「layer-insulation」に関連した英語例文の一覧と使い方(17ページ目) - Weblio英語例文検索

The soundproof material 13 for the tubular body, which material is to be used in the soundproof tubular body, is characterized in that the surface density of the second sound insulation layer 16 exceeds 1.0 time that of the first sound insulation layer 15 and is less than 7.0 times that of the first sound insulation layer 15.例文帳に追加

こうした防音管体における管体用防音材１３では、第２の遮音層１６の面密度が第１の遮音層１５の面密度の１．０倍を超えるとともに第１の遮音層１５の７．０倍未満の範囲とされている。 - 特許庁

To suppress warpage irregularities on the wall of a hole, made in an insulation layer by irradiating with a laser beam, in a multilayer printed wiring board in which printed wirings formed through an insulation layer are connected by means of a conductor arranged in a non-through hole made in the insulation layer.例文帳に追加

絶縁層を介するプリント配線間が絶縁層非貫通穴に配置した導体で接続された多層プリント配線板において、そりを抑制し、レーザ光照射により絶縁層にあけた穴の穴壁凹凸を小さくする。 - 特許庁

To provide a thermal insulation member for forming a ventilation layer of a building and thermal insulation structure of the building using the same capable of simplifying the construction work by forming the ventilation layer and a thermal insulation layer at one time and improving construction accuracy at all times.例文帳に追加

通気層と断熱層を一度に形成することにより施工が簡単であるとともに、施工精度も常に良好にすることのできる建物の通気層形成用断熱材およびそれを用いた建物の断熱構造を提供すること。 - 特許庁

To obtain an insulation degradation detecting method capable of detecting degradation in an insulating layer at an early stage, by directly measuring the state of degradation in the solid insulation layer of an electric apparatus, and an insulation life predicting method capable of predicting the life (remaining life) of the insulating layer.例文帳に追加

電気機器の固体形状の絶縁層の劣化状態を直接測定し、絶縁層の劣化を早期に検出できる絶縁劣化検出方法および絶縁層の寿命（余寿命）を予測できる絶縁寿命予測方法を得る。 - 特許庁

To provide a semiconductor device having a high reliability by improving the adhesion of a layer insulation film to prevent the layer insulation film between wirings from peeling off and blocking cracks in the layer insulation film from propagating.例文帳に追加

層間絶縁膜の密着性を向上し、配線間の層間絶縁膜の剥がれを防止することができ、層間絶縁膜内におけるクラックの伝播の阻止を図ることによって信頼性の高い半導体装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

Further, by regulating an electron emission part with the second interlayer insulation layer 15, defects unevenly existing at a boundary between an electron accelerating layer (a tunnel insulation film 12) and a first interlayer insulation layer 14 are covered, so that, temporary dielectric breakdown defects are restrained.例文帳に追加

さらに、電子放出部を第二層間絶縁膜１５で制限することにより、電子加速層（トンネル絶縁膜１２）と第一層間絶縁層１４の境界に偏在する欠陥を被覆して、経時的な絶縁破壊不良を抑止する。 - 特許庁

To provide a thermosetting resin composition capable of forming an interlayer insulation layer having high adhesion strength to a plated conductor layer and excellent insulation reliability, a dry film produced by using the composition and a multilayer printed circuit board having an interlayer insulation layer produced by using the composition, etc.例文帳に追加

めっき導体層の密着強度が高く、絶縁信頼性に優れた層間絶縁層を形成できる熱硬化性樹脂組成物、それを用いたドライフィルム、これらにより層間絶縁層が形成された多層プリント配線板を提供する。 - 特許庁

A perpendicular heat insulation layer 51 is provided at the external face of a rising part 1 a of a continuous foundation 1 and a horizontal heat insulation layer 52 is provided substantially horizontally and outwardly from the lower end of the perpendicular heat insulation layer 51 in the outer peripheral ground of a building S.例文帳に追加

連続基礎１の立上り部１ａの外面に垂直断熱層５１が設けられ、その垂直断熱層５１の下端部から外側に向けて建物Ｓの外周の地盤中に略水平に水平断熱層５２が設けられている。 - 特許庁

In an organic transistor element, a channel of an organic semiconductor coupling a source electrode and a drain electrode intersects a gate electrode coated with an insulation layer through the insulation layer wherein the gate electrode coated with the insulation layer is stringy.例文帳に追加

ソース電極とドレイン電極を連結する有機半導体からなるチャネルが、絶縁層で被覆されたゲート電極と、前記絶縁層を介して交差してなり、且つ前記絶縁層で被覆されたゲート電極が糸状である有機トランジスタ素子。 - 特許庁

In this method of manufacturing a semiconductor device, a substrate formed with a semiconductor layer on an insulation layer is prepared; argon ions are implanted into the surface of the semiconductor layer; a gate insulation film is formed on the semiconductor layer after the argon ion implantation; a gate electrode is formed on the gate insulation film; and a source region and a drain region are formed in the semiconductor layer.例文帳に追加

絶縁層上に半導体層が形成された基板を準備し、半導体層の表面にアルゴンイオン注入を行い、アルゴンイオン注入後の半導体層上にゲート絶縁膜を形成し、ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成し、半導体層にソース領域およびドレイン領域を形成する。 - 特許庁

The electrical device includes an electrode layer 23; an interlayer insulation film 25 covering the electrode layer 23; a contact hole 27 formed in the interlayer insulation film 25 so as to expose a part of the electrode layer 23; and a wiring layer 31 formed in the surface of the interlayer insulation film 25, and at the same time, connected to the electrode layer 23 through the contact hole 27.例文帳に追加

電極層２３と、電極層２３を覆う層間絶縁膜２５と、電極層２３の一部が露出するように層間絶縁膜２５に形成されたコンタクトホール２７と、層間絶縁膜２５の表面に形成されると共に、コンタクトホール２７を介して電極層２３に接続された配線層３１とを備える。 - 特許庁

The first metal layer 602 and the second metal layer or the insulation layer 603 are patterned, by using a mask pattern in which the position of the mask pattern to pattern the first metal layer 602 and the second metal layer or the insulation layer 603 is shifted to the position 614 of the gap.例文帳に追加

第一の金属層６０２と第二の金属層又は絶縁層６０３をパターニングするためのマスクパターンの位置がギャップの位置６１４に対してずれたマスクパターンを用いて、第一の金属層６０２と第二の金属層又は絶縁層６０３をパターニングされる。 - 特許庁

In the laminate 100 of the ceramic insulation layer 30 and the metal layer 10, a protective layer 20 composed of a silicon compound whose layer thickness is 5-100 nm is provided on a side where the ceramic insulation layer 30 is provided, in the metal layer 10.例文帳に追加

上記目的を達成するため、セラミック系絶縁層３０と金属層１０との積層体１００において、当該金属層１０には、セラミック系絶縁層３０が設けられる側の面に、層厚が５ｎｍ〜１００ｎｍのケイ素化合物から成る保護層２０を設ける構成とする。 - 特許庁

This heat-radiation substrate 100 having a hybrid layer comprises the hybrid layer 300 including a thermoplastic polymer and an electroconductive filler, an insulation layer 500 formed on the hybrid layer 300, and a metal layer 700 formed on the insulation layer 500.例文帳に追加

本発明のハイブリッド層を有する放熱基板１００は、熱可塑性高分子および導電性フィラーを含むハイブリッド層３００と、ハイブリッド層３００上に積層された絶縁層５００と、絶縁層５００上に形成された金属層７００とを含んでなることを特徴とする。 - 特許庁

In the semiconductor device having a semiconductor layer formed on an insulating substrate of resin, a heat insulation layer is provided on the opposite sides of the insulating substrate, an insulating layer having a high thermal conductivity is provided on the heat insulation layer on one side of the insulating substrate and the semiconductor layer is provided on the insulating layer.例文帳に追加

樹脂性の絶縁性基板上に半導体層を形成してなる半導体装置において、絶縁性基板の両面に断熱層を設け、絶縁性基板の片面の断熱層上に熱伝導率が大きい絶縁性層を設け、絶縁性層上に半導体層を設けた。 - 特許庁

To eliminate short-circuiting of a wiring conductor layer and a wiring conductor layer formed on a resin insulation layer, by preventing laser light from reaching the wiring conductor layer, even if the resin insulation layer is irradiated with laser light through a pinhole in the dielectric layer of a mask and a cut hole is made.例文帳に追加

マスクの誘電体層にあるピンホールを通してレーザ光が樹脂絶縁層に照射され欠損孔が形成されても、配線導体層まで貫通しないようにして、配線導体層と樹脂絶縁層上に形成した配線導体層とがショートするのを解消すること。 - 特許庁

The thin film EL element is formed by sequentially stacking, on a glass substrate 1, a lower electrode layer 2, a lower insulation layer 3, the luminescent layer 4, an upper insulation layer 5 and an upper electrode layer 6, and EL light emission 7 of the luminescent layer 4 is outputted through the glass substrate 1.例文帳に追加

この薄膜ＥＬ素子は、ガラス基板１上に、下部電極層２、下部絶縁層３、発光層４、上部絶縁層５および上部電極層６を順次積層することにより形成されており、発光層４のＥＬ発光７はガラス基板１を介して出力される。 - 特許庁

The upper insulation layer 48 is composed of a first insulation part 48a arranged on a first phosphor layer 42 and a second insulation part 48b formed so as to cover a second phosphor layer 44, and the first insulation part 48a and the second insulation part 48b are arranged so as to overlap with each other at an area R between the pixels.例文帳に追加

また、上部絶縁体層４８は、第１蛍光体層４２上に設けられた第１絶縁部４８ａと、第２蛍光体層４４を覆うように形成された第２絶縁部４８ｂとから成っており、それらの第１絶縁部４８ａ及び第２絶縁部４８ｂは画素間の領域Ｒで重なり合うように設けられている。 - 特許庁

To provide a microsensor which can prevent an insulation layer or a specified material layer from being broken or peeled off, in which the internal stresses of the insulation layer is reduced, and in which durability against the change in temperature is enhanced.例文帳に追加

絶縁層の内部応力を低減し、温度変化に対する耐久性を高め、絶縁層や特定材料層の断線、膜剥れ等の発生を防止することができるマイクロセンサを提供する。 - 特許庁

The main insulation layer 11 is formed with a track width prescribing groove 11a, while the sub insulation layer 15 is formed with an opposing face 15a in which an interval widens as the face is separated away from the lower core layer 10.例文帳に追加

前記主絶縁層１１には、トラック幅規制溝１１ａを形成し、副絶縁層１５には、下部コア層１０から離れるにしたがい間隔が広がる対向面１５ａを形成する。 - 特許庁

A dielectric layer 5 of a higher dielectric constant than the insulation layer 4 is formed on the inside of it extended from the lower end of the insulation layer 4 up to one third thereof.例文帳に追加

絶縁被覆部４の下端から絶縁被覆部の長さの１／３までの区間の、絶縁被覆部４の内層部分を、絶縁被覆部４より誘電率の高い高誘電率層５で構成する。 - 特許庁

Thus, such a state that the conductor layer and the second insulation layer are brought into contact with each other is securely obtained even when the second insulation layer is thinned, and a magnetic flux of the coil is prevented from being completely divided.例文帳に追加

従って、第２の絶縁体層を薄くしても導電体層と第２の絶縁体層とが接触した状態が確実に得られ、また、コイルの磁束が完全に分断されることを防止できる。 - 特許庁

The flat insulation covering layer 2 is formed by an extruded covering layer of polybutyleneterphthalate, and its covering thickness at the existence part of the flat conductor of the flat insulation covering layer 2 is within the range of 0.1 mm to 0.25 mm.例文帳に追加

フラット絶縁被覆層２はポリブチレンテレフタレートの押出し被覆層により形成し、且つフラット絶縁被覆層２のフラット導体１の存在箇所での被覆厚さを0.1 ｍｍ〜0.25ｍｍの範囲とする。 - 特許庁

Consequently, the upper layer coil piece 23 can be formed accurately with the prescribed shape from the first insulation layer 22 having difference in level over the second insulation layer 19, while yoke length can be shortened.例文帳に追加

この結果、段差のある第１絶縁層２２上から第２絶縁層１９上にかけて前記上層コイル片２３を所定形状にて精度良く形成できるとともに、ヨーク長を短くできる。 - 特許庁

An inter-layer insulation film is formed on the semiconductor substrate 1, and a connection hole reaching the source/drain diffusion layer 15 is formed in the inter-layer insulation film by etching wherein the first sidewall 11a is used as a stopper.例文帳に追加

半導体基板１上に層間絶縁膜を形成し、第１サイドウォール１１ａをストッパとしたエッチングにより層間絶縁膜にソース／ドレイン拡散層１５に達する接続孔を形成する。 - 特許庁

In an insulation layer having the through-hole formed on a semiconductor substrate and a conductive layer formed inside the through-hole, an embedded insulation film embedded inside the conductive layer is formed, and the void-free film is provided.例文帳に追加

半導体基板上に形成された、スルーホールを有する絶縁層と、スルーホール内に形成された導電層において、導電層内部に埋め込まれた埋め込み絶縁膜を形成し、ボイドフリーの膜とする。 - 特許庁

These lead wiring layers 11a and 11c are formed on an insulation layer 10, which is same with the insulation layer where a conducting layer for a bit line of memory cell region is formed.例文帳に追加

これらの引き出し配線層１１ａ、１１ｃは同一の絶縁層１０上に形成されており、かつメモリセル領域のビット線用導電層と同一の絶縁層１０上に形成されている。 - 特許庁

The via hole is formed, where the via hole passes through the insulation region of a semiconductor layer and a buffer layer from the surface side of the semiconductor layer having an active region and the insulation one to a semiconductor substrate.例文帳に追加

活性領域と絶縁領域とを有する半導体層の表面側から、この半導体層の絶縁領域およびバッファ層を貫通して半導体基板に至るバイア・ホールを形成する。 - 特許庁

First, on a semiconductor substrate 11, a bottom oxide film layer (bottom insulation layer) 12 is formed on a region where a gate electrode is should be formed thereon (figure 1(a): bottom insulation layer forming step).例文帳に追加

まず、半導体基板１１上において、その上のゲート電極が形成されるべき領域上に底部酸化膜層（底部絶縁層）１２を形成する（図１（ａ）：底部絶縁層形成工程）。 - 特許庁

In the multilayer circuit board in which insulation layers are arranged between a plurality of matallic conductive layers, at least one insulation layer has a laminated structure consisting of a high elastic modulus layer and a low elastic modulus layer.例文帳に追加

複数の金属導体層の間に絶縁層が配置された多層配線板において、少なくとも一カ所の絶縁層が、高弾性率層と低弾性率層の積層構造を有する。 - 特許庁

The transmission line type capacitor includes: a first conductive layer 1-2 formed on a base material insulation sheet 1-1; and a strip-like second conductive layer 2 formed on its upper surface through a first insulation thin-film layer 3-1.例文帳に追加

基材絶縁シート１−１上に形成された第一導電層１−２と、その上面に第一絶縁薄膜層３−１を介して形成された帯状の第二導電層２を有する。 - 特許庁

The board with wiring comprises a metal support substrate 30, an insulation layer 20 provided on the metal support substrate 30, and a metal layer 10 provided on the insulation layer 20 in order to mount the light-emitting element 50.例文帳に追加

配線付き基板は、金属支持基板３０と、金属支持基板３０に設けられた絶縁層２０と、絶縁層２０に設けられて発光素子５０を載置するための金属層１０と、を備えている。 - 特許庁

The storage layer 17 is composed of Co-Fe-B and has a B concentration lower in the vicinity of a boundary face with the insulation layer 16 and the B concentration increases with distance from the insulation layer 16.例文帳に追加

記憶層はＣｏ−Ｆｅ−Ｂで構成されるものであって、かつ絶縁層との界面付近でＢ濃度が低く、絶縁層から遠ざかるに従ってＢ濃度が増大している構成とする。 - 特許庁

A first insulation layer 21 is provided on the first substrate 13 of the first laminate substrate 11, and a second insulation layer 22 is provided on the first composite layer 12 of the first laminate substrate.例文帳に追加

第１積層基材１１の第１基材１３上には第１絶縁層２１が設け、第１積層基材の第１複合層１２の第１複合層１２上には第２絶縁層２２が設ける。 - 特許庁

An insulation layer 61 is formed, and the surface of the insulation layer 61 is subjected to polishing, thus forming a conductor 51b corresponding to a via where the upper portion of the projecting conductor 51a is partially exposed.例文帳に追加

絶縁層６１を形成し、絶縁層６１表面を研磨処理し、突起状の導体５１ａの上部が一部露出したビア相当の導体５１ｂを形成する。 - 特許庁

The fibers 23 can be unfailingly prevented from being exposed on the surface of the second insulation layer 22.例文帳に追加

第２絶縁層２２の表面で繊維２３の露出は確実に回避される。 - 特許庁

The suspension assembly 120 is provided with an insulation layer 121 for supporting the lead wires 122, 124 and the conductive strip 130 mechanically and electrically connected with the insulation layer 121.例文帳に追加

サスペンションアセンブリ１２０は、導線１２２，１２４を支持する絶縁層１２１と、絶縁層１２１と機械的かつ電気的に接続された導電性ストリップ１３０とを有する。 - 特許庁

The heat sink 11 includes a sink body 12 and an insulation layer 13 formed on a surface of the sink body 12, a circuit 14 is adhesively layered on the insulation layer 13.例文帳に追加

ヒートシンク１１は、シンク本体１２と、このシンク本体１２の表面に形成された絶縁層１３とを備え、この絶縁層１３には回路１４が積層接着される。 - 特許庁

The support material is formed of lamination of a substrate (4) and an electric insulation layer (3), wherein the front side of the electric insulation layer (3) corresponds to the front side of the support material.例文帳に追加

また、支持体は、基板（４）と電気絶縁薄層（３）との積層によって形成され、電気絶縁薄層（３）の前面が支持体の前面を形成している。 - 特許庁

The entire surface of the central part 106c is brought into contact with the layer insulation film 110.例文帳に追加

中央部１０６ｃの全面が層間絶縁膜１１０に接触している。 - 特許庁

The insulation layer 4 comprises a crystal substance and has an anti-etching property.例文帳に追加

絶縁層４は、結晶状の物質で構成され、かつ、耐エッチング性を有している。 - 特許庁

A reinforcement layer is added to one or both sides of the insulation sheet.例文帳に追加

また、前記絶縁シートの片面または両面に補強層を付加することができる。 - 特許庁

The insulation layer 35 is exposed at least partially around the center conductor 14.例文帳に追加

絶縁層３５は少なくとも部分的に中心導体１４回りで露出する。 - 特許庁

To increase the flatness of an insulation layer after being polished in a process of polishing the insulation layer in a method of manufacturing a semiconductor device including a memory region and a logic circuit region.例文帳に追加

メモリ領域とロジック回路領域とを含む半導体装置の製造方法の絶縁層を研磨する工程において、研磨後の絶縁層をより平坦化する。 - 特許庁

To prevent the destruction of an insulation layer, even if an insulation layer is made of porous substance which has low dielectric anstayt and small mechanical strength in a damascene process.例文帳に追加

ダマシン・プロセスにおいて、機械的強度の小さい多孔質の低誘電率材料を用いて絶縁層１１を構成した場合にも、絶縁層１１の破壊を防止する。 - 特許庁