「ion diffusion」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a semiconductor device capable of preventing occurrence of ion diffusion, and forming a film excelling in adhesiveness to a glass substrate; a semiconductor manufacturing device; and its manufacturing method.例文帳に追加

イオン拡散の発生を防止でき、さらにガラス基板との密着性の良い膜を形成する半導体デバイス、半導体製造装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Any one of the electron conduction phase, the ion conduction phase and the gas diffusion phase in one of the electrode layers comes into contact with the three phases in the other electrode layers.例文帳に追加

１の電極層内の電子伝導相、イオン伝導相及びガス拡散相のうちの任意の１相が、他の電極層内の当該３相と接触している。 - 特許庁

To provide an ion conductivity imparting agent by which, a gas diffusion electrode for a solid polymer furl cell, using an electrolyte film as a hydrocarbon group negative ion exchange film, having good ion conductivity at the inside of the electrode, enabled to join with the electrolyte film with sufficient strength, enabled to stably use for long time, can be formed.例文帳に追加

電解質膜が炭化水素系陰イオン交換膜である固体高分子型燃料電池において、該電解質膜と良好な強度で接合可能であり、電極内部におけるイオン伝導性が良好で長期間安定に使用できるガス拡散電極を与えることができるイオン伝導性付与剤を提供する。 - 特許庁

This glass substrate for a display, comprising a glass substrate on whose surface a metal ion diffusion-preventing film 2 is formed, characterized in that the metal ion diffusion-preventing film 2 is a crystalline SnO2 film having a half-value width of ≤1 at one or more diffraction peaks at diffraction angles of about 26.5°, about 37.9° and about 51.6° by X-ray diffraction.例文帳に追加

表面に金属イオン拡散防止膜２が形成されたガラス基板よりなるディスプレイ用ガラス基板において、該金属イオン拡散防止膜２がＸ線回折による回折角約２６．５°、約３７．９°及び約５１．６°のいずれか１以上の回折ピークにおける半値幅が１°以下の結晶性ＳｎＯ_２膜であるディスプレイ用ガラス基板。 - 特許庁

To provide a method of producing a silicon epitaxial wafer, which is capable of efficiently producing the epitaxial wafer in which plural epitaxial layers are stacked through buried ion implanted layers and by which the silicon epitaxial wafer small in diffusion of the formed ion implanted layers in the lateral direction can be obtained.例文帳に追加

埋込イオン注入層を介して複数のエピタキシャル層が積層形成されたエピタキシャルウェーハを極めて能率的に製造でき、形成されるイオン注入層の横方向拡散も少ないシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a silicon epitaxial wafer for extremely efficiently manufacturing an epitaxial wafer where a plurality of epitaxial layers are laminated through an embedded ion injection layer, and for reducing the lateral diffusion of the formed ion injection layer.例文帳に追加

埋込イオン注入層を介して複数のエピタキシャル層が積層形成されたエピタキシャルウェーハを極めて能率的に製造でき、形成されるイオン注入層の横方向拡散も少ないシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。 - 特許庁

At the implantation depth heating step S12, after the surface heating step S10, at least the semiconductor substrate 12 at the depth 50 is heated until reaching a temperature of the hydrogen ion outward-diffusion temperature or higher within a hydrogen ion activation-temperature range.例文帳に追加

注入深さ加熱工程Ｓ１２は、表面加熱工程Ｓ１０後に、少なくとも前記深さ５０の半導体基板１２を、水素イオン活性化温度域内にあって水素イオン外方拡散温度以上の温度に到達するまで加熱する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device wherein the amount of flares of redistribution of impurities accompanying transient enhanced diffusion phenomenon (TED) and regular thermal treatment is restrained, when the impurities having different re-diffusion length property are annealed after ion implantation.例文帳に追加

異なる再拡散長特性を有する不純物をイオン注入後アニールするに際し、過渡増速拡散現象（ＴＥＤ）及び通常の熱処理に伴う不純物の再分布の拡がり量を抑制した半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The membrane electrode assembly (MEA) for a fuel cell is formed by laminating a gas diffusion layer for anode 101, a catalyst layer for anode 102, an ion conductive membrane 103, a catalyst layer for cathode 104, and a gas diffusion layer for cathode 105 in order in the thickness direction.例文帳に追加

燃料電池用膜電極接合体（ＭＥＡ）は、アノード用ガス拡散層１０１、アノード用触媒層１０２、イオン伝導体膜１０３、カソード用触媒層１０４、カノード用ガス拡散層１０５を厚み方向に順に積層して形成されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device manufacturing method capable of suppressing a crystal defect in an impurity diffusion region or in the circumference of the region, when the impurity diffusion region is formed in a region enclosed by the trench of a semiconductor substrate by ion implantation method.例文帳に追加

半導体基板のトレンチに挟まれた領域に、イオン注入法により、不純物拡散領域を形成する場合に、不純物拡散領域およびその周辺での結晶欠陥の発生を抑制できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Therefore, even if a diffusion layer 17 is formed on the active layer 16 by impurity ion injection, the interface 19 of the diffusion layer 17 and the active layer 16 changes consistently with the protrusions and recesses in the surface of the active layer 16, and variation in distance between the diffusion layer 17 and the embedded oxide film layer 15 is eliminated.例文帳に追加

従って、この処理の実施後に、不純物イオンの注入処理によって活性層１６に拡散層１７を形成しても、拡散層１７と活性層１６との界面１９は、活性層１６の表面の凹凸と一致して変化することになり、拡散層１７と埋め込み酸化膜層１５との間に距離ばらつきが解消される。 - 特許庁

A gas diffusion layer 14 and a gas diffusion layer 24 for the solid polymer fuel cell are formed using a coating liquid for forming the gas diffusion layer for solid polymer fuel cell containing carbon fiber with the average fiber diameter of 1-20 μm and the average fiber length of 100-500 μm, fluorine-containing ion exchange resin, and a dispersion medium.例文帳に追加

平均繊維径が１〜２０μｍであり、平均繊維長が１００〜５００μｍであるカーボンファイバーと、含フッ素イオン交換樹脂と、分散媒とを含む固体高分子形燃料電池用ガス拡散層形成用塗工液を用いて、固体高分子形燃料電池のガス拡散層１４およびガス拡散層２４を形成する。 - 特許庁

For example, a hydrocarbon group polymerized elastomer, or a solution of the same, or a suspension of the same, having a structure like a stylene group thermoplastic elastomer in which, negative ion exchanging group is introduced, hardly soluble in water and methanol, are used as the ion conductivity imparting agent for gas diffusion electrode.例文帳に追加

例えば、スチレン系の熱可塑性エラストマーに陰イオン交換基を導入したような構造を有し、水及びメタノールに難溶な炭化水素系高分子エラストマー、又はその溶液或いは懸濁液をガス拡散電極用イオン伝導性付与剤として使用する。 - 特許庁

A reverse breakdown voltage for the reverse blocking IGBT can be secured while an optimal value in a trade-off of an ON-state voltage and a switching loss can be selected by performing an ion implantation for forming the diffusion layer 21 within the trench and an ion implantation for forming a collector layer 22, separately.例文帳に追加

また、溝内拡散層２１を形成するイオン注入とコレクタ層２２を形成するイオン注入を分けて行うことで、逆阻止ＩＧＢＴの逆耐圧を確保しながらオン電圧とスイッチング損失のトレードオフ上の最適値を選択することができる。 - 特許庁

A Pt-carrying carbon nanotube 31 is orientated on a fluorine system ion exchange ion membrane 11, a carbon nanotube 35 is orientated on a diffusion layer 17, and a catalyst layer 15 taking charge of battery reaction with the Pt-carrying carbon nanotube 31 and the carbon nanotube 35 is formed.例文帳に追加

フッ素系イオン交換樹脂膜１１にＰｔ担持カーボンナノチューブ３１が配向され、拡散層１７にカーボンナノチューブ３５が配向されており、Ｐｔ担持カーボンナノチューブ３１とカーボンナノチューブ３５とで電池反応を担う触媒層１５が形成されている。 - 特許庁

The processing liquid is a processing liquid for a planographic printing plate utilizing a silver complex salt diffusion transfer process containing at least proteolytic enzyme and metal ion chelating agent, in which the proteolytic enzyme and the metal ion chelating agent are separated.例文帳に追加

タンパク質分解酵素と金属イオンキレート剤を少なくとも含有する銀錯塩拡散転写法を利用した平版印刷版の処理液において、前記タンパク質分解酵素と前記金属イオンキレート剤とが分離されていることを特徴とする処理液。 - 特許庁

As a result, using the diffusion and spread of the air flow by the collision of the air flow, the cleaning effect to the head including the mouth and throat and the spraying effects of ion, aroma, etc. can be improved.例文帳に追加

これにより、気流の衝突により気流が拡散して広がることを利用して、頭部の口や咽喉部などへの清浄効果や、イオンや芳香などの散布効果を向上できる。 - 特許庁

To provide a bipolar transistor wherein the device characteristics of the transistor are not deteriorated, while impurity diffusion in the layers in the transistor is inhibited, and moreover by the generation of damage to the transistor due to an ion implantation into the layers or the like.例文帳に追加

不純物拡散を抑制しつつ、しかもイオン注入に基づくダメージの発生などによりデバイス特性が劣化しないバイポーラトランジスタを提供することを目的とする。 - 特許庁

To form a memory cell region and a high concentration impurity diffusion region of a high-voltage transistor at the same time by ion implantation so that the high-voltage transistor side is shallower.例文帳に追加

メモリセル領域と高電圧トランジスタとの高濃度不純物拡散領域を同時にイオン注入で形成し、且つ高電圧トランジスタ側の方が浅くなるように形成する。 - 特許庁

At this point, an element pattern where the ion implantation stop film 7 is formed at the lower part of a memory cell is formed to a gate electrode wiring or the diffusion layer in a self-aligned manner.例文帳に追加

ここで、上記のイオン注入阻止膜がメモリセルの下層部に形成された素子パターン例えばゲート電極配線あるいは上記の拡散層に対してセルフアラインに形成される。 - 特許庁

Thereafter, an N-type impurity ion is implanted using the gate oxide film 3 and the gate electrode 4 as the mask, so that a plurality of N-type source-drain diffusion regions 6 are formed separately.例文帳に追加

その後、ゲート酸化膜３及びゲート電極４をマスクとしてＮ型の不純物イオンを注入することで、Ｎ型のソース・ドレイン拡散領域６を複数離間形成する。 - 特許庁

To provide an electrodeionization apparatus which suppresses the concentration diffusion of carbonate ions from a concentrating chambers, so that production water having an extremely low carbonate ion concentration can be obtained, and to provide an operating method therefor.例文帳に追加

濃縮室からの炭酸イオンの濃度拡散を抑制し、これにより全無機炭酸濃度の生産水を得ることができる電気脱イオン装置とその運転方法を提供する。 - 特許庁

The surface of the oxide film 121s is in a shape having fine irregularity, and there is substantially no Fe_2O_3 in the ion diffusion layer 13i, thereby obtaining an excellent adhesion characteristic between the lead part 12 and the glass part 13.例文帳に追加

酸化膜121sの表面が微細な凹凸を有する形状であると共に、イオン拡散層13i中にFe_2O_3が実質的に存在しないことで、リード部12とガラス部13とは密着性に優れる。 - 特許庁

To provide an evaluation method for accurate and simple measurement of lifetime of a silicon single-crystal wafer having an ion implantation layer or a diffusion layer formed, which has been conventionally considered to be impossible.例文帳に追加

従来、無理と考えられてきたイオン注入層や拡散層が形成されたシリコン単結晶ウエーハのライフタイムを、精度よく且つ簡易に測定するための評価方法を提供する。 - 特許庁

The electrolytic cell 1A with an anode 21, an ion exchange membrane 2 and the gas diffusion cathode 5 placed therein, has vent holes 22 and 23 of a cooling medium formed, which lead to the outside of the electrolytic cell.例文帳に追加

陽極２１、イオン交換膜２及びガス拡散陰極５を装着した電解槽１Ａに、電解槽外に通じる冷却用媒体の通気孔２２、２３を形成する。 - 特許庁

The film 31 suppresses the outward diffusion of impurities, and hence suppresses impurity ions breaking through the electrode 8 when ion implantation for promoting silicidization is subsequently performed.例文帳に追加

酸化膜３１によって不純物の外方拡散を抑制し、その後にシリサイド化促進用のイオン注入を行なう際に不純物イオンがゲート電極８を突き抜けるのを抑制する。 - 特許庁

This electrode structure is composed by stacking a plurality of electrode layers, in each of which an electron conduction phase 1, an ion conduction phase 2 and a gas diffusion phase 3 are arranged so as to have a common contact point.例文帳に追加

電子伝導相１、イオン伝導相２及びガス拡散相３が共通の接触点を有するように配設された複数の電極層を積層た電極構造体である。 - 特許庁

In the manufacturing method, after the formation of the second transfer electrode, the impurity diffusion region for charge storage is formed by self alignment by ion implantation using the second transfer electrode as a mask.例文帳に追加

本発明の製造方法では、第２転送電極を形成後、第２転送電極をマスクとしたイオン注入により、電荷蓄積用不純物拡散領域をセルフアラインで形成する。 - 特許庁

To prevent useless reaction between a silicon wafer and impurities and useless diffusion of impurities in the silicon wafer when the silicon wafer, which has the surface not covered with a covering film and is ion-implanted impurities, is subjected to annealing.例文帳に追加

表面がカバー膜で被覆されておらず不純物がイオン注入されたシリコンウェハをアニール処理するとき、シリコンウェハの無用な反応と不純物の無用な拡散とを防止する。 - 特許庁

Since the diffusion preventing member is formed with the ion exchange resin material, substitution of part of existing electrolyte membrane is made possible so as not to exert large influence upon cell performance.例文帳に追加

また、拡散防止部材はイオン交換樹脂材料から構成されているから、電池性能に大きな影響を与えないように、既存の電解質膜の一部を置換することも可能である。 - 特許庁

To minimize channeling of impurity and diffusion of a gate impurity which arise in the process for activation and implantation of impurity ion.例文帳に追加

不純物イオンの注入及び活性化の過程で生じる不純物のチャネリング及びゲート不純物の拡散現象を最小化するに適したデュアルゲートMOSトランジスタの製造方法を提供する。 - 特許庁

An improvement rod 30 incorporating a functional substance having negative ion diffusion performance, such as tourmaline, and a functional substance having sterilization performance, such as titanium dioxide, is hung on the back face of a lid stopper 20.例文帳に追加

蓋栓２０の裏面にトルマリン等のマイナスイオン放散能を有する機能物質や、酸化チタン等の殺菌能を有する機能物質を含ませた改質棒３０を垂設する。 - 特許庁

To provide a sputtering target which can be used for forming a multilayer film having no mutual diffusion or a mutual reaction in an interface between films formed from two different materials through an ion beam sputtering or magnetron sputtering technique.例文帳に追加

イオンビームスパッタやマグネトロンスパッタ法で形成された、異なる２種類の膜材料界面で相互拡散や相互反応のない多層膜が形成可能なスパッタリングターゲットの提供。 - 特許庁

To provide an electric deionization apparatus and an operating method therefor by which concentration diffusion of HCO_3^- ion from a thickening chamber is suppressed and thereby product water of high specific resistance can be obtained.例文帳に追加

濃縮室からのＨＣＯ_３^−イオンの濃度拡散を抑制し、これにより高い比抵抗の生産水を得ることができる電気脱イオン装置とその運転方法を提供する。 - 特許庁

After forming side walls 109 on the side walls of the gate electrode 105a, a source drain diffusion layer 111 is formed on the surface side of the semiconductor substrate 101 by the ion implantation.例文帳に追加

ゲート電極１０５ａの側壁にサイドウォール１０９を形成した後、イオン注入によって半導体基板１０１の表面側にソース・ドレイン拡散層１１１を形成する。 - 特許庁

After a resist pattern 19 that covers a PMIS region is formed, and then the polysilicon germanium film 18 in an NMIS region is implanted with phosphorus ion 20, a heat treatment for diffusion is implemented.例文帳に追加

ＰＭＩＳ領域を覆うレジストパターン１９を形成した後、ＮＭＩＳ領域のポリシリコンゲルマニウム膜１８にリンイオン２０を注入した後、拡散用の熱処理を行う。 - 特許庁

The LDD diffusion layer 107, which specifies the distance L between PN junctions, is formed on the surface layer of the semiconductor substrate 101 by ion implantation employing the gate electrode pattern 105 as a mask.例文帳に追加

ゲート電極パターン１０５をマスクにしたイオン注入によって、半導体基板１０１の表面層にＰＮ接合間距離Ｌを規定するＬＤＤ拡散層１０７を形成する。 - 特許庁

A heavily doped diffusion layer 42 is formed to the surface layer of a terminal-section base region 40 by an ion implantation using an end on the cell-section side of the oxide film 10 as a mask and a heat treatment.例文帳に追加

酸化膜１０のセル部側の端部をマスクとするイオン注入および熱処理により終端部ベース領域４０の表面層に高濃度不純物拡散層４２を形成する。 - 特許庁

To obtain a stable contact resistance as well as to realize a low junction leakage, without having to carry out compensatory ion implantation in a contact hole, inside which the boundary between a diffusion layer and an element isolation is exposed.例文帳に追加

拡散層と素子分離との境界が内部で露出するコンタクトホールにおいて、補償イオン注入を行わずに低接合リークを実現するとともに安定したコンタクト抵抗を得る。 - 特許庁

A potential slope provided at a position adjacent to floating diffusion in the horizontal charge transfer path and having a declining potential for transferring the electric charge in the path to the floating diffusion is formed by additional ion implantation, to sequentially get from a low concentration to a high concentration after a first layer electric charge transfer electrode is formed, thereby performing ion implantation with good controllability.例文帳に追加

水平電荷転送路中のフローティングディフュージョンと隣接する位置に設けられ、水平電荷転送路中の電荷をフローティングディフュージョンに転送するための下り勾配のポテンシャルを有するポテンシャル傾斜部を、第１層電荷転送電極の形成後に、低濃度から順次高濃度となるように追加イオン注入によって形成するようにし、制御性よくイオン注入を行う。 - 特許庁

This gas diffusion electrode for a solid high polymer electrolyte fuel cell contains a catalyst and a carbon sulfonic acid type ion exchange resin containing fluoride, the ion exchange resin can be obtained by hydrolyzing and oxidizing the precursor of the ion exchange resin having -SO2F and the precursor has a fused extrusion temperature of 80-170°C.例文帳に追加

触媒と含フッ素カーボンスルホン酸型イオン交換樹脂とを含有してなり、前記イオン交換樹脂は、末端に−ＳＯ_2Ｆを有する前記イオン交換樹脂の前駆体を加水分解及び酸型化処理して得られ、かつ前記前駆体は、溶融押出し温度が８０〜１７０℃である固体高分子電解質型燃料電池用ガス拡散電極。 - 特許庁

This ion-exchange membrane-type electrolytic cell is provided with a gas diffusion cathode 5, protrusions 9 are formed on a gas chamber backplate 8, the tops 10 of the protrusions are brought into contact with or joined to the gas diffusion cathode 5 and horizontally arranged in a line, and the lines are shifted from one another.例文帳に追加

ガス拡散陰極５を備え、ガス室背板８に突起物９を形成し、突起頂点１０がガス拡散陰極に接触または結合しており、その配置が水平方向に列をなし、列毎にずらせて配置したことを特徴とする特徴とするイオン交換膜型電解槽。 - 特許庁

Then, after a gate insulating film 2 and the gate electrode 3 are formed on the diffusion layer 4a, a p-type diffusion layer 5a for channel is formed by performing ion implantation by using an implantation mask 12 covering part of the upper surface of the electrode 3 and the region 7a for drain of the substrate 1 and the gate electrode 3 as masks.例文帳に追加

そして、ゲート絶縁膜２及びゲート電極３を形成した後、ゲート電極３上の一部及び半導体基板１のドレイン用領域７ａ上を覆う注入マスク１２及びゲート電極３をマスクにしてイオン注入を行い、ｐ型のチャネル用拡散層５ａを形成する。 - 特許庁

A membrane electrode assembly 1 has a cathode 2 formed with a cathode catalyst layer and a cathode gas diffusion layer 21, an anode 3 formed with an anode catalyst layer 30 and an anode gas diffusion layer 31, and an ion conductive membrane 4 interposed between the anode catalyst layer 30 and the cathode catalyst layer 20.例文帳に追加

膜電極接合体１は、カソード触媒層２０およびカソードガス拡散層２１で形成されたカソード２と、アノード触媒層３０およびアノードガス拡散層３１で形成されたアノード３と、アノード触媒層３０とカソード触媒層２０とで挟持されたイオン伝導膜４とを有する。 - 特許庁

The ion isolation area 32 brings a PSG film 13 being an interlayer isolation film into contact with the silicon board 10 through a groove 33 formed on a silicon oxidation film 12, and traverse diffusion to the circuit element area 31 of the alkali ion intruded from a chip edge 21 to the oxidation films 11, 12 is suppressed.例文帳に追加

イオン遮断領域３２は、層間絶縁膜であるＰＳＧ膜１３を、シリコン酸化膜１２に形成した溝３３を介してシリコン基板１０に接触せたもので、チップエッジ２１から酸化膜１１，１２に侵入するアルカリイオンの回路素子領域３１への横方向拡散を抑制する。 - 特許庁