「ion diffusion」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

First, a source diffusion layer is formed through ion implantation and thermal diffusion.例文帳に追加

まず、イオン注入及び熱拡散によりソース拡散層を形成する。 - 特許庁

To provide a negative ion selective diffusion system for containing only negative ions in a bathroom.例文帳に追加

マイナスイオン選択拡散システムに関する。 - 特許庁

HYDROXIDE ION CONDUCTIVITY IMPARTING AGENT FOR GAS DIFFUSION ELECTRODE例文帳に追加

ガス拡散電極用水酸化物イオン伝導性付与剤 - 特許庁

ION-EXCHANGE MEMBRANE ELECTROLYTIC CELL EQUIPPED WITH GAS DIFFUSION ELECTRODE例文帳に追加

ガス拡散電極を備えたイオン交換膜電解槽 - 特許庁

ION CONDUCTIVITY IMPARTING AGENT, AND COMPOSITION FOR GAS DIFFUSION ELECTRODE例文帳に追加

イオン伝導性付与剤およびガス拡散電極用組成物 - 特許庁

To provide a lithium ion secondary battery using an electrode having a short ion diffusion distance.例文帳に追加

イオン拡散距離が短い電極を用いてなるリチウムイオン二次電池を提供する。 - 特許庁

To provide a gas diffusion electrode which is of superior electronic conductivity, gas diffusion characteristics and ion conductivity.例文帳に追加

電子伝導性、ガス拡散性およびイオン伝導性に優れたガス拡散電極を提供する。 - 特許庁

Next, ion implantation or heat diffusion treatment is performed to form a p^- diffusion layer 41 and an n^+ diffusion layer 31 (b).例文帳に追加

次に，イオン注入や熱拡散処理等を行うことにより，Ｐ^- 拡散層４１およびＮ^+ 拡散層３１を形成する（ｂ）。 - 特許庁

Vanadium ion diffusion regions 7b in the bottoms of the trenches 4 are thicker than the vanadium ion diffusion regions 7a on the sides of the trenches 4.例文帳に追加

トレンチ底面におけるバナジウムイオン拡散領域７ｂは、トレンチ側面でのバナジウムイオン拡散領域７ａよりも厚くなっている。 - 特許庁

ELECTRIC CIRCUIT MOUNTING BOARD AND COPPER ION DIFFUSION SUPPRESSING METHOD USED THEREBY例文帳に追加

電気回路実装基板及びその銅イオンの拡散抑制方法 - 特許庁

The N^+-diffusion area 3 and the P^+-diffusion area 4 are separately made by using an ion implantation mask.例文帳に追加

Ｎ^＋拡散領域３とＰ^＋拡散領域４とはイオン注入マスクを用いて作り分ける。 - 特許庁

Thus a width of a diffusion source wire formed by subsequent ion implantation and thermal diffusion is secured.例文帳に追加

このため、この後のイオン注入、熱拡散によって形成される拡散ソース配線の幅が確保される。 - 特許庁

ION-EXCHANGE MEMBRANE ELECTROLYTIC CELL USING LIQUID PERMEATION TYPE GAS DIFFUSION CATHODE例文帳に追加

液透過型ガス拡散陰極を使用するイオン交換膜電解槽 - 特許庁

PROTECTION METHOD OF ION-EXCHANGE MEMBRANE ELECTROLYTIC CELL USING GAS DIFFUSION CATHODE例文帳に追加

ガス拡散陰極を用いたイオン交換膜型電解槽の保護方法 - 特許庁

At this point, ion implantation for a base diffusion layer has not been carried out yet.例文帳に追加

この時点で、ベース拡散層のためのイオン注入は、まだ、行われていない。 - 特許庁

Then, a high-concentration p-type diffusion layer 108 is formed by ion implantation, and a high-concentration n-type diffusion layer 109 is formed at the upper portion of the high-concentration p-type diffusion layer 108 by ion implantation.例文帳に追加

その後、高濃度Ｐ型拡散層１０８をイオン注入により形成した後、高濃度Ｐ型拡散層１０８の上方に高濃度Ｎ型拡散層１０９をイオン注入により形成する。 - 特許庁

Successively, with the same resist as the mask, ion implantation is carried out, and furthermore, the base diffusion layer is formed by thermal diffusion.例文帳に追加

続けて、同一のレジストをマスクにして、イオン注入を行い、さらに、熱拡散により、ベース拡散層を形成する。 - 特許庁

To prevent re-diffusion into a chamber due to sputtering of an ion bombardment surface of an ion recovering device and/or deposited substances on the ion bombardment surface.例文帳に追加

イオン回収装置のイオン衝突面および／またはイオン衝突面に堆積した物質のスパッタリングによるチャンバ内への再拡散を防止する。 - 特許庁

Such a composite ion exchange membrane is not markedly deteriorated in hydrogen ion diffusion though it selectively interrupts methanol.例文帳に追加

このようなイオン交換複合膜は、メタノールを選択的に遮断しながらも水素イオン拡散には大きな低下を示さない。 - 特許庁

ION EXCHANGE MEMBRANE TYPE ELECTROLYTIC CELL USING GAS DIFFUSION CATHODE AND ITS OPERATION METHOD例文帳に追加

ガス拡散陰極を用いたイオン交換膜型電解槽及びその運転方法 - 特許庁

There are provided a process of forming ion implantation control openings 13-14 which mutually align diffusion layer formation regions 7-9, an ion implantation mask layer forming process for forming ion implantation openings 29 and 30 for each diffusion layer; and a diffusion layer forming process in which an impurity element is ion-implanted through the ion implantation openings to form diffusion layers.例文帳に追加

各拡散層形成領域７〜９を相互に位置決めするイオン注入制御開口部１３〜１４を形成する工程を施した後に、各拡散層毎にイオン注入開口部２９，３０を形成するイオン注入マスク層形成工程と、各イオン注入開口部から不純物元素をイオン注入して各拡散層を形成する拡散層形成工程を実施する。 - 特許庁

The ion implantation control opening constitutes a self-alignment structure in each diffusion layer forming process, thereby diffusion layers are formed.例文帳に追加

イオン注入制御開口部が各拡散層形成工程におけるセルフアライメント構造を構成して各拡散層が形成される。 - 特許庁

The glass part 13 has an ion diffusion layer 13i on the inner peripheral side contacting the oxide film 121s.例文帳に追加

ガラス部13において酸化膜121sに接触する内周側にイオン拡散層13iを有する。 - 特許庁

PROJECTING GAS DIFFUSION ELECTRODE HAVING METAL FRAME, AND ELECTROLYTIC SALT TANK FOR ION-EXCHANGE MEMBRANE PROCESS例文帳に追加

金属枠付き凸型ガス拡散電極及びイオン交換膜法食塩電解槽 - 特許庁

ATTACHMENT FOR AIR CONDITIONER ACCOMPANIED BY MUCH EMISSION AND DIFFUSION OF MINUS ION AND RADIATION OF FAR INFRARED RAYS例文帳に追加

マイナスイオンの多量放出・拡散、遠赤外線の放射を伴うエアコン用のアタッチメント - 特許庁

This can suppress impurity diffusion into deep region caused by ion channeling generated in doping by ion implantation.例文帳に追加

この結果、イオン注入によるドーピング時に発生するイオンのチャネリングによる深い領域までの不純物拡散を抑止できる。 - 特許庁

The ions generated by the ion generating electrode 11 pass through the ion passage hole 25 with diffusion and released into the vehicle room.例文帳に追加

イオン発生電極１１で発生したイオンは、拡散によりイオン通過孔２５を通り抜けて、車室内へ放出される。 - 特許庁

To prevent the diffusion of unwanted arsenic ion, and to omit ion injecting process by forming a thin film, including arsenic ion in a low temperature, and reducing thermal history.例文帳に追加

低い温度でヒ素イオンを含む薄膜を形成し、熱履歴を減少させることで、不必要なヒ素イオンの拡散を防止し、かつイオン注入工程を省略可能とする。 - 特許庁

To provide an ion diffusion preventing film which excels in adhesiveness with a glass base material, heat resistance of the film, degassing characteristics of the film and film strength, and the like, and also excels in ion diffusion prevention performance.例文帳に追加

ガラス基材との密着性、膜の耐熱性、膜の脱ガス特性、膜強度等に優れるとともにイオン拡散防止性能に優れたイオン拡散防止膜を提供する。 - 特許庁

P^+-Type impurities (such as boron B) are ion-implanted, and a p^+-type buried diffusion layer is formed on an n^+-type buried diffusion layer.例文帳に追加

Ｐ^＋型不純物（例えばボロンＢ）をイオン注入し、Ｎ^＋型埋め込み拡散層上にＰ^＋型埋め込み拡散層を形成する。 - 特許庁

By using the mask pattern of the reduced width as a mask, ion implantation for forming a diffusion layer is performed and a diffusion layer is formed.例文帳に追加

そして、幅の狭くなったマスクパターンをマスクとして、拡散層を形成するためのイオン注入を行い、拡散層を形成する。 - 特許庁

To provide a heater with minus ion generating function capable of accelerating the diffusion of minus ions.例文帳に追加

マイナスイオンの拡散を促進させることのできるマイナスイオン発生機能付き暖房器を提供する。 - 特許庁

To provide a self-diffusion type ion generator without needing a blast means such as a fan.例文帳に追加

ファンなどの送風手段を必要としない自己拡散型のイオン発生装置を提供する。 - 特許庁

In the hydrogen fluoride treatment device 50, fluoride ion contained in generated water or reverse diffusion water is removed, or a fluoride ion concentration is reduced.例文帳に追加

フッ化水素処理器５０では、生成水中または逆拡散水に含まれるフッ素イオンが除去またはフッ素イオン濃度が低減される。 - 特許庁

There are formed a source diffusion layer 22 connected to the ion implantation region 18 for connection, and a drain diffusion layer 23 on the n-type impurity region 14.例文帳に追加

接続用イオン注入領域１８につながるソース拡散層２２及びＮ型不純物領域１４上のドレイン拡散層２３を形成する。 - 特許庁

As for the high-voltage transistor, because the ion implantation is performed through the gate insulating film 11a, the high concentration impurity diffusion region is formed shallower.例文帳に追加

高電圧トランジスタについてはゲート絶縁膜１１ａを介して行うので、浅く形成される。 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING DIFFUSION REGION OF RARE EARTH ELEMENT ION, LIGHT-EMITTING DIODE, AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME例文帳に追加

希土類元素イオンの拡散領域の製造方法および発光素子の製造方法および発光素子 - 特許庁

Then an n-type source region 9 is formed in the substrate 1 by injecting arsenic (As^-) into the substrate 1 through ion implantation and thermal diffusion.例文帳に追加

次に、ヒ素（Ａｓ^−）をイオン注入、熱拡散して、ｎ＋型のソース領域９を形成する。 - 特許庁

The P-type embedded region 2 is formed by a high-energy boron ion implantation method or a heat diffusion method.例文帳に追加

Ｐ型埋込領域２は、高エネルギーボロンイオン注入法または熱拡散法によって形成される。 - 特許庁

A first impurity region 22 constituting the floating diffusion layer 60 is formed by ion implantation.例文帳に追加

浮遊拡散層６０を構成する第１の不純物領域２２をイオン注入により形成する。 - 特許庁

Since the diffusion preventing member is formed with the ion exchange resin material, cell reaction is not obstructed.例文帳に追加

拡散防止部材はイオン交換樹脂材料から構成されるから、電池反応を阻害することがない。 - 特許庁

Ion implantation process for implanting heavily impurities which are low in diffusion coefficient within a substrate is carried out.例文帳に追加

重くて基板内の拡散係数が低い不純物を注入するイオン注入工程が実施される。 - 特許庁

To provide an electrode for a lithium-ion secondary battery capable of lowering Li-ion diffusion resistance inside the electrode when high-current-rate charge and discharge are carried out.例文帳に追加

高電流レートの充放電を行った際、電極内部のＬｉイオン拡散抵抗を下げることが可能なリチウムイオン二次電池用電極を提供する。 - 特許庁

An HVN(high voltage n)-ion implantation is conducted to only the floating diffusion region, the bit line diffusion region and is not applied to the common source region, and an LVN(low voltage n)-ion implantation also is not applied to the common source region.例文帳に追加

ＨＶＮ−イオン注入をフローティング接合領域およびビットライン接合領域にのみ実施して共通ソース領域には実施せず、ＬＶＮ−イオン注入も共通ソース領域には適用しない。 - 特許庁

To stabilize an electrolysis condition in the operation of an ion-exchange membrane electrolytic cell having a liquid permeation type gas diffusion cathode, by pushing the gas diffusion cathode toward the direction of an ion-exchange membrane and making them uniformly and tightly contact with each other.例文帳に追加

液透過型ガス拡散陰極を有するイオン交換膜電解槽の運転時に、ガス拡散陰極をイオン交換膜方向に押圧して両者を均一密着させて電解条件の安定化を図る。 - 特許庁