「layer-insulation」に関連した英語例文の一覧と使い方(14ページ目) - Weblio英語例文検索

The inner thermal insulation coating layer 16 has an undercoating layer 16a and a top coating layer 16b each having a thickness of 0.25 mm or more, and the outer thermal insulation coating layer 17 has an undercoating layer 17a, an intermediate coating layer 17b, and a top coating layer 17c each having a thickness of 0.2 mm or more.例文帳に追加

そして、内面断熱塗装層１６を、それぞれ厚みが０．２５ｍｍ以上の下塗層１６ａと上塗層１６ｂとで構成し、外面断熱塗装層１７を、それぞれ厚みが０．２ｍｍ以上の下塗層１７ａと、中塗層１７ｂと、上塗層１７ｃとで構成した。 - 特許庁

A light-emitting display portion 16 (an organic EL element) includes a transparent substrate 27, a positive electrode layer 31, an insulation layer 40, an organic layer 45, and a negative electrode layer 50.例文帳に追加

発光表示部１６（有機ＥＬ素子）は、透明基板２７と、陽極層３１と、絶縁層４０と、有機層４５と、陰極層５０とを備える。 - 特許庁

The EL light emission part 1 is constituted by laminating a light emission layer 4, an insulation layer 5, and the back electrode layer 6 sequentially on the transparent electrode layer on a transparent substrate 3.例文帳に追加

ＥＬ発光部１は、透明基板３上の透明電極層上に、発光層４、絶縁層５、背面電極層６を順次積層してなる。 - 特許庁

A second conductive layer 40 is formed so that at least part of the layer 40 is deposited above the first conductive layer 20 and on the insulation layer 26.例文帳に追加

第２の導電層４０を、少なくともその一部が第１の導電層２０の上方であって絶縁層２６上に配置されるように形成する。 - 特許庁

Among them, the insulation layer and the conductive layer form a storage space on the laminate binding layer and the laminate binding layer is exposed in the storage space.例文帳に追加

その中、絶縁層と導電層とは、積層結合層上において収容空間を形成し、収容空間に積層結合層が露出される。 - 特許庁

The floating gate has an at least two layer structure, and a first layer touching the first insulation layer has a band gap preferably smaller than the band gap of the semiconductor layer.例文帳に追加

浮遊ゲートは少なくとも二層構造とし、第１の絶縁層に接する第１層は、半導体層のバンドギャップより小さいことが好ましい。 - 特許庁

This EL sheet comprises an optically-transparent insulation substrate 1, an optically-transparent auxiliary electrode layer 2, a luminescent layer 3, a pair of high dielectric layers 4, a pair of electrodes 5 and an electric insulation layer 6.例文帳に追加

光透過性絶縁基板１と光透過性補助電極層２と発光層３と１対の高誘電体層４と１対の電極５と電気絶縁層６、とからなる。 - 特許庁

To provide a membrane wiring board wherein a circuit resistance variation, before and after circuit layer coverage with an insulation coating layer, is fully suppressed regardless of the kind of the insulation coating layer.例文帳に追加

絶縁被覆層の種類にかかわらず、回路層を絶縁被覆層で被覆する前後での回路抵抗の変化が十分に抑制されたメンブレン配線板を提供すること。 - 特許庁

The solid cable 100 has an insulation layer 30 in which an insulating oil is impregnated and at least a part of the insulating layer 30 is constructed by winding around a compound paper having an insulation paper and a plastic layer.例文帳に追加

絶縁油が含浸された絶縁層30を備え、その絶縁層30の少なくとも一部が、絶縁紙とプラスチック層とを有する複合紙を巻回して構成されたソリッドケーブル100である。 - 特許庁

As the sound insulation sheet for piping, a three layered laminated body in which a vibration damping and sound insulation sheet layer and a polyamide system resin layer of 10-300 μm in thickness are sequentially laminated upon a fiber sheet layer is used.例文帳に追加

配管用遮音シートとして、繊維シート層上に、制振遮音シート層と厚さ１０〜３００μｍのポリアミド系樹脂層が順次積層された三層積層体を使用する。 - 特許庁

To prevent generation of a blow hole and a pin hole in an insulation layer, in a method for forming a conductive layer and the insulation layer partially stacked on each other by simultaneous baking using a paste.例文帳に追加

部分的に積層する導電層と絶縁層とをペーストを用いた同時焼成によって形成する方法において、絶縁層内の気孔やピンホールの発生を防止する。 - 特許庁

Wherein, the first insulation layer, the gate electrode, the second insulation layer, and the conversion electrode form their own opening each so as the electron emitting layer to be exposed on the first substrate.例文帳に追加

この時、第１絶縁層、ゲート電極、第２絶縁層、及び集束電極は、電子放出部が第１基板上に露出されるようにする各々の開口部を形成する。 - 特許庁

The wiring substrate 1 has a multilayer wiring structure 3 comprising a plurality of laminated buildup layers 2 having an insulation layer 6 and a wiring layer 7 including vias 9 formed in the insulation layer 6.例文帳に追加

配線基板１は、絶縁層６とその内部に形成されたビア９を含む配線層７とを有するビルドアップ層２を複数積層してなる多層配線構造部３を具備する。 - 特許庁

The base metal layer 1E forms the recessed groove GR2, since it is deposited on an upper insulation layer 1D following the shape of the recessed groove GR1 on the upper insulation layer 1D.例文帳に追加

下地金属層１Ｅは、上部絶縁層１Ｄ上に堆積されているため、上部絶縁層１Ｄに設けられた凹溝ＧＲ１の形状をトレースし、凹溝ＧＲ２を形成している。 - 特許庁

Within a logic circuit forming region, a second gate electrode layer 10 is formed on a second gate insulation layer 9 having a film thickness differing from the first gate insulation layer 3.例文帳に追加

ロジック回路形成領域内には第１のゲート絶縁層３と異なる膜厚を有する第２のゲート絶縁層９上に第２のゲート電極層１０が形成されている。 - 特許庁

As a result, an insulation gate HFET of high gain/ large current using a thin layer insulation gate 40 is realized.例文帳に追加

この結果、薄層の絶縁ゲート４０を用いた高利得・大電流の絶縁ゲートＨＦＥＴを実現することができる。 - 特許庁

The insulation layer 16 between the coil 14 and the pole piece 11 is able to be thin-walled thereby, while securing the sufficient insulation performance.例文帳に追加

このため、コイル１４とポールピース１１の間の絶縁層１６を十分な絶縁性能を確保した薄肉とし得る。 - 特許庁

To provide a solar array panel which secures insulation without trapping air in an insulation layer.例文帳に追加

絶縁層内に空気を閉そくすることなく絶縁を確保するソーラーアレイパネルを提供できるようにすることを目的とする。 - 特許庁

An interlayer insulation film 16 is formed on an insulation film 12 for covering a semiconductor substrate 10 via a wiring layer 14.例文帳に追加

半導体基板１０を覆う絶縁膜１２の上に配線層１４を介して層間絶縁膜１６を形成する。 - 特許庁

To reduce the moisture content amount of a reinforcement insulation layer of a cable connection part even further to improve the insulation performance.例文帳に追加

ケーブル接続部の補強絶縁層の含有水分量をより一層低減し、その絶縁性能を向上させること。 - 特許庁

An insulation wire 10 includes a conductor 20 and an insulation coating having an extrusion coating layer 30 on the conductor 20.例文帳に追加

絶縁電線１０は、導体２０と、導体２０上に押出被覆層３０を有する絶縁被覆とを備えている。 - 特許庁

INSULATION BLANKET REPAIRING METHOD, METHOD OF REJOINING METALLIZED FABRIC TO BASE LAYER, AND REPAIRING KIT FOR INSULATION BLANKET例文帳に追加

断熱ブランケットの修復方法、メタライズ織物を下地層に再接合する方法、および断熱ブランケットの補修キット - 特許庁

By this, infrared-ray emission efficiency is heightened by improving heat insulation property of a heat insulation layer and manufacture is made easy.例文帳に追加

これにより、断熱層の断熱性を向上して赤外線の放射効率を高めると共に、製造を容易にした。 - 特許庁

A plurality of data electrodes 9 are provided on a second insulation substrate 7 in a state covered by an insulation layer 8.例文帳に追加

一方、第２の絶縁基板７の上に、絶縁体層８に覆われた状態で複数のデータ電極９を設ける。 - 特許庁

To provide an insulation electric wire having an excellent heat resistance, in an insulation electric wire having an insulating layer containing crosslinked acrylic rubber.例文帳に追加

架橋アクリルゴムを含む絶縁層を有する絶縁電線において、耐熱性の優れた絶縁電線を提供する。 - 特許庁

To provide an organic semiconductor element ensuring high insulation strength of an insulation layer and also high carrier mobility of an organic semiconductor.例文帳に追加

絶縁層の絶縁強度及び有機半導体のキャリア移動度が共に高い有機半導体素子を提供する。 - 特許庁

In the surface side of a semiconductor substrate 10; there are formed an interlayer insulation film 17 which has two-layer structure including a first layer film 18 consisting of an insulation material of an organic system, and a second layer film 19 consisting of an insulation material of an inorganic system.例文帳に追加

半導体基板１０の表面側に、有機系の絶縁材料からなる第１層膜１８、無機系の絶縁材料からなる第２層膜１９の２層構造を有する層間絶縁膜１７が形成される。 - 特許庁

Mechanical strength of an insulation layer is improved by mixing filler of a low thermal expansion coefficient in an insulation layer of an inner electrode which is exposed in a side surface of the stacked piezoelectric actuator, and by generating compressive stress in the insulation layer.例文帳に追加

積層型圧電アクチュエータの側面に露出した内部電極の絶縁層に低熱膨張係数のフィラーを混合し、また、絶縁層に圧縮応力を発生させることで、絶縁層の機械的強度を改善する。 - 特許庁

The inner side thermal insulation layer 12 and the outer side thermal insulation layer 18 may be formed by an ablation thermal insulation material containing no metallic additive or an ablation thermal insulation material containing nickel additive of 15 % or an ablation thermal insulation material containing nickel additive of 30 %.例文帳に追加

内側断熱層（１２）および外側断熱層（１８）は、金属添加物を含有しないアブレーション断熱材料、１５％のニッケル添加物を含有するアブレーション断熱材料、または３０％のニッケル添加物を含有するアブレーション断熱材料から形成されてもよい。 - 特許庁

A first insulation layer 60 is formed at both side parts of a lamination body S having a main magnetic pole layer 20 formed between the first coil layer 18 and the second coil layer 23 and at an upper part between the contact layers 50 and a gap layer 21, and a second insulation layer 70 is formed from the upper part of the lamination body S to the upper part of the first insulation layer 60.例文帳に追加

第１コイル層１８と第２コイル層２３の間で且つコンタクト層５０間の上方に形成された主磁極層２０とギャップ層２１を有する積層体Ｓの両側方部に第１絶縁層６０が形成され、積層体Ｓの上方から第１絶縁層６０の上方に第２絶縁層７０が形成されている。 - 特許庁

A nonvolatile semiconductor storage device in an embodiment includes tunnel insulation film on a semiconductor substrate, a charge storage layer on the tunnel insulation film, and block insulation film on the charge storage layer.例文帳に追加

実施形態の不揮発性半導体記憶装置においては、半導体基板上にトンネル絶縁膜、前記トンネル絶縁膜上に電荷蓄積層、前記電荷蓄積層上にブロック絶縁膜が設けられる。 - 特許庁

In the semiconductor element 1, the insulation layers 11 and 13 are formed so that the etching speed of the insulation layer 13 may be higher than that of the insulation layer 11 on the same etching condition.例文帳に追加

半導体素子１では、同一のエッチング条件において絶縁層１３のエッチング速度が絶縁層１１のエッチング速度よりも速くなるように絶縁層１１及び１３が形成されている。 - 特許庁

Therefore, the moisture amount of the reinforcement insulation layer 10 of the cable connection part can be reduced even further, and the insulation performance of the reinforcement insulation layer 10 in the cable connection part can be improved.例文帳に追加

従って、ケーブル接続部の補強絶縁層１０の含有水分量をより一層低減し、そのケーブル接続部における補強絶縁層１０の絶縁性能を向上させることができる。 - 特許庁

The heat insulating body has a heat insulation layer 10, an exterior package bag 20 comprising a woven fabric of inorganic fiber housing the heat insulation layer 10, and a dust generation preventing layer 30 comprising a nonwoven fabric of inorganic fiber covering the heat insulation layer 10 in the exterior package bag 20.例文帳に追加

断熱体は、断熱層１０と、前記断熱層１０を収容する、無機繊維の織布からなる外装袋２０と、前記外装袋２０内において前記断熱層１０を被覆する、無機繊維の不織布からなる発塵防止層３０と、を有する。 - 特許庁

This manufacturing method of the wire for a wire harness has: a process for forming the insulation layer 30 in the outside of a conductor 10 by extrusion; and a process for forming the external semiconductor layer 40 outside the insulation layer 30 by extrusion independent of the extrusion for the insulation layer 30.例文帳に追加

本発明ワイヤハーネス用電線の製造方法は、導体10の外側に押出にて絶縁層30を形成する工程と、絶縁層30の外側に前記絶縁層30の押出とは独立した押出にて外部半導電層40を形成する工程とを有する。 - 特許庁

A magnetic substrate 100 is prepared, and a layer structure 110 of an insulation layer corresponding to first through fourth insulation layers 3, 9, 19, 29 on which a conductor pattern corresponding to first through fourth coil-like conductors is formed, and an insulation layer corresponding to fifth insulation layer 35 for protecting the conductor pattern is formed on the magnetic substrate 100.例文帳に追加

磁性基板１００を用意し、この磁性基板１００上に、第１〜４のコイル状導体に相当する導体パターンが形成された第１〜４絶縁層３，９，１９，２９に相当する絶縁層、及び導体パターンを保護する第５絶縁層３５に相当する絶縁層を積層した層構造体１１０を形成する。 - 特許庁

To reduce the cost of an insulated rolling bearing for preventing electrolytic corrosion made of ceramics and having a first insulation layer 13a, and to prevent a second insulation layer 14a from being peeled off or levitated even when the first insulation layer 13a is covered with the second insulation layer 14a made of a synthetic resin.例文帳に追加

セラミックス製の第一の絶縁層１３ａを有する電食防止用転がり軸受の低コスト化を図ると共に、この第一の絶縁層１３ａを合成樹脂製の第二の絶縁層１４ａにより覆った場合でも、この第二の絶縁層１４ａが剥がれたり、浮き上がる事を防止する。 - 特許庁

This light emitting device has a first insulation layer formed on a substrate; an opening part reaching the substrate is formed in the first insulation layer; a second insulation layer is formed by covering the opening part; and a light emitting element is formed on the second insulation layer by overlapping at least a part of the opening part.例文帳に追加

基板上に形成された第１の絶縁層を有し、前記第１の絶縁層には前記基板に達する開口部が形成されており、前記開口部を覆って第２の絶縁層が形成されており、前記第２の絶縁層上には前記開口部の少なくとも一部に重なって発光素子が設けられている。 - 特許庁

A formation method of an insulation resin rough surface includes at least a process (a) where an insulation resin layer is vertically sandwiched by planar molds having fine shapes, a process (b) where the insulation resin layer is pressurized and cured, and a process (c) the molds are peeled off from the insulation resin layer.例文帳に追加

少なくとも（ａ）微細形状を有した面状の金型により前記絶縁樹脂層を上下から挟む工程と、（ｂ）前記絶縁樹脂層を加圧及び硬化させる工程と、（ｃ）前記金型及び前記絶縁樹脂層を引き剥がす工程と、を具備することを特徴とする。 - 特許庁

In addition, the content of the non-halogen flame retardant in the outermost insulation layer is made smaller than those of the retardant in the inner insulation layer or the Young's modulus of the outermost insulation layer at 125°C is made larger than those of the inner insulation layers at 125°C.例文帳に追加

また，本発明の回路基板は，最外絶縁層が含む非ハロゲン系難燃剤の含有率が内層絶縁層が含む含有率より小さい，あるいは最外絶縁層の１２５℃でのヤング率が内層絶縁層の１２５℃でのヤング率より大きいことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a composition for insulation layers, capable of forming insulation layers (e.g., gate insulation films and protective layers of transistors) at a low temperature and capable of forming an insulation layer having excellent withstand voltage.例文帳に追加

低温で絶縁層（例えば、トランジスタのゲート絶縁膜や保護層）を形成することが可能であり、しかも優れた絶縁耐圧を有する絶縁層を形成可能な絶縁層用組成物を提供すること。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of insulation wire equipped with an insulation layer of enough insulation performance, thin but excellent in heat resistance, and an insulation wire obtained by it.例文帳に追加

充分な絶縁性能を有し、かつ可及的に厚みが小さく、さらに耐熱性にも優れる絶縁層を備える絶縁電線を製造する方法、それによって得られた絶縁電線を提供する。 - 特許庁

This information recording symbol rewrite sticker is provided with a rewrite recording layer 41 in which the a two-dimensional bar code can be rewritably recorded by heating; a base material layer 43 with the rewrite recording layer on its one face; a heat insulation layer 45 formed on the opposite face of the rewrite recording layer 42 of the base layer; and an adhesive layer 46 formed on the heat insulation layer.例文帳に追加

加熱によって２次元バーコードの書き換え記録が可能とされたリライト記録層４１と、該リライト記録層をその一方面に担持する基材層４３と、該基材層の前記リライト記録層４１の反対面に形成された断熱層４５と、該断熱層上に形成された粘着層４６とを設ける。 - 特許庁

The super conducting cable 1 is structured by twisting three cable cores 10 formed by coaxially laying a former 200, a superconductor layer 20, an electric insulation layer 202, a shield layer 21, and a protection layer 204 in this sequence, and housing the cable cores in a heat insulation tube 101.例文帳に追加

超電導ケーブル1は、中心から順にフォーマ200、超電導導体層20、電気絶縁層202、シールド層21、保護層204を具えるケーブルコア10を3本撚り合わせて断熱管101内に収納された構成である。 - 特許庁

A first semi-recessed LOCOS layer 40 is formed between the gate insulation layer 30 and drain region 34, and a second semi-recessed LOCOS layer 50 is formed between the gate insulation layer 30 and the source region 32.例文帳に追加

ゲート絶縁層３０とドレイン領域３４との間に、第１のセミリセスＬＯＣＯＳ層４０が形成され、ゲート絶縁層３０とソース領域３２との間に、第２のセミリセスＬＯＣＯＳ層５０が形成されている。 - 特許庁