「layer-insulation」に関連した英語例文の一覧と使い方(12ページ目) - Weblio英語例文検索

A shield pack 4 has a two layer structure consisting of an insulation layer 9 of a thermosetting resin material, e.g. a thermosetting resin film, and a metal layer 8 formed on the insulation layer 9 by depositing metal.例文帳に追加

シールドパック４は、熱硬化性樹脂フィルム等の熱硬化性樹脂材料からなる絶縁層９と、絶縁層９上に金属を蒸着して形成した金属層８との２層構造になっている。 - 特許庁

The semiconductor device comprises wirings 32a-32d formed in one layer on a substrate 10, an insulation layer 34 formed to cover the wirings, and a hollow 40 formed in one layer beneath the insulation layer.例文帳に追加

基板１０上の一の層に形成された配線３２ａ〜３２ｄと、配線を覆うように形成された絶縁層３４とを有し、絶縁層下の一の層に空洞４０が形成されている。 - 特許庁

An embedded part 35 is filled with a material layer of the same material as the insulation encapsulation layer in a Z direction from the insulation encapsulation layer to a depth position of at least a top face of the transparent conductive layer and forms a ring shape.例文帳に追加

埋め込み部３５は、Ｚ方向に絶縁封止層から少なくとも透明導電層の上面の深さ位置まで絶縁封止層と同一の材料層が充填され環形状を示す。 - 特許庁

Nitrogen is added to the vicinity of an interface of an oxide semiconductor layer for improving the interface state between the oxide semiconductor layer and an insulation film (gate insulation layer) in contact with the oxide semiconductor layer.例文帳に追加

酸化物半導体層と該酸化物半導体層と接する絶縁膜（ゲート絶縁層）との界面状態を良好とするために、酸化物半導体層の界面近傍に窒素を添加する。 - 特許庁

Then an insulation layer 31 made of epoxy-based resin etc., is formed on the top surface of the lower layer insulation film 1 at a periphery of the semiconductor construction 2, and an insulation substrate 32 made of glass baric base epoxy resin etc., is buried in a top surface side of the insulation layer 31.例文帳に追加

次に、半導体構成体２の周囲における下層絶縁膜１の上面にエポキシ系樹脂等からなる絶縁層３１を形成し、且つ、絶縁層３１の上面側にガラス布基材エポキシ樹脂等からなる絶縁基板３２を埋め込む。 - 特許庁

After a hole extending over the insulation layers 32, 33, 34 is shaped, a hole part in the insulation layer 32 is left as a viahole 7 by making the insulation layer 33 flow through heating treatment, thereby stopping up a hole part in the insulation layer 33.例文帳に追加

絶縁層３２，３３，３４にわたって延びる孔を形成する孔開けを行い、しかる後に加熱処理を行うことで絶縁層３３を流動させて絶縁層３３における孔の部分を塞ぐことで絶縁層３２における穴の部分を空孔７として残す。 - 特許庁

That is to say, the thermal insulation layer can be formed of a low-density nonwoven fabric or foam body having superior thermal insulation, sound insulation, impact mitigating performance, and flexibility.例文帳に追加

つまり、断熱層２０を断熱性，遮音性，衝撃緩和性および可撓性に優れた低密度の不織布または発泡体で形成することができる。 - 特許庁

To provide a light and low-cost insulation boom by reducing thickness of a glass fiber-reinforced plastic(GFRP) layer in the insulation boom requiring electric insulation.例文帳に追加

電気絶縁性が必要な絶縁ブームにおいて、ガラス繊維強化プラスティック(ＧＦＲＰ)層の厚さを低減させて軽量ローコストの絶縁ブームを提供する。 - 特許庁

Since the suppression part 12m_p has less kraft paper portion which makes pass the insulation oil, it can suppress movement of the insulation oil to the outer circumference side of the insulation layer 12.例文帳に追加

抑制部12m_pは、絶縁油を通過させるクラフト紙部分が少ないため、絶縁層12の外周側に絶縁油が移動することを抑制できる。 - 特許庁

The test tunnel insulation film 114 is located in the same layer with a tunnel insulation film 44 and formed from the same material with the tunnel insulation film 44.例文帳に追加

テスト用トンネル絶縁膜１１４は、トンネル絶縁膜４４と同一層に位置し、トンネル絶縁膜４４と同一材料により形成されている。 - 特許庁

A plurality of data electrodes 8 are provided on a second insulation substrate 6 opposite to the first insulation substrate 1 in a state covered by an insulation layer 7.例文帳に追加

第１の絶縁基板１に対向配置される第２の絶縁基板６上に、絶縁体層７に覆われた状態で複数のデータ電極８を設ける。 - 特許庁

A gate oxide film 6, a polysilicon layer (first gate layer ) 9, a tungsten silicide layer (second gate layer) 10 and an insulation layer 8 are formed on a surface of a silicon substrate 2.例文帳に追加

シリコン基板２の表面上に、ゲート酸化膜６、ポリシリコン層（第１ゲート層）９、タングステンシリサイド層（第２ゲート層）１０および絶縁層８が形成される。 - 特許庁

In this multilayer buildup wiring board, a via hole 160b piercing through a lower interlayer resin insulation layer 50 and an upper interlayer resin insulation layer 150 conducts electricity from solder bumps 76U and 76D in an upper layer of the interlayer resin insulation layer 150 to a conductor layer (conductor circuit) 34 formed on a core board 30.例文帳に追加

下層の層間樹脂絶縁層５０と上層の層間樹脂絶縁層１５０とを貫通するバイアホール１６０ｂにより、層間樹脂絶縁層１５０の上層の半田バンプ７６Ｕ、７６Ｄと、コア基板３０に形成された導体層（導体回路）３４との導通を取る。 - 特許庁

An emitter 3 formed of at least carbon nano-tubes shorter than the film thickness of an insulation layer 4 on a glass substrate 1 on which a conductive layer 2 is formed, the insulation layer 4 and a gate electrode 5 are laminated on its upper layer, and a gate opening part is formed by partially etching the gate electrode 5 and the insulation layer 4.例文帳に追加

導電層２が形成されたガラス基板１上に少なくとも絶縁層４の膜厚より短いナノチューブからなるエミッタ３を形成し、その上層に絶縁層４およびゲート電極５を積層し、ゲート電極５と絶縁層４の一部をエッチングしてゲート開口部を形成する。 - 特許庁

For the multilayer insulation sheath electric conductor, an uppermost layer of a multilayer insulation sheath layer is made of polyamideimide resin, and a lower layer of the insulation sheath layer contacting with the uppermost layer is made of at least one kind of resin chosen from polyimide resin, polyesterimide resin, and H-type polyester resin.例文帳に追加

多層絶縁被覆電気導体において、該多層絶縁被覆層の最上層がポリアミドイミド樹脂であって、最上層に接触する下層の絶縁被覆層がポリイミド樹脂、ポリエステルイミド樹脂、およびＨ種ポリエステル樹脂から選ばれる少なくとも１種である被覆金属導体。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a conductor layer on an insulation layer for providing a more reliable circuit board by improving the adhesive strength of a plating metal layer onto a resin insulation layer by the softening treatment of the surface of a uniform resin insulation layer with less scattering.例文帳に追加

バラツキの少ない均一な樹脂絶縁層表面の軟化処理により、樹脂絶縁層上へのメッキ金属層の接着力を向上させ、より信頼性の高い回路基板を提供する絶縁層上の導体層の製造方法及びビルドアップ回路基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

The quantity of an inorganic filler included in at least one insulation layer among the outermost insulation layers is smaller by two mass percentage or more than that included in the insulation layer containing the largest quantity of an inorganic filler among the internal insulation layers.例文帳に追加

最外層の絶縁層のうち少なくとも一方の絶縁層に含まれる無機フィラーの量が、内層の絶縁層のうち最も多く無機フィラーを含む絶縁層に含まれる無機フィラーの量よりも２質量％以上少ない。 - 特許庁

A semiconductor device comprises lower layer wiring 2, a first insulation film (e.g., organic insulation film 3) formed on the lower layer wiring 2 and having an opening 31 exposing a top face of the lower layer wiring 2, and a second insulation film (e.g., inorganic insulation film 4) formed on the first insulation film, in which a through hole 5 is formed.例文帳に追加

半導体装置は、下層配線２と、下層配線２上に形成され、下層配線２の上面を露出させる開口３１を有する第１絶縁膜（例えば、有機絶縁膜３）と、第１絶縁膜上に形成され、スルーホール５が形成された第２絶縁膜（例えば、無機絶縁膜４）とを有する。 - 特許庁

For solving the problems, this invention is formed into the thermal insulation wall structure for arranging an outside ventilation passage for making air flow upward to the outdoor side of a thermal insulation layer and an inside ventilation passage for making the air flow downward to the indoor side of the thermal insulation layer, by forming a thermal insulation wall of the thermal insulation layer and a plurality of ventilation passages.例文帳に追加

上記課題を解決するため、本発明は、断熱層と複数の通気路によって断熱壁を形成し、断熱層の屋外側には空気が上方へ流れる外通気路、断熱層の室内側には空気が下方へ流れる内通気路を設けた断熱壁構造としたものである。 - 特許庁

Further, an insulation layer 9 is laminated on the other part of the p-Si layer 2, an n-GaN layer 10 and a p-GaN layer 11 are sequentially grown on the surface of the insulation layer 9 to produce a GaN pn diode which is used for a bulk region.例文帳に追加

また、ｐ−Ｓｉ層２の他の一部の上に絶縁層９を積層し、その表面にｎ−ＧａＮ層１０とｐ−ＧａＮ層１１を順次、成長させてＧａＮのｐｎダイオードを作製し、そこをバルク領域とする。 - 特許庁

The inorganic thin film EL element 10 is formed by depositing a first electrode layer 30, a first insulation layer 40, a light emitting layer 50, a second insulation layer 60, and a second electrode layer 70 on a ceramic substrate 20 in this sequence.例文帳に追加

無機薄膜ＥＬ素子１０は、セラミックス基板２０の上に、第１の電極層３０、第１の絶縁層４０、発光層５０、第２の絶縁層６０および第２の電極層７０の順で薄膜が堆積されたＥＬ素子である。 - 特許庁

Next, an insulation layer 300 is formed over its entirety to fill the shallow trench tank.例文帳に追加

次いで、全面的に絶縁層３００を形成し、浅溝槽を充たす。 - 特許庁

The first land is formed on a part of the first insulation layer.例文帳に追加

前記第１のランドは、前記第１の絶縁層上の一部に設けられる。 - 特許庁

Since the insulating gas is generated when the pressure of a part of the insulation layer becomes negative pressure, the pressure of the insulation layer is balanced and generation of the void can be reduced.例文帳に追加

絶縁層の一部の圧力が負圧になったときに絶縁ガスが発生することで、絶縁層の圧力を均衡化して、ボイドの発生を低減できる。 - 特許庁

To planarize a surface by forming an insulation resin layer of a uniform thickness.例文帳に追加

絶縁樹脂層を均一な厚みに形成して表面の平坦化を図る。 - 特許庁

To secure insulation performance between a coil 14 and a pole piece 11 by a thin-walled layer.例文帳に追加

コイル１４とポールピース１１の絶縁性能を薄肉層で確保する。 - 特許庁

To detect residue of film in a region in which a contact hole is formed in an interlayer insulation layer, and to accurately obtain thickness of residue of film of the interlayer insulation layer.例文帳に追加

層間絶縁層におけるコンタクトホールを形成した領域での膜残りを検出し、且つ層間絶縁層の膜残りの厚みを精度良く求める。 - 特許庁

The insulation layer 28 of the upper layer exhibits a slightly lower adhesion to Au but exhibits high insulation because oxygen concentration at the of filming is set at 3%.例文帳に追加

上部層の絶縁層２８は成膜時の酸素濃度を３％と高くしたことによりＡｕとの密着性はやや劣るが高い絶縁性を有する。 - 特許庁

A protruding portion 76B that protrudes from a resin insulation layer 42 of a pad 76 is smaller than an embedded portion 76A that is embedded in the resin insulation layer 42.例文帳に追加

パッド７６の樹脂絶縁層４２に埋設している埋設部分７６Ａよりも樹脂絶縁層４２から突出している突出部分７６Ｂが小さい。 - 特許庁

The wire is formed by laying an inner layer insulation cover 3 around a metal conductor 1, and laying an outer layer insulation cover 4 around the cover 3.例文帳に追加

金属導体１を囲むように内層絶縁体被覆３が設けられ、更にその外側に外層絶縁体被覆４が設けられた構造となっている。 - 特許庁

An insulation layer INS is arranged between the second and the third soft FM layers 60, 64.例文帳に追加

絶縁層が第２及び第３ソフトＦＭ層の間に配置されている。 - 特許庁

These sources 62 and drains 64 are covered with an insulation layer not illustrated here.例文帳に追加

これらのソース６２、ドレイン６４は、図示しない絶縁層に覆われている。 - 特許庁

The substrate for printed wiring is constituted of an insulation layer 11 and a wiring conductor 13 while the surface of the insulation layer 11 for mounting the electronic components 201, 203 is formed into a recessed and projected shape 15.例文帳に追加

絶縁層１１と配線導体１３よりなり、絶縁層１１の電子部品２０１，２０３実装面を凹凸形状１５にした。 - 特許庁

The first insulation layer 30 is a porous film of an organic material.例文帳に追加

第１の絶縁層３０は、有機系材料からなる多孔質膜である。 - 特許庁

The emitter part 8 is formed into a shape having a sharp tip, an insulation layer 5 is provided around it, and a gate electrode 6 is disposed on the insulation layer 5.例文帳に追加

エミッタ部８は尖った先端を持つ形状に形成し、これを囲んで絶縁層５を設けて、絶縁層５の上にはゲート電極６を配設する。 - 特許庁

PROTECTIVE FILM, INSULATION LAYER THEREWITH, AND METHOD FOR MANUFACTURING WIRING BOARD例文帳に追加

保護フィルム及び保護フィルム付き絶縁層並びに配線基板の製造方法 - 特許庁

The amount of resin included in the first interlayer resin insulation layer 410 is greater than that of the second interlayer resin insulation layer 420.例文帳に追加

そして、第１の層間樹脂絶縁層４１０に含まれている樹脂の量は前記第２の層間樹脂絶縁層４２０に含まれている樹脂の量より多い。 - 特許庁

An intermediate waterproof layer 11 is formed between heat insulation layers 9a, 9b.例文帳に追加

断熱層９ａ、９ｂの間には、中間防水層１１が設けられる。 - 特許庁

After measuring the thickness of the lower layer insulation film 4, an upper layer insulation film 7 and an overlaying metal film 8 are sequentially laminated on the intermediate metal film 5.例文帳に追加

下層絶縁膜４の厚みを測定した後に、中間金属膜５上に上層絶縁膜７、及び上地金属膜８を順に積層する。 - 特許庁

The heating wire which is not coated with the enamel layer is used as a destroyed insulation sensitive wire for sensing the destruction of insulation of the enamel layer of the other heating wires.例文帳に追加

エナメル層により被覆されていない発熱線は、他の発熱線のエナメル層の絶縁破壊を検知するための絶縁破壊検知線として用いられる。 - 特許庁

Then, the embedded wiring 7 is formed in the first inter-layer insulation film 2.例文帳に追加

次に、第一の層間絶縁膜２に埋め込み配線７を形成する。 - 特許庁

In the lamination type electron source 10, an insulation layer 14 is formed on the top of the lower electrode 12 and an upper electrode 16 is formed on top of the insulation layer 14.例文帳に追加

積層型電子源１０は、下部電極１２の上に絶縁層１４が形成され、さらに絶縁層１４の上に上部電極１６が形成される。 - 特許庁

The insulation layer 2 is etched through the first opening 5a and a second opening 5b for exposing the surface of the semiconductor substrate 1 is made through the insulation layer 2.例文帳に追加

第１開口５ａを介して絶縁層２をエッチングし、半導体基板１の表面を露出させる第２開口５ｂを絶縁層２に形成する。 - 特許庁

A 2nd insulation layer 131 is formed on the flat area 111c.例文帳に追加

平坦部１１１ｃ上には第２絶縁性材料層１３１を形成する。 - 特許庁

The interlayer insulation film is deposited on the wiring layer patterned in this manner.例文帳に追加

このようにパターニングした配線層の上に層間絶縁膜を堆積する。 - 特許庁