「ion diffusion」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

Even under the cryogenic temperature environment, diffusion move of the lithium ion in the positive electrode active material and the positive electrode mixture is secured.例文帳に追加

極低温環境下でも、正極活物質、正極合剤中のリチウムイオンの拡散移動が確保される。 - 特許庁

After implementing a hot pressing process on the completed ion exchange membrane, a cut out diffusion layer carbon cloth is placed on the catalyst layers on both positive and the other side of the ion exchange membrane and a positive electrode gas diffusion layer and a negative electrode gas diffusion layer are made, thereby the membrane electrode assembly is manufactured.例文帳に追加

完成したイオン交換膜に熱圧工程を実行した後、裁断した拡散層カーボンクロスをイオン交換膜の正反両面の触媒層上に置いて陽極気体拡散層及び陰極気体拡散層となし、以上で膜電極アセンブリの製造を完成する。 - 特許庁

In the n+ diffusion region 4a of the protective diode 1, an i-diffustion region 12 is formed at the bottom surface part of the n+ diffusion region 4a, by using an ion implantation method or the like.例文帳に追加

保護ダイオード１のｎ＋拡散領域４ａには、イオン注入法等を用いて、ｎ＋拡散領域４ａの底面部にｉ拡散領域１２が形成されている。 - 特許庁

To provide a filler for ion chromatography eliminating the diffusion of ions to be treated into the packing material substantially and reducing the lowering of separation capacity caused by the diffusion of ions to be treated into the packing material and the migration between ion exchange groups of ions to be treated to realize high resolution ion chromatography.例文帳に追加

被処理イオンの充填剤内部への拡散を実質的に無くし、被処理イオンの充填剤内部への拡散とイオン交換基間の泳動に起因する分離性能低下を低減させ、高分解能イオンクロマトグラフィーを実現するイオンクロマトグラフィー用充填剤を提供する。 - 特許庁

The He ions are given so that the depth of the p^+ diffusion area 23 may be the irradiation half-value width of the He ion or more, the peak position of the He ion may be deeper than the irradiation half-value width of the He ion, and the peak position may range 80-120% of the depth of the p^+ diffusion area 23.例文帳に追加

Ｈｅイオンの照射時には、ｐ^+拡散領域２３の深さがＨｅイオンの照射半値幅以上となり、Ｈｅイオンのピーク位置がＨｅイオンの照射半値幅よりも深く、かつｐ^+拡散領域２３の深さの８０〜１２０％の範囲になるようにする。 - 特許庁

Before stacking the photocatalyst activated self-cleaning coating, a sodium ion diffusion barrier layer is stacked on the substrate to prevent sodium ion poisoning of the photocatalyst activated self-cleaning coating.例文帳に追加

光触媒活性化自浄性被覆を堆積する前に、基体上にナトリウムイオン拡散障壁層を堆積し、光触媒活性化自浄性被覆のナトリウムイオン被毒を防ぐ。 - 特許庁

A gas-liquid permeation layer 19 having high gas holdability is installed at the reaction site between a gas diffusion electrode 15 and an ion exchange membrane 12 in the ion exchange membrane method electrolytic cell 11.例文帳に追加

イオン交換膜法電解槽11におけるガス拡散電極15とイオン交換膜12間の反応サイトに高いガス保持能力を有する気液透過層19を設置する。 - 特許庁

Thus, it is possible to reduced the influence of the code ion implantation on the low threshold transistor (a cell C under consideration) of a code ion implantation impurity diffusion region 3'.例文帳に追加

これにより、コードイオン注入によるコードイオン注入不純物拡散領域３’の低閾値トランジスタ（注目セルＣ）への影響を低減することが可能となる。 - 特許庁

To provide a vacuum cleaner which promotes the diffusion of an ion discharged from an ion outlet into the atmosphere together with the exhaust wind of an exhaust port by establishing an outlet for discharging an ion in the lower part of the exhaust port.例文帳に追加

イオンを排出する排出口を、排気口の下方に設けることで、イオン排出口から排出されたイオンが、排気口の排気風に乗って大気中への拡散を促進する電気掃除機を提供する。 - 特許庁

To provide an ion beam drawing acceleration method and a device with diffusion (loss) due to space charge effects alleviated, while ion beams drawn out of ion sources enter an acceleration/focusing region by a beam acceleration electrode.例文帳に追加

イオン源から引き出したイオンビームがビーム加速電極による加速・集束領域に入射するまでの間に、空間電荷効果によって拡散（損失）することを軽減したイオンビーム引出加速方法及び装置の提供。 - 特許庁

And then, a p-type diffusion layer 18 is formed using the openings 21 by ion implantation according to a self-aligning technique.例文帳に追加

そして、該開口部２１を用いて、自己整合技術によりＰ型の拡散層１８をイオン注入により形成する。 - 特許庁

When the ion nitriding treatment is performed under such conditions, a rigid diffusion layer is formed without the generation of the white layers.例文帳に追加

かかる条件下でイオン窒化処理が行われると、白層を生じることなく硬質の拡散層が形成される。 - 特許庁

In a frame sensor manufacturing method, the impurity is distributed by the ion implanting method or thermal diffusion method.例文帳に追加

又は、その火炎センサの製造方法において、前記不純物をイオン注入法あるいは熱拡散法により分布させる。 - 特許庁

A source/drain region 51 and a diffusion layer 52 are formed by ion implantation, for which the first gate electrode 31 is a mask.例文帳に追加

第１のゲート電極３１をマスクとしたイオン注入によりソースドレイン領域５１及び拡散層５２を形成する。 - 特許庁

The electron conduction phase, the ion conduction phase and the gas diffusion phase have nearly the same shape and are regularly arranged.例文帳に追加

電子伝導相、イオン伝導相及びガス拡散相が、略同一形状であり且つ規則的に配設されている。 - 特許庁

A protecting adhesion layer made of conductive carbon and hydrogen ion conductive polymer electrolyte, without the hydrogen ion conductive polymer electrolyte membrane directly contacting with the gas diffusion layer, is formed between a catalyst layer and the gas diffusion layer, having a projected area substantially same as the gas diffusion layer or all outer peripheral parts bigger than the gas diffusion layer yet without contacting a gasket.例文帳に追加

触媒層とガス拡散層との間に、ガス拡散層を水素イオン伝導性高分子電解質膜が直接接することのないような、投影面積が、ガス拡散層と実質的に等しいまたは、外周部全てがガス拡散層より大きくかつガスケットと接することのない、導電性カーボンと水素イオン伝導性高分子電解質からなる保護接着層を形成する。 - 特許庁

To provide a wafer scanning device in which ion injection time of a wafer is reduced to improve productivity and uniformity of ion injection is improved, by not only suppressing unevenness of ion injection due to diffusion effect of the ion beams but also enabling high speed of scanning speed and high resolution of the wafer.例文帳に追加

イオンビームの拡散影響によるイオン注入のむらを抑制するだけでなく、ウエハのスキャン速度を高速化及び高分解能化可能にして、ウエハのイオン注入時間を短縮して生産性を向上させるとともに、イオン注入の均一性を向上させる。 - 特許庁

After ion implantation, the padding oxide film 21 is used as the capping oxide film for preventing out-diffusion, and then impurities subsequent to the ion implantation is thermally diffused to form the well 2 (a process shown in (b)).例文帳に追加

イオン注入後、パッド酸化膜２１をアウトディフュージョン抑止用のキャップ酸化膜として用いて、イオン注入後の不純物を熱拡散させ、ウエル２を形成する（図２（ｂ）に示す工程）。 - 特許庁

Moreover, since the thermal diffusion of the dopant is suppressed and is activated, the most dopant profiles immediately after ion implantation is maintained.例文帳に追加

また、不純物の熱拡散を抑制して活性化するので、イオン注入直後の不純物プロファイルをほとんど維持できる。 - 特許庁

To provide a forming method for the interlayer insulating film which offers the copper ion diffusion prevention capability as well as superior thermal stability and mechanical strength.例文帳に追加

銅イオンの拡散防止機能、熱安定性、及び機械的強度に優れた層間絶縁膜の形成方法を提供する。 - 特許庁

To restrain the leakage current caused, i.e., by the ion diffusion in an embedded layer for forming an overflow barrier in the deep part of a semiconductor layer.例文帳に追加

半導体層の深部にオーバフローバリアを形成するための埋め込み層のイオン拡散等によるリーク電流を抑制する。 - 特許庁

A diffusion layer 5 is formed by an ion implantation on the substrate 1 positioning on both sides of the electrode 3.例文帳に追加

ゲート電極３の両側に位置する半導体基板１には、イオン注入により形成された拡散層５が形成されている。 - 特許庁

Furthermore, by utilizing the same mask, boron ions are ion-implanted to bottoms of the grooves 21 to form a channel-stop diffusion layer 7.例文帳に追加

更に、これらをマスクとしてボロンイオンを溝２１の底部にイオン注入することにより、チャネルストップ拡散層７を形成する。 - 特許庁

To provide a photovoltaic element and a photovoltaic device having diffusion preventing function for alkali ion such as sodium or the like.例文帳に追加

ナトリウム等のアルカリイオンに対する拡散防止機能を有する光起電力素子及び光起電力装置を提供する。 - 特許庁

Then, the gate electrode 21 is used as a mask for carrying out impurity ion implantation for forming the LDD diffusion layer of the logic element.例文帳に追加

その後、ゲート電極２１をマスクとして、ロジック素子のＬＤＤ拡散層形成のための不純物イオン注入を行なう。 - 特許庁

Further, a p floating region 51 is formed by carrying out ion injection and thermal diffusion processing from the bottom of the trench 21.例文帳に追加

次に，トレンチ２１の底部からイオン注入および熱拡散処理を行うことでＰフローティング領域５１を形成する。 - 特許庁

An ion trapping body is provided in a gas diffusion layer of an electrode.例文帳に追加

本発明は、電解質膜への不純物イオンの拡散を防止し、長期間高効率で運転できる燃料電池を提供する。 - 特許庁

In this case, a side surface that does not face the solid electrolyte for conducting the ion of the measurement electrodes 1 and 2 is covered with a diffusion limitation layer, and a side surface that does not face the solid electrolyte for conducting the ion of the diffusion limitation layer is covered with a closed gas airtight layer.例文帳に追加

そこにおいて、測定電極のイオン伝導固体電解質に面していない側面は拡散制限層で覆われ、さらに、その拡散制限層のイオン伝導固体電解質に面していない面は閉じたガス気密性の層により覆われている。 - 特許庁

Even if a part of an N-diffusion layer 6 is overetched and the P well 1 is exposed due to pattern displacement of contact pads, no etching damage is left on the border between the N-diffusion layer 6 and the P well 1, since the exposed surface is covered with an N-diffusion layer 11 by ion implantation or solid phase diffusion of phosphorus.例文帳に追加

コンタクト用パッド９の目ずれが原因でＮ−拡散層６の一部がオーバーエッチングされてＰウェル１が露出しても、その露出面をイオン注入或いはリンの固相拡散によりＮ−拡散層１１で覆うため、Ｎ−拡散層６とＰウェル１との境界のエッチングダメージを残すことはない。 - 特許庁

To suppress the distribution of an extended diffusion layer in the channel direction upon the formation of the extended diffusion layer by preventing an ion-implanted impurity from penetrating an offset sidewall.例文帳に追加

エクステンション拡散層を形成する際に、イオン注入される不純物がオフセットサイドウォールを突き抜けることを防止して、エクステンション拡散層がチャネル方向へ分布することを抑制することである。 - 特許庁

The lens array substrate 20 is immersed in a molten salt and the substrate 20 disclosed through the hole pattern of the metallic film 21 is subjected to ion diffusion (D).例文帳に追加

さらに、溶解塩にレンズアレイ基板２０を浸し、金属膜２１の穴パターンから現れているレンズアレイ基板２０を拡散する（Ｄ）。 - 特許庁

In the introduction of the electromagnetic absorber section 40, a semiconductor micro fabrication technique such as ion implantation or thermal diffusion can be used.例文帳に追加

電磁波吸収体部40の導入において、イオン注入または熱拡散などの半導体微細加工技術を用いることができる。 - 特許庁

Thereafter, a sidewall insulating film 17 is formed, and an n-type source drain diffusion layer 18 is formed by P ion implantation.例文帳に追加

その後、サイドウォール絶縁膜１７を形成し、Ｐのイオン注入を行うことにより、Ｎ型ソース・ドレイン拡散層１８を形成する。 - 特許庁

At least one of fluorine (F) and carbon (C) is subjected to ion implantation onto an Si substrate 1 to form a diffusion preventive layer 21.例文帳に追加

Ｓｉ基板１に、フッ素（Ｆ）および炭素（Ｃ）のうち、少なくともいずれか一方をイオン注入して拡散抑止層２１を形成する。 - 特許庁

Thus, implantation using the heavy ion is conducted to the pocket region to positively make a pocket diffusion layer 17 amorphous.例文帳に追加

このようにポケット領域に対して重イオンを用いた注入を行なうことにより、ポケット拡散層１７を積極的にアモルファス化する。 - 特許庁

The stream of the ion is supplied to the hair, being kept in the center of the main air flow blowing out of the outlet 11, and the problems of the ion diffusion in the air passage and the neutralization and the disappearance can be solved.例文帳に追加

イオンの流れは、吹出口１１を出た主たる空気流の中心に包み込まれた状態で毛髪へ送給されるので、送風経路におけるイオンの拡散、中和消滅を解消できる。 - 特許庁

In addition, the potential barrier has dopant formed by high-energy ion implantation, and also has dopant formed by ion implantation or diffusion during the epitaxial growth of p-type epitaxial layer.例文帳に追加

また、前記ポテンシャル障壁は、高エネルギーのイオン注入によるドーパントを有し、前記Ｐ型エピタキシャル層のエピタキシャル成長中にイオンの注入又は拡散により形成されたドーパントを有する。 - 特許庁

To provide an ozonizer by which minus ion or minus ion and ozone are diffused without using a blowing apparatus such as a motor fan and the adjustment of the diffusion or the purification of air is also performed.例文帳に追加

電動ファン等の送風装置を使用しなくても、マイナスイオン、又は、マイナスイオン及びオゾンを拡散でき、その拡散の調整や空気の浄化も可能なオゾン発生器を提供することにある。 - 特許庁

Additionally, in a gate implantation, although not only the channel of the transistor, but also a region where the diffusion layer is formed in the periphery of the channel is ion-implanted, the effect of its ion implantation is not considered at all.例文帳に追加

また、ゲート注入では、トランジスタのチャネルだけでなく、その周囲の拡散層が形成される予定の領域にもイオンが注入されるが、そのイオン注入の影響が全く考慮されていない。 - 特許庁

The reconnection region 7 is formed at the surface side of the base region 4, by doping impurity through thermal diffusion of the impurity or the ion asymmetric implantation of the impurity and annealing, after ion implantation.例文帳に追加

再結合領域７は、ベース領域４の表面側に、不純物の熱拡散、もしくは、不純物のイオン注入とイオン注入後のアニールとにより不純物をドーピングすることで形成してある。 - 特許庁

To provide an ion conductivity imparting agent for a gas diffusion electrode of a polymer electrolyte fuel cell having appropriate viscosity by uniformly dissolving or dispersing a negative ion exchange type hydrocarbon-based polymer elastomer even when concentration is high, in an ion conductivity imparting agent formed of a negative ion exchange type hydrocarbon-based polymer elastomer.例文帳に追加

本発明は、陰イオン交換型炭化水素系高分子エラストマーからなるイオン伝導性付与剤において、濃度が高い場合であっても、該エラストマーが均一に溶解ないしは分散し、適度な粘度を有する、固体高分子型燃料電池のガス拡散電極用イオン伝導性付与剤を提供することを目的としている。 - 特許庁

After forming the TEOS oxide film 10, the high concentration impurity diffusion regions 1d, 1e are formed to depths d1, d2 by the ion implantation.例文帳に追加

ＴＥＯＳ酸化膜１０を形成後に高濃度不純物拡散領域１ｄ、１ｅをイオン注入で深さｄ１、ｄ２で形成する。 - 特許庁

To enhance a sodium resistance by decreasing a grain boundary density of a transparent conductive film for suppressing sodium ion diffusion.例文帳に追加

この発明は、透明導電膜の結晶粒界密度を減少させ、Ｎａイオンの拡散を抑制し、耐Ｎａ性を向上させることを目的とする。 - 特許庁

A gas diffusion rate limiting means 12x is provided for limiting the lead-in quantity of measured gas to an oxygen ion conductive solid electrolyte body 13.例文帳に追加

酸素イオン伝導性固体電解質体１３に対し、被測定ガスの導入量を制限するガス拡散律速手段１２ｘを設ける。 - 特許庁

To provide a thin film transistor which prevents the shortening of semiconductor pattern length by the diffusion of metal ion.例文帳に追加

本発明の一つの目的は、金属イオンの拡散によって半導体パターンの長さが短くなることを防止する薄膜トランジスタを提供する。 - 特許庁