「layer-insulation」に関連した英語例文の一覧と使い方(113ページ目) - Weblio英語例文検索

In the tape-shaped multicore superconductive wire configured by arranging a plurality of superconductive filaments in a metal sheath, a combined current suppression layer made of a high-resistance material or insulation material is arranged at a central part in the metal sheath, and a plurality of superconductive filaments each protected by metal are arranged around the combined current suppression layer.例文帳に追加

金属シース内に複数本の超電導フィラメントを配置して構成されているテープ形状多芯超電導線であって、金属シース内の中央部に高抵抗材料または絶縁材料よりなる結合電流抑制層が配置されており、結合電流抑制層の周囲に、各々が金属で保護された複数本の超電導フィラメントが配置されているテープ形状多芯超電導線。 - 特許庁

The mat for automobiles having the sound absorbing performance, the sound insulation effect, and the anti-slip property can be obtained by opening many through-holes penetrating the backing layer of the mat for automobiles in the vertical direction to provide the sound absorbing performance, by forming anti-slip projections on the backing layer, and by providing swelling at the ends of the projections so as to increase its frictional resistance with a floor carpet.例文帳に追加

自動車用マットの裏打層に上下方向に貫通する貫通孔を多数穿設することにより吸音性能を付与し、また、裏打層に防滑用突起を形成し、さらにその先端部に膨らみをつけることによって、フロアーカーペットとの摩擦抵抗値を増すようにし、吸音性能と遮音性、および防滑性能のある自動車用マットが得られることを見出し本発明に到達した。 - 特許庁

The organic electroluminescent display element 160 comprises a thin-film transistor array 174 formed on a substrate, a first electrode 200 connected to the thin-film transistor, at least one insulation film 180, 182 to expose the first electrode and partition pixels, an organic luminescent layer 178 overlapping the first electrode 200, and a second electrode 170 formed on the organic luminescent layer.例文帳に追加

【解決手段】本発明の有機電界発光表示素子160は、基板上に形成された薄膜トランジスタアレー174と、該薄膜トランジスターに接続された第1電極200と、該第1電極を露出させると共にそれぞれの画素を分離するための少なくとも一つの絶縁膜180,182と、前記第1電極200に重なる有機発光層178と、該有機発光層上に形成された第2電極170を備えることを特徴とする。 - 特許庁

The optical device 1, composed of the upper electrode 6 electrically separated at every pixels; a power supply wiring 7 formed on the upper electrodes 6 through an insulation layer 4; and fuse type wiring parts 8 formed between the power supply wiring 7 and the upper electrodes 6 electrically insulating the lower electrode 3 from the upper electrode 6 at over current; is formed on a lamination layer 5.例文帳に追加

この光デバイス１は成膜層５上に形成され、画素毎に電気的に隔離された上部電極６と、上部電極６上に絶縁層４を介して形成された電力供給用配線７と、電力供給用配線７と上部電極６間に形成され、下部電極３と上部電極６間の過電流時に電気的に絶縁化するヒューズ型配線部８とを有する。 - 特許庁

An insulation wire 5 including a conductor 1 and an insulator layer 2 coating the conductor 1 is characterized in that the insulator layer 2 includes a propylene copolymer having a fusing point of 125 to 145°C, a total percentage content of ethylene and butene in the propylene copolymer is 7 mass% or less, and a percentage content of butene in the propylene copolymer does not exceed 2 mass%.例文帳に追加

導体１と、導体１を被覆する絶縁層２とを備える絶縁電線５であって、絶縁層２が、１２５〜１４５℃の融点を有するプロピレン系共重合体を含み、プロピレン系共重合体中のエチレン及びブテンの合計含有率が７質量％以下であり、前記プロピレン系共重合体中のブテンの含有率が２質量％を超えないことを特徴とする絶縁電線５。 - 特許庁

A separator for a nonaqueous secondary battery includes a gas permeable substrate having electricity insulation property and a porous layer laminated on one side or both sides of the substrate, and a good solvent for dissolving a polymer forming the porous layer is contained by 0.001-0.6 wt.% to the weight of the separator.例文帳に追加

電気絶縁性の通気性基材と、この基材の片面又は両面に積層された多孔質層とを備えた非水系二次電池用セパレータであって、前記通気性基材ないし前記多孔質層に含有され、かつ、前記多孔質層を形成する高分子を溶解する良溶媒が、前記セパレータの重量に対して０．００１〜０．６重量％含まれていることを特徴とする非水系二次電池用セパレータ。 - 特許庁

When a photosensitive insulating resin is used as the surface protective layer of a circuit wiring pattern on the substrate, or when the photosensitive insulating resin is used as an insulation layer between circuit wiring conductor layers; multivalent metal substitutes for Na ions adsorbed to the photosensitive insulating resin by subjecting to a treatment process containing the Na ions performed after a thermosetting process of the photosensitive insulating resin.例文帳に追加

回路基板に於ける回路配線パタ−ンの表面保護層として感光性絶縁樹脂を用いる場合、又は回路配線導体層間の絶縁層として感光性絶縁樹脂を用いる場合、その感光性絶縁樹脂の熱硬化処理工程以後に行われるＮａイオンを含む処理工程を経由することにより感光性絶縁樹脂に吸着されるＮａイオンを多価金属に置換する。 - 特許庁

The manufacturing method has a voltage application process for sequentially stacking the transparent electrode 3, an insulation layer 3, the organic layer 5 and the back electrode 6 on the glass substrate 2, and thereafter separating a part where at least the back electrode 6 is in contact with the transparent electrode 3 from the transparent electrode 3 by applying a reverse bias voltage between both electrodes 3 and 6 in a nitrogen environment having a predetermined oxygen concentration.例文帳に追加

ガラス基板２上に透明電極３，絶縁層３，有機層５及び背面電極６を順次積層した後、所定の酸素濃度を有する窒素雰囲気中にて、両電極３，６間に所定の逆バイアス電圧を印加することで、少なくとも背面電極６が透明電極３に接触している部分を透明電極３から剥離させる電圧印加工程を有している。 - 特許庁

A photodiode Pd is provided on a semiconductor substrate 10 commonly for pixels P21 and Pd22 arranged in the horizontal direction, and a wiring layer 50 for reading out signal charges from the photodiode Pd is formed on the upper layer of the semiconductor substrate 10 while being buried in an interlayer insulation film 30 on which a shutter section 20 for controlling the transmission of incident light to each pixel in pixel units is provided.例文帳に追加

半導体基板１０には、フォトダイオードＰｄが水平方向に並ぶ画素Ｐ２１，Ｐｄ２２に共通して設けられ、当該半導体基板１０の上層にはフォトダイオードＰｄによる信号電荷を読み出すための配線層５０が層間絶縁膜３０に埋め込まれて形成されており、層間絶縁膜３０上には、各画素へ入射した光の透過を画素単位で制御するシャッター部２０が設けられている。 - 特許庁

In the ceramic chip component 103 of the ceramic chip resistor or the ceramic chip capacitor sealed with the insulating resin and incorporated in the wiring board, the semiconductor package or the function module, a stress mitigation layer 103a is provided on the entire surface of the ceramic material which is the insulation part of the ceramic chip component.例文帳に追加

配線基板、半導体パッケージ又は機能モジュールに絶縁性樹脂で封止されて内蔵されるセラミックチップ抵抗またはセラミックチップコンデンサのセラミックチップ部品において、前記セラミックチップ部品の絶縁部であるセラミックス材料の全表面に応力緩和層を有することを特徴とするセラミックチップ部品。 - 特許庁

In the retention capacitance 1h of a liquid crystal device, a first retention capacitance 1i is composed of a first electrode 3c, a first dielectric layer 4c comprising a part superimposed with the first electrode 3c among a gate insulation film 4 and a second electrode 6c for retention capacitance comprising extension part of a drain electrode 6b.例文帳に追加

液晶装置の保持容量１ｈでは、第１の電極３ｃと、ゲート絶縁膜４のうち、第１の電極３ｃと重なる部分からなる第１の誘電体層４ｃと、ドレイン電極６ｂの延設部分からなる保持容量用の第２の電極６ｃとによって第１の保持容量１ｉが形成されている。 - 特許庁

The film deposition method for depositing a film on a substrate to be treated includes a first process wherein a first film is deposited by ALD method on an insulation layer formed on the substrate to be treated, and a second process wherein a second film is deposited by CVD method uninterruptedly after the first process.例文帳に追加

被処理基板上に成膜を行う成膜方法であって、前記被処理基板上に形成された絶縁層上にＡＬＤ法で第１の成膜を行う第１の工程と、当該第１の工程と連続して、ＣＶＤ法で第２の成膜を行う第２の工程と、を有することを特徴とする成膜方法。 - 特許庁

The fine pores reach the cathode electrode lines 13 through the insulation layer 14 and the gate electrode lines 15, a projecting structure made of metal having a trapezoidal cross section is projectingly provided in each fine pore, and on its upper surface part an electron emitting part is formed, having a carbon nanotube erected on a surface thereof.例文帳に追加

各微細孔１７は、上記絶縁層１４とゲート電極ライン１５とを貫通してカソード電極ライン１３に到達し、微細孔１７内には金属製の断面が台形状の凸構造１６１が突設され、その上面部に、表面にカーボンナノチューブ１６ａが立設された電子放出部１６が形成されている。 - 特許庁

In a channel forming process in the method of manufacturing the full depletion type SOI transistor, especially, the NMOS transistor, ion implantation for threshold control for the channel forming portion is executed for an interface between an SOI layer and a buried insulation film at plurality of times while changing acceleration energy and dividing a dose quantity.例文帳に追加

完全空乏型ＳＯＩトランジスタ、特にＮＭＯＳトランジスタの製造方法におけるチャネル形成工程において、チャネル形成部へ閾値調整のためのイオン注入をＳＯＩ層/埋め込み絶縁膜との界面に、加速エネルギーを変えてドーズ量を分割して複数回行うことを特徴とする - 特許庁

The substrate of a semiconductor integrated circuit is spin coated with diamond colloid solution produced by dispersing fine diamond particles of nanometer size into water or an organic solution and then dried to form an insulation layer of low permittivity porous structure diamond film where the fine diamond particles are dispersed uniformly through air gaps of nanometer size (nano pores).例文帳に追加

半導体集積回路などの基板に、ナノメートルサイズのダイヤモンド微粒子を水あるいは有機溶液に分散したダイヤモンドコロイド溶液をスピンコートなどにより塗布し乾燥させることにより、ダイヤモンド微粒子がナノメートルサイズの空隙（ナノポア）をもって均一に分散された低誘電率のポーラス構造ダイヤモンド膜を形成する。 - 特許庁

The blue-violet semiconductor laser element 10 has an optical waveguide formed in a region where the red semiconductor laser element 50 is not bonded, and the electrode layer 21 is formed to extend in Y2 direction from between the red semiconductor laser element 50 and the insulation film 20 toward the region where the optical waveguide is formed.例文帳に追加

そして、青紫色半導体レーザ素子１０は、赤色半導体レーザ素子５０が接合されていない領域に光導波路が形成されるとともに、電極層２１は、赤色半導体レーザ素子５０と絶縁膜２０との間から光導波路が形成される領域側にＹ２方向に延びる。 - 特許庁

Furthermore, the insulation film forms a contact hole (810) for electrically connecting the gate electrode and the scanning line having a first part (811) extending along a Y direction near the semiconductor layer and a second part (812) extending in an X direction in which part of the scanning line is overlapped and the scanning line extends.例文帳に追加

更に、絶縁膜には、半導体層の脇にＹ方向に沿って延在する第１部分（８１１）と、走査線の一部と重なると共に走査線が延びるＸ方向に沿って延在する第２部分（８１２）とを有する、ゲート電極と走査線とを電気的に接続するためのコンタクトホール（８１０）が形成される。 - 特許庁

Since the heat of the combustion gas is restrained from being transmitted to the stator vane 15 by gas, the weight increase when restraining the temperature rise in the stator vane 15, becomes only the thermal insulation part 30 being a gas layer forming means, and the weight increase is reduced more than when increasing the thickness of a hub shroud 25.例文帳に追加

また、気体によって、燃焼ガスの熱が静翼１５に伝達されることを抑制するため、静翼１５の温度上昇を抑制する際における重量増加は気体層形成手段である断熱部３０の分だけとなり、ハブシュラウド２５の肉厚を増加させる場合よりも重量増加は小さくなる。 - 特許庁

To provide a resin composition that has flame retardancy, a low dielectric constant and high reliability depending upon low thermal expansion required of an insulation layer and at the same time has high strength, toughness, laser processability and environmental adaptability, and provide a laminate excellent in a low dielectric constant, low thermal expansion, electrical characteristics and laser processability.例文帳に追加

絶縁層として必要な難燃性と低誘電率及び低熱膨張性による高信頼性、更には高強度、強靭性、レーザー加工性、環境適正を合わせ持った樹脂組成物を提供することであり、更には低誘電率と低熱膨張性と電気特性及びレーザー加工性に優れる積層体を提供する。 - 特許庁

The magnetic coupling type isolator includes: the plane coil 2 wound to generate an external magnetic field by an input signal; magnetic detection elements R1 to R4 for detecting the external magnetic field and converting the external magnetic field into an electric signal; and an insulation layer 30 placed between the plane coin 2 and the magnetic detection elements R1 to R4.例文帳に追加

入力信号により外部磁界を発生させるための巻回された平面コイル２と、前記外部磁界を検出して電気信号に変換するための磁気検出素子Ｒ１〜Ｒ４と、前記平面コイル２と前記磁気検出素子Ｒ１〜Ｒ４の間に介在する絶縁層３０と、を有する。 - 特許庁

This connector connection structure is equipped with a connection part 5 comprising conductors for collectively connecting external conductors to each other and for properly keeping the electric characteristics of the respective cables while arranging, in a predetermined form, respective center conductors of a plurality of cables 7 and 9 and the respective external conductors covering circumferences of the respective center conductors by interlaying an insulation layer.例文帳に追加

複数本のケーブル７、９の各中心導体及びこの各中心導体の外周を絶縁層を介して覆う各外部導体を所定の状態で配置しながら、前記外部導体同士を一括接続し、前記各ケーブルの電気特性を適正に維持する導体からなる接続部５を備えている。 - 特許庁

The liquid may be sealed into either of inner spaces of two layer plastic corrugated board composed of three plastic plates arranged in parallel and many ribs which connect three of them and run in parallel among them, and the other inner space may be left as a cavity to make it operate as a thermal insulation member.例文帳に追加

また、３枚の平行に配置されたプラスチックの板、及びそれらの間にあって、三者を連結して平行に走る多数のリブからなる二層プラスチック段ボールの内部空間のうち、一方の側に、液体を封入し、他方の側を空洞のまま残して、断熱材としての働きをさせたものも可能である。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for frothing hard polyurethane foam for enabling complete no use of fluorocarbon in foaming at production site by using the inactive gas compressed or liquefied as a foaming agent and as a fluorocarbon substitute and using the facilities conforming to the High Pressure Gas Safety Law and to provide an application method for a hard polyurethane foam thermal insulation layer.例文帳に追加

フロン代替品として圧縮又は液化された不活性ガスを発泡剤として使用し、高圧ガス保安法を遵守した設備の使用により現場発泡の完全ノンフロン化を可能とするフロス法硬質ポリウレタンフォームの製造方法、及び硬質ポリウレタンフォーム断熱層の施工方法を提供する。 - 特許庁

To provide a resin composition producing a multilayered printed wiring board having high reliability having heat resistance, low thermal expansion, flame retardancy, drilling workability and moldability when used for an insulation layer of the multilayered printed wiring board, a prepreg, a laminated plate, the multilayered printed wiring board, and a semiconductor device.例文帳に追加

本発明は、多層プリント配線板の絶縁層に使用した場合に、耐熱性、低熱膨張性、難燃性、ドリル加工性、成形性を兼ね備えた信頼性の高い多層プリント配線板を製造することができる樹脂組成物、プリプレグ、積層板、多層プリント配線板、及び半導体装置を提供する。 - 特許庁

A plurality of light shields 32 composed of light shield members 34 made of an electrically driven polymer material deformable with an applied electric field, upper and lower electrodes 35, 36 attached to the upsides and the undersides of the members are mounted at positions away from light receiving regions of photo diodes 16 on an insulation layer 31.例文帳に追加

電界が付与されると変形する電気駆動型ポリマー材料で構成された遮光部材３４と、その上下面に取付けられた上部電極３５及び下部電極３６とを備えて構成した複数の遮光体３２を、絶縁層３１上においてフォトダイオード１６の受光領域を避けた位置にした。 - 特許庁

To provide an aluminum nitride substrate for carrying a light emitting element, having excellent reflecting characteristics in a visible light region, requiring no formation of a gap for insulation between the surface of the aluminum nitride substrate and wiring, and having a reflective layer excellent in corrosion resistance, and to provide a light emitting device using this aluminum nitride substrate.例文帳に追加

可視光域で優れた反射特性を有し、安価で、窒化アルミニウム基板表面の配線との間に絶縁用のギャップの形成が不要で、耐食性に優れた反射層を有する発光素子搭載用窒化アルミニウム基板、およびこの窒化アルミニウム基板を用いた発光デバイスを提供すること。 - 特許庁

Organic thin-film transistor insulation layer material contains a high molecular compound (A) having a repeating unit including a substituted maleimide group and a repeating unit containing a first functional group, in which the first functional group is a functional group generating a second functional group, which reacts an active hydrogen, caused by irradiation with electromagnetic wave or heat.例文帳に追加

置換マレイミド基を有する繰り返し単位と、第１の官能基を含有する繰り返し単位とを有し、該第１の官能基が、電磁波の照射もしくは熱の作用により、活性水素と反応する第２の官能基を生成する官能基である高分子化合物（Ａ）を含有する有機薄膜トランジスタ絶縁層材料。 - 特許庁

The LC filter 10 is provided with: a first spiral conductor 17 formed to an upper side of an insulation layer 16; a dielectric thin film 18 formed on the first spiral conductor 17; and a second spiral conductor 19 arranged opposite to the first spiral conductor 17 via the dielectric thin film 18.例文帳に追加

ＬＣフィルタ１０は、絶縁層１６の上面に形成された第１のスパイラル導体１７と、第１のスパイラル導体１７上に形成された誘電体薄膜１８と、誘電体薄膜１８を介して第１のスパイラル導体１７と対向配置された第２のスパイラル導体１９とを備えている。 - 特許庁

To provide a thin film solar cell that has widened effective area of a transparent electrode layer, consequently has increased output and that secures insulation of a second through-hole thereby enabling the fraction defective of manufacture of the thin film solar cell to be decreased, and to provide a method of manufacturing the thin film solar cell.例文帳に追加

本発明の目的は、透明電極層の有効面積を広げて薄膜太陽電池の出力を増加させるとともに、第２の貫通孔における絶縁性を確保して薄膜太陽電池を製造する際の不良率を低下させることが可能な薄膜太陽電池及びその製造方法を提供することにある。 - 特許庁

To provide a clad substrate for forming a safe and low-cost insulating layer having improved quality of heat resistance properties, insulation properties, or the like, and to provide a method of manufacturing the clad substrate, to provide a photoelectric conversion device and a thin-film solar cell module using the clad substrate, and to provide a method of manufacturing the thin-film solar cell module.例文帳に追加

安全かつ低コストで耐熱性および絶縁性等の品質が良好な絶縁層を形成することができるクラッド基板およびその製造方法、このクラッド基板を用いた光電変換装置および薄膜太陽電池モジュール、ならびに薄膜太陽電池モジュールの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a new dielectric ceramic composition in which permittivity is hardly lowered due to size effect, a good balance between high insulation resistance and permittivity can easily be achieved, and changes in specific permittivity due to temperature are small, and an electronic component such as a multilayer ceramic capacitor in which the dielectric ceramic composition is used as a dielectric layer.例文帳に追加

サイズ効果によっても誘電率が低下しにくく、しかも絶縁抵抗と高い誘電率とを両立させることが容易であり、比誘電率の温度変化が少ない新規な誘電体磁器組成物と、その誘電体磁器組成物を誘電体層として用いる積層セラミックコンデンサなどの電子部品を提供すること。 - 特許庁

To provide a printed circuit board incorporating an electronic element in a core member, improved in rigidity and heat dissipation of the core member, superior in a bonding force between the core member and an insulation layer, and capable of stably incorporating the electronic element, and a manufacturing method of the same.例文帳に追加

コア部材内に電子素子を内蔵した印刷回路基板において、コア部材の剛性及び熱放出性が向上され、コア部材と絶縁層間の結合力が優れて、安定的に電子素子を内蔵することができる電子素子を内蔵した印刷回路基板及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The electrooptic device further includes a counter electrode 21 disposed opposite to the pixel electrode and a conductive film 6ax which is arranged in the under layer side via an interlayer insulation film 43 from the plurality of pixel electrodes, is disposed on at least a part in the first and second gap regions and is supplied with a prescribed potential.例文帳に追加

更に、第２基板上に、画素電極と対向配置された対向電極（２１）と、複数の画素電極よりも層間絶縁膜（４３）を介して下層側に配置され、第１及び第２間隙領域内の少なくとも一部に設けられると共に所定電位が供給される導電膜（６ａｘ）とを備える。 - 特許庁

A cap electrode CAP is provided on an insulation layer 6 covering the capacitance electrode FGC2 of the capacitor C, so that the capacitor part C has total capacitance of a capacitance between the capacitance electrode FGC2 and a p-type well HPW1 and a capacitance between the cap electrode CAP and the capacitance electrode FGC2.例文帳に追加

容量部Ｃの容量電極ＦＧＣ２を覆う絶縁層６上にキャップ電極ＣＡＰを設けることにより、容量部Ｃは、容量電極ＦＧＣ２とｐ型のウエルＨＰＷ１との間の容量およびキャップ電極ＣＡＰと容量電極ＦＧＣ２との間の容量を加算した容量を有する。 - 特許庁

The method includes: dissolving a gas in an ultraviolet curable resin composition; subsequently applying the composition on a conductor 3; irradiating ultraviolet light on the composition; and forming bubbles and forming a foam insulation layer 5 by curing the composition while growing bubbles 4 due to a decrease in solubility of the gas during the curing of the resin composition.例文帳に追加

紫外線硬化樹脂組成物中にガスを溶解させた後に、この組成物を導体３上に塗布し、紫外線を照射し、樹脂が硬化する際のガスの溶解度の低下によって気泡４を成長させながら硬化することで気泡を形成し、発泡絶縁層５を形成する方法である。 - 特許庁

The electric wires 22 and 23 are locked to the supports 21 via a plurality of insulation implements 24 attached to the respective supports 21, one electrode 25a of the electric power unit 25 and the electric wires 22 and 23 are connected with a feeder wire 26, and an earth rod 27 driven in the weed-preventing layer 17 and the other electrode 25b are connected with an earth wire 28.例文帳に追加

電線２２，２３は、各支柱２１に取り付けられた複数の絶縁具２４を介して支柱２１に係止され、電源装置２５の片方の電極２５ａと電線２２，２３とが給電線２６で接続され、防草層１７に打ち込まれたアース棒２７と他方の電極２５ｂとがアース線２８で接続されている。 - 特許庁

A semiconductor device and its manufacturing method characteristically has a profile of a gate electrode, a profile or scope of a diffusion layer forming ion implantation region, or a peripheral profile of an element region, or has an insulation film coating a part of the element region formed before ion implantation.例文帳に追加

本発明に係る半導体装置及びその製造方法は、ゲート電極の形状、拡散層形成用イオン注入領域の形状若しくは範囲、又は、素子領域の周辺形状に特徴があり、あるいは、イオン注入前に素子領域の一部を被覆する絶縁膜を形成する点に特徴を有するものである。 - 特許庁

In the vacuum vapor deposition apparatus in which the vessel containing the treating agent is placed on a resistance heater placed in a vacuum atmosphere, and directly heated, and vapor deposition is performed on a work to be vapor-deposited by transpiring the treating agent, an insulation layer is provided between the resistance heater and the vessel placed on the resistance heater.例文帳に追加

処理剤の入った容器を真空雰囲気中に置かれる抵抗加熱体上に載置して、容器を直接加熱することにより処理剤を蒸散させて被蒸着物に蒸着を行う真空蒸着装置において、前記抵抗加熱体と抵抗加熱体上に置かれる容器との間に絶縁層を設けた。 - 特許庁

In the semiconductor device for forming a conductor pattern 3 through an insulation layer 2 on a metal substrate 1 and directly soldering a semiconductor bare chip 7 on the conductor pattern 3, the semiconductor bare chip 7 is sealed by a resin 8 having the substantially equal linear expansion coefficient as the linear expansion coefficient of the conductor pattern 3.例文帳に追加

金属基板１上に絶縁層２を介して導体パターン３が形成され、該導体パターン３上に半導体ベアチップ７が直接半田付けされた半導体装置において、前記導体パターン３の線膨張係数とほぼ等しい線膨張係数を有する樹脂８により前記半導体ベアチップ７を封止した。 - 特許庁

The low-permittivity film of 0.5-0.6 μm, formed on a silicon wafer has a hardness of 0.45 GPa or more in DHT115 as measured at a weight of 10 mg and a specific permittivity of 1.0-2.4 as measured at 1 MHz, and the semiconductor element uses this low-permittivity film as a layer insulation film of a multilayer wiring.例文帳に追加

シリコンウエハー上に膜厚０．５〜０．６μｍの膜を形成し、荷重１０ｍｇで測定した時の膜の硬度ＤＨＴ_115 が０．４５ＧＰａ以上で、１ＭＨｚで測定した比誘電率が１．９〜２．４である低誘電率膜及びこの低誘電率膜を多層配線の層間絶縁膜として用いた半導体素子。 - 特許庁

Anode interconnections 211-213 and a first light-shielding film 22 are formed of aluminum on an anode substrate 11, an insulation layer 14 is formed thereon, second light-shielding films 321, 322 of graphite and an anode electrode 31 are formed further thereon, and an external light source display part 221 which displays a predetermined pattern is formed on the first light-shielding film 22.例文帳に追加

アノード基板１１にアノード配線２１１〜２１３、第１遮光膜２２をアルミニウムで形成し、その上に絶縁層１４、その上に黒鉛の第２遮光膜３２１，３２２及びアノード電極３１を形成し、第１遮光膜２２には、所定のパターンを表示する外光源表示部２２１を形成してある。 - 特許庁

The method of manufacturing the solar cell module 100 includes the processes of: forming a pair of a first notch 21 and a second notch 22 in the rear-side protective material 14; respectively opening a pair of movable parts 14P; and performing insulation processing for a metal layer 14b exposed on the respective surfaces of the pair of movable parts 14P.例文帳に追加

太陽電池モジュール１００の製造方法は、裏面側保護材１４に一対の第１切り込み２１と第２切り込み２２とを形成する工程と、一対の可動部１４Ｐそれぞれを開く工程と、一対の可動部１４Ｐそれぞれの表面に露出する金属層１４ｂに絶縁加工を施す工程とを備える。 - 特許庁

To provide a hydrophilic silica film resin molded product having a smooth hydrophilic silica/polystyrene film formed on a surface thereof and therefore excellent in electrical characteristics, such as insulation properties, by preventing oily foreign matter from adhering to the surface, although a smooth amorphous (skin) layer is difficult to be formed on the surface of the resin molded product, when the product is molded in a mold.例文帳に追加

金型成形時に表面に平滑な非晶質（スキン）層が形成されにくい樹脂成形品であり、しかもその表面への平滑で親水性のシリカ／ポリスチレン膜の形成により油性の異物が付着しにくく絶縁などの電気特性にも優れた親水性シリカ膜樹脂成形品を提供することにある。 - 特許庁

Since with the above construction, an electrochemical corrosion reaction between the copper member 10, the metal-plated layer 11, and the supplied hot water can be suppressed, insulation deterioration of the heating apparatus 5 caused by holes in the copper member 10 is eliminated, and a function as the heating apparatus 5 can be kept unchanged even with its use over a long time.例文帳に追加

この構成により、銅部材１０、金属メッキ層１１と給湯水との電気化学的な腐食反応を抑制することができるので、銅部材１０の穴あきが原因で起こる加熱装置５の絶縁劣化が無くなり、長期間使用しても加熱装置５としての機能を維持することができる。 - 特許庁

Within a mold cavity of a mold covered with a heat insulation layer on its surface corresponding to at least a design surface of a molded article, a foamable resin having carbon dioxide dissolved therein in the cylinder of an injection machine is injected to fill up the mold cavity, and the resin within the cavity is foamed as accompanied by the cooling and contraction within the mold cavity.例文帳に追加

少なくとも成形品の意匠面に対応する金型面に断熱層を被覆した金型の金型キャビティ内に、射出成形機のシリンダー内で二酸化炭素を溶解させた発泡性樹脂を射出して金型キャビティを満たし、金型キャビティ内の発泡性樹脂を冷却収縮に伴って発泡させる。 - 特許庁