追加

ゲート電極６０２をマスクとしてＮ型の不純物をイオン注入した後、熱処理を行なうことにより第１の不純物拡散層６０５よりも浅い領域にＮ型の第２の不純物拡散層６０８を形成する。 - 特許庁

A sodium diffusion limiting film 32 composed chiefly of silicon dioxide is provided between a photocatalyst film 30 and a glass substrate 24 to limit diffusion of sodium ion contained in the glass substrate 24 into the photocatalyst film 30.例文帳に追加

光触媒皮膜３０とガラス基盤２４との間に二酸化珪素を主成分とするナトリウム拡散制限皮膜３２が設けられているため、ガラス基盤２４に含まれるナトリウムイオンの光触媒皮膜３０への拡散が制限される。 - 特許庁

And by subjecting the laminate to an ion implantation a plurality of times with a varied ion energy, the N+ type drain lead-out diffusion layer 106A can be formed to contain a high concentration of impurities in a wide range in a depthwise direction and thus to have a low resistance.例文帳に追加

そして、Ｎ＋ドレイン引き出し拡散層１０６Ａは、イオンエネルギを変えて複数回イオン注入を行うことで、深さ方向の広い範囲で高濃度の不純物を含むように形成され、低抵抗値となっている。 - 特許庁

To solve the problem of a two chamber process ion exchange membrane type electrolytic cell using a gas diffusion electrode that the liquid pressure of an anode chamber is different according to liquid depth, and the liquid pressure is applied to an anode and an ion exchange membrane, and these members are apt to be damaged and deformed.例文帳に追加

ガス拡散電極を使用する２室法イオン交換膜型電解槽では陽極室の液圧が液深によって異なり、この液圧が陽極やイオン交換膜に加わり、これらの部材の損傷や変形を招き易い。 - 特許庁

To provide a lithium ion secondary battery which can prevent reduction of battery capacity by inhibiting transfer (diffusion) of lithium from a facing portion to a non-facing portion of a negative electrode active material layer, and a secondary battery system including the lithium ion secondary battery.例文帳に追加

負極活物質層の対向部から非対向部へのＬｉの移動（拡散）を抑制して、電池容量の低下を抑制可能なリチウムイオン二次電池、及び、このリチウムイオン二次電池を備える二次電池システムを提供する。 - 特許庁

To provide: a lithium ion secondary battery suppressing decrease in the battery capacity by suppressing diffusion of lithium ions to a portion not participating in discharge out of a negative electrode active material layer; and to provide a vehicle mounted with the lithium ion secondary battery; and battery mounting equipment.例文帳に追加

負極活物質層のうち放電に関与できない部位へのリチウムイオンの拡散を抑制して、電池容量の低下を抑制可能なリチウムイオン二次電池、これを搭載した車両及び電池搭載機器を提供する。 - 特許庁

An membrane-electrode integrated structure 12 composed of an ion exchange film 10 and a pair of gas diffusion layers 15 is located on and between the separation plates 5, and the ion exchange film 10 having a peripheral edge 14 is located in the chamber 20.例文帳に追加

イオン交換膜１０と１対の気体拡散層１５を含んで成る膜電極一体構造１２を分離版５の上および間に前記イオン交換膜１０の周囲縁１４が前記チャンバ２０の中に位置させる。 - 特許庁

Through the silicon oxide film 7 for protecting against ion implantation damage, ion is implanted on the entire surface of a p-well with the gate electrode 5 and a side wall 6 as implantation masks, to form n^+ diffusion layers 12 and 13 on the p-well.例文帳に追加

次に、このイオン注入損傷の保護用のシリコン酸化膜７を介すると共に、ゲート電極５およびサイドウォール６を注入マスクとして、ｐウェルの全面にイオン注入をし、ｐウエルにｎ^＋ 拡散層１２、１３を形成する。 - 特許庁

As positive oxide film forming treatment including the oxidation prior to the ion implantation to the epitaxial layer 3 is neglected, the number of thermal hysteresis loaded on the buried ion implanted layers 71', 72' is lowered, thereby, the diffusion in the lateral direction is effectively suppressed.例文帳に追加

注入前酸化を含めたエピタキシャル層３への積極的な酸化膜形成処理が排除される結果、埋込イオン注入層７１’，７２’に加わる熱履歴の回数が減って横方向拡散が効果的に抑制される。 - 特許庁

The hydrophilic ion-conductive material I' crosses the catalyst layer 31 in the depth direction of the catalyst layer 31 so as to be contacted with the electrolyte membrane and the diffusion layer 32, and provides a moving passage of water and hydrogen ion.例文帳に追加

親水性のイオン伝導性物質Ｉ’は、電解質膜及び拡散層３２と接触するように触媒層３１の厚さ方向に触媒層３１を横切り、水及び水素イオンの移動通路を提供することを特徴とする。 - 特許庁

To solve the problem that, in a two chamber process ion exchange membrane type electrolytic cell using a gas diffusion electrode, the liquid pressure of an anode chamber is different according to liquid depth, and the liquid pressure is applied to an anode and an ion exchange membrane, and easily causes the damage and deformation of these members.例文帳に追加

ガス拡散電極を使用する２室法イオン交換膜型電解槽では陽極室の液圧が液深によって異なり、この液圧が陽極やイオン交換膜に加わり、これらの部材の損傷や変形を招き易い。 - 特許庁

The shapes wrapping around the overhanging part 21 are imparted to the gas diffusion layers 14, 15 by forming a double-layered structure in which a separator side gas diffusion layer 25 provided with an opening 27 to house the overhanging part 21 therein is overlapped to an ion-exchange membrane side gas diffusion layer 26, or by forming a concavity 28 to house the overhanging part 21.例文帳に追加

張出し部２１を包み込む形状は、張出し部２１が収められる開口部２７を設けたセパレータ側ガス拡散層２５をイオン交換膜側ガス拡散層２６に重ね合わせる二層構成、或いは張出し部２１を収容する陥没部２８を形成することにより、ガス拡散層１４，１５に付与される。 - 特許庁

A gas diffusion electrode is comprised of a catalyst and a fluorine-containing ion-exchange resin, and its average pore size is in the range of 0.1 μm to 10 μm and pore volume is in the range of 0.1 cm3 to 1.5 cm3.例文帳に追加

触媒及び含フッ素イオン交換樹脂を有し、かつ平均細孔径が０．１〜１０μｍ及び細孔容積が０．１〜１．５ｃｍ^３を有するガス拡散電極。 - 特許庁