「layer-insulation」に関連した英語例文の一覧と使い方(110ページ目) - Weblio英語例文検索

A gate insulation film GI between a semiconductor substrate SUB and a gate electrode layer GE includes a first silicon oxide film OX1, a first silicon nitride film NI1, a second silicon oxide film OX2, a second silicon nitride film NI2, and a third silicon oxide film OX3.例文帳に追加

半導体基板ＳＵＢとゲート電極層ＧＥとの間のゲート絶縁膜ＧＩは、第１のシリコン酸化膜ＯＸ１と、第１のシリコン窒化膜ＮＩ１と、第２のシリコン酸化膜ＯＸ２と、第２のシリコン窒化膜ＮＩ２と、第３のシリコン酸化膜ＯＸ３とからなっている。 - 特許庁

Conductor widths of coil conductors 32, 33 and 34, constituting one end part La of a coil L become gradually thin as insulation sheets 22, 22 constituting an outer layer are approached when compared to conductor widths of coil conductors 35 to 37, constituting a central part Lb of the coil L.例文帳に追加

コイルＬの一方の端部Ｌａを構成しているコイル導体３２，３３，３４の導体幅は、外層を構成する絶縁シート２２，２２に近づくにつれて、コイルＬの中央部Ｌｂを構成しているコイル導体３５〜３７の導体幅と比較して徐々に細くなっている。 - 特許庁

To obtain a main induction motor for a railway rolling stock, capable of extension of maintenance repeats by forming a thermal insulation layer between a heating part and a bearing part for reducing heat conduction to a bearing or increasing the cooling effect of a bracket, thereby preventing generation of temperature rise in the bearing.例文帳に追加

発熱部と軸受部との間に断熱層を設けることにより軸受に対する熱伝導を減少せしめ、あるいは、ブラケットの冷却効果を高めることにより軸受の温度上昇を抑制し、保守回帰の延長が可能な鉄道車両用主誘導電動機を得る。 - 特許庁

Then the interconnection groove is completed by etching and removing the second insulation film 107 and the intermediate stopper film 106 using the upper groove 110 as a mask and the via hole is connected with the lower interconnection 101 by etching and removing the cap layer 104 exposing at the bottom of the via hole 112.例文帳に追加

そして、上溝１１０をマスクに第２絶縁膜１０７及び中間ストッパ膜１０６をエッチング除去して配線溝を完成すると共にビアホール１１２の底部に露出したキャップ層１０４をエッチング除去してビアホールを下層配線１０１と接続する。 - 特許庁

The resin mold insulated conductor is configured to have a metal conductor 11, and an insulation layer 12, which is arranged so as to surround the periphery of the metal conductor and has uneven parts 12a for heat dissipation on the surface cast by a mold material prepared by blending an epoxy resin, an acid anhydride hardening agent and an alumina.例文帳に追加

金属導体１１と、この金属導体の周りを包囲するように配設され、エポキシ樹脂、酸無水物硬化剤、及びアルミナを配合したモールド材によって注型された表面に放熱のための凹凸１２ａを有する絶縁層１２とを備えるように構成した。 - 特許庁

A detector 2b is connected to a serial power connector 24 of an energy storage device 22 disposed in the container to detect a condition change of a test signal derived from the serially connected energy storage device and existence of failure on an insulation layer 27.例文帳に追加

容器内に配置されたエネルギー蓄積装置２２の直列電力接続体２４に対して検出器２ｂが連結され、直列接続エネルギー蓄積装置から導出された試験信号の状態変化を検出し、絶縁層２７における破損箇所の存在を検出する。 - 特許庁

Using a solar cell sealing material, which is an ethylene-vinyl acetate copolymer with the content of vinyl acetate being 10-30 mass % or less, while the volume-specific resistance is 5.0×1014 Ω or above, even a thin- layer improves the insulation characteristics of a solar cell module.例文帳に追加

酢酸ビニル含有率が１０〜３０質量％以下のエチレン−酢酸ビニル共重合体であり、かつこのエチレン−酢酸ビニル共重合体の体積固有抵抗が５．０×１０^14Ω以上である太陽電池封止材によると、薄層で用いても太陽電池モジュールの絶縁性が向上される。 - 特許庁

To provide a non-halogen and inflammable admixture of protection ink which has sufficient inflammability and used for an insulating protection layer of a printed circuit board or the like such as membrane switch, in which a bonding force is high for a substrate film and the sliding property and insulation property are never lowered.例文帳に追加

メンブレンスイッチなどのプリント配線板等の絶縁保護層に用いられる保護インク混和物において、基材フィルムに対して接着力が高く、耐摺動性や絶縁性の低下がなく、ノンハロゲンで、十分な難燃性を有する難燃性の保護インク混和物を得ることにある。 - 特許庁

After forming vias 108 and wiring trenches 109 in an insulation film on a semiconductor substrate 100, a second Ru barrier metal film 110 and a copper seed layer 111 are deposited in this order to the bottoms and the walls of the vias 108 and the trenches 109.例文帳に追加

半導体基板１００上の絶縁膜にビアホール１０８及び配線用溝１０９を形成した後、ビアホール１０８及び配線用溝１０９のそれぞれの底部及び壁面に、Ｒｕ膜からなる第２のバリアメタル膜１１０、及び銅シード層１１１を順次堆積する。 - 特許庁

This is an electro-optical device having pixels arranged in matrix, and has a substrate or an insulation film which has a flat surface buried with a light shading material in the grooves formed on the light shading layer to shade the incident light to the electro-optical device.例文帳に追加

電気光学装置は、マトリクス状の画素要素が設けられた電気光学装置であって、電気光学装置に入射する光を遮光する遮光層の形状に形成された溝に遮光材料が埋め込まれ、該遮光材料が埋め込まれた表面は平坦である基板又は絶縁膜を有する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a sheet material for a circuit board by which the mounting quantity of electric components can be increased and the circuit board can be made small with high reliability, by mounting the electric components inside an insulation layer without complicated manufacturing processes.例文帳に追加

絶縁層内に電気部品を搭載することにより電気部品の搭載量を増大して配線板の小型化を可能とすることができると共に信頼性が高く、かつ煩雑な製造工程を経ずに配線板を作製することができる配線板用シート材の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device can further reduce a mounting area as a whole, in a semiconductor device wherein a semiconductor structure is arranged under a base plate, and a semiconductor structure and a chip component are arranged on an upper-layer insulation film formed on the base plate.例文帳に追加

ベース板下に半導体構成体が設けられ、ベース板上に設けられた上層絶縁膜上に半導体構成体およびチップ部品が設けられた半導体装置において、全体としての実装面積をより一層小さくすることができる半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide an image display device capable of improving a manufacturing yield and high reliability by preventing oxidation of a terminal part in a positive electrode oxidation process of a lower electrode (signal line) constituting a thin-film type electron source, and of increasing the thickness of an interlayer insulation layer formed at the same time.例文帳に追加

薄膜型電子源を構成する下部電極（信号線）の陽極酸化処理における端子部の酸化を防止して、製造歩留まりと、高信頼性を向上し、同時に形成する層間絶縁層の厚膜化を実現した画像表示装置を提供する。 - 特許庁

There are provided a first lower layer wiring (31) formed on an insulation film of a semiconductor substrate; a first via hole (61) formed on the first lower wiring; and a MIM capacitor formed on the first via hole being composed of a lower electrode (9), insulating film (8), and upper electrode (12).例文帳に追加

半導体基板上の絶縁膜上に形成された第１の下層配線（３１）と、この第１の下層配線上に形成された第１のビアホール（６１）と、この第１のビアホール上に形成され、下部電極（９）、絶縁膜（８）、及び上部電極（１２）からなるＭＩＭキャパシタと、を備えている。 - 特許庁

The gate electrode of an insulation gate electric field effect transistor, constituting a peripheral circuit in a logical operation circuit area by patterning the first conductive layer in the logical operation circuit area, is formed while a dummy gate electrode is formed above the element separating area in the logical operation circuit area.例文帳に追加

ロジック回路領域内の第１導電層をパターニングしてロジック回路領域内に周辺回路を構成する絶縁ゲート電界効果トランジスタのゲート電極を形成するとともに、ロジック回路領域内の素子分離領域の上方にダミーゲート電極を形成する。 - 特許庁

Since the bamboo-made thin plate material 12 itself is an insulation, a conductive layer 16 into which carbon powder is impregnated is formed on the surface of the bamboo-made thin plate material 12 in order to take out electrode terminals from the electrode films 22b, 24b of the piezoelectric element 10 on the bamboo-made thin plate material 12 side.例文帳に追加

竹製薄板材１２そのものは絶縁体であるので、圧電素子１０における竹製薄板材１２側の電極膜２２ｂ，２４ｂから電極端子を取り出すために、竹製薄板材１２の表面に炭素粉末を含浸させた導電層１６を形成している。 - 特許庁

Both ends of the external peripheral semiconductive layer 2 of the rubber mold unit 1 are formed as extended portions 2-2, 2-2a of different lengths extended from both ends of a rubber insulation body 3, and the extended portion 2-2 that has a longer length is substituted for the conventional conductive tape.例文帳に追加

ゴムモ−ルドユニット１の外周半導電層２の両端をそれぞれゴム絶縁体３の両端より延長された長さの異なる延長部分２−２、２−２ａとし、長さの長い方の延長部分２−２を従来における導電性テ−プに代えるものとする。 - 特許庁

In the manufacturing method of a metal etching product with an insulating treatment applied, barrier ribs 11 are formed using a wet etching method on the surface of a metal substrate 12, and then, an insulation layer 13 is formed by using a spray coating method on a whole surface of the metal substrate 12.例文帳に追加

本発明の絶縁処理を施した金属エッチング製品の製造方法は、金属基板１２の表面に、ウエットエッチング法を用いて隔壁１１を形成し、次いで、この金属基板１２の表面全体にスプレーコーティング法を用いて絶縁層１３を形成することを特徴とする。 - 特許庁

The liquid crystal display device comprises a liquid crystal display panel having a configuration of holding a liquid crystal layer between an array substrate and a counter substrate, wherein the array substrate is provided with a pixel electrode EP connected to a switching element W and a counter electrode ET opposing the pixel electrode EP via an interlayer insulation film.例文帳に追加

アレイ基板と対向基板との間に液晶層を保持した構成の液晶表示パネルを備え、アレイ基板は、スイッチング素子Ｗに接続された画素電極ＥＰと、画素電極ＥＰと層間絶縁膜を介して対向する対向電極ＥＴと、を備えている。 - 特許庁

To provide an etching agent composition for a thin film having high permittivity to be used in manufacturing processes of a semiconductor device which uses a thin film having high permittivity, specifically, a semiconductor device which uses an extremely thin gate insulation film layer and a gate electrode which are essential to increase of integration and rapid operation of a MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor).例文帳に追加

高誘電率薄膜を用いた半導体装置、特にＭＯＳＦＥＴ（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）の高集積化と高速化に不可欠な極薄ゲート絶縁膜層、ゲート電極を用いた半導体装置の製造工程に使用される高誘電率薄膜エッチング剤組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a reactor excelling in quality, a manufacturing efficiency property and a yield property because a bobbin for a coil is integrally formed of an insulation resin body simultaneously with a gap layer without subjecting magnetic cores to press work or the like in its manufacturing process, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

その製造過程で磁性コア同士をプレス加工等することがなく、さらには、コイル用のボビンがギャップ層と同時に絶縁樹脂体にて一体に成形されることから、品質に優れ、製造効率性と歩留まり性に優れたリアクトルと、その製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a flexible printed board by which metal residues between wiring lines are removed through an inexpensive and easy process without performing side etching of a copper layer and even a microwiring processed article has sufficient insulation reliability, and also to provide the printed wiring board obtained by the manufacturing method.例文帳に追加

安価でかつ簡単な工程で銅層のサイドエッチングなしに配線間の金属残りを除去でき、微細配線加工品でも十分な絶縁信頼性を有するフレキシブルプリント基板の製造方法、および該製造方法により得られたプリント配線基板を提供する - 特許庁

To provide a wiring board which has a wiring conductor formed by a subtractive method, the wiring board securing a necessary wiring width on a surface of the wiring conductor and also securing a sufficient insulation interval on a side coming in contact with an insulating layer, and to provide a method of manufacturing the wiring board.例文帳に追加

サブトラクティブ法により配線導体が形成された配線基板において、配線導体の表面に必要な配線幅を確保することができるとともに絶縁層と接する側で十分な絶縁間隔を確保することが可能な配線基板およびその製造方法を提供すること。 - 特許庁

By making an inner circumference end surface 11a of a window frame 11 of a case 10 face a spacer 19 adjacent to an insulation layer 21, when an operator or a dedicated pen presses the window frame 11, a conductive film 22 deformed in conjunction with a film 13 is accepted by the spacer 19.例文帳に追加

筐体１０の窓枠１１の内周端面１１ａを絶縁層２１に隣接するスペーサ１９と対置させることで、操作者が窓枠１１を押圧したとき又は専用のペンで押したときに、フィルム１３とともに撓む導電膜２２をスペーサ１９で受ける。 - 特許庁

Disclosed is a pressure casting die 1 provided with: at least one heating means 14 and/or a cooling means 15; and at least one heat insulation layer 17 at least partially partitioning the region of the die disposed with the heating means 14 and/or the cooling means 15.例文帳に追加

少なくとも一つの加熱手段１４及び／又は冷却手段１５と、加熱手段１４及び／又は冷却手段１５が配設された金型の領域を少なくとも部分的に区画する少なくとも一つの断熱層１７とを具備する加圧鋳造用金型１。 - 特許庁

In the supercharger 2 equipped with a turbine wheel 35 which rotates with exhaust gas from an engine 1, a cooling structure 47 comprising an inner thermal insulation portion of an air layer 45 and an outer low temperature portion of a turbine cover 39 is provided on the periphery of the turbine housing 40 for housing the turbine wheel 35.例文帳に追加

エンジン１からの排気ガスによって回転するタービンホイール３５を備えた過給機２において、該タービンホイール３５を収容するタービンハウジング４０の周囲に、内側断熱部である空気層４５と、外側低温部であるタービンカバー３９とから成る冷却構造体４７を設けた。 - 特許庁

To provide a rubber or a plastic insulated power cable capable of having both water shielding performance and safety in which insulation breakdown hardly occurs even when used inserted in a POF cable pipe, while having a necessary mechanical strength using a water shielding layer having an insulating plastic film.例文帳に追加

絶縁性プラスチックフィルムを有する遮水層を用いて必要な機械的強度を備えながら、かつ、ＰＯＦケーブル用パイプに引き入れて使用した場合にも絶縁破壊の起こりにくい、遮水性能と安全性を両立させることのできるゴム又はプラスチック絶縁電力ケーブルを提供する。 - 特許庁

Because the liquid crystal polyester excellent in vibration attenuation performance is used as a material for the insulation layer, the print circuit board 3 can attenuate impact or vibration and thereby prevent the acceleration sensor 5 or the angular velocity sensor 6 from being damaged or reducing sensitivity.例文帳に追加

振動減衰性能に優れる液晶ポリエステルを絶縁層の材料として採用したので、プリント配線板３そのものによって衝撃や振動を減衰しうることから、衝撃や振動による加速度センサ５や角速度センサ６の破損および感度低下を未然に防ぐことができる。 - 特許庁

The insulation layer has a region 8 containing fixed charge in contact with the silicon substrate 1 and the source region 10 and also in contact with the silicon substrate 1 and the drain region 11 across the border between the substrate 1 and the region 10 and the border between the substrate 1 and the region 11.例文帳に追加

上記絶縁層は、シリコン基板１とソース領域１０との境界およびシリコン基板１とドレイン領域１１との境界を跨ぐように、シリコン基板１とソース領域１０に接すると共にシリコン基板１とドレイン領域１１に接する固定電荷を含む領域８を有する。 - 特許庁

To provide an electroless plating formation material having satisfactory catalyst adhesion, and in which a catalyst adhesion layer is not peeled from a nonconductive base material or is not eluted into a plating liquid in a catalyst adhesion stage, a development stage or the other stages, and further having excellent insulation properties.例文帳に追加

触媒付着性が良好であり、また、触媒付着工程、現像工程その他工程において、触媒付着層が非導電性基材から剥離したりメッキ液に溶出したりすることがなく、さらに絶縁性に優れた無電解メッキ形成材料を提供する。 - 特許庁

This device comprises a semiconductor substrate 100, a gate insulating film 120 formed from a high-dielectric substance on the semiconductor substrate 100, a barrier metal film 130 formed from an aluminum alloy on the gate insulation film 120, and a gate electrode layer 140 formed on the barrier metal film 130.例文帳に追加

半導体基板１００と、半導体基板１００上に高誘電性物質で形成されるゲート絶縁膜１２０と、ゲート絶縁膜１２０上にアルミニウム合金で形成されるバリア金属膜１３０と、バリア金属膜１３０上に形成されるゲート電極層１４０と、を含む。 - 特許庁

Since a top surface of a second interlayer insulation film 3 and that of a first wiring 11 made of copper are different from each other in height, a step is formed at a position corresponding to a position of the first wiring 11 on the top surface of a three-layer film constituting an MIM capacitive element 13 on the level difference.例文帳に追加

第２の層間絶縁膜３の上面と銅を材料とする第１の配線１１の上面との高さが互いに異なるので、その上のＭＩＭ容量素子１３を構成する３層膜の上面には、第１の配線１１の位置に対応した位置に段差が形成される。 - 特許庁

The resistance change film 11 is arranged in a lower part of a first contact hole 17 formed by penetrating a first interlayer insulation film 16, and the current suppression layer 13 is arranged in an upper part of the first contact hole 17 and in a position facing the resistance change film 11.例文帳に追加

そして、抵抗変化膜１１は、第１の層間絶縁膜１６を貫通して形成された第１のコンタクトホール１７の下部に配置され、電流抑制層１３は第１のコンタクトホール１７の上部で、かつ抵抗変化膜１１に対向する位置に配置されている。 - 特許庁

To obtain a ceramic composition capable of being fired at 800-1,000°C, having a low dielectric loss in a high frequency region, and useful for an insulation layer of a high-frequency wiring board having a thermal expansion coefficient near to that of a chip component such as GaAs, or a printed board.例文帳に追加

８００〜１０００℃にて焼成可能で、高周波領域において低誘電損失で、かつＧａＡｓ等のチップ部品やプリント基板と近似の熱膨張係数を有する高周波用配線基板の絶縁層用の磁器組成物とその製造方法を提供する。 - 特許庁

A radiation imaging device 1 includes, in a pixel portion 12, a photoelectric conversion part 111 including a pixel transistor and a photodiode, an insulation film 112, a protective film 113, a second substrate 114, a lens array 115, a planarization film 116, and a scintillator layer 117 in this order on a first substrate 11.例文帳に追加

放射線撮像装置１は、画素部１２において、第１基板１１上に、画素トランジスタおよびフォトダイオードを含む光電変換部１１１、絶縁膜１１２、保護膜１１３、第２基板１１４、レンズアレイ１１５、平坦化膜１１６およびシンチレータ層１１７がこの順に設けられている。 - 特許庁

An insulation film 17 comprising a silicon oxide film is formed on the side face of an emitter opening 14 through oxidation, and then a silicon nitride film 11 is removed, so that the film is undercut to form an opening; and in this opening, an epitaxial layer 19 composed of SiGe is selectively grown.例文帳に追加

エミッタ開口部１４の側面に酸化処理によって酸化シリコン膜からなる絶縁膜１７を形成した後、窒化シリコン膜１１をアンダーカットされるように除去することで形成された開口内にＳｉＧｅからなるエピタキシャル層１９を選択成長するようにした。 - 特許庁

To provide an external conductor terminal and a shield connector, capable of improving fixing strength with an electric wire having a braided wire without adversely affecting a lower layer of the braided wire when the electric wire having the braided wire like an insulation body of a coaxial wire is connected to the external conductor terminal.例文帳に追加

同軸線の絶縁体の様に編組線を有する電線を外導体端子と接続する際に、編組線の下層に悪影響を与えずに、編組線を有する電線との固着力を向上せしめることが可能な、外導体端子及びシールドコネクタ提供する - 特許庁

On an SOI substrate 64, elements such as MISFETs are provided in the element-forming region R1, and a trench element isolation 68 is formed reaching the insulation layer 62 penetrating the main-surface silicon layers 63 in the element isolation region R2.例文帳に追加

ＳＯＩ基板６４のうちで、素子形成領域Ｒ１に位置する部分にはＭＩＳＦＥＴなどの素子が設けられており、素子分離領域Ｒ２に位置する部分には主面側シリコン層６３を貫通して絶縁層６２に到達するトレンチ素子分離６８が設けられている。 - 特許庁

A core wire made of, for instance, aluminum exposed by removing an insulation layer of an end part of a wire is covered with an intermediate cap made of, for instance, a copper alloy, and a crimp piece of an open barrel type terminal fitting made of, for instance, a copper alloy is crimped to surround the intermediate cap.例文帳に追加

電線の端末部の絶縁層が除去されることにより露出された例えばアルミ製の芯線に、例えば銅合金製の中間キャップを被覆し、この中間キャップを包囲するように例えば銅合金製のオープンバレル型の端子金具のカシメ片を圧着させる。 - 特許庁

To provide a means of improving reliability while reducing a cost and simplifying a manufacturing process for a manufacturing method of an electronic device having a structure for connecting a substrate body with a conductive pattern formed thereon via an insulation layer using a bump, a substrate and a semiconductor device.例文帳に追加

基板本体とその上部に絶縁層を介して形成される導電パターンとをバンプを用いて接続する構造を有する電子装置の製造方法及び基板及び半導体装置に関し、低コスト化及び製造工程の簡単化を図りつつ信頼性の向上を図る手段を提供する。 - 特許庁

The transistor 13 for switching is constituted in such a manner that a second conductivity type source region 13S and a drain region 13D are formed on the semiconductor substrate 11 and a gate electrode 13G is formed via an insulation layer 12a on the region between the source region 13S and the drain region 13D.例文帳に追加

スイッチング用トランジスタ１３は、半導体基板１１上に第２導電型のソース領域１３Ｓおよびドレイン領域１３Ｄを形成し、ソース領域１３Ｓとドレイン領域１３Ｄの間の領域上に絶縁層１２ａを介してゲート電極１３Ｇを形成して構成する。 - 特許庁

To provide a printed circuit board which can easily prevent a resin from staying in a via hole without conducting a permanganate treatment, when forming the via hole for electrically connecting interconnection metal layers arranged with an insulation layer between by laser processing, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

絶縁層を挟んで配置される配線金属層間を電気的に接続するためのビアホールをレーザ加工で形成する場合、過マンガン酸処理を行わずにビアホールに樹脂が残るのを防止することが容易にできるプリント配線板及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

Through-holes 100 are provided to a glass board 1 by sandblasting, a wiring pattern 120 and an interlayer insulation layer 110 are formed on the glass board 1, a plating wiring 101 is formed on the inner surface of the through-holes 100, or the through-holes are filled up with conductive matter for the formation of a multilayered wiring board.例文帳に追加

ガラス基板１にサンドブラストにより貫通孔１００を形成し、該ガラス基板の上に配線パターン１２０および層間絶縁層１１０を形成し、該貫通孔１００の内面にめっき配線１０１または導電性物質を充填して、多層配線基板を形成する。 - 特許庁

To provide a fire retardant sleeve for a cable with an insulation cover layer automatically equalizing the length of a conductor of wires at a left side and a right side to be connected, with leakage prevention effect of a compound outside of the sleeve heightened, and with a high waterproof property of the sleeve at use.例文帳に追加

難燃性を有するとともに、接続される左右の電線の導体長さを自動的に均等とし、スリーブ圧縮時におけるコンパウンドのスリーブ外への漏出防止効果を高め、使用時のスリーブの防水性も高まる絶縁被覆層付電線用スリーブを提供する。 - 特許庁

The optical element 7, mounted on the silicon substrate 1 with the insulation layer 5 therebetween, and the periphery of a part or all of electric wiring for driving the optical element are covered with the transparent (in the wavelength of the optical element) resin 8, and further it is covered with the resin 9 of a higher coefficient of heat conductivity by applying, etc.例文帳に追加

また、絶縁層５を介してシリコン基板１上に搭載された光素子７、および光素子を駆動するための電気配線の一部若しくは全部の周囲を透明（光素子の波長で）樹脂８で覆い、さらにその上に熱伝導率の高い樹脂９で塗布等により覆う。 - 特許庁