意味 | 例文 (999件) |
layer-insulationの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 5895件
A foamed fluorocarbon resin coaxial cable with a foamed insulation layer of a thickness of 0.083 to 0.16 mm and a foaming degree of not less than 50% is produced by foaming a fluorocarbon resin that is a PFA of a melt flow rate of 30 to 40 g/10 min. with carbon dioxide.例文帳に追加
メルトフローレートが30〜40g/10分のPFAであるフッ素樹脂を炭酸ガスで発泡することにより、厚みが0.083〜0.16mmで発泡度が50%以上の発泡絶縁層の発泡フッ素樹脂同軸ケーブル11を作製する。 - 特許庁
The gate insulation film 3 of MSI.FETQ constituting the analog circuit of the analog/digital coexisting circuit is constituted of an acid nitride film and at least one MIS.FETQ constituting the analog circuit is turned to a structure provided with a depression type buried channel layer 5b.例文帳に追加
アナログ・デジタル混在回路のアナログ回路を構成するMSI・FETQのゲート絶縁膜3を酸窒化膜によって構成し、前記アナログ回路を構成する少なくとも1つのMIS・FETQを、デプレッション型の埋め込みチャネル層5bを有する構造とする。 - 特許庁
An insulation cladding 5 is provided for covering the chip-like resistor, including the boundaries of the resistor 1 and the electrode pieces 2, and made of fluoro-resin to provide no wettability to solder and a material of a plating layer provided on the electrode pieces 2.例文帳に追加
チップ状抵抗体1と電極片2との境界部分を含んでチップ状抵抗体を覆うようにして絶縁被覆5が設けられ、絶縁被覆5はフッ素樹脂製であり、はんだ及び電極片1上に設けられるメッキ層の材料に対して濡れ性が無い。 - 特許庁
An insulation film formed on a Si substrate and containing Hf or Zr and a deposited film present on the upper or lower layer thereof or in the film are removed by repeating dry etching and wet etching one or more times by putting the wet etching first.例文帳に追加
Si基板上に形成されたHfあるいはZrを含む絶縁膜とその上層あるいは下層あるいは膜中に存在するMg,YあるいはAlとを含む堆積膜の除去を、ドライエッチングとウエットエッチングを、ウエットエッチングを先にして少なくとも1回繰り返して行う。 - 特許庁
In forming the terminal electrode of the multilayer electronic component structured by alternately laminating an internal electrode and an insulation layer, a first terminal forming surface is tilted to an irradiation surface of a target with at least a periphery of the first terminal forming surface surrounded.例文帳に追加
内部電極と絶縁層とを交互に積層して構成される積層型電子部品の端子電極を形成するにあたり、第1端子形成面の周囲を少なくとも囲んだ状態で、ターゲットの照射面に対して前記第1端子形成面を傾斜させる。 - 特許庁
To provide an insulation sheet which is used for bonding a high heat conductive material having ≥10 W/m×K heat conductivity with an electroconductive layer, is excellent in sheet characteristics in its un-cured state, and can be used for producing a cured material excellent in bonding property, heat resistance, electric voltage-withstanding property and thermal conductivity.例文帳に追加
熱伝導率が10W/m・K以上の高熱伝導体を導電層に接着するのに用いられ、未硬化状態ではシート特性に優れ、接着性、耐熱性、耐電圧性及び熱伝導率に優れた硬化物を与える絶縁シートを提供する。 - 特許庁
This dielectric substance-forming composition includes 40-99 vol% of a thermoplastic or thermosetting resin and 1-60 vol% of a semiconductive filler in which an insulation layer is particularly preferably formed on the surface thereof.例文帳に追加
本発明の誘電体形成用組成物は、熱可塑性樹脂、あるいは熱硬化性樹脂40〜99vol%と、半導性充填剤1〜60vol%とを含むものであり、特に、半導性充填剤は、表面に絶縁層が形成されてなることが好ましい。 - 特許庁
To ensure insulation between second electrodes formed on an organic EL layer or that between second and first electrodes and to ensure sealing of an organic EL film contributing to emission even if it is sealed with a thin film.例文帳に追加
有機EL層の上に形成される第2電極間あるいは第2電極と第1電極との間の絶縁性を確保して、かつ有機EL素子の封止を薄膜で行う場合にも発光に寄与する有機EL膜の封止を確実に行うことを可能にする。 - 特許庁
The toner carriers have a plurality of transfer electrodes arranged along the transfer path (TTP) of the toner (T) to produce an electric traveling-wave field by applying a transfer voltage, and an insulation cover layer formed to cover the transfer electrodes.例文帳に追加
トナー搬送部材は、搬送電圧の印加により進行波電界を生成するようにトナー(T)の搬送経路(TTP)に沿って配列された複数の搬送電極と、複数の搬送電極を覆うように設けられた絶縁性の被覆層と、を備えている。 - 特許庁
In the actuator, there are laminated via an insulation material layer 4 integrally with each other a sensor portion 3 comprising piezoelectric material layers (piezoelectric ceramics 6) having respectively formed electrode portions 7, and an actuator portion 2 wherein a plurality of electrostrictive material layers (electrostrictive ceramics 2a, 2b) having respectively formed electrode portions 5 are laminated.例文帳に追加
電極部5が形成された電歪材料(電歪セラミックス2a、2b)層が複数積層されたアクチュエータ部2と、圧電材料(圧電セラミックス6)層に電極部7が形成されたセンサ部3とが絶縁材料層4を介して一体に積層されてなる。 - 特許庁
By etching an SOI wafer formed by sticking two silicon substrates 10 and 20 with an insulation layer 30, and by forming an opening 11 in the first silicon substrate 10, respective regions of a peripheral fixing part 12, a weight fixing part 13, a beam part 14 and a stopper part 15 are formed.例文帳に追加
2枚のシリコン基板10,20を絶縁層30で貼り合わせたSOIウエハをエッチングし、第1のシリコン基板10に開口部11を設けることによって、周辺固定部12、錘固定部13、梁部14、ストッパ部15の各領域を形成する。 - 特許庁
The composite yarn comprises a yarn body 1 formed of a resin material having insulation properties, and a pair of conductive patterns 2 which is formed on a surface of the yarn body 1 that has been subjected to easy-adhesion treatment, and comprises a metal-plated layer having a resistance of 30 Ω/cm or less.例文帳に追加
複合糸は、絶縁性を有する樹脂材料からなる糸本体1と、易接着処理された糸本体1の表面に形成されるとともに抵抗が30Ω/cm以下の金属メッキ層からなる一対の導電性パターン2とを備えている。 - 特許庁
A test facilitating circuit interior SIP1c is configured by bonding a plurality of core substrates, on at least one of which an integrated circuit chip is mounted, via an insulation resin layer and is configured by connecting wiring layers formed on the core substrates via a through-hole.例文帳に追加
テスト容易化回路内装SIP1cは、少なくともその1つに集積回路チップが搭載された複数のコア基板を、絶縁樹脂層を介して貼り合わせて構成するとともに、コア基板に形成された配線層を、スルーホールを介して接続して構成される。 - 特許庁
The upper tank part and the lower tank part form the layer of the thermal insulation material on the inner surface before joining or after joining.例文帳に追加
温水タンク内面に断熱材の層を形成したこと、温水タンクは、下面開口の上タンク部と上面開口の下タンク部とがそれぞれ接合して一体化される構成であり、上タンク部と下タンク部は、接合前または接合後に内面に断熱材の層を形成すること。 - 特許庁
Each cross area of the electrode lines 2, 4 is formed with a pore 5 penetrating the gate line 4 and the insulation layer 3 to the cathode electrode line 2, while the surface of the cathode electrode line 2, i.e., the bottom of the minute hole 5, has a cold cathode thin film 7.例文帳に追加
各電極ライン2、4の交差領域には、ゲート電極ライン4と絶縁層3とを貫通してカソード電極ライン2に達する微細孔5が形成され、この微細孔5の底部となるカソード電極ライン2の表面に冷陰極薄膜7を有する。 - 特許庁
To provide a wiring board in which solder bridge is prevented without requiring solder resist because a wiring pattern is formed to be entirely recessed from an insulation layer and mounting of solder balls is facilitated by recognizing the boundary of the recess, and also to provide its producing process.例文帳に追加
配線パターンの全体が絶縁層に対して凹状に形成されているため、ソルダーレジストを設けなくても、はんだのブリッジ等を防止でき、しかも凹部境界を認識してハンダボールの搭載等が容易になる配線基板、およびその製造方法を提供する。 - 特許庁
To simplify the work process by reducing the insulation layer having a surface to be flattened so that a chip can be vacuum-sucked at the time of packaging through packing and resulting bulk supply and to suppress variation of inductance under packaged state.例文帳に追加
袋詰め梱包とそれによるバルク供給が可能であり、実装に際してバキューム吸着できるように表面を平坦化すべき絶縁層を減らして作業工程を簡素化し、更に実装状態によるインダクタンスのばらつきを低減できるようにする。 - 特許庁
To provide a semiconductor device using a high dielectric thin film, an ultrathin gate insulation layer which is indispensable to high integration and acceleration of MOSFET in particular, and a high dielectric thin film etching agent composition used in the manufacturing process of a semiconductor device with a gate electrode.例文帳に追加
高誘電率薄膜を用いた半導体装置、特にMOSFETの高集積化と高速化に不可欠な極薄ゲート絶縁膜層、ゲート電極を用いた半導体装置の製造工程に使用される高誘電率薄膜エッチング剤組成物を提供する。 - 特許庁
To provide an epoxy resin composition that has a long pot life at room temperature in the pressure bonding process, hardens in a short time and can form a hardened resin layer that is voidless and has insulation characteristics in order to improve the production efficiency of a semiconductor device by flip chip mounting.例文帳に追加
フリップチップ実装による半導体装置の製造効率を改善するため、圧接工程において室温での可使時間が長く、短時間で硬化し、ボイドレスで絶縁特性を備えた硬化樹脂層を形成することができるエポキシ樹脂組成物を提供する。 - 特許庁
In this case, the first and second unit cells are connected in series by allowing the second impurity semiconductor layer to abut on the third one, an insulation layer is provided on a surface at a side opposite to the single crystal semiconductor layer of the first electrode, and the insulation layer is joined to a support substrate.例文帳に追加
単結晶半導体層の一方の面に第1電極と一導電型の第1不純物半導体層が設けられ、他方の面に一導電型とは逆の導電型の第2不純物半導体層が設けられた第1ユニットセルと、非単結晶半導体層の一方の面に一導電型の第3不純物半導体層が設けられ、他方の面に一導電型とは逆の導電型の第4純物半導体層と第2電極が設けられた第2ユニットセルとを有し、第1ユニットセルと第2ユニットセルは、第2不純物半導体層と第3不純物半導体層が接することで直列接続され、第1電極の単結晶半導体層とは反対側の面に絶縁層が設けられ、絶縁層が支持基板と接合している光電変換装置である。 - 特許庁
By manufacturing the sintered magnetic core using the soft magnetic iron-based powder of which a cover layer includes an Mn-Zn spinel ferrite phase and contains Si and Ca, a compound oxide of a low fusing point containing Si and Ca is eccentrically formed on an insulation layer formed to separately cover soft magnetic iron particles, thereby holding high specific resistance even after sintering.例文帳に追加
この被覆層がMn−Zn系スピネル型フェライト相を有し、かつ、SiおよびCaを含んでいる軟磁性鉄基粉末を用いて焼結磁芯を製造することにより、各軟磁性鉄基粒子をそれぞれ分離被覆するように形成された絶縁層に、Si,Caを含む低融点の複合酸化物が偏析形成されて焼結後にも高い比抵抗を保持することができる。 - 特許庁
An insulation trench 15 is disposed so as to enclose a memory cell 1 and an adjacent memory cell 16, doped active region 17 between the memory cell 1 and the adjacent memory cell 16 is formed, and a second dielectric layer 12 having an inside opening 13 is disposed above an epitaxial grown layer 11 in the upper region 6 of a trench 3.例文帳に追加
絶縁トレンチ15が、メモリセル1と、隣接する別のメモリセル16とを取り囲むように配置されており、該メモリセル1と、隣接する別のメモリセル16との間にドーピングされたアクティブ領域17が形成されており、トレンチ3の上方領域6において、エピタキシャル成長層11の上方に、内側開口13を有する第2の誘電層12が配置されている。 - 特許庁
The method of manufacturing a thin film transistor having an active layer of a transparent oxide film containing In, Zn and O at an electronic carrier concentration of less than the level of 10^18 /cm^3, a source electrode, a drain electrode, a gate insulation film, and a gate electrode comprises a step of forming the active layer by the sputtering method in an atmosphere gas containing water.例文帳に追加
In、Zn及びOを含み、電子キャリア濃度が10^18/cm^3未満である透明アモルファス酸化物膜からなる活性層と、ソース電極と、ドレイン電極と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極とを含む薄膜トランジスタの製造方法において、活性層をスパッタ法により形成する工程を含み、スパッタ法により活性層を形成する際の雰囲気ガス中に水を含む。 - 特許庁
To provide a highly heat-resistant rubber composition excellent not only in electric insulation, barrier properties and the like but in characteristics as rubber such as small compression set, having a halogen content made as low as possible and excellent also in heat resistance and capable of forming an opening sealing body of a single layer structure for an electrolytic capacitor, and an opening sealing body of a single layer structure for an electrolytic capacitor excellent in the above various characteristics.例文帳に追加
電気絶縁性、バリア性等に優れる上、圧縮永久ひずみが小さいなどゴムとしての特性にも優れ、ハロゲンの含有量が極力少なく、しかも耐熱性にも優れた単層構造の電解コンデンサ用封口体を形成しうる高耐熱ゴム組成物と、前記各特性に優れた単層構造の電解コンデンサ用封口体とを提供する。 - 特許庁
The method for producing a wiring board comprises a step for laying a composite sheet 10, where an adhesive sheet 12 containing thermosetting resin is boded to or impregnated partially with a porous film 13, on a wiring layer 2 having a wiring pattern 2a formed on an insulation layer 1 and then integrating the multilayer by hot press or hot press following to press.例文帳に追加
絶縁層1上に配線パターン2aが形成された配線層2に対し、熱硬化性樹脂を含有する接着性シート12が多孔質膜13に接着又はその少なくとも一部が含浸された複合シート10を少なくとも積層した状態で、その積層物を加熱加圧又は加圧後に加熱加圧して一体化させる工程を含む配線基板の製造方法。 - 特許庁
In a manufacturing method of a battery having a positive electrode, a negative electrode and a porous resin layer between the positive and negative electrodes, this manufacturing method of a battery is characterized in that a solution containing a resin material 4 formed of an endothermic insulation material is atomized, sprayed onto at least one-side electrode 2 and dried to form the porous resin layer, and the opposite electrode is superposed on it.例文帳に追加
正極、負極および正負極間に多孔質樹脂層を有する電池の製造方法において、吸熱性絶縁材料からなる樹脂材料4を含む溶液を霧状にし、少なくとも一方の電極2上に吹きつけ、乾燥して電極表面に前記多孔質樹脂層を形成し、対向する電極を重ねることを特徴とする電池の製造方法である。 - 特許庁
The humidity sensor 1 is provided with an insulation substrate 11 comprising alumina, the humidity sensitive layer 13 having alumina, titania, tin oxide and the like with a prescribed mass ratio, a detection electrode (lower electrode 12 and upper electrode 14) comprising noble metal such as Pt and Au, and a protection layer 15 comprising metal oxide and composite oxide of either alumina, spinel or the like and is a porous body.例文帳に追加
この湿度センサ1は、アルミナ等からなる絶縁基板11、アルミナ、チタニア及び酸化スズ等を所定の質量比で含有する感湿層13、Pt、Au等の貴金属からなる検知電極(下部電極12及び上部電極14)、並びにアルミナ、スピネル、ジルコニア等のいずれかの金属酸化物及び複合酸化物からなり、多孔質体である保護層15を備える。 - 特許庁
In a field emission type electron source 10, a strong electric field drift region 6 made of oxidized porous polycrystalline silicon and a conductive region 8 made of n-type polycrystalline silicon are spaced away from each other and placed in parallel with each other in a plane of an undoped polycrystalline silicon layer 3 as a semiconductor layer that is formed on one surface of an insulation board 11 of a glass board.例文帳に追加
電界放射型電子源10は、ガラス基板よりなる絶縁性基板11の一表面上に形成された半導体層たるノンドープの多結晶シリコン層3に、酸化した多孔質多結晶シリコンよりなる強電界ドリフト領域6とn形多結晶シリコンよりなる導電性領域8とが面内方向に並んで所定距離だけ離間して形成されている。 - 特許庁
In the solder paste printing process, a first pad 22B where a solid layer 21 is formed in the projection region of the pad 22 on the rear surface through one or a plurality of resin insulation layers is coated with a smaller quantity of solder paste than a second pad 22C where the solid layer 21 is not present in the projection region of the pad 22 on the rear surface.例文帳に追加
ハンダペースト印刷工程では、そのパッド22が、自己を裏面側に投影した領域に1又は複数の樹脂絶縁層を介してベタ層21が形成されている第1パッド22Bであるか、自己を裏面側に投影した領域にベタ層21は存在しない第2パッド22Cであるかによって、第1パッド22Bには、第2パッド22Cよりも少量のハンダペーストを塗布する。 - 特許庁
A adhesive film for circuit connection 10 has: a conductive adhesive layer 3b containing an adhesive composition 4b and conductive particles 5; and an insulation adhesive layer 3a containing an adhesive composition 4a and not containing the conductive particles.例文帳に追加
本発明は、接着剤組成物4b及び導電粒子5を含有する導電性接着剤層3bと、接着剤組成物4aを含有し、導電粒子を含有しない絶縁性接着剤層3aと、を備え、絶縁性接着剤層3aの厚みTiと、導電性接着剤層3bの厚みTcとが、下記式(1)の関係を満たす回路接続用接着フィルム10に関する。 - 特許庁
The feeder 22 is provided with a feeding main wire 27 connected to a feeding end of the conductor layer 32 and a branch part 26 branched from the wire 27 and having a through-hole conductor 25 penetrated through the resin insulation board 21 and connected to the ground layer 23 at the tip of the branch part 26.例文帳に追加
また、給電部材20は、ガラエポからなる樹脂絶縁板21と、その主面21uの給電線22と、その裏面21dのベタ状の接地層23とを備える給電線22は、導体層31の給電端に接続する給電本線27と、これから分岐し、その先端に樹脂絶縁板21を貫通して接地層23に接続するスルーホール導体25を有する分岐部26と、を備える。 - 特許庁
The vertical IGBT 10 includes a p-type collector region 21 provided on a rear layer part of a semiconductor substrate 20 and electrically connected with a collector electrode, an n-type emitter region 26 provided on a front layer part of the substrate 20 and electrically connected with an emitter electrode, and an insulative insulation wall 36 provided around an element part.例文帳に追加
縦型IGBT10は、半導体基板20の裏層部に設けられているとともにコレクタ電極に電気的に接続されているp型のコレクタ領域21と、半導体基板20の表層部に設けられているとともにエミッタ電極に電気的に接続されているn型のエミッタ領域26と、素子部の周縁に設けられている絶縁体の絶縁壁36を備えている。 - 特許庁
The semiconductor device comprises the gate electrodes of adjacent transistors which are formed on the silicon semiconductor substrate 1; an embedded metal layer 7 which is embedded between the transistors, with one end of each of the gate electrodes 9 and 10 so arranged as to overlap the end face of the metal layer via a gate insulation film 8; and LDD regions 16 and 17 formed on the other end side of each gate electrode.例文帳に追加
シリコン半導体基板1上に形成された隣り合うトランジスタのゲート電極と、トランジスタ間に金属層を埋め込んでなり、各ゲート電極9,10の端部がゲート絶縁膜8を介して金属層の端面に重なるように配置された埋め込み金属層7と、各ゲート電極の他端部側に形成されたLDD領域16,17とを備える。 - 特許庁
The method for inspecting characteristic impedance, S parameters or the like of a printed circuit board having a ground layer and a signal layer measures the characteristic impedance or the S parameters in a state where at least a set of conductor nets of the printed circuit board is electrically short-circuited by a short-circuit conductor, and then removes the short-circuit conductor to further inspect electric conduction and insulation.例文帳に追加
グラウンド層及び信号層を有するプリント配線板の特性インピーダンス若しくはSパラメータ等を検査する方法であって、プリント配線板の導体ネットのうち少なくとも一組をショート導体により電気的にショートさせた状態で前記特性インピーダンス若しくは前記Sパラメータを測定した後、前記ショート導体を除去し、更に電気的な導通・絶縁検査を行う。 - 特許庁
An insulation film 104 and a conductive film 105 are laminated on a semiconductor layer 103, a resist mask 106 with a specified pattern is formed on the conductive film, the conductive film is etched to form gate electrodes 107a, 107b tapered with broadened bottom faces, and an impurity is introduced by ion doping into the semiconductor layer through the gate electrodes used as a mask with the residual resist mask 106.例文帳に追加
半導体層103上に絶縁膜104、導電膜105を積層形成し、導電膜上に所定パターンのレジストマスク106を形成して導電膜をエッチングし底面が広がったテーパ状のゲート電極107a、107bを形成し、レジストマスク106を残したままゲート電極をマスクとして半導体層にイオンドーピングにより不純物を導入する。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing a package substrate for mounting a semiconductor element in which the yield can be enhanced by reducing adhesion of resin powder, miniaturization and adhesion are ensured by forming an embedded circuit not causing undercut, an outer layer circuit can be formed for an insulation layer on the surface, and various metal structures such as bumps or pillars can be formed.例文帳に追加
樹脂粉の付着を抑制することにより歩留まり向上が可能であり、アンダーカットが生じない埋め込み回路を形成することにより微細で密着力があり、表面が絶縁層に対して外層回路が形成可能であり、また、バンプやピラー等の種々の金属構成を形成可能な半導体素子搭載用パッケージ基板の製造方法を提供する。 - 特許庁
This panel has a plurality of main discharge cells 15 formed by scanning electrodes 6, maintenance electrode 7, and data electrode 10, and has barrier ribs 13 formed so as to section a plurality of priming discharge cells 16 formed by the scanning electrodes 6 and the priming electrodes 12, and a second dielectric layer 20 and fluorescent material layer 41 for insulation are installed in the priming discharge cell 16.例文帳に追加
走査電極6および維持電極7とデータ電極10とで形成される複数の主放電セル15と、走査電極6とプライミング電極12とで形成される複数のプライミング放電セル16とを区画するように形成した隔壁13とを有し、プライミング放電セル16内に第2誘電体層20と絶縁用蛍光体層41とを設ける。 - 特許庁
To easily obtain an electrolytic capacitor with a large capacitance, which suppresses insulation drop of a dielectric layer being crystallized at anodizing, and the anodization is easily performed in a short time, in an electrolytic capacitor which is designed to anodize the positive electrode using a titanium and a titanium alloy to form a dielectric layer with a high dielectric constant on the surface of this positive electrode.例文帳に追加
チタン又はチタン合金を用いた陽極を陽極酸化させて、この陽極の表面に誘電率の高い誘電体層を形成するようにした電解コンデンサにおいて、陽極酸化時に誘電体層が結晶化して絶縁性が低下するのを抑制し、陽極酸化が短時間で簡単に行えて、高容量の電解コンデンサが容易に得られるようにする。 - 特許庁
The semiconductor device 100 includes a semiconductor layer 2, an emitter electrode 6 formed on the surface of the semiconductor layer 2, a first convex part 4 with the insulation property at least on the surface, formed around and on the inner side of the outer periphery of the surface of the semiconductor device 100, and a second convex part 8 formed in the inner side range of the first convex part 4.例文帳に追加
半導体装置100は、半導体層2と、半導体層2の表面に形成されているエミッタ電極6と、半導体装置100の表面の外周に沿って外周の内側を一巡しているとともに、少なくとも表面が絶縁性である第1凸部4と、第1凸部4の内側範囲に形成されている第2凸部8を備えている。 - 特許庁
A conductive layer for electrically connecting the impurity region to a gate electrode of the transistor, or a conductive layer for electrically connecting the impurity region to a drain region of the transistor is electrically connected to the pad and is electrically connected to the impurity region via a contact hole of an interlayer insulation film provided on the impurity region.例文帳に追加
不純物領域及び前記トランジスタのゲート電極を電気的に接続するための導電層、又は前記不純物領域及び前記トランジスタのドレイン領域を電気的に接続するための導電層が、前記パッドと電気的に接続されると共に、該不純物領域上に設けられた層間絶縁膜のコンタクトホールを介して該不純物領域と電気的に接続される。 - 特許庁
To provide a substrate, a member for display composed of this substrate, and a display using this wherein insulating performance is superior, displaying malfunction caused by insulation breakdown of an insulator layer does not occur, flatness of the surface of the insulator layer is high, and even if an electrode is formed by a photosensitive paste method, development residue does not remain, and manufacturing with a superior yield is possible.例文帳に追加
絶縁性能に優れ、絶縁体層の絶縁破壊に起因する表示不良を発生することがないばかりか、絶縁体層表面の平坦度が高く、電極を感光性ペースト法により形成しても現像残渣が残ることがなく、歩留まり良く製造可能な基板、この基板からなるディスプレイ用部材およびこれを用いたディスプレイを提供する。 - 特許庁
First, a center protective film 9 is formed at the center of the upper surface of the semiconductor film 8 made of true zinc oxide, ohmic contact layers 10 and 11 made of n-type zinc oxide and upper surface protective films 12 and 13 are formed thereon, and an upper layer insulation film 16 is formed thereon.例文帳に追加
まず、真性酸化亜鉛からなる半導体薄膜8の上面中央部に中央保護膜9を形成し、その上にn型酸化亜鉛からなるオーミックコンタクト層10、11および上面保護膜12、13を形成し、その上に上層絶縁膜16を成膜する。 - 特許庁
The method for manufacturing the laminated body in which copper is formed on the insulation film by combining the dry plating and the wet electric plating is characterized by applying a rust-proof treatment on the dry plating layer and then, performing the wet electric plating.例文帳に追加
乾式めっきと湿式電気めっきを組み合わせて絶縁フィルム上に銅を形成する積層体の製造方法において、乾式めっき層に防錆処理を施した後に湿式電気めっきを行うことを特徴とする積層体の製造方法によって上記課題を解決しうる。 - 特許庁
The organic TFT 10 is provided with a block layer 14, a gate electrode 16, a gate insulation film 18, and an organic semiconductor 20 that are formed in sequence on the plastic substrate 12, and it is also provided with a source electrode 22 and a drain electrode 24 that are apart from and opposite to each other on the organic semiconductor 20.例文帳に追加
有機TFT10は、プラスチック基板12の上に、順次、ブロック層14、ゲート電極16、ゲート絶縁膜18および有機半導体20を有し、さらに、有機半導体20の上に対向、離間してソース電極22およびドレイン電極24を有する。 - 特許庁
To provide a capacitor manufacturing device capable of sharply reducing the defective insulation due to the arrival of a conductive high molecular layer at an anode lead part and the generation probability of dielectric breakdown and reducing dispersion in the electrostatic capacitance of a capacitor element unit.例文帳に追加
導電性高分子層が陽極引き出し部に到達して絶縁不良を引き起こしたりあるいは絶縁破壊の発生確率を格段に引き下げることができ、コンデンサ素子単体の静電容量のばらつきを低減するコンデンサの製造装置を提供することを目的とする。 - 特許庁
To provide a high voltage fire-resistant cable wherein a void on the boundary face of a fire-resistant layer and an insulator is prevented from being generated without slowing the extrusion rate of an insulating material, and its insulation resistance can be set to a favorable value, and the manufacturing method thereof.例文帳に追加
本発明は、絶縁材料の押出し速度を遅くすることなく耐火層と絶縁体との界面におけるボイドの発生を防止することができ、かつ、その絶縁抵抗を良好な値にすることができる高圧耐火ケーブルおよびその製造方法を提供することを課題とする。 - 特許庁
To provide a heat conduction plate high in radiation and conduction and high in earth connection reliability by electrically connecting an earth pattern and a radiation plate at the arbitrary position of the insulation layer inside of the heat conduction board, its manufacturing method and a power module enabling miniaturization and high density.例文帳に追加
熱伝導基板の絶縁層内部の任意の位置で接地パターンと放熱板を電気的に接続することにより、放熱性や導電性が高く、アース接続信頼性が高い熱伝導基板とその製造方法及び小型高密度化が可能なパワーモジュールを提供する。 - 特許庁
To provide a composition for polishing that has practical polishing speed, also has high polishing selectivity to copper that is a metal wiring material, tantalum used as a barrier layer, and an insulation film that is an underlayer, suppresses the occurrence of erosion, and is used suitably for a semiconductor CMP process.例文帳に追加
実用的な研磨速度を有しつつ、金属配線材料である銅と、バリヤ層として用いられるタンタルと、下地層である絶縁膜に対して高い研磨選択性を有し、エロージョンの発生を抑制する、半導体CMP工程に好適に用いられる研磨用組成物を提供する。 - 特許庁
To provide a thermal insulation method for the wall surface of a low-temperature tank or the like capable of eliminating the use of an existing spacer or minimizing the use to reduce the number of steps, shorten a construction period of time, reduce construction cost, and saving labor and also constructing a well finished thermal insulated layer.例文帳に追加
既製スペーサーの使用を省く、あるいは、その使用を最少限にして工程数の削減、工期の短縮、施工コストの低減及び省力化を図るとともに、仕上がりのよい断熱層を施工できる低温タンク等の壁面の防熱施工法を提供する。 - 特許庁
A ground layer where the uppermost part, such as a metal lamination film 20 that is composed of a titanium nitride film 12, an aluminum film 13, and a titanium nitride film 14 is composed of the titanium nitride film, and an insulation film such as a silicon oxide film 15 are formed, and a resist pattern 17 is formed on it.例文帳に追加
窒化チタン膜12,アルミニウム膜13及び窒化チタン膜14によって構成されるメタル積層膜20のような最上部が窒化チタン膜によって構成される下地層と、シリコン酸化膜15などの絶縁膜とを形成し、その上レジストパターン17を形成する。 - 特許庁
意味 | 例文 (999件) |
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