「layer-insulation」に関連した英語例文の一覧と使い方(112ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a printed circuit board and a manufacturing method of the same such that drilling processes for forming via holes may be omitted to increase the degree of freedom in designing circuits, the circuits can be made to have greater densities and a substrate can be made thinner, and the attachment areas between a circuit pattern and an insulation layer can be increased to allow greater adhesion.例文帳に追加

層間接続用のビアホールの形成のためのドリリング工程の省略、回路設計の自由度向上、回路の高密度化、基板の厚さ薄形化、回路パターンと絶縁層との接触面積増加と接着力に優れた印刷回路基板及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

This insulated electrical wire is obtained by forming an insulation layer by extrusion-molding the flame retardant resin composition comprising a base material resin, the flame retardant consisting of the natural mineral consisting mainly of the magnesium hydroxide and a flexibility-imparting resin consisting of a resin having a -20°C or lower glass transition temperature, around a conductive material.例文帳に追加

基材樹脂と、水酸化マグネシウムを主成分とする天然鉱物からなる難燃剤と、ガラス転移温度が−２０℃以下の樹脂からなる柔軟性付与樹脂とを含有する難燃性樹脂組成物を、導体の周囲に押し出し成形して絶縁層を形成して絶縁電線を得た。 - 特許庁

To provide a method of forming a through interconnection line in a semiconductor substrate by which a through interconnection line can be so formed as to have a fine embeddability with respect to the inside of a through hole penetrated in a semiconductor substrate and have a good adhesion with an insulation layer formed on the inner surface of the through hole.例文帳に追加

半導体基板に貫設した貫通孔の内側への埋め込み性が良好で且つ貫通孔の内周面に形成された絶縁層との密着性が良好な貫通配線を形成可能な半導体基板への貫通配線の形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a rooftop waterproofing construction method for providing waterproofness, water retentivity, thermal insulation performance, fire resistance and durability, and capable of preventing the occurrence of a harmful crack in a waterproof layer such as leading to water leakage, in a waterproofing construction method of a rooftop surface, particularly, a concrete rooftop of a structure such as a building.例文帳に追加

例えばビル等の建築物の屋上面、特にコンクリート製の屋上の防水工法に係り、防水性・保水性・断熱性・耐火性・耐久性を有すると共に、漏水につながるような防水層への有害な亀裂発生を防止することのできる屋上防水工法を提供する。 - 特許庁

Further, by preventing a level difference from growing on the insulation layer (22) at the rear edge of the slider and making the lubricant hard to stay, the staying lubricant is prevented from growing into large drops and falling on the magnetic medium to spoil the reliability.例文帳に追加

又、スライダー流出端の絶縁層（２２）における段差の形成を防止し、更に、潤滑剤の滞留を起こりにくくし，滞留した潤滑剤が相当な大きさの塊となって、磁気記録媒体に落下して、信頼性を損なうトラブルを防止することが可能となる。 - 特許庁

In forming R, G, B color filters or resin of a light shielding layer on a glass substrate, the reliability of the product is improved by covering regions other than wire leads in wiring regions and in wire lead bonding regions so as to prevent the metal wires from being exposed and to improve insulation among wire leads.例文帳に追加

Ｒ，Ｇ，Ｂのカラーフィルター又は遮光層樹脂をガラス基板に形成するときは、配線領域及びリード線結合領域におけるリード線以外の領域を被覆し、金属配線の露出を防止し、リード線同士の絶縁性を改善することにより、製品の信頼性を向上する。 - 特許庁

A resistor substrate part 12A and a driving circuit substrate part 12B are formed on a radiation substrate 11; a plurality of separated insulation layers 14 comprising an insulator material separated in an island form are formed on the surface of a supporting substrate 13; and a heating resistor layer 15 covering them is formed.例文帳に追加

放熱基板１１上に抵抗体基板部１２Ａと駆動回路基板部１２Ｂを設け、支持基板１３表面に島状に分離した絶縁体材料から成る複数の分離状保温層１４を形成し、これ等を被覆する発熱抵抗体層１５を形成する。 - 特許庁

The BPSG film 6d of a high B density is formed as an interlayer insulation film on the bit line 8, an opening part 18 is formed at the upper layer position of the bit line contact hole 7 of the BPSG film 6d, and then the opening part 18 is transformed into a void 19, whose upper part is closed by high temperature heat treatment.例文帳に追加

ビット線８上に層間絶縁膜としてＢ濃度の高いＢＰＳＧ膜６ｄを形成し、このＢＰＳＧ膜６ｄのビット線コンタクトホール７の上層位置に開口部１８を形成した後、高温熱処理により、開口部１８を上部を閉じた空洞１９に変成させる。 - 特許庁

To provide a tunnel-type magnetic detecting element that can make the absolute value of a VCR (Voltage Coefficient of Resistivity) reduced, in particular, when an insulation barrier layer formed of Ti-O can be reduced, and in particular, low RA and high resistance change rate (ΔR/R) can be secured, and to provide a manufacturing method therefor.例文帳に追加

特に、絶縁障壁層をＴｉ−Ｏで形成した際のＶＣＲ（Voltage Coefficience of Resistivity）の絶対値の低減、ならびに、低ＲＡと高抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）を確保することが可能なトンネル型磁気検出素子及びその製造方法を提供することを目的としている。 - 特許庁

In this heat insulation material for construction, the polystyrene resin extrusion foamed body containing no halogenated hydrocarbon is formed by laminating and integrating two or more kinds of foamed layers having different mean bubble diameters together, and an occupation ratio of the foamed layer having the mean bubble diameter of 0.25 mm or less is 10 volume % or more.例文帳に追加

ハロゲン化炭化水素含有しないポリスチレン系樹脂押出発泡体であって、平均気泡径の異なる２種以上の発泡層を積層一体化してなり、平均気泡径が０．２５mm以下である発泡層が１０体積％以上を占めること建築用断熱材。 - 特許庁

By using the LCD driver IC 14 in this configuration, an insulation breakdown voltage can be secured since the resistive element 34 is formed on the diffusion region 43 without being affected by defects even if the defects are generated in the STI separation layer 32 in a manufacturing process.例文帳に追加

このような構成のＬＣＤドライバＩＣ１４を用いることにより、製造過程においてＳＴＩ分離層３２に欠陥が生じた場合であっても、欠陥の影響を受けない拡散領域４３上に抵抗素子３４が形成されているので、絶縁耐圧を確保することができる。 - 特許庁

A stacked electronic component 60 has a first electronic component 5 adhered on a substrate 2, a second electronic component 8 adhered on the first electronic component 5 through an adhesive layer 61 containing an insulation filler 62 held a solid state at the temperature of adhesion.例文帳に追加

積層型電子部品６０は、基板２上に接着された第１の電子部品５と、第１の電子部品５上に接着時温度に対して固形状態を維持する絶縁性フィラー６２を含む接着剤層６１を介して接着されている第２の電子部品８とを具備する。 - 特許庁

In a manufacturing method of a film carrier 1 constituted of an insulation film 2 and metal foils 5 at least, after a solder resist layer 4 is formed by a solder resist coating solution containing a silicon antifoam, the film carrier 1 is cleaned by an alkaline solution.例文帳に追加

少なくとも絶縁性フィルム２と金属箔５とからなるフィルムキャリア１の製造方法において、シリコーン消泡剤を含有するソルダーレジスト用塗布液によりソルダーレジスト層４を形成した後に、アルカリ溶液で洗浄するアルカリ洗浄工程を有するフィルムキャリア１の製造方法とする。 - 特許庁

To provide a porous resin that has high heat resistance, dimensional stability and insulation properties and includes uniform and very fine pores, a photosensitive resin composition for preparing the porous resin and, in addition, circuit substrates and circuit-printed suspension substrates having such the porous resin as an insulating layer.例文帳に追加

高い耐熱性、寸法安定性、絶縁性を有し、しかも、均一で微細な気泡を有する多孔質樹脂、および、その多孔質樹脂を得るための感光性樹脂組成物、さらには、そのような多孔質樹脂を絶縁層として有する、回路基板および回路付サスペンション基板を提供すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor element of dual-damascene interconnection structure, and manufacturing method of the element, in which there is solved the problem that a contact hole is not opened, and there is suppressed the problem that the permittivity of an interlayer insulation film is increased through use of an etching block layer so that the parasitic capacitance is in creased.例文帳に追加

コンタクトホールが開口されないという問題が解決でき、しかもエッチング阻止層を用いることにより、層間絶縁膜で誘電率が高くなって寄生キャパシタンスが増加するという問題が抑えられるデュアルダマシン配線構造の半導体素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The liquid crystal display panel according to the present invention comprises: a switching element 20; a transparent pixel electrode 14; and a transparent common electrode 15 in which a predetermined area is disposed so as to be superposed on the upper layer of the transparent pixel electrode 14 via an insulation film, and which drives liquid crystals 50 together with the transparent pixel electrode 14.例文帳に追加

本発明に係る液晶表示パネルは、スイッチング素子２０と、透明画素電極１４と、透明画素電極１４の上層に絶縁膜を介して所定領域が重畳配置され、透明画素電極１４とともに液晶５０を駆動する透明コモン電極１５とを具備する。 - 特許庁

A freely bendable claw part 15 projecting in the pipe axis direction from the edge 12a of its root part 12 is arranged in the root part 12 of the branch pipe 11, and is projected to the claw part 15 side by arranging a thermal insulation material layer 13a on the outer periphery of the root part 12 of its branch pipe 11.例文帳に追加

前記分岐管１１の根元部１２に、その根元部１２の端縁１２ａから管軸方向に突出する折り曲げ自在の爪部１５を設け、その分岐管１１の根元部１２の外周に断熱材層１３ａを設けて爪部１５側へ突出させる。 - 特許庁

A write head 70 has first and second pole pieces 100, 102 which are connected at a back gap 108 and an insulation stack 110 with a write coil layer 112 embedded therein is located between the first and second pole pieces and between a head surface ABS and the back gap 108.例文帳に追加

書込みヘッド７０は、バック・ギャップ１０８で結合されている第１及び第２磁極片１００，１０２を有しており、書込みコイル層１１２がその中に埋め込まれた絶縁スタック１１０が第１及び第２磁極片の間、ヘッド表面ＡＢＳとバック・ギャップ１０８の間に位置している。 - 特許庁

Further, a high insulator 17 made of a material having higher insulation than materials of the respective inter-layer insulating films is provided between the source wiring 10 and drain wiring 15 in a region 24 including the part where the source wiring 10 and drain wiring 15 cross each other in plan view.例文帳に追加

また、ソース配線１０とドレイン配線１５との間には、平面視でソース配線１０とドレイン配線１５とが交差する部分を含む領域２４に、各層間絶縁膜の材料よりも高い絶縁性を有する材料からなる高絶縁体１７が備えられている。 - 特許庁

A passivation layer 10 having a gas barrier property and formed of an inorganic material is so composed as to function as both contact holes 100 for electrically connecting first bus electrodes 20 to transparent conductive films 50, and an insulation film for electrically insulating the first bus electrodes 20 from the second bus electrode 20.例文帳に追加

ガスバリア性を有し無機材料からなるパッシベーション層１０を、第１バス電極２０を透明導電膜５０と電気的に接続するためのコンタクトホール１００と、第１バス電極２０を第２バス電極２０と電気的に絶縁するための絶縁膜とを兼ねて構成した。 - 特許庁

On an Al_2O_3-MC based (M is at least one kind selected out of Ti, Nb, Si) ceramic substrate, an insulation layer comprising an almina film of crystalline substance with not less than 60% by volume is arranged, wherein the thermal conductivity for the alumina film is not less than 5W/mK.例文帳に追加

Ａｌ_２Ｏ_３−ＭＣ系（Ｍは、Ｔｉ，Ｎｂ，Ｓｉから選択される少なくとも１種）セラミックス基板上に６０体積％以上結晶質であるアルミナ膜からなる絶縁層を備え、該アルミナ膜の熱伝導率が５Ｗ／ｍｋ以上であることを特徴とする。 - 特許庁

A layer consisting of a fibrous heat resistant thermally insulating material is disposed on the inside surface of the heat roller, by which the shortening of the distance between the heat roller and the coil is made possible while the insulation coating of the coil is protected and the assurance of high heating efficiency is made possible.例文帳に追加

本発明は，前記ヒートローラの内面に繊維状の耐熱性断熱材よりなる層を配設することにより，前記コイルの絶縁被覆を保護しながら前記ヒートローラとコイルとの間の距離を小さくし得るようにし，高い加熱効率を確保することを図ったものである。 - 特許庁

An LED element 12 provided with bumps 12a and 12b on the mounting surface is mounted at a predetermined position on the wiring layers 11c and 11d of a substrate 11, and the gap between its lower surface and the upper surface of the substrate 11 is filled with an insulation layer 13 of silicone to bury the bumps 12a and 12b.例文帳に追加

基板部１１の配線層１１ｃ，１１ｄ上の所定位置には、バンプ１２ａ，１２ｂが実装面に設けられたＬＥＤ素子１２が搭載され、その下面と基板部１１の上面との間には、バンプ１２ａ，１２ｂを埋める様にしてシリコーン材による絶縁層１３が充填される。 - 特許庁

On the surface of one insulation layer, electrodes for chucking and electrodes for measurement are disposed.例文帳に追加

基板上に、（１乃至２以上）個の接着層と（１乃至２以上）個の絶縁層とが交互に、かつ最表面が絶縁層となるように順次積層されてなる静電チャック装置であって、前記絶縁層の面に吸着用電極と計測用電極が設けられていることを特徴とする静電チャック装置である。 - 特許庁

The resin composition, which is used to form the insulation layer of a resin-coated metallic foil, comprises a cyanate resin and/or a prepolymer thereof, a substantially halogen-free phenoxy resin, a phenolic resin, and an inorganic filler.例文帳に追加

本発明の樹脂組成物は、樹脂付き金属箔の絶縁層を形成するために用いる樹脂組成物であって、シアネート樹脂および／またはそのプレポリマーと、実質的にハロゲン原子を含まないフェノキシ樹脂と、フェノール樹脂と、無機充填材とを含有することを特徴とするものである。 - 特許庁

The insulation layer thereon results in a low concentration region of nitrogen where a Josephson junction 4 in a weak electrical coupling condition is formed.例文帳に追加

イオンビームはフオトレジスト膜５でマスキングされた部分はフオトレジスト膜５によって遮断されるが、塗布されていないウインドウ部分ではイオンビームは絶縁層３にまで到達し、その部分の絶縁層は酸素または窒素の低濃度領域となって電気的に弱結合状態にあるジョセフソン接合部４が形成される。 - 特許庁

In the electrochemical device equipped with at least two electrodes, an insulation layer interposed between the electrodes, and the nonaqueous electrolyte, the nonaqueous electrolyte contains a borate having an anionic part comprising at least boron and oxygen.例文帳に追加

少なくとも２つの電極と、前記電極の間に介在する絶縁層と非水電解液を備えた電気化学装置において、非水電解液に少なくともホウ素と酸素からなるアニオン部を有するホウ酸塩を含有溶解してなる非水電解液を用いることを特徴とする。 - 特許庁

Particularly, a component on which an opaque quartz glass layer having bubbles is laminated between the base material and the thermal spray film is free from crack or peel-off and has excellent heat insulation property, because the opaque quartz glass absorbs the stress of the base material and the quartz glass thermal spray film as the outer most surface.例文帳に追加

特に、基材と上記溶射膜の間に気泡を有する不透明な石英ガラス層を積層した部品は、当該不透明石英ガラスが基材と最表面の石英ガラス溶射膜の応力を吸収することによって割れ、剥れがなく、なおかつ断熱性に優れるものである。 - 特許庁

The ceramic art kiln is equipped with a kiln 1 having a heater 7 inside, a door 2 installed at the kiln 1 so as to be opened and closed freely, and a temperature controller 3 for controlling the temperature inside the kiln 1 which has an operation panel 19 on its surface and is installed at the door 2 or at the insulation layer of the kiln.例文帳に追加

この陶芸窯は、内部にヒータ７を有する炉１と、炉１に開閉自在に装着された扉２と、表面に操作パネル１９を有するとともに扉２又は炉の断熱層に装着され炉１内の温度を制御するための温度制御装置３とを備えている。 - 特許庁

The bedrock bathing device is provided with: a freezer container which is formed into a tightly sealed box shape, with a floor 11, walls, and a ceiling, and has an insulation layer inside the floor 11, inside the walls, and inside the ceiling respectively; and a bedrock bathing means G provided on the floor 11 inside the freezer container.例文帳に追加

床１１、壁、及び天井で密閉の箱状に形成されかつ床１１の内部、壁の内部、及び天井の内部にそれぞれ断熱層を有する冷凍用コンテナと、冷凍用コンテナの内部における床１１の上に設けられた岩盤浴手段Ｇと、を備えた。 - 特許庁

The water proofing coating 5 is cylindrical and the opening end 51 on the distal end side adheres to surround the water proofing wall 4 and the bottom plate 31 at a part for receiving the water proofing wall 4, and the opening end 52 on the rear side adheres to surround the insulation layer 22 at the root of the core wire 21.例文帳に追加

なお、止水被覆５は筒状であり、先側の開口端部５１が、止水壁４とこの止水壁４を受け支える部分の底板３１とを取り囲むように密着し、後側の開口端部５２が、芯線２１における根元の絶縁層２２を取り囲むように密着している。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a spark plug capable of forming a uniform sealant powder layer with high density between an insulation body and a main metal fitting even in the case that the size of the fitting part of a tool is shortened to 14 mm or less, capable of securing sufficient air-tightness and shock resistant property.例文帳に追加

工具係合部の寸法が１４ｍｍ以下に縮小した場合でも、絶縁体と主体金具との間に均一で高密度のシール材粉末層を形成でき、ひいては気密性や耐衝撃性を十分に確保できるスパークプラグの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a resin which maintains the processability and is improved in the heat resistance after ring closure which is a use form, by retaining the solubility to an organic solvent of the resin precursor, is excellent in electrical characteristics, physical characteristics and mechanical characteristics, and is suitable for the applications to layer insulation films and the like of semiconductors.例文帳に追加

樹脂前駆体の有機溶剤への溶解性を保持することで、加工性を維持すると共に、使用形態である閉環後の耐熱性を向上させ、また、電気特性、物理特性及び機械特性にも優れ、半導体の層間絶縁膜等の用途に適した樹脂を提供する。 - 特許庁

In the electrostatic chuck formed by coating the surface of a conductor with insulator, the conductor is made of metal-ceramics composite material obtained by sticking compositely powder of a ceramics on a metal on whose surface a metallic layer is formed, and the insulation film comprises a ceramics film.例文帳に追加

電導体表面に絶縁体を被覆してなる静電チャックにおいて、該電導体が、表面に金属層が形成されている金属にセラミックス粉末を複合させた金属−セラミックス複合材料からなり、該絶縁膜が、セラミックス膜からなることとした静電チャック。 - 特許庁

The resistor is provided with a resistor body 11 made of a metal plate; and a pair of electrodes 12 provided on the bottom surface of the resistor body 11 so as to be separated from each other, wherein an insulation layer 13 is formed on the end surface of the resistor body 11 and the end surface of the pair of electrodes 12.例文帳に追加

金属板で構成した抵抗体１１と、この抵抗体１１の下面に互いに離間するように設けられた一対の電極１２とを備え、前記抵抗体１１の端面および前記一対の電極１２の端面に絶縁層１３を形成したものである。 - 特許庁

On the other face of the insulation substrate 11, a sliding layer 18 consisting of heat-resistant glass patterns 161, 162 and resin patterns 171 to 173 with high heat resistance and slidability, for instance, of a polyimide system, is formed in a state pinching the glass patterns 161, 162.例文帳に追加

発熱抵抗体１２が形成された絶縁基板１１の他方面上に、耐熱性のガラスパターン１６１，１６２と、このガラスパターン１６１，１６２を挟む格好で、耐熱性、摺動性の高い例えばポリイミド系の樹脂パターン１７１〜１７３とからなる摺動層１８を形成する。 - 特許庁

A positive photosensitive resin is applied on a transparent insulation substrate 1 having a TFT formed thereon and a photosensitive resin layer 9 having a contact hole and a hole for forming a rugged pattern on a drain electrode 8 and at a pixel aperture part, respectively, is formed by photolithography using a photo mask.例文帳に追加

ＴＦＴを形成した透明絶縁基板１上に、ポジ型の感光性樹脂を塗布し、フォトマスクを用いたフォトリソグラフィにより、ドレイン電極８上にコンタクトホール、画素開口部に凹凸パターン形成用の穴をそれぞれ有する感光性樹脂層９を形成する。 - 特許庁

An electric insulation layer and a conductor pattern are alternately laminated and a conductor pattern is sequentially connected, so that a piled coil is formed in an electric insulator in the laminating direction and the end of the coil is connected with an external electrode on the outer surface of a laminated body through a lead conductor.例文帳に追加

電気絶縁層と導体パターンが交互に積層され導体パターンが順次接続されることで、電気絶縁体中に積層方向に重畳したコイルが形成され、該コイルの端部が引出導体により積層体外表面の外部電極に接続されている積層インダクタである。 - 特許庁

Since the repairing of the defective element is performed by a simple process such as to merely place and fix the repair element without taking away the defective element, it is unnecessary to perform difficult work, for example, such as the removing of the pre-mounted element, the selective removal and restoration of an insulation layer.例文帳に追加

不良素子を取り外すことなく、単にリペア素子の載置、固定という簡便な工程によって不良素子の修復（リペア）が行われるので、例えば、実装済みの素子の取り外しや、絶縁層の選択的な除去、修復など、困難な作業を行う必要がない。 - 特許庁

The semiconductor package 100 may include: a core part having a semiconductor chip 120 mounted within a receiving space therein; an insulation part 114 formed on one surface of the core part; and a via part 116 formed by filling a same hole-processed surface of a passivation layer 140 for protecting an electrode pattern part 130 on the semiconductor chip 120 and the insulation part 114, for electrically connecting with the semiconductor chip 120.例文帳に追加

半導体パッケージ１００は、内側の収容空間に半導体チップ１２０が装着されるコア部と、前記コア部の一面に形成される絶縁部１１４と、前記半導体チップ１２０の電極パターン部１３０を保護するためのパッシベーション層１４０と前記絶縁部１１４の同一のホール加工面に充填されて形成され、前記半導体チップ１２０と電気的に連結するためのビア部１１６と、を含むことができる。 - 特許庁

The capacitive element comprises the bottom electrode 6 formed to supply voltage to a transistor formed in a semiconductor substrate 11, the top electrode 10 formed on the opposite side of the semiconductor substrate 11 from the bottom electrode 6, the capacitive insulation film 9 formed between the top electrode 10 and the bottom electrode 6, and an interface reinforcing layer 7a formed to improve the interfacial characteristics of the capacitive insulation film 9.例文帳に追加

容量素子は、半導体基板１１に形成されたトランジスタへ電圧を供給するために形成された下部電極６と、下部電極６に対して半導体基板１１の反対側に形成された上部電極１０と、上部電極１０と下部電極６との間に形成された容量絶縁膜９と、容量絶縁膜９の界面特性を改善するために形成された界面強化層７ａとを具備する。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a silicon substrate, a gate insulation film formed on the surface of the silicon substrate, a gate electrode formed on the gate insulation film, source/drain diffusing layers formed on both sides of the gate insulating film of the silicon substrate, a film involving a metal oxide formed on the source/drain diffusing layer, and a polycrystalline silicon film involving impurity formed on the film involving the metal oxide.例文帳に追加

シリコン基板と、シリコン基板の表面に形成されたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に形成されたゲート電極と、シリコン基板の前記ゲート絶縁膜の両側に形成されたソース／ドレイン拡散層と、ソース／ドレイン拡散層上に形成された金属酸化物を含有する膜と、金属酸化物を含有する膜上に形成された、不純物を含有する多結晶シリコン膜とを備えることを特徴とする半導体装置。 - 特許庁

With the impurity distribution of the channel layer of a buried channel CCD, a part where impurity concentration is maxim is located at the deepest position in a semiconductor substrate, and potential gradient at an interface part with the insulation film in a depletion state is as gentle as potential gradient in the insulation film, thus achieving the charge transfer device having both high transfer efficiency and large amount of transfer charge.例文帳に追加

埋め込みチャンネルＣＣＤのチャンネル層の不純物分布を、不純物濃度極大部が半導体基板内部の深い位置になり、かつ、前記半導体基板の表面領域での、空乏化状態における前記絶縁膜との界面部での電位勾配が、前記絶縁膜内の電位勾配と同程度で、ゆるやかになるようにすることによって、高い転送効率と大きな転送電荷量という機能を両立した電荷転送装置が実現される。 - 特許庁

Sandwiching and fixing the power semiconductor chip 5 with a first insulation circuit board 3 and a second laminated insulation circuit board 9 and fitting a board 20, comprising a material having a small linear expansion coefficient in the second board 9, suppresses the deformation of a conductive layer of the fixing part with the chip 5, relaxing the stresses generated in the fixing part in between the chip 5 and the board 9.例文帳に追加

電力用半導体チップ５を第１の絶縁回路基板３と、第２の積層絶縁回路基板９で挟み込み固着し、第２の積層絶縁回路基板９内に、線膨張係数の小さな材料からなる基板２０を嵌合することで、電力用半導体チップ５との固着部の導体層の変形を抑制し、電力用半導体チップ５と第２の積層絶縁回路基板９との固着部分に生じる応力の緩和を図ることができる。 - 特許庁

The manufacturing method comprises forming first trenches into a one conductivity type semiconductor substrate 1, forming side wall spacers 5 of a first insulation layer along the side walls of the first trenches, forming second trenches 6 into the bottom faces of the first trenches, and filling a second insulation film into the first and second trenches 6.例文帳に追加

本発明の請求項１に係る半導体装置の製造方法は、一導電型の半導体基板１に第一のトレンチ４を形成する工程と、第一のトレンチ４の側壁に沿って第一の絶縁膜からなるサイドウォールスペーサ５を形成する工程と、第一のトレンチ４の底面に第二のトレンチ６を形成する工程と、第一及び第二のトレンチ４，６の内部に第二の絶縁膜７を充填する工程とを含んでいることを特徴とする。 - 特許庁