「"formation region"」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

The electrode pads 23s, 23d are arranged at a driver transistor formation region 5.例文帳に追加

電極パッド２３ｓ，２３ｄはドライバートランジスタ形成領域５に配置されている。 - 特許庁

Thus, the crystal defects are eliminated in an MOS (element) formation region, and the crystal defects are left at the part different from the MOS formation region.例文帳に追加

これにより、ＭＯＳ（素子）形成領域では結晶欠陥を無くし、ＭＯＳ形成領域とは異なる部分で結晶欠陥を残存させた構成を得ることができる。 - 特許庁

The polysilicon film 4 can avoid etching damages to the transistor formation region 29.例文帳に追加

トランジスタ形成領域２９へのエッチングダメージをポリシリコン膜４によって阻止できる。 - 特許庁

In the organic EL device 10, the volume of the formation region at an end of the application region R is larger than that of the formation region at the central part of the application region R.例文帳に追加

有機ＥＬ装置１０では、塗布領域Ｒの端部における形成領域の体積は、塗布領域Ｒの中央部における形成領域の体積よりも大きい。 - 特許庁

The N+-type silicon layer 2 is formed over the entire formation region Z2 of a lateral element and is formed selectively in the formation region Z1 of an IGBT.例文帳に追加

Ｎ^+ 型シリコン層２は、ラテラル素子の形成領域Ｚ２においては全面に形成されるとともに、ＩＧＢＴの形成領域Ｚ１においては選択的に形成されている。 - 特許庁

Thus, the fuse element formation region is disposed at the active region corner part and then the fuse element can be disposed without forming the fuse in the core circuit formation region.例文帳に追加

活性領域角部にヒューズ素子形成領域を配置することにより、コア回路形成領域にヒューズを形成することなく、ヒューズ素子を配置することが可能となる。 - 特許庁

Then, a P-MOS region of a low-breakdown voltage transistor formation region and an N-MOS region of a high-breakdown voltage transistor formation region are covered with a resist mask 8 and boron ions are implanted rotatingly.例文帳に追加

次に、低耐圧トランジスタ形成領域のＰＭＯＳと高耐圧トランジスタ形成領域のＮＭＯＳ領域をレジストマスク８で覆い、ボロンを回転注入する。 - 特許庁

Here, the equivalent oxidation film thickness of the gate insulating film 5 in the low-voltage transistor formation region A is thinner than the equivalent oxide film thickness of the gate insulating film 5 in the high-voltage transistor formation region B, and the substrate surface height in the low-voltage transistor formation region A is higher than the substrate surface height in the high-voltage transistor formation region B.例文帳に追加

低電圧系トランジスタ形成領域Ａのゲート絶縁膜５の等価酸化膜厚は、高電圧系トランジスタ形成領域Ｂのゲート絶縁膜５の等価酸化膜厚よりも薄く、低電圧系トランジスタ形成領域Ａの基板表面高さは、高電圧系トランジスタ形成領域Ｂの基板表面高さよりも高い。 - 特許庁

A thermal insulation thin film 25 (warm junction formation region) is provided on the cavity part 24.例文帳に追加

空洞部２４の上には熱絶縁性薄膜２５（温接点形成領域）を設ける。 - 特許庁

The wiring 44 is formed inside and outside of a formation region of the organic film 46.例文帳に追加

配線４４は、有機膜４６の形成領域の内側及び外側に形成する。 - 特許庁

An element isolation region 50 for isolating an element formation region 20 is provided on a substrate 10.例文帳に追加

基板１０に、素子形成領域２０を分離する素子分離領域５０を設ける。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that can reduce a bonding pad formation region.例文帳に追加

ボンディングパッド形成領域を縮小することが可能な半導体装置を提供する。 - 特許庁

To suppress the quantity of spreading of an alignment film outside a film formation region on a substrate.例文帳に追加

基板上の膜形成領域外への配向膜の広がり量を抑制すること。 - 特許庁

Using the photo mask 34, openings for bottom electrodes of a capacitor are formed in an insulating layer in a memory cell array formation region, and grooves are formed in the insulating layer in a boundary between the memory cell array formation region and a peripheral circuit formation region.例文帳に追加

このようなフォトマスク３４を用いて、メモリセルアレイ形成領域における絶縁層に、キャパシタの下部電極が形成される開口部を形成し、メモリセルアレイ形成領域と周辺回路形成領域との境界における絶縁層に溝を形成する。 - 特許庁

The substrate-side line conductor 10 is so disposed that the end part extends from a border BL between the formation region and the non-formation region 12' of the ground conductor 11 to the non-formation region 12' side, with the antenna line conductor 3 connected to the end of an extension part 10e.例文帳に追加

基板側線路導体１０は、接地用導体層１１の形成領域と非形成領域１２’との境界ＢＬから該非形成領域１２’側に末端部が延出する形で配置され、その延出部１０ｅの末端にアンテナ線路導体３が結合される。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that has high prevention effect of movement of electrons from a formation region of an output transistor to a formation region of other elements and is capable of preventing malfunction of the elements.例文帳に追加

出力トランジスタの形成領域から他の素子の形成領域への電子の移動を抑制する効果が高く、素子の誤動作を抑制できる半導体装置を提供する。 - 特許庁

When it is assumed that the long side length of a barrier rib formation region 32 is L, the division wall 35 is formed to pass a position of L/2 of each long side in the barrier rib formation region 32.例文帳に追加

分割壁３５は、隔壁形成領域３２の長辺長さをＬとすると、隔壁形成領域３２における各長辺のＬ／２の位置を通るように形成されている。 - 特許庁

An element separation region 17 is so formed as to separate an active region of a PMOS transistor formation region Tp from an active region of an NMOS transistor formation region Tn.例文帳に追加

ＰＭＯＳトランジスタ形成領域Ｔｐの活性領域とＮＭＯＳトランジスタ形成領域Ｔｎの活性領域とを区画するように素子分離領域１７が形成されている。 - 特許庁

A gate insulating film 5 is formed in an active region composed of a silicon substrate 1 including an n-type MIS transistor formation region RTn and a p-type MIS transistor formation region RTp.例文帳に追加

ｎ型ＭＩＳトランジスタ形成領域ＲＴｎ及びｐ型ＭＩＳトランジスタ形成領域ＲＴｐのシリコン基板１からなる活性領域上にゲート絶縁膜５を形成する。 - 特許庁

A resist pattern 53 for gates corresponding to a trench gate pattern is formed at the resist 49 of the cell formation region 3, and a dummy resist pattern 55 is formed in the resist 49 of the termination formation region 5.例文帳に追加

セル形成領域３のレジスト４９にトレンチゲートパターンに対応するゲート用レジストパターン５３を形成し、終端部形成領域５のレジスト４９にダミーレジストパターン５５を形成する。 - 特許庁

Using a photolithography technique and an etching technique, there is eliminated a laminate film formed in a low withstand voltage MISFET formation region and a high withstand voltage MISFET formation region.例文帳に追加

そして、フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を使用して、低耐圧ＭＩＳＦＥＴ形成領域および高耐圧ＭＩＳＦＥＴ形成領域に形成されている積層膜を除去する。 - 特許庁

A gate structure 6 and a low-concentration diffusion layer that becomes LDD regions 15, 21 are formed in a high breakdown voltage MOS transistor formation region and a high-drive MOS transistor formation region.例文帳に追加

高耐圧ＭＯＳトランジスタ形成領域と高駆動ＭＯＳトランジスタ形成領域とにゲート構造６と、ＬＤＤ領域１５，２１となる低濃度拡散層を形成する。 - 特許庁

The semiconductor device includes a protection film 2 formed on the element formation region 1A and on the scribe region 3 and protecting the element formation region 1A and the scribe region 3.例文帳に追加

さらに、半導体装置は、素子形成領域１Ａの上及びスクライブ領域３の上に形成され、素子形成領域１Ａ及びスクライブ領域３を保護する保護膜２を有している。 - 特許庁

A semiconductor storage device comprises: a semiconductor film including a channel formation region; and a first insulation layer, a floating gate electrode, a second insulation layer, and a control gate electrode provided on the channel formation region of the semiconductor film.例文帳に追加

チャネル形成領域を有する半導体膜と、半導体膜のチャネル形成領域上に、第１の絶縁層、浮遊ゲート電極、第２の絶縁層、制御ゲート電極を設ける。 - 特許庁

An LDMOSFET is formed in each of a driver stage LDMOSFET formation region 20A of an SOI substrate 20 and an output stage LDMOSFET formation region 20B.例文帳に追加

ＳＯＩ基板２０のドライバ段ＬＤＭＯＳＦＥＴ形成領域２０Ａおよび出力段ＬＤＭＯＳＦＥＴ形成領域２０ＢのそれぞれにＬＤＭＯＳＦＥＴが形成されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device for which crystal defects are eliminated in an element formation region and the crystal defects are left in a part different from the element formation region, and to provide the manufacturing method.例文帳に追加

素子形成領域では結晶欠陥を無くし、素子形成領域とは異なる部分で結晶欠陥を残存させた半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

An insulation film is so formed as to cover first gate electrodes on a memory cell section formation region, and then a second gate oxide film 9 is formed in a periphheral transistor formation region.例文帳に追加

メモリセル部形成領域上の第１のゲート電極４を被覆するように絶縁膜を形成した後、周辺トランジスタ形成領域に第２のゲート酸化膜９を形成する。 - 特許庁

Then resist R3 having the element formation region D1 opened is used as a mask to inject boron into the entire surface of the element formation region D1 to adjust the threshold voltage of an FET 20.例文帳に追加

その後、素子形成領域Ｄ１を開口したレジストＲ３をマスクとして、ＦＥＴ２０のしきい値電圧を調整するために、素子形成領域Ｄ１の全面にボロンを注入する。 - 特許庁

In the breaking process, the force for depressing at least a part of the element formation region is larger than the force for depressing a peripheral region (220) located in the circumference of the element formation region.例文帳に追加

該ブレイク工程において、素子形成領域の少なくとも一部が押圧される力は、素子形成領域の周辺に位置する周辺領域（２２０）が押圧される力より大きい。 - 特許庁

Since the gettering region 19 is thicker than the element formation region 20 and has high gettering ability, the Ni is surely removed from the element formation region 20, even with a small area.例文帳に追加

ゲッタリング領域１９は素子形成領域２０よりも厚みが厚くて高いゲッタリング能力を有するので、面積が小さくても確実に素子形成領域２０からＮｉを除去する。 - 特許庁

To reduce the density of a recovery current flowing from a termination region to a device formation region of a semiconductor device having a semiconductor region enclosing the element formation region in a loop shape.例文帳に追加

素子形成領域をループ状に囲む半導体領域を有する半導体装置において、終端領域から素子形成領域へ流れるリカバリ電流の密度を低減する。 - 特許庁

A pattern of a lower wiring layer Ma in a monitor mark formation region includes a part having the same pattern width and pattern pitch as a pattern of a lower wiring layer Ma of a function element formation region.例文帳に追加

モニター用マーク形成領域の下層配線層Ｍａのパターンは、機能素子形成領域の下層配線層Ｍａのパターンと同じパターン幅およびパターンピッチを有する部分を含む。 - 特許庁

The feature of the invention is that a peeling prevention mark formation region AR2 is provided to surround a product identification mark formation region AR1, and a plurality of peeling prevention marks EMK are formed in the peeling prevention mark formation region AR2.例文帳に追加

本願発明における特徴は、製品識別用マーク形成領域ＡＲ１を囲むように剥離防止用マーク形成領域ＡＲ２が設けられており、この剥離防止用マーク形成領域ＡＲ２の内部に複数の剥離防止用マークＥＭＫが形成されている点にある。 - 特許庁

An image processor accepts designation of a medium having a medium base including a first formation region in which an image is formed and at least one convex section including a second formation region and formed at the periphery of the medium base, and designation of image information to be formed in the second formation region.例文帳に追加

画像の形成を受ける第１形成領域を含む媒体基部と、第２形成領域を含み、媒体基部の外周部に少なくとも一つ設けられた凸部と、を有する媒体の指定と、第２形成領域に形成するべき画像情報の指定とを受け入れる。 - 特許庁

A semiconductor device includes a substrate (semiconductor substrate 1) in which an element isolation region 3 for isolating an element formation region 2 from other regions is formed, a gate groove 4 formed in the element formation region 2, and a pair of diffusion regions 5 formed in the element formation region 2 and disposed separately from each other across the gate groove 4.例文帳に追加

素子形成領域２を他の領域と分離する素子分離領域３が形成された基板（半導体基板１）と、素子形成領域２に形成されたゲート溝４と、素子形成領域２にゲート溝４を挟んで離間して形成された一対の拡散領域５を有する。 - 特許庁

An ion implantation region is formed in a non-device formation region 3, and the surface of the ion implantation region is subjected to LOCOS oxidation, thus forming crystal defects in the non-device formation region 3, and hence preventing the crystal defects from being formed in a device formation region 2.例文帳に追加

非デバイス形成領域３にイオン注入領域を形成し、このイオン注入領域の表面をＬＯＣＯＳ酸化することにより、非デバイス形成領域３に結晶欠陥を形成することができるため、デバイス形成領域２に結晶欠陥が形成されないようにできる。 - 特許庁

Gas that is chemically inert to a semiconductor wafer (4) is sprayed to an element formation region (7) of the semiconductor wafer (4), a probe needle (3) is brought into contact with the element formation region (7), and at the same time an electrical signal is received from the probe needle (3) to inspect the electrical characteristics of the element formation region (7).例文帳に追加

半導体ウエハ(4)に対して化学的に不活性なガスを半導体ウエハ(4)の素子形成領域(7)に吹き付け、素子形成領域(7)にプローブ針(3)を当接させと共に、プローブ針(3)から電気的信号を受信して素子形成領域(7)の電気的特性を検査する。 - 特許庁

The transistor, therefore, has a channel formation region in the region where the semiconductor film is deformed.例文帳に追加

よって上記トランジスタは、半導体膜の歪んでいる領域にチャネル形成領域を有している。 - 特許庁

A coating-unnecessary region 54 is present in a region other than an organic EL element 20 formation region.例文帳に追加

有機ＥＬ素子２０の形成領域以外の領域に塗布不要領域５４が存在する。 - 特許庁

The one end 40a of the leaf spring 40 is fixed to the formation region of the orifice passage 34.例文帳に追加

板ばね４０の一方端部４０ａは、オリフィス通路３４の形成領域に固定されている。 - 特許庁

The semiconductor wafer includes an element formation region 50 defined by a scribed line region 60.例文帳に追加

半導体ウエハは、スクライブライン領域６０により区画された素子形成領域５０を有している。 - 特許庁

For the switching element, a transistor including an oxide semiconductor in a channel formation region is used.例文帳に追加

上記スイッチング素子には、酸化物半導体をチャネル形成領域に含むトランジスタを用いる。 - 特許庁

A wiring connection region matching a formation region at the connection level is formed by this method.例文帳に追加

当該方法は接続レベルでの形成領域に整合した配線接続領域を形成する。 - 特許庁

Next, a second source-drain region 7 is formed in a front surface of the element formation region 150.例文帳に追加

次に、素子形成領域１５０の表面内に第二のソース・ドレイン領域７を形成する。 - 特許庁

Seam data along the outer shape of the pocket cloth is generated for the determined seam formation region.例文帳に追加

決定した縫目形成領域について、ポケット布の外形に沿った縫目データを作成する。 - 特許庁