「ion diffusion」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

This limiting current type oxygen sensor 13 is constituted of at least an oxygen ion conductive solid electrolyte sheet 15, a pair of electrode films 16, 17 formed on a surface of the solid electrolyte sheet 15, and an oxygen diffusion limiting body 19 joined via a glass film 18 surrounding the one-side electrode film 16.例文帳に追加

酸素イオン伝導性固体電解質板１５と、酸素イオン伝導性固体電解質板１５の表面に形成した一対の電極膜１６、１７と、片側の電極膜１６を囲む硝子膜１８を介して接合させた酸素拡散制限体１９とから少なくとも構成される。 - 特許庁

After a sidewall 604 is formed on both side surfaces of the gate electrode 602, an N-type impurity is applied thereto through ion implantation by using the gate electrode 602 and sidewall 604 as a mask, and the entire substrate is heated so as to form an N-type first impurity diffusion layer 605.例文帳に追加

ゲート電極６０２の両側面にサイドウォール６０４を形成した後、ゲート電極６０２及びサイドウォール６０４をマスクとしてＮ型の不純物をイオン注入し、その後、熱処理を行なうことによりＮ型の第１の不純物拡散層６０５を形成する。 - 特許庁

The medium 1 is made of a polyurethane and works as follows: There are radially incised at the center to help pass the roots of a plant therethrough, contractive motions are repeated along with amplifying the diffusion of fertilizer and minerals, ion exchange and oxidation/reduction owing to temperature rise and fall to effect plant growth.例文帳に追加

ウレタン製培地１は中央に放射線状切込み５を設けて根の通過を助け、また温度の上下によって収縮運動をくり返し酸素の供給をはかると共に、肥料、ミネラルの拡散やイオン交換酸化、還元を増幅して植物の生長をはかる。 - 特許庁

The membrane-electrode assembly has: an electrolyte membrane 1; a set of catalyst layers 4, 5 interposing the electrolyte membrane 1 from both sides; and diffusion preventing members 2, 3 made of a hydrocarbon ion exchange resin material, interposed between at least one of the catalyst layers 4, 5 and the electrolyte membrane 1.例文帳に追加

電解質膜１と、電解質膜１を両面から挟持する１組の触媒層４、５と、触媒層４、５の少なくとも一方と電解質膜１との間に介設された炭化水素イオン交換樹脂材料から形成された拡散防止部材２、３とを有する。 - 特許庁

A He ion is irradiated on the whole of a chip and a lifetime killer is introduced from a position d2 shallower than a position d1 of a PN junction surface 31 including the n^- semiconductor layer 22 and the p^+ diffusion region 23 to a position d3 deeper than the position d1 to form a low lifetime region 32 on the whole of the chip.例文帳に追加

チップ全面にＨｅイオンを照射して、ｎ^-半導体層２２とｐ^+拡散領域２３とからなるＰＮ接合面３１の位置ｄ１よりも浅い位置ｄ２から深い位置ｄ３までライフタイムキラーを導入し、チップ全体に低ライフタイム領域３２を形成する。 - 特許庁

To provide a gas diffusion electrode having a structure in which a polymer electrolyte thin film having ion conductivity is coated on a catalyst carried on carbon black and having high utilization rate of catalyst and superior in operation for a long period stably even under high temperature, and its manufacturing method, and an electrochemical device using the same.例文帳に追加

カーボンブラックに担持した触媒上にイオン伝導性の高分子電解質薄膜が被覆された構造を持ち、触媒の利用率が高く高温でも長期間安定に作動する優れたガス拡散電極とその製造法、およびそれを用いた電気化学デバイスを提供する。 - 特許庁

The gas diffusion electrode is provided with a hydrophilic porous layer having a conductive material and an ion conductive material and a catalyst layer adjoining the hydrophilic porous layer, and the water-transport resistance of the hydrophilic porous layer is smaller than the water-transport resistance of the catalyst layer.例文帳に追加

導電性材料とイオン伝導性材料とを有する親水性多孔質層と、前記親水性多孔質層に隣接する触媒層と、を備え、前記親水性多孔質層の水輸送抵抗が前記触媒層の水輸送抵抗よりも小さい、ガス拡散電極である。 - 特許庁

The glass substrate for display has the insulative metal ion diffusion-preventing film 2 including at least one thin film comprising the composite oxide film mainly containing tin, silicone and oxygen, and an electrode film 3 containing silver, which are formed in this order on the surface of the alkali-containing glass substrate 1.例文帳に追加

アルカリ含有ガラス基板１の表面に、錫と珪素と酸素を主成分とする複合酸化物膜からなる、少なくとも１層の薄膜を含む絶縁性金属イオン拡散防止膜２、銀を含有する電極膜３をこの順に形成したディスプレイ用ガラス基板。 - 特許庁

When the electrode is arranged as the oxygen cathode of an alkali chloride aqueous solution electrolytic cell using an ion exchange membrane method for producing alkali metal hydroxide, the electrode properties improve with the increase of electrolysis time compared with a gas diffusion electrode consisting of the two layers of a reaction layer and a gas feed layer.例文帳に追加

水酸化アルカリ金属を製造するイオン交換膜法塩化アルカリ水溶液の電解槽の酸素陰極として配備した場合に、反応層とガス供給層の２層からなるガス拡散電極に較べ、電解時間の増大に連れて電極特性が向上する。 - 特許庁

The solid polymer fuel cell has catalyst electrode layers 12, 13 and gas diffusion layers 14, 15 laminated on fuel and oxidation electrode sides of a polymer ion-exchange membrane 11, respectively, and with membrane-electrode assemblies partitioned by metal separators 20 produced through the overhanging process as unit cells.例文帳に追加

高分子イオン交換膜１１の燃料極側，酸化極側それぞれに触媒電極層，ガス拡散層１４，１５を積層し、張出し加工で作製した金属セパレータ２０で区分した膜-電極接合体を単位セルとした固体高分子型燃料電池である。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which is stable and reduces the fluctuation or dispersion of characteristics, by suppressing the diffusion of an impurity inside a silicone substrate after compensation ion injection, and preventing the fluctuation of transistor characteristics or element separation characteristics.例文帳に追加

補償イオン注入後の不純物のシリコン基板内での拡散を押さえ、トランジスタ特性や素子分離特性の変動を防止することができ、安定で特性の変動やばらつきの少ない半導体装置を実現することができる半導体装置のコンタクト形成方法の提供を課題とする。 - 特許庁

To provide the forming method of semiconductor element, which is capable of preventing the change of threshold voltage of a gate due to TED by effecting the forming process of the semiconductor element while utilizing the optimal temperature and an oxidized film substance which are capable of preventing the diffusion of channel ion.例文帳に追加

チャンネルイオンの拡散を防止することができる最適の温度及び酸化膜物質を利用して半導体素子の形成工程を行うことにより、ＴＥＤによるゲートのしきい値電圧の変化を防止することができる半導体素子の形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method, where in a semiconductor substrate, there is formed a ultra-shallow junction whose dopant concentration distribution is narrowed through control of its junction depth, by restricting the channelling of dopants in the ion implantation process to a minimum and by controlling the diffusion of dopant in the following heat annealing treatment process.例文帳に追加

イオン注入工程でのドーパントのチャンネリングを最小限に抑制し、また引き続く熱アニール処理工程でのドーパントの拡散を抑制することにより接合深さを制御してドーパント濃度分布を狭小化した超浅型接合を半導体基板内に形成する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a positive electrode activator in which lowness of the diffusion velocity of the ion species and lowness of the electron conductivity are compensated, having a good charge and discharge capacity close to the theoretical capacity and good load characteristics, and a non-aqueous electrolyte secondary battery utilizing the same, and a manufacturing method of the same.例文帳に追加

イオン種の拡散速度の低さと電子導電性の低さが補われ、理論容量に近い良好な充放電容量と良好な負荷特性を有する正極活物質、及びこれを利用した非水電解質二次電池、並びにこれらの製造方法を提供する。 - 特許庁

The rear of an SOI substrate 1 is covered with a silicon nitride film 4, antimony is injected into the substrate 1 using a resist pattern as a mask through an ion implantation method, and the substrate 1 is thermally treated at 1,200°C in a diffusion oven, by which a collector embedded layer 5C is formed in an silicon layer 1c.例文帳に追加

ＳＯＩ基板１の裏面を窒化シリコン膜４で保護した後、レジストパターンをマスクとしてイオン注入法によりアンチモンを注入し、次いで拡散炉を用いて１２００℃で熱処理をＳＯＩ基板１に施すことによって、シリコン層１ｃにコレクタ埋め込み層５Ｃを形成する。 - 特許庁

In order to form the impurity diffusion regions, trenches embedded with a conductive film 10 are formed in parts of the base region, and then an impurity having the same conductivity type as that of the base region are ion-implanted into the side walls and bottoms of the trenches in a lower concentration than that of the base region and then are diffused.例文帳に追加

ベース領域の一部に導電膜１０が埋め込まれたトレンチを形成し、その側壁及び底部にベース領域と同じ導電型の不純物をベース領域の不純物濃度より低濃度にイオン注入し、拡散して前記不純物拡散領域が形成される。 - 特許庁

The fuel cell 100 includes: an electrolyte membrane 10; a catalyst layer 20 containing platinum or a platinum alloy; a gas diffusion layer 30; and platinum ion trapping layers 40 and 42 for trapping platinum ions eluted from the platinum or the platinum alloy contained in the catalyst layer 20.例文帳に追加

燃料電池１００は、電解質膜１０と、白金または白金合金を含む触媒層２０と、ガス拡散層３０と、触媒層２０に含まれる白金または白金合金から溶出した白金イオンを捕捉するための白金イオン捕捉層４０，４２と、を備える。 - 特許庁

Hence an electrode produced from a composite made of conductive, nanoparticulate polymer, electronically active material, and sacrificial polymer, wherein the sacrificial polymer has been removed leaving pores, has improved electrolyte and ion diffusion properties, and allows the production of thicker electrodes.例文帳に追加

したがって、導電性ナノ粒子状ポリマー、電子活性材料および犠牲ポリマーから作製された複合材から生成され、犠牲ポリマーが除去されて細孔が残された電極は、改善された電解質およびイオン拡散特性を有し、より厚い電極の生成を可能とする。 - 特許庁

Since a guard layer 4 is formed between the auxiliary recording layer 5 and the magnetic recording layer 3, when the non-magnetic section 9 of the auxiliary recording layer 5 is formed by ion implantation, the diffusion of implanted ions in the magnetic recording layer 3 is prevented and the magnetic recording medium having high recording density can be manufactured.例文帳に追加

さらに、記録補助層５と磁気記録層３の間にガード層４を設けたので、記録補助層５の非磁性部９をイオン注入により形成する際に、注入されたイオンが磁気記録層３に拡散するのを防ぎ、高記録密度の磁気記録媒体を製造することができる。 - 特許庁

In the semiconductor device, p-type regions on which a metal electrode is placed via an insulating film and which has high impurity concentration in a gate pad electrode region, are formed into a structure in which the regions are mutually connected on a surface by ion implantation and thermal diffusion from a plurality of isolated surface regions.例文帳に追加

ゲートパッド電極領域内であって、金属電極が絶縁膜を介して載置される高不純物濃度のｐ型領域が、複数の分離表面領域からのイオン注入と熱拡散とにより表面で相互に連結した構造にされている半導体装置とする。 - 特許庁

To provide a hydroxide ion conductivity imparting agent for gas diffusion electrode, which can be jointed to an electrolyte membrane with good strength and can impart excellent hydroxide ion conductivity to the inside of the electrode to produce the active electrode reaction, in a polymer electrolyte fuel cell using a hydrocarbon anion-exchange membrane as an electrolyte membrane.例文帳に追加

固体高分子型燃料電池、特に電解質膜が炭化水素系陰イオン交換膜を用いた固体高分子型燃料電池のガス拡散電極用水酸化物イオン伝導性付与剤であって、電解質膜と良好な強度で接合可能であり、電極内部まで良好な水酸化物イオン伝導性を付与して活発な電極反応を生じさせることができる水酸化物イオン伝導性付与剤を提供すること。 - 特許庁

Furthermore, in the gas sensor, the inside measurement electrode 1 should be surrounded by at least one outside measurement electrode 2 at intervals, the outer periphery of the outermost measurement electrode 2 should be covered with the diffusion limitation layer, and gas should be inhaled between the solid electrolyte for conducting the ion and the closed gas airtight layer via the diffusion limitation layer in the region of the outer periphery of the outermost measurement electrode 2.例文帳に追加

さらに本発明のガスセンサーは、内側の測定電極が間隔を持って少なくとも１つの外側の測定電極によって囲まれていること、最も外側の測定電極の外周が拡散制限層で覆われていること、及び、ガスの吸入は最も外側の測定電極の外周の領域で、拡散制限層を通して、イオン伝導固体電解質と閉じたガス気密層との間で起こることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a method for preparing a sample for quantitative analysis capable of reducing instability in the intensity of the secondary ions of a matrix element and improving measurement accuracy to the amount of diffusion of a metallic element to be measured when performing secondary ion mass spectrometry on the metallic element to be measured in stacked metal films.例文帳に追加

積層された金属膜中での被測定金属元素の二次イオン質量分析法を行う際に、マトリックス元素の二次イオン強度の不安定性を低減し、被測定金属元素の拡散量に対する測定精度を向上させる定量分析用試料の作製方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for an element separation formation and an element used for the method hardly generating defects such as misalignment wherein the capacity of a diffusion layer does not increase, and takes place even if a complex mask is employed while well ion implantation and thermal process can be omitted after formation of STI.例文帳に追加

拡散層容量が増加することがなく、複雑なマスクの使用による目ずれの発生する虞がなく、しかもＳＴＩ形成後にウェルイオン注入＋熱処理省略可能とした、転位等の欠陥が生じることの少ない素子分離形成方法および該方法に使用される素子の提供。 - 特許庁

C(carbon) ions are implanted, as inert ion species, into the surface layer part of an n- epi layer 2 and B ions are implanted into a region for implanting C ions at a specified concentration ratio to C ions and then it is activated by heat treatment while suppressing diffusion of B thus forming a heavily doped deep base layer 30.例文帳に追加

ｎ^- 型エピ層２の表層部に、不活性なイオン種としてＣ（炭素）をイオン注入すると共に、このＣを注入する領域にＣに対して所定の濃度比でＢをイオン注入し、その後、熱処理によってＢの拡散を抑制しつつ活性化して、高濃度のディープベース層３０を形成する。 - 特許庁

Oblique ion implantation is executed at least twice at different implanting energies with different implanting doses to form first pocket regions 1061 having a high impurity concentration at the side faces of the source-drain diffusion regions, and second pocket regions 1062 having a low impurity concentration at the bottom faces.例文帳に追加

異なる注入エネルギーで、異なる注入ドーズ量の斜めイオン注入を少なくとも２回以上行うことで、ソース・ドレイン用拡散領域８の側面では不純物の濃度が高い第１ポケット領域１０６１と、底面で濃度が低い第２ポケット領域１０６２の２種類のポケット領域を形成する。 - 特許庁

A process wherein an impurity diffusion layer 4 to be used to control threshold voltage is performed by implanting ions, and a process wherein a high temperature heat treatment is performed for a short period to recover the crystal defect generated by the ion implantation, are performed continuously without performing heat treatment in this manufacturing method of a semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置の製造方法が、イオン注入によってしきい値電圧制御のための不純物拡散層を形成する工程と、イオン注入によって発生した結晶欠陥の回復のための高温短時間熱処理を行う工程とを、熱処理を実施することなく連続的に行う。 - 特許庁

Boron ion 5 is implanted selectively to a region for isolation region formation via a thermal silicon oxide film on a P-type semiconductor substrate 1, boron 6 is added to an epitaxial layer 2, a silicon oxide film 10 of a low temperature is formed on the semiconductor substrate 1, and an isolation region 8 is formed by drive-in diffusion.例文帳に追加

Ｐ型半導体基板１上の熱シリコン酸化膜を介して分離領域形成用の領域に選択的にボロンイオン５を注入しエピタキシャル層２にボロン６を添加し、半導体基板１上に低温のシリコン酸化膜１０を形成し、ドライブイン拡散をして分離領域８を形成する。 - 特許庁

To solve such problem that in the conventional electrolytic NF_3 synthesis, NF_3 is synthesized by direct electrolysis occurring on an electrode surface and near the electrode, but when current is permitted to flow in an amount exceeding that corresponding to the rate of ammonium ion diffusion, the reaction between excess fluorine radicals and ammonium ions does not proceed on the electrode surface, resulting in a reduced current efficiency.例文帳に追加

従来のＮＦ_3の電解合成では、電極表面や電極近傍での直接電解によりＮＦ_3が合成されるが、アンモニウムイオンの拡散速度を越えて電流を流すと、過剰のＦラジカルとアンモニウムイオンとの反応は電極表面で進行できなくなり、電流効率は低下する。 - 特許庁

The junction body of the electrolyte film for the fuel cell and the electrode is composed of a hydrogen ion conductive polymer electrolyte film, a pair of catalyst layers pinching the electrolyte film, and a gas diffusion layer, with the catalyst layer open to at least one face with a vacant hole part of a hole diameter larger than that of a gas channel.例文帳に追加

燃料電池用電解質膜・電極接合体は、水素イオン伝導性高分子電解質膜、ならびに前記電解質膜を挟む一対の触媒層およびガス拡散層からなる電極より構成され、前記触媒層が少なくとも一方の面にのみ開口し、孔径がガスチャネルよりも大きな空孔部を有する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor element which minimizes TED (Transient Enhanced Diffusion) phenomenon of impurities which is generated in heat treatment process and other successive heat treatment processes for relaxing damage due to ion implantation and prevents lowering of upper film quality caused by outgassing.例文帳に追加

イオン注入による損傷を緩和させるための熱処理工程やその他後続の熱処理工程の際に発生する不純物のＴＥＤ（Ｔｒａｎｓｉｅｎｔ Ｅｎｈａｎｃｅｄ Ｄｉｆｆｕｓｉｏｎ）現象を最大限抑え、アウトガス（ガス抜け）による上部膜質の低下を防止することが可能な半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

This gas sensor 10 to be provided is equipped with the gas diffusion rate determining section 14, carrying a catalyst for accelerating a reaction between a combustible component and oxygen, a solid electrolyte 18 having oxide ion conductivity, and electrodes 16, 21 formed on positions facing to both the surfaces of the solid electrolyte 18.例文帳に追加

本発明によって提供されるガスセンサ１０は、可燃性成分と酸素の反応を促進する触媒を担持しているガス拡散律速体１４と、酸化物イオン導電性を有する固体電解質１８と、その固体電解質１８の両面に向かい合う位置に形成されている電極１６，２１を備えている。 - 特許庁

A diffusion preventing film pattern 12 is formed on a semiconductor substrate 10, an SOG film doped with impurities is formed on the semiconductor substrate 10, and impurity ions are additionally implanted into the SOG film by a plasma ion implantation method to increase the SOG film in impurity concentration.例文帳に追加

拡散防止膜パターン１２の形成された半導体基板１０上にｉｍｐｕｒｉｔｙが含まれたＳＯＧ膜を形成した後で、ｉｍｐｕｒｉｔｙが含まれたＳＯＧ膜に追加的にプラズマイオン注入法でｉｍｐｕｒｉｔｙイオンを注入してｉｍｐｕｒｉｔｙ濃度を高める。 - 特許庁

A semiconductor device comprising a semiconductor layer 1, a gate insulation film 2, a gate electrode 3, an offset spacer layer 4, and an SD extension diffusion layer 6 subjected to ion implantation using the gate electrode 3 and the offset spacer layer 4 as a mask is manufactured by varying the thickness of the offset spacer layer 4 and each leak current level is measured.例文帳に追加

半導体層１と、ゲート絶縁膜２と、ゲート電極３と、オフセットスペーサ層４と、ゲート電極３およびオフセットスペーサ層４をマスクとしてイオン注入されたＳＤエクステンション拡散層６とを有する半導体装置を、オフセットスペーサ層４の膜厚を変化させて形成し、それぞれのリーク電流値を測定する。 - 特許庁

A water holding layer comprising a hydrogen ion conducting polymer electrote and carbon is formed between a catalytic reaction layer and a diffusion layer, and the quantity of water drained from the catalytic reaction layer to the outside of the cell by non-reaction gas is restrained, so that a long-time low-humidification operation difficult to be carried out by a conventional method is realized.例文帳に追加

触媒反応層と拡散層との間に水素イオン伝導性高分子電解質と炭素からなる保水層を設け、触媒反応層から電池外部へと未反応ガスにより除去される水の量を抑制することで従来法では困難であった長時間の低加湿運転を可能とする。 - 特許庁

This manufacturing method of the laminated metallic plate is featured that after ion-etching of at least one side of joining surfaces of the first metallic sheet 4 and the second metallic sheet 5, the first metallic sheet 4 and the second metallic sheet 5 are pressure joined and successively, a heating diffusion treatment is applied, in a vacuum vessel.例文帳に追加

真空槽内で、第一の金属帯４の被接合表面と第二の金属帯５の被接合表面の少なくとも一方の面側をイオンエッチングした後、前記第一の金属帯４と第二の金属帯５とを圧接し、ついで加熱拡散処理を行うことを特徴とする積層金属板の製造方法である。 - 特許庁

At the surface heating step S10, a temperature of the semiconductor substrate 12 at the depth 50 after the implantation step S8 is kept to be lower than a hydrogen ion outward-diffusion temperature, whereby the surface 12b of the semiconductor substrate 12 is heated until a temperature of the surface 12b of the semiconductor substrate 12 reaches a crystal defect disappearing temperature or higher.例文帳に追加

表面加熱工程Ｓ１０は、注入工程Ｓ８後の前記深さ５０の半導体基板１２の温度を水素イオン外方拡散温度未満に維持しながら、半導体基板１２の表面１２ｂの温度が結晶欠陥消滅温度以上に昇温するまで半導体基板１２の表面１２ｂを加熱する。 - 特許庁

In the method of manufacturing the fully-depleted SOI transistor, especially the NMOS transistor, there is a process for implanting impurities into an insulating film by an ion implantation method before or after a well formation process, thus restraining the diffusion of the impurities to an embedded insulating film owing to a variation in a thermal history in a manufacturing process.例文帳に追加

完全空乏型ＳＯＩトランジスタ、特にＮＭＯＳトランジスタの製造方法においてウエル形成工程前あるいは後に追加でイオン注入法を用いて絶縁膜に不純物注入を行う工程を有することで、製造過程における熱履歴のばらつきによる埋め込み絶縁膜への不純物の拡散を抑える。 - 特許庁

In the method of manufacturing a diffusion wafer where boron ions are implanted into a principal plane of a silicon single-crystal wafer, and then drive-in oxidation is conducted on the principal plane to diffuse the boron ions into the silicon single-crystal wafer, the drive-in oxidation is conducted for 40 or longer hours, immediately after the ion implantation of boron, and then a resistance value is measured.例文帳に追加

シリコン単結晶ウェーハの主面にボロンをイオン注入し、続いてドライブイン酸化を施してボロンをシリコン単結晶ウェーハに拡散する拡散ウェーハの製造方法において、ボロンをイオン注入した直後から４０時間以上経過後にドライブイン酸化を施し、その後に抵抗値を測定する。 - 特許庁

The fuel cell comprises an electrolyte having ion conductivity, a pair of electrode parts and a pair of gas diffusion layers, and a pair of separators for supplying fuel and oxidant to each of the pair of electrode parts.例文帳に追加

イオン導電性を有する電解質と、前記電解質を挟持する一対の電極部および一対のガス拡散層と、燃料及び酸化剤を一対の前記電極部のそれぞれに供給する一対のセパレータとを有する燃料電池において、前記セパレータを波板状の部位を有した複数枚の流路板により構成する。 - 特許庁

It relates to the film electrode assembly of the fuel cell in which electrochemical characteristic including an ion exchange high polymer of the latest technology and a gas diffusion electrode of the latest technology is reformed by addition of hydrophilic ingredient arranged in accordance with one side of the interface of an electrode or both sides and/or one side on the membranous external surface.例文帳に追加

本発明は、最先端技術のイオン交換高分子膜及び最先端技術のガス拡散電極を含み、その電気化学的特性が、電極の界面の片側又は両側及び／又は膜の外部表面の片側又は両側に一致して配置された親水性成分の添加によって改質された、燃料電池の膜電極アセンブリーに関する。 - 特許庁

Moreover, the driving method for driving this liquid crystal display device according to this invention is a method letting the current detection means detect a current at the time when a transfer voltage pulse for transferring the liquid crystal layer into bend alignment is applied, and applying an ion diffusion voltage pulse in accordance with the current value to eliminate the display unevenness.例文帳に追加

また本発明の駆動方法は、この液晶表示装置を駆動するにおいて、液晶層をベンド配向に転移させるための、転移用電圧パルスが印加された時の電流を電流検出手段により検出し、その電流値に応じた、イオンを拡散させるためのイオン拡散電圧パルスを印加し、ムラを解消する。 - 特許庁

The gas sensor element 1 includes a solid electrolyte body 11 having oxygen ion conductivity, a measurement gas-side electrode 12 and a reference gas-side electrode 13 prepared on one surface and the other surface of the solid electrolyte body 11, respectively, and a porous diffusion-resistant layer 14 through which a measurement gas is transmitted while covering the measurement gas-side electrode 12.例文帳に追加

ガスセンサ素子１は、酸素イオン伝導性の固体電解質体１１と、固体電解質体１１の一方の面と他方の面とにそれぞれ設けた被測定ガス側電極１２及び基準ガス側電極１３と、被測定ガス側電極１２を覆うと共に被測定ガスを透過させる多孔質拡散抵抗層１４とを有する。 - 特許庁

In the MEA 30, introduction layers 34a, 34b comprising an ion exchange membrane are provided between electrodes 32a, 32b made up of catalyst layers 32a1, 32b1 in which catalyst metal is carried on a carbon carrier and diffusion layers 32a1, 32b2 and an electrolyte 31, and a catalyst solution S is introduced from inlets 35a, 35b.例文帳に追加

ＭＥＡ３０は、カーボン担体上に触媒金属が担持されて成る触媒層３２ａ１，３２ｂ１及び拡散層３２ａ２，３２ｂ２で構成される電極３２ａ，３２ｂと電解質膜３１との間に、イオン交換膜から成る導入層３４ａ，３４ｂが設けられており、導入口３５ａ，３５ｂから触媒溶液Ｓが導入される。 - 特許庁

A negative ion blowing outlet is provided by exposing the electrode safely to prevent electric shock by indenting an LED lens or a part of diffusion cover of the LED unit, and the dedicated power supply is led separately from the power supply for LED element substrate, but it is connected to an electrode high-voltage unit on the lighting fixture body side through a high-voltage connector or the like.例文帳に追加

ＬＥＤユニットのＬＥＤレンズもしくは拡散用カバーの一部を凹ませ感電しないように安全に電極を露出させてマイナスイオン吹き出し口を設け、専用電源はＬＥＤ素子基板用の電源とは別個に導かれるが高圧コネクター等を介して照明器具本体側の電極用高圧ユニットと接続されてなる。 - 特許庁