「layer-insulation」に関連した英語例文の一覧と使い方(107ページ目) - Weblio英語例文検索

In the electronic part storing package comprising the insulation substrate 1 having a mounting part 1a mounting electronic parts 3 on the upper face and a metalized sealing layer 6 adhered so as to surround the mounting part 1a, and a metal cover body 2 joined by seam welding with a brazing material 7 on the metalized sealing layer 6, the metal cover body 2 adheres a nickel plated layer 8 on the side.例文帳に追加

上面に電子部品３が搭載される搭載部１ａおよびこの搭載部１ａを取り囲むようにして被着された封止用メタライズ層６を有する絶縁基体１と、下面の全面にろう材７が被着されており、封止用メタライズ層６にろう材７を介してシーム溶接により接合される金属蓋体２と、から成る電子部品収納用パッケージであって、金属蓋体２は、その側面にニッケルめっき層８が被着されている。 - 特許庁

The pattern region of each layer constituting at least the piezoelectric element 300 is covered by an insulation membrane 100 formed of an inorganic insulation material.例文帳に追加

液滴を吐出するノズル開口にそれぞれ連通する圧力発生室１２が形成される流路形成基板１０と、流路形成基板１０の一方面側に振動板を介して設けられる下電極６０、圧電体層７０及び上電極８０からなる圧電素子３００とを具備し、少なくとも圧電素子３００を構成する各層のパターン領域が、無機絶縁材料からなる絶縁膜１００によって覆われているようにする。 - 特許庁

To provide a structure which overcomes a blemish of conventional structures, namely, maintains insulation efficiency by protecting a low emissive surface member from dusts and corrosion; wherein the blemish is that moisture can freely contact and corrode the low emissive surface member to increase emissivity and harm radiation heat insulation, as an open space prepared in front of a reflecting layer is not sealed from the environment.例文帳に追加

従来の構造においては、反射層の前に設けられた開放空間は周囲に対して密閉されておらず、湿気は自由に低放射率表面部に接触してこれを腐食させることができるため、放射率が増加し、放射熱断熱性に悪影響を与えてしまうという欠点を克服する構造体、即ちダストや腐食から低放射率表面部を保護し断熱性を維持する構造体が望まれている。 - 特許庁

The semiconductor memory device comprises a transistor formed on a semiconductor substrate; the capacitor which is formed above the transistor and comprises a bottom electrode, a dielectric film, and a top electrode; semi-insulation layer which is formed on the side face of the top electrode and is a reformed top electrode; insulation film so formed as to coat the capacitor; and interconnection connected to the top electrode.例文帳に追加

本発明の１態様による半導体記憶装置は、半導体基板上に形成されたトランジスタと、前記トランジスタの上方に形成され、下部電極、誘電体膜、及び上部電極を含むキャパシタと、前記上部電極の側面に形成され、この上部電極を改質した半絶縁層と、前記キャパシタを覆って形成された絶縁膜と、前記上部電極に接続する配線とを具備する。 - 特許庁

The reflective liquid crystal display device is provided with glass substrates 581, 582, a transparent electrode 60 arranged on the glass substrate 581, an insulation film 44 arranged on the glass substrate 582 and with the projecting and recessing structure 50 formed on the surface, a reflection electrode 51 arranged on the insulation film 44 and a liquid crystal layer 61 held between the transparent electrode 60 side and the reflection electrode 51 side.例文帳に追加

本発明の反射型液晶表示装置は、ガラス基板５８１，５８２と、ガラス基板５８１上に設けられた透明電極６０と、ガラス基板５８２上に設けられるとともに表面に凹凸構造５０が形成された絶縁膜４４と、絶縁膜４４上に設けられた反射電極５１と、透明電極６０側と反射電極５１側とで挟み込まれた液晶層６１とを備えたものである。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a structure including a semiconductor element, which employs a material with a low dielectric constant called a low-K material as a material constituting an interlayer insulation film of a multilayer wiring layer, flip-chip-mounted on a circuit board, with a highly reliable mounting structure by flexibly coping with a change in temperature to prevent breakdown of the interlayer insulation film.例文帳に追加

Ｌｏｗ−Ｋ材料と呼ばれる誘電率の低い材料を多層配線層の層間絶縁膜を構成する材料として用いた半導体素子が回路基板にフリップチップ実装された構造を有する半導体装置であって、温度変化に柔軟に対応して前記層間絶縁膜の破壊を防止することにより、信頼性の高い実装構造を備えた半導体装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

To assure high reliable insulation capable of avoiding deterioration in insulating capacity due to deformation or degeneration in the component materials around the insulation coating layer, etc., by the heat in soldering step also making the best of any photodetecting area, while requiring no high skill in the connecting work of interconnectors to terminal boards in a solar battery module sealed with a filler made of a light transmissive resin.例文帳に追加

透光性樹脂による充填材によって封止された構造をもつ太陽電池モジュールにおいて、受光面積を最大限に活用できて、かつ端子板へのインターコネクターの接続作業に高度の熟練を必要とせず、ハンダ付け工程の熱によって絶縁被覆層他周辺の構成材に変形や変質を起こして絶縁性が低下することのない、信頼性ある絶縁性能を保証する。 - 特許庁

An insulation film is deposited on a P-type Si substrate 1, a polysilicon film is formed with a CVD method after a well layer 2 is formed by implanting a P-type impurity such as boron and the like, and a plurality of gate-electrodes patterned with its corner-edge-contact arranged is formed.例文帳に追加

Ｐ型Ｓｉ基板１上に絶縁膜を堆積し、Ｂ等Ｐ型不純物を注入してウエル層２を形成後、ＣＶＤ法でポリＳｉ膜を形成し、角部の頂点が接するような配置でパターニングされた複数のゲート電極部を形成する。 - 特許庁

To provide a multi-layered printed wiring board which solves the problem that a copper wiring pattern is given large damage in a final soft etching process and inter-line insulation reliability is low since a base copper layer between copper wiring pattern which becomes unnecessary can not be completely removed.例文帳に追加

最後のソフトエッチング工程では銅配線パターンに強いダメージを与え、しかも銅配線パターン間の不要となった下地銅層を完全に除去できず、線間絶縁信頼性が低かったという問題を解決多層プリント配線板を提供する。 - 特許庁

The polishing solution is used for the chemical mechanical polishing of the barrier layer and the interlaminar insulation film of a semiconductor integrated circuit wherein the polishing solution includes the abrasive grains, an oxidative agent, an anticorrosive agent, an acid, a surfactant and an inclusion compound, and the pH thereof is lower than 5.例文帳に追加

半導体集積回路のバリア層と層間絶縁膜との化学的機械的研磨に用いられる研磨液であって、砥粒、酸化剤、防食剤、酸、界面活性剤、及び包接化合物を含み、ｐＨが５未満であることを特徴とする研磨液。 - 特許庁

Hence, when a pin hole 14a is formed by dielectric breakdown in a thin-film insulation layer 14 and its vicinity is used as a heat-generating region, since the amount of heat escaping to the bottom electrode 13 is decreased, heat-generating efficiency that is higher than in the conventional devices can be obtained.例文帳に追加

このため、絶縁破壊によって薄膜絶縁層１４にピンホール１４ａを形成し、その近傍を発熱領域とした場合、下部電極１３側に逃げる熱が低減されることから、従来よりも高い発熱効率を得ることが可能となる。 - 特許庁

Outside insulation eliminating sections 38 for forming a closed magnetic path in which a notch 39 is formed and a magnetic material J is buried are provided in fours on a portion corresponding to the inside region of the spiral portions 23 in the plurality of insulating layers including the insulating layer 9.例文帳に追加

また、絶縁層９を含む複数の絶縁層においてスパイラル部２３の外側領域に対応する部位には、切り欠き３９を形成して磁性材料Ｊを埋め込んで成る閉磁路形成用の外側絶縁除去部３８が４つずつ設けられている。 - 特許庁

As a result, the read gap, which is the distance between the first and second magnetic shields is reduced, as compared to the prior art by the thickness of the electrical leads, and the thickness of second insulation layer 104 of the prior art formed between the electrical leads and the second magnetic shield.例文帳に追加

その結果、第１および第２の磁気シールド間の距離である読取りギャップは、従来技術に比べて、リード線の厚さと、リード線および第２の磁気シールドの間に形成される従来技術の第２の絶縁層１０４の厚さとの分だけ低減される。 - 特許庁

The glove is formed of woven knit using heat resistant fiber, and is provided with a heat-insulation layer having a thickness of 1-5 mm and having numerous minute air bubbles therein at either one or both of the palm part or/and the palm-side finger part of the glove.例文帳に追加

耐熱性繊維を用いた織編物から成る手袋であって、該手袋の掌部または掌側指部のいずれか一方または双方の部位に、無数の微細気泡を内包する厚さが１〜５ｍｍの断熱層が設けられていることを特徴とする手袋。 - 特許庁

The main insulation layer 12m of a solid cable 1 is made by winding alternately a composite tape Tcw having a craft paper C on both sides of a plastic film P and a plastic tape Tp made of plastic, and the winding direction of the tapes are made different as a prescribed number of sheets is wound in an certain direction.例文帳に追加

ソリッドケーブル1の主絶縁層12mは、プラスチックフィルムPの両面にクラフト紙Cを具える複合テープTcwと、プラスチックからなるプラスチックテープTpとを交互に巻回してなり、一様な巻き方向に所定数枚巻回するごとにテープの巻き方向を異ならせている。 - 特許庁

A capacitor, having a conductive via within a substrate via an insulation layer and using the base substrate consisting of a conductive member as a part of electrode, is formed on a support substrate having an internal conductive via and connecting terminals are provided at the base substrate and one surface of the support substrate.例文帳に追加

基板内部に絶縁層を介して導電性ビアを有し、導電性部材からなるベース基板を電極の一部としたキャパシタを内部導体ビアを有する支持基板上に形成し、ベース基板と支持基板の一方の表面に接続端子を設ける。 - 特許庁

To provide a metal powder for a dust core having excellent electrical insulation property in which a binding power between an insulating material and particles is increased by uniformly concentrating Si only in the surface layer part of the powder, without causing reduction in saturation magnetic flux density and deterioration in compressibility.例文帳に追加

粉末の表層部のみにSiを均一に濃化させることにより、飽和磁束密度の低下や圧縮性の劣化を招くことなしに、絶縁材料と粒子間の結合力を高めた、電気絶縁性に優れた圧粉磁心用金属粉末を提供する。 - 特許庁

To provide an oxygen concentration detection element which can prevent the heater section or detector from cracking and the like caused by thermal stress, while improving a yield of the wire lead section on a pair of electrodes and also lowering cost by reducing a printing frequency of heater insulation layer.例文帳に追加

ヒータ部や検出部に熱応力に起因するクラック等の発生を防止できると共に、一対の電極のリード部線の歩留まりが向上し、且つ、ヒータ絶縁層の印刷回数を削減して低コストにできる酸素濃度検出素子を提供する。 - 特許庁

In such method of fabricating semiconductor device, the gap between the gates 120 is embedded without any void defect, and reliability of semiconductor device can be improved by conducting the sputter etching process when the inter-layer insulation film 130 is formed on the gate pattern.例文帳に追加

このように、半導体装置の製造方法において、ゲートパターン上に層間絶縁膜１３０を形成する時にスパッタエッチング工程を行えば、ゲート１２０間のギャップがボイド欠陥無しに埋め込まれ、半導体装置の信頼性を高めることができる。 - 特許庁

Further a mortar layer 40 is arranged by embedding the wire meshes 4 with the heat insulators 2 making contact with each other, and therefore the one-piece heat insulating barrier is formed, which leads to formation of the external insulation structure with high heat insulating performance without occurrence of local dew condensation.例文帳に追加

また断熱材２同士を接触させた状態で両面の金網４を埋設するモルタル層４０を設けることで、一体となった断熱層を形成することができ、断熱性が高く局所的な結露を生じない外断熱構造とすることができる。 - 特許庁

Since the position of the second insulation case 5b can be changed in two or more steps, the height of the assembly electrode 13 is adjusted, and occurrence of an electrical contact failure between the housed electric double layer capacitor element 12 and the armoring metal case 8 is prevented.例文帳に追加

第２の絶縁ケース５ｂの位置を２段階以上変化させることができるため、組み立て電極１３の高さは調節され、収容される電気二重層コンデンサ素子１２と外装金属ケース８との電気的な接触不良の発生が防止される。 - 特許庁

To provide a surface heating body having a rigidly adhered protective layer, superior water resistance and electrical insulation or the like, favorable machinability and workability to an end product, and a superior PTC characteristic in long term usage stability.例文帳に追加

保護層を強固に接着せしめた面状発熱体を提供し、耐水性及び電気絶縁性等に優れ、最終製品への加工性および作業性が良好であり、長期使用安定性に優れたＰＴＣ特性を有する面状発熱体を提供すること。 - 特許庁

In the copper-clad laminated board, a surface treated copper foil, wherein a rust prevention film consisting of indium is formed on at least one surface of an untreated or roughly treated copper foil and a silane coupling agent protective layer is applied onto the surface of the rust prevention film, is stuck to an insulation board.例文帳に追加

未処理又は粗化処理後の銅箔の少なくとも一方の表面に、インジウムからなる防錆被膜が形成され、その表面にシランカップリング剤保護層が施された表面処理銅箔が絶縁基板に張り付けられている銅張積層基板である。 - 特許庁

To provide a low temperature fired porcelain composition in which the firing condition is widely set and which is fired simultaneously with a Cu conductor, a low temperature fired porcelain having low dielectric constant and small dielectric loss and a wiring board using the porcelain as an insulation layer.例文帳に追加

焼成条件を幅広く設定することができ、Ｃｕ導体と同時焼成することができる低温焼成磁器組成物、誘電率が低く、誘電損失が小さい低温焼成磁器、及びこの磁器を絶縁層として用いた配線基板を提供する。 - 特許庁

Annular plates 170, 170 connecting flange parts 112, 122 of piping members 110, 120 are formed into an annular shape, thereby preventing contact between tubular bodies 111, 121, and providing a heat insulation layer A by air between the tubular bodies 111, 121.例文帳に追加

配管部材１１０、１２０のフランジ部１１２、１２２どうしを連結する環状プレート１７０、１７０が環状とされることで、管状体１１１、１２１とは接触せず、管状体１１１、１２１との間に空気による断熱層Ａが存在するようにした。 - 特許庁

Although a shield layer 9, a drain wire 11 or the like are exposed at a bent position, insulation processing by an insulating tape or the like and shield processing by a metal foil or the like are carried out to protect the electric wire 17 or the like and prevent deterioration of shield performance.例文帳に追加

折り曲げる位置においてシールド層９、ドレイン線１１等が露出するが、絶縁テープ等による絶縁処理、金属箔等によるシールド処理が行われるので、電線１７等の保護を行い得るとともに、シールド性能の低下を防止できる。 - 特許庁

When the potential of the discrete electrode 18 is switched from the predetermined potential to the ground potential by means of the driver IC 20, a part of ink existing on the surface of the insulation layer 19 moves to the discharge portion 16 side and the ink is discharged therefrom.例文帳に追加

この状態から、ドライバＩＣ２０により個別電極１８の電位が所定電位からグランド電位に切り換えられたときには、絶縁層１９の表面に存在していたインクの一部が排出部１６側へ移動して、インクが排出部１６から排出される。 - 特許庁

To improve reliability of a liquid discharge head, a liquid discharge apparatus, and a manufacturing method for the head, compared with conventional ones, by effectively avoiding a damage to an insulation protective layer, through application to, for example, a thermal inkjet printer.例文帳に追加

本発明は、液体吐出ヘッド、液体吐出装置及び液体吐出ヘッドの製造方法に関し、例えばサーマル方式によるインクジェットプリンタに適用して、絶縁保護層の損傷を有効に回避して従来に比して信頼性を向上することができるようにする。 - 特許庁

In the powder magnetic core 10, the insulation layer 14 contains an aluminum compound containing aluminum oxide and a phosphorous compound containing phosphate; the content of the aluminum compound is 0.01-0.03 mass% in terms of Al_2O_3; and density thereof is 7.64 g/cm^3or more.例文帳に追加

絶縁層１４は酸化アルミニウムを含むアルミニウム化合物とリン酸塩を含むリン化合物とを含有し、アルミニウム化合物の含有量がＡｌ_２Ｏ_３に換算して０．０１〜０．０３質量％であり、密度が７．６４ｇ／ｃｍ^３以上である圧粉磁心１０である。 - 特許庁

The electromagnetic transducer diaphragm (110) is placed between two insulation layers (220, 222) that are stuck to each other to protect the diaphragm made of a flexible electric insulating material and has an electric conductive layer (221) having a conductor pattern formed by etching.例文帳に追加

電磁トランスジューサのダイヤフラム（１１０）は、柔軟で電気的絶縁性材料のダイヤフラムを保護するために相互に接着された２層の絶縁層（２２０，２２２）の間に配置され、エッチングにより形成される導電パターンを有する電気的導電層（２２１）を有する。 - 特許庁

A jointless noncombustible heat-insulating layer is manufactured by a wet process wherein quick-drying cement and an admixture are adequately mixed in a dry manner, kneaded together with added water at a building site and directly applied to a sheathing roof board by using obsidian perlite, which is the noncombustible material excellent in heat insulation, as a principal member.例文帳に追加

断熱に優れた不燃材である、黒曜石パーライトを、主材に用いて、早乾セメント、混和剤を充分空練りし、水を加えて、現地で練り合わせて、野地板に直接塗り付ける湿式方式で、継目のない、不燃断層を製作した。 - 特許庁

To provide a polishing pad formed so that a global step is small, dishing of a metal wiring hardly occurs, and the occurrence of dust and scratch is low, in a polishing pad to mechanically flatten the surface of an insulation layer, formed on a silicon substrate, or the surface of a metallic wiring.例文帳に追加

シリコン基板の上に形成された絶縁層または金属配線の表面を機械的に平坦化するための研磨パッドにおいて、グローバル段差が小さく、金属配線でのディッシングが起こりにくく、ダストやスクラッチの発生が少ない研磨パッドを提供する。 - 特許庁

A first electrode 301 is provided that has a hollow cylindrical first wall part 340 including oppositely arranged two diaphragms 341 and 342 on one face 201 of an insulation layer 200 and a first lid part 321 that closes an opening 346 of the first wall part 340.例文帳に追加

絶縁層２００の一面２０１に、対向配置された２つのダイヤフラム３４１、３４２を含む中空筒状の第１壁部３４０と第１壁部３４０の開口部３４６を閉じる第１蓋部３２１とを有する第１電極３０１を設ける。 - 特許庁

A silicon nitride film 7 on a wiring layer is formed thicker than a silicon nitride film 7 between wiring layers by forming a second insulation silicon nitride film 7 all over on conditions of 1.0 to 30 Torr and 600 to 1100°C by employing a vacuum thermal CVD method.例文帳に追加

全面に第２の絶縁膜であるシリコン窒化膜７を減圧熱ＣＶＤ法を用いて、１．０〜３０Ｔｏｒｒ，６００〜１１００℃の条件にて成膜することにより、配線層上のシリコン窒化膜７を配線層間のシリコン窒化膜７よりも厚く形成する。 - 特許庁

A multi-layered porous semiconductor films of metal oxide or the like, holding a light absorbing material like a pigment having a different wave length absorbing region within the wave length region of sun light, and an electrolyte layer, are interposed between transparent insulation substrates.例文帳に追加

透明絶縁基板間に、太陽光の波長領域内に異なる吸収波長域を有する色素等の光吸収物質を担持させた金属酸化物等の多孔質半導体膜を複数層状に配置するとともに電解質層を配置させた。 - 特許庁

A region for not forming the insulation resin layer 2 is provided at least on one of the four corners of the wiring board 1, and a cleaner 5 is provided on this region for cleaning the surface of the abrasives 3 of the polisher by rubbing the abrasives 3.例文帳に追加

この際に配線基板１の四周縁のうち少なくとも一縁に絶縁樹脂層２が形成されない領域を設けると共にこの領域に研磨機の砥材３が擦れることによって砥材３の表面を清掃する清掃材５を設ける。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of silicon on insulator or SOI wafer which can prevent heat distortion caused by a difference of coefficient of thermal expansion between a transparent insulation substrate and an SOI layer, lifting and laminating failure caused by crack or the like and a level difference of surface of insulating film, and to provide the SOI wafer.例文帳に追加

透明絶縁性基板とＳＯＩ層との熱膨張係数の差異に起因する熱歪、剥離、ひび割れ等や絶縁性被膜表面の段差に起因する貼り合わせ不良を防止できるＳＯＩウエーハの製造方法及びＳＯＩウエーハを提供する。 - 特許庁

To provide superior wiring with a high adhesion property on a base without the need for a vacuum device or the like and without the need for the means of corroding an insulation layer, and to form recessed and projected parts and improve the adhesion property, etc., regarding a wiring formation method.例文帳に追加

配線形成方法に関し、真空装置などを必要とせず、また、絶縁層を腐食して凹凸を形成して密着性を向上させるなどの手段を必要とせず、下地に高い密着性をもった良好な配線を実現できるようにする。 - 特許庁

To obtain a resin composition suitable for a colder-resist and an insulation layer between layers in a flexible printed circuit board, which is excellent in flexibility of a curing material and resistances to soldering heat, thermal deterioration, and nonelectrolytic gold plating, and can be developed in an organic solvent or a diluted alkaline solution.例文帳に追加

硬化物の可撓性や半田耐熱性、耐熱劣化性、無電解金メッキ耐性に優れ、有機溶剤又は希アルカリ溶液で現像ができ、フレキシブルプリント配線板のソルダーレジスト用及び層感絶縁層用に適する樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

The luminescence region 45 of the organic EL elements constituting the array of the organic EL elements 40, is characteristic in that the width M of each luminescent element in the direction where the elements are arrayed, is not less than 2.5 times the film thickness of an interlayer insulation layer, and not more than 83% of the array pitch P of the elements.例文帳に追加

有機ＥＬ素子アレイ４０を構成する有機ＥＬ素子の発光領域４５について、発光素子が並ぶ方向における幅Ｍを、層間絶縁層の膜厚の２．５倍以上であり、かつ、発光素子の配列ピッチＰの８３％以下とする。 - 特許庁

A plurality of conductive layers 1 and a plurality insulation layers are alternately arranged in a single line from left to right, and each conductive layer 1 is used as a conductive member containing, in the vertical thickness direction, chain powder 4 of a 200-500 parts by mass in an insulating elastomer resin of 100 parts by mass.例文帳に追加

複数の導電層１と絶縁層とを交互に横一列に並べ備え、各導電層１を、絶縁性エラストマー樹脂１００質量部に、２００〜５００質量部の鎖状粉末４を上下厚さ方向に含有した導電部材とする。 - 特許庁

Before resin is injected, the end 14PP of a movable pin 14, which is provided so as to slide in a lower mold 8, is protruded into a cavity 10 by a thickness of an insulation layer to be formed under a head spreader 6, so that the undersurface 6BS of the heat spreader 6 is supported by the end 14PP.例文帳に追加

樹脂注入前に、下部金型８に摺動可能に設けられた可動ピン１４の先端１４PPを、ヒートスプレッダ６の下に形成されるべき絶縁層の厚み分だけキャビティ１０内に突出させて、ヒートスプレッダ６の底面６BSを先端１４PPで支持する。 - 特許庁

An air curtain device 17 for forming an air curtain of an air layer that blocks cold air in the box from the outside air, when the open-close door 16 is opened, is disposed at an opening 15a, which is formed in a reagent cover 15 of the reagent thermal insulation box 7 and used for taking the reagent in and out.例文帳に追加

試薬保冷庫７の試薬カバー１５に設けられた試薬出し入れ用の開口部１５ａに、開閉扉１６が開放したときに外気と庫内冷気を遮断可能な空気層のエアーカーテンを生成するエアーカーテン装置１７を設ける。 - 特許庁

To obtain provide a high reliability semiconductor device and a method and apparatus for manufacturing the same, wherein solder crack resistance is improved by making uniform the solder layer thickness of a semiconductor substrate, having a metal base plate and an insulation plate soldered to the base plate.例文帳に追加

金属ベース板と絶縁基板とを半田で接合した半導体基板における前記半田の層厚を均一化してヒートサイクルに対する前記半田の耐クラック性を向上させ、高信頼性の半導体装置及びその製造方法並びに製造装置を得る。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and a method of manufacturing the semiconductor device, that can improve coverage of a wiring layer formed at a contact hole aperture in a plurality of contact holes which are formed close to the interlayer insulation film and obtain a contact structure having higher reliability.例文帳に追加

層間絶縁膜中に近接して形成された複数のコンタクトホールにおいて、コンタクトホール開口部に形成する配線層の被覆性を向上させ、高信頼性を有するコンタクト構造を得ることが可能な半導体装置とその製造方法を提供する。 - 特許庁