「layer-insulation」に関連した英語例文の一覧と使い方(18ページ目) - Weblio英語例文検索

By etching with the first resist pattern 8 as a mask, a connection hole pattern is formed in the inorganic stopper layer 7 and the first insulation film 6.例文帳に追加

第１のレジストパターン８上から有機絶縁膜５をエッチングする。 - 特許庁

The surface of the core particles (S6), that consist of non-magnetic substance, is oxidized to form an insulation oxide layer (S7), and non-magnetic insulation particles on which the oxide layer is formed are manufactured (S8).例文帳に追加

一方、非磁性体から成るコア粒子（Ｓ６）の表面を酸化させて絶縁の酸化層を作り（Ｓ７）、酸化層が形成された非磁性絶縁性粒子を作る（Ｓ８）。 - 特許庁

On the upper surface of the insulation layer 2, a circuit pattern using a copper foil 3 is formed.例文帳に追加

絶縁層２の上面には、銅箔３による回路パターンを形成してある。 - 特許庁

Thereafter, a second layer insulation film 22 of application glass is formed by an SOG method.例文帳に追加

その後ＳＯＧ法によって、塗布ガラスである第２層絶縁膜２２を形成する。 - 特許庁

An insulation layer 8 is formed on all over the projecting part 9.例文帳に追加

そして、突起部９の上面全体に渡って絶縁層８が形成されている。 - 特許庁

LAYER INSULATION FILM FOR LIQUID CRYSTAL DISPLAY ELEMENT AND LIQUID DISPLAY ELEMENT USING THE SAME例文帳に追加

液晶表示素子用層間絶縁膜およびそれを用いた液晶表示素子 - 特許庁

To improve controllability of the remaining film thickness of an inter- layer insulation film on a fuse element.例文帳に追加

ヒューズ素子上の層間絶縁膜の残膜厚の制御性を向上させる。 - 特許庁

Next, after a second insulation layer 17 is formed on the first insulation layer 15, a contact hole 21b is formed as to expose the pad electrode 14 of a normal chip 12.例文帳に追加

次に、第１絶縁層１５上に第２絶縁層１７を形成した後、良品チップ１２のパッド電極１４を露出するコンタクトホール２１ｂを形成する。 - 特許庁

The insulation layer 20 is constituted with a flame-proof insulation member 21 which is not thermally deformed and at least its surface layer portion contains carbonizing accelerator including a phosphorus compound.例文帳に追加

断熱層２０が、熱変形しない難燃性断熱材２１をもって構成されるとともに、少なくとも表層部に、リン系化合物を含む炭化促進剤が含有される。 - 特許庁

To provide a substrate for LED having an insulation layer with excellent stream barrier properties.例文帳に追加

水蒸気バリア性に優れる絶縁層を有するＬＥＤ用基板を提供する。 - 特許庁

When a contact hole to the peripheral circuit is made after a second layer interlayer insulation film 67a is formed on the entire surface, the second layer interlayer insulation film on the dummy pattern is also removed by etching.例文帳に追加

２層目層間絶縁膜６７ａを全面に成膜後、周辺回路へコンタクトホールを形成する際に、ダミーパターン上の２層目層間絶縁膜もエッチング除去する。 - 特許庁

The insulation layer 3c is formed by coating and hardening the paste-like material on the conductive circuit 2b and a chip component 6 is mounted on the insulation layer 3c.例文帳に追加

導電性回路２ｂ上にペースト状の絶縁材料を付与して硬化させることにより絶縁層３ｃを形成し、絶縁層３ｃ上にチップ部品６が実装される。 - 特許庁

A second insulation film 9, a semiconductor substrate 1, a first insulation film 2, and a passivation film 4 are sequentially etched and removed by using a resist layer and a protection layer 20 as a mask.例文帳に追加

レジスト層や保護層２０をマスクとして第２の絶縁膜９，半導体基板１，第１の絶縁膜２，及びパッシベーション膜４を順にエッチングして除去する。 - 特許庁

Isolating trenches 4 pierce the semiconductor layer 3 located inside the opening of the field insulation film 6 and reach the buried insulation layer 2.例文帳に追加

そして、分離溝４がフィールド絶縁膜６の開口部の内側に位置する半導体層３を貫通し、埋め込み絶縁層２まで到達するように形成されている。 - 特許庁

Subsequently, an insulation layer 4 is formed on the conductive ink pattern layer 3 and the upper substrate 2 and the end of a transparent electrode 7 in the vicinity thereof, thus forming a laminate with an insulation resist.例文帳に追加

次いで、導電性インキ層３及びその近傍の上部基板２、透明電極７端部上に、絶縁層４を形成し、絶縁レジスト付き積層体を形成する。 - 特許庁

A second insulation layer 6 containing Si and O is formed on a first wire 5, and thereafter a second groove 11 and a via hole 12 are formed in the second insulation layer 6.例文帳に追加

第１配線５上に、ＳｉおよびＯを含む第２絶縁層６が形成された後、第２絶縁層６に、第２溝１１およびビアホール１２が形成される。 - 特許庁

This semiconductor device is provided with: a first region 12; a source region 20; a second region 14; a drain region 30; a gate insulation layer 60; a field insulation layer 50; and a gate electrode 40.例文帳に追加

半導体装置は、第１領域１２、ソース領域２０、第２領域１４、ドレイン領域３０、ゲート絶縁層６０、フィールド絶縁層５０、ゲート電極４０を具備する。 - 特許庁

To provide a method for repairing an insulation blanket when a great portion of a metallized fabric layer is separated from a ceramic fabric layer on the base of the insulation blanket.例文帳に追加

断熱ブランケットの下地のセラミック織物層からメタライズ織物層の大きな部分が剥離してしまった場合に、断熱ブランケットを修復する方法を提供する。 - 特許庁

An etch mask is formed on an interlayer insulation layer to define bit line trenches.例文帳に追加

エッチマスクは、ビット線トレンチを規定するために、層間絶縁層上に形成される。 - 特許庁

To flatten much more an insulation layer after grinding, in the grinding process of the insulation layer in the manufacturing method of a semiconductor device comprising a memory area and a logical operation circuit area.例文帳に追加

メモリ領域とロジック回路領域とを含む半導体装置の製造方法の絶縁層を研磨する工程において、研磨後の絶縁層をより平坦化する。 - 特許庁

Before the step of joining the second silicon substrate 5 on the insulation layer 2, a step of forming a groove 4 in the insulation layer 2 around the at least one recessed part 3 is performed.例文帳に追加

第二のシリコン基板５を絶縁層２上に接合する工程の前に、一つ以上の凹部３の周囲の絶縁層２に溝４を形成する工程を行う。 - 特許庁

The base insulation layer 2 of the FPC board comprises a plurality of anisotropic through holes h.例文帳に追加

ＦＰＣ基板のベース絶縁層２は、複数の異方性貫通孔ｈを有する。 - 特許庁

An insulation film 2 and a conductive layer 3 are sequentially formed on a semiconductor substrate 1.例文帳に追加

半導体基板１の上に、絶縁膜２と導電層３を順次形成する。 - 特許庁

An end 13a of the terminal electrode 13 is coated by an insulation layer 14.例文帳に追加

端子電極１３の端面部分１３ａを絶縁層１４により被覆する。 - 特許庁

The insulation layer 14 exists on the outside of the regenerated material layer 12, therefore the whole of the electric wire 1A can sufficiently ensure electric performance such as pressure resistance and insulation resistance.例文帳に追加

再生材層１２の外側に絶縁層１４があるため、電線１Ａ全体で耐圧性、絶縁抵抗といった電気的性能を充分に確保することができる。 - 特許庁

Material of the insulation layer 4 is gray alumina composed of AL2O3 including TIO2.例文帳に追加

上記絶縁層４の材料を、ＡＬ2 Ｏ3 にＴＩＯ2 が含まれたグレイアルミナとする。 - 特許庁

The outer layer 12B comprises an insulation material including styrene thermoplastic elastomer.例文帳に追加

外層１２Ｂはスチレン系熱可塑性エラストマを含む絶縁材料から構成される。 - 特許庁

The vehicle cable has an inner conductor 10, an insulation layer 30 formed outside the inner conductor 10, and an outer conductor 50 formed outside the insulation layer 30.例文帳に追加

本発明自動車用ケーブルは、内部導体10と、内部導体10の外側に形成される絶縁層30と、絶縁層30の外側に形成される外部導体50とを有する。 - 特許庁

Thereafter, a layer insulation film 8 is formed and a contact hole 10 is formed by etching.例文帳に追加

その後、層間絶縁膜８を形成し、エッチングしてコンタクトホール１０を形成する。 - 特許庁

The layer insulation film 4f is etched to a prescribed film thickness by a wet etching method as a whole, and a layer insulation film 4g of a prescribed film thickness is formed.例文帳に追加

その後、ウェットエッチング法によって、層間絶縁膜４ｆを所定の膜厚まで全面エッチングを行って、所定の膜厚を有する層間絶縁膜４ｇを形成する。 - 特許庁

A foundation layer 102 formed of a silicon oxide is formed on an insulation substrate 101.例文帳に追加

酸化シリコンからなる下地層１０２を絶縁基板１０１上に形成する。 - 特許庁

A trench is formed in the insulation layer 18 with pattern processing, and a via opening part is formed in the trench to reach one of the inner semiconductor device structure through the insulation layer.例文帳に追加

トレンチを絶縁層内にパターン加工で形成し、バイア開口部をトレンチ内に絶縁層を通して下側の半導体装置構造のうちの一つまで形成する。 - 特許庁

The insulation layer 24 is polished along its surface pattern by using an elastic polishing cloth to loosen the inclination in the side wall of the step of the insulation layer 24.例文帳に追加

弾性を有する研磨布を用いることで絶縁膜２４をその表面形状に沿って研磨することにより、絶縁膜２４の段差側壁の傾斜を緩やかにする。 - 特許庁

When forming the insulation layer 14x, vapor phase oxidation is conducted to form a tantalum oxide film with a film thickness necessary for forming the insulation layer 14x, and then anodic oxidation is conducted.例文帳に追加

絶縁層１４ｘを形成する際、気相酸化により、絶縁層１４ｘを形成するのに必要な膜厚のタンタル酸化膜を形成した後、陽極酸化を行う。 - 特許庁

A silicon oxide nitride film becoming a second insulation layer 2 is then formed on the surface of the first insulation layer 1 by performing annealing at 750-950°C using N2O or NO gas.例文帳に追加

Ｎ_2ＯまたはＮＯガスを用いて７５０〜９５０℃でアニールを行い、第１の絶縁層１表面に第２の絶縁層２となるシリコン酸窒化膜を形成する。 - 特許庁

On the topmost layer, an insulation sheet 23 with surface electrodes 30, 31 is laminated.例文帳に追加

最上層には表面電極３０，３１付きの絶縁シート２３を積層する。 - 特許庁

The MIM electron source includes a lower electrode, a tunnel insulation layer, and an upper electrode.例文帳に追加

ＭＩＭ電子源は下部電極、トンネル絶縁層、上部電極で構成される。 - 特許庁

An insulation layer 4 is formed on the whole surfaces of respective magnet and neutral area.例文帳に追加

各磁石と各中性領域の全表面には、絶縁層４が形成される。 - 特許庁

Lower layer wiring composed of a barrier metal film 102 and a copper silver alloy film 103 is formed in an insulation film 101, and a layer insulation film 104 is formed thereon.例文帳に追加

絶縁膜１０１中に、バリアメタル膜１０２および銅銀合金膜１０３からなる下層配線を形成し、この上に層間絶縁膜１０４を形成する。 - 特許庁

An insulation film 2 and a conductive layer 3 are successively formed on a semiconductor substrate 1.例文帳に追加

半導体基板１の上に、絶縁膜２と導電層３を順次形成する。 - 特許庁

An insulation film is formed on the charge-trap layer, and a gate electrode is formed thereon.例文帳に追加

このチャージトラップ層の上に絶縁膜を、かつその上にゲート電極を形成する。 - 特許庁

PREPREG FOR HOT PRESSURE FORMING, AND METHOD FOR PRODUCING INSULATION LAYER BY USING THE PREPREG例文帳に追加

加熱加圧成形用プリプレグおよび当該プリプレグを用いた絶縁層の製造法 - 特許庁

THERMOSETTING POLYETHER RESIN AND PRODUCTION METHOD, THEREOF AND COATING SOLUTION FOR FORMING INSULATION FILM LAYER例文帳に追加

熱硬化性ポリエーテル樹脂とその製造方法および絶縁膜形成用塗布液 - 特許庁

A signal line 1 is surrounded with an insulation layer 2, and a coaxial cable 4 is respectively formed by covering an external side of the insulation layer 2 with a shield electrode 3.例文帳に追加

信号線１の周囲が絶縁層２で取り囲まれており、その絶縁層２の外側をシールド電極３で覆うことで、それぞれ同軸線路４が形成されている。 - 特許庁

INSULATING RESIN COMPOSITION AND MULTILAYER CIRCUIT BOARD CONTAINING INSULATION LAYER FORMED THEREFROM例文帳に追加

絶縁樹脂組成物及びそれから形成した絶縁層を含む多層回路基板 - 特許庁