「"formation region"」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

Then, an amorphous silicon layer which is an element formation region 103 is formed on the foundation layer 102, and the layer is crystallized by laser irradiation or other method.例文帳に追加

下地層１０２上に素子形成領域１０３の非晶質シリコン層を形成し、非晶質シリコン層をレーザ照射などによって結晶化させる。 - 特許庁

In a first discharge process, liquid droplets are discharged with a pitch larger than the diameter of a liquid droplet after landing at a substrate over the whole wiring formation region.例文帳に追加

第１吐出工程では、液滴を配線形成領域全体に前記基板上に着弾した後の液滴の直径よりも大きいピッチで吐出する。 - 特許庁

A capacitor formation region 14 includes a wiring layer 13 in other vias and wiring regions formed in the same process as a lower electrode 131.例文帳に追加

容量形成領域１４は、同一工程で形成される他のビアや配線領域における配線層１３を下部電極１３１として含む。 - 特許庁

To prevent occurrence of a crack in a circuit formation region during dicing while preventing oxidation or corrosion of a seal ring having a copper layer on the uppermost layer.例文帳に追加

最上層に銅の層を有するシールリングの酸化および腐食を防止しつつ、ダイシングの際の回路形成領域におけるクラック発生を防止する。 - 特許庁

On a semiconductor substrate 1, a first film 18 is formed which includes a first opening 27 and a second opening corresponding to a first well formation region 3.例文帳に追加

半導体基板１上に、第１開口２７と、第１のウェル形成領域３に対応した第２開口とを含む第１の膜１８を形成する。 - 特許庁

By using the abbreviation single crystal grain for the channel formation region of the thin film transistor, a thin film transistor excellent in property can be obtained stably.例文帳に追加

この略単結晶粒を薄膜トランジスタのチャネル形成領域に用いることで、特性の優れた薄膜トランジスタを安定して得ることができる。 - 特許庁

In a third discharge process, liquid droplets are discharged with a pitch smaller than the pitch of the first discharge process over the whole wiring formation region.例文帳に追加

第３吐出工程では、前記液滴を配線形成領域全体に前記第１吐出工程におけるピッチよりも小さいピッチで吐出する。 - 特許庁

To provide a projection optical system capable of securing a sufficient image side working distance while obtaining an image formation region with a sufficient size on an image surface.例文帳に追加

像面上で十分な大きさの結像領域が得られるとともに十分な像側作動距離を確保できるような投影光学系を提供する。 - 特許庁

That is, a channel formation region, a source region and a drain region can be formed in a self-alignment manner without using an impurity introduction step.例文帳に追加

すなわち、不純物導入工程を用いることなく、自己整合によりチャネル形成領域、ソース領域及びドレイン領域を形成することができる。 - 特許庁

To provide a fabrication process of a semiconductor device which forms a tensile stress film and a compressive stress film, respectively, in an NMOS formation region and a PMOS formation region without causing such a problem as formation of a recess in an isolation portion or etching residue, and to provide a semiconductor device.例文帳に追加

素子分離部への凹部の形成やエッチング残りなどの問題を生じることなく、ＮＭＯＳ形成領域およびＰＭＯＳ形成領域にそれぞれ引張り応力膜および圧縮応力膜を選択的に形成することができる、半導体装置の製造方法および半導体装置を提供する。 - 特許庁

The optical device includes a substrate 11, a plurality of optical elements 13 formed in an element formation region 12 of the substrate 11, a plurality of lenses 15 formed over the element formation region 12 so as to correspond to the plurality of optical elements 12, and a protective layer 17 formed so as to cover the plurality of lenses 15.例文帳に追加

光学デバイスは、基板１１と、基板１１における素子形成領域１２に形成された複数の光学素子１３と、素子形成領域１２の上に、複数の光学素子１２と対応して形成された複数のレンズ１５と、複数のレンズ１５を覆うように形成された保護層１７とを備えている。 - 特許庁

The plane optical waveguide chip 1 is formed by providing a waveguide formation region 10 equipped with a circuit of an optical waveguide on a substrate 11 and a plurality of top plates 20 are arranged at at least one end side of the plane optical waveguide chip 1 on the waveguide formation region 1 along an end surface of the optical waveguide chip 1.例文帳に追加

平面光導波路チップ１は、基板１１上に、光導波路の回路を備えた導波路形成領域１０を設けて形成し、平面光導波路チップ１の少なくとも一端側に、複数の上板２０を平面光導波路チップ１の端面に沿って導波路形成領域１０上に配置する。 - 特許庁

To provide a method for forming simply and conveniently a first wiring pattern including patterns of less than resolution limit in a first wiring pattern formation region and a second wiring pattern comprised of usual patterns of more than or equal to resolution limit in a second wiring pattern formation region, by using an SADP method (Self Align Double Patterning) through two-time lithography steps is used to form.例文帳に追加

２回のリソグラフィ工程によるＳＡＤＰ法（Self Align Double Patterning）を用いて、第１配線パターン形成領域には解像限界未満のパターンを含む第１配線パターンを形成し、第２配線パターン形成領域には解像限界以上の通常パターンからなる第２配線パターンを簡便に形成する方法を提供する。 - 特許庁

For instance, in a semiconductor device formation region surrounded by dicing streets 22, the solder paste layers 12a printed corresponding to the columnar electrodes 10 nearest to the right and left dicing streets 22 are printed at positions shifted to the center side in the horizontal direction of the semiconductor device formation region.例文帳に追加

例えば、ダイシングストリート２２で囲まれた半導体装置形成領域内において、左右のダイシングストリート２２に最も近接する柱状電極１０に対応して印刷された半田ペースト層１２ａを当該半導体装置形成領域の左右方向における中心側にずれた位置に印刷する。 - 特許庁

In the semiconductor device thus configured, a sheet n-type burried diffusion layer 3 over the lower section of the entire semiconductor element formation region S connected to the drain leading electrodes 15A, 15B is embedded inside the semiconductor substrate in the entire lower section of the semiconductor element formation region S.例文帳に追加

こうした半導体装置において、半導体素子の形成領域Ｓ全体の下方における半導体基板の内部に、半導体素子の形成領域Ｓの下方全体にわたる面状のＮ型埋込拡散層３をドレイン引出電極１５Ａ，１５Ｂと接続された状態で埋込形成するようにした。 - 特許庁

After barriers 40a and 40b limiting color mixing of coloring ink are formed in a gap region 55 on a transparent substrate 21, the coloring ink is stuck on a pixel formation region 54 to reach the gap region 55 from the pixel formation region 54 beyond the barriers 40a and 40b, thereby colored parts 31A to 35A are formed.例文帳に追加

透明基板２１の間隙領域５５に、着色インクの混色を制限する隔壁４０ａ，４０ｂを形成した後、画素形成領域５４から隔壁４０ａ，４０ｂを越えて間隙領域５５に到達するように、画素形成領域５４に着色インクを付着させて着色部３１Ａ〜３５Ａを形成する。 - 特許庁

P^+ body contact regions 14 are intermittently formed in an extending direction of the channel formation region 12 within the channel formation region 12, and a connection with the n^+-source region 13 for a source electrode is performed between adjacent p^+ body contact regions 14 in an extending direction of the p^+ body contact regions 14.例文帳に追加

Ｐ^＋ボディコンタクト領域１４が、チャネル形成領域１２内においてチャネル形成領域１２の延設方向に断続的に延設され、ソース電極についてのＮ^＋ソース領域１３との接続を、Ｐ^＋ボディコンタクト領域１４の延設方向における隣り合うＰ^＋ボディコンタクト領域１４間において行っている。 - 特許庁

This microscope device comprises an image formation optical system, a lighting system which illuminates an object surface of the image formation optical system, an imaging element arranged in the image formation region of the image formation optical system, and a detector which detects light quantity in the image formation region and in a predetermined region other than the imaging element.例文帳に追加

顕微鏡装置は、結像光学系と、結像光学系の物体面を照明する照明装置と、結像光学系の結像領域内に配置される撮像素子と、結像領域内であって撮像素子以外の所定領域における光量を検出する検出装置とを備えている。 - 特許庁

The exposure mask 1 for transferring a pattern onto a wafer by exposure includes: a pattern formation region 15 where a pattern 16 having a size not smaller than a resolution limit after being transferred onto the wafer, and a sub-pattern formation region 18 where a sub-pattern 19 having a size less than the resolution limit after being transferred onto the wafer, on a substrate 11.例文帳に追加

露光によりウェーハ上にパターンを転写する露光用マスク１において、基板１１上に、ウェーハ上で解像限界以上となるサイズのパターン１６が形成されたパターン形成領域１５と、ウェーハ上で解像限界未満となるサイズのサブパターン１９が形成されたサブパターン形成領域１８とを設ける。 - 特許庁

An array substrate 1 has a structure having a drive circuit formation region 24 where the driver circuit of a signal line 9, an electrostatic shield member 19, etc., are formed, a flattening layer 23 formed on the drive circuit formation region 24, and the pixel electrode 15 and common electrode 18 forme don the flattening layer 23.例文帳に追加

アレイ基板１は、信号線９、静電遮蔽部材１９等の駆動回路が形成された駆動回路形成領域２４と、駆動回路形成領域２４上に形成された平坦化層２３と、平坦化層２３上に形成された画素電極１５および共通電極１８とを備えた構造を有する。 - 特許庁

The semiconductor device also includes: a silicon oxide film 107 which is formed within a trench 104 provided in the semiconductor substrate 100 and defines the FET formation region; a gate insulating film 110 which is formed on the FET formation region and the silicon oxide film 107; and a gate electrode 111 which is formed on the gate insulating film 110.例文帳に追加

半導体基板１００に設けられたトレンチ１０４内に形成され、ＦＥＴ形成領域を区画するシリコン酸化膜１０７と、ＦＥＴ形成領域及びシリコン酸化膜１０７の上に形成されたゲート絶縁膜１１０と、ゲート絶縁膜１１０の上に形成されたゲート電極１１１とを備えている。 - 特許庁

To allow a constant shape and dimension, or a constant line thickness, in each chip formation region within a wafer surface.例文帳に追加

ウエハ面内での各チップ形成領域における形状および寸法の均一化、即ち、線幅の均一化を図ることができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Preferably, the sum of the width on the straight line for connecting the connection sections 3a, 3b at the opening 4 is not less than 4L/7 in the opening formation region 100.例文帳に追加

またかつ、開口部４の接続部３ａ、３ｂ間を結ぶ直線上における幅の総計は、開口部形成領域１００内に４Ｌ／７以上であることが好ましい。 - 特許庁

The non-magnetic member 145 is made of a non-magnetic material which is provided in an area in the non-coil formation region which the heater 144 abuts on, and does not have a glass transition temperature.例文帳に追加

非磁性部材１４５は、コイル非形成領域中の、ヒータ１４４が隣接する箇所に設けられた、ガラス転移点を有しない非磁性材料からなるものである。 - 特許庁

A grid-shaped groove 16 is formed on the lower face of a fan casing 7 as a heat sink, and a circular ditch 15 surrounding the formation region of the grid-shaped groove 16 is formed.例文帳に追加

ヒートシンクとしてのファンケーシング７の下面に格子状溝１６を形成すると共に、この格子状溝１６の形成領域を取り巻く環状堀１５を形成する。 - 特許庁

Thereafter, a silicide protection mask 21 is formed in a portion which becomes a non-silicide region 24 in a formation region of an ESD protection element simultaneously with formation of gate sidewall films 20a, 20b.例文帳に追加

その後、ゲート側壁膜２０ａ，２０ｂの形成と同時に、ＥＳＤ保護素子の形成領域の非シリサイド領域２４となる部位に、シリサイド保護マスク２１を形成する。 - 特許庁

To optimize formation region of the dielectric convex portion for preventing a wrong discharge and discharge leakage, and prevent the break-off of the partition top portion that may accompany turning into high minuteness.例文帳に追加

誤放電や放電漏れ防止のための誘電体凸部の形成領域を最適化し、高精細化に伴い生じ得る隔壁頂部の欠損をも防止する。 - 特許庁

A female screw formation region D and a counter bore region E are formed on the inner face of a mounting hole 22 of the pulley mounting boss 21 supporting the idler pulley 61 of a belt driving system.例文帳に追加

ベルト駆動システムのアイドラプーリ６１を支持するプーリ取り付けボス２１の取付孔２２内面に雌ネジ形成領域Ｄとカウンタボア領域Ｅとを形成する。 - 特許庁

The liquid droplet discharging device includes a discharging head 30 having nozzles N1-N180 of the number more than the nozzles compared with the number of cells of the raw direction of the cord formation region S.例文帳に追加

そして、コード形成領域Ｓの行方向のセル数に比べて多いノズル数のノズルＮ１〜Ｎ１８０を備えた吐出ヘッド３０を液滴吐出装置に備えた。 - 特許庁

To provide a mask holding apparatus capable of holding a mask while securing planarity of a pattern formation region of the mask, an exposure apparatus, an exposure method, and a method of manufacturing a device.例文帳に追加

マスクのパターン形成領域の平面性を確保しつつ、マスクを保持することができるマスク保持装置、露光装置、露光方法、及びデバイスの製造方法を提供する。 - 特許庁

An opening part 14a with opening width 0.13 μm is formed in the gate formation region on the substrate protective film 13 and the first mask film 14.例文帳に追加

次に、基板保護膜１３及び第１のマスク膜１４上のゲート形成領域に該ゲート形成領域に開口幅が０．１３μｍの開口部１４ａを形成する。 - 特許庁

Then, when the MOS transistor formation region is subjected to sacrifice oxidation and a sacrificial oxide film 5 is formed (process (c)), the factor 3 for preventing oxidation is taken into the sacrificial oxide film 5.例文帳に追加

次に、ＭＯＳトランジスタ形成領域を犠牲酸化して犠牲酸化膜５を形成する（（ｃ）工程）と、酸化を阻害する要因３が犠牲酸化膜５中に取り込まれる。 - 特許庁

The epitaxial layers 7, 8 are divided into a plurality of element formation regions by separation regions 3, 4, 5, and an npn transistor 1 is formed at one element formation region.例文帳に追加

エピタキシャル層７、８は、分離領域３、４、５により複数の素子形成領域に区分され、素子形成領域の１つには、ＮＰＮトランジスタ１が形成されている。 - 特許庁

The impurity region has a region of large film thickness as compared with the channel formation region, and the conductive layer is connected with the impurity region in the region of large film thickness.例文帳に追加

不純物領域はチャネル形成領域と比較して膜厚が大きい領域を有し、且つ該膜厚が大きい領域で導電層が接続されている。 - 特許庁

A first conductor layer 5, a dielectrics layer 8, and a second conductor layer 10 are laminated on a circuit element formation region DA to form a solid capacity element.例文帳に追加

回路素子形成領域ＤＡ上に第１の導体層５、誘電体層８および第２の導体層１０とを積層して立体的に容量素子を形成する。 - 特許庁

An n-type offset layer 20 is formed at the site that serves as an electric current path provided by a trench gate electrode 16 between a channel formation region 10 and a drain region 13.例文帳に追加

ｎ型のオフセット層２０が、チャネル形成領域１０とドレイン領域１３との間のトレンチゲート電極１６による電流経路となる部位に形成されている。 - 特許庁

It is also possible to simplify a manufacturing process by forming a channel formation region simultaneously with a low concentration side isolation layer, and an island lower region simultaneously with a high concentration side isolation layer.例文帳に追加

チャネル形成領域を低濃度側分離層と、島下部領域を高濃度側分離層と同時に形成し、製造プロセスの簡単化を図ることもできる。 - 特許庁

Memory transistors M11, etc., comprise charge storage means which are, in a gate insulating film between a substrate surface and a gate electrode, discretized in the plane facing a channel formation region.例文帳に追加

メモリトランジスタＭ１１，…は、基板表面とゲート電極間のゲート絶縁膜内にチャネル形成領域と対向する面内で離散化されている電荷蓄積手段を有する。 - 特許庁

The guard ring 5 passes through a guard ring bypass region 1w of the opposite side to the edge part 1y with respect to the pad formation region 12 and is not formed in the edge region 1z.例文帳に追加

ガードリング５は、パッド形成領域１２に対して縁部１ｙとは反対側のガードリング迂回領域１ｗを通っており、縁領域１ｚには形成されていない。 - 特許庁

To contribute to improvement in device characteristics by making it possible to set a resist size difference between an element formation region and an element isolation region during ion injection to be a desired value or below.例文帳に追加

イオン注入時における素子形成領域と素子分離領域とのレジスト寸法差を所望の値以下とすることができ、デバイス特性の改善に寄与する。 - 特許庁

To effectively prevent the crack of an antireflective film from extending into a microlens formation region in a solid-state imaging device having a microlens array and the antireflective film.例文帳に追加

マイクロレンズアレイと反射防止膜とを備えた固体撮像装置において、反射防止膜におけるクラックがマイクロレンズ形成領域に進入することを効果的に防止する。 - 特許庁

A semiconductor is manufactured by using a template 1 formed with a pattern 11 for circuit pattern formation in a pattern formation region, and formed with a convex section 15 in a peripheral region.例文帳に追加

パターン形成領域に回路パターン形成用のパターン１１が形成され、周辺領域に凸部１５が形成されたテンプレート１を使用して半導体装置を製造する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of improving stress applied to a channel formation region while suppressing deterioration in short-channel characteristics with respect to a field-effect transistor.例文帳に追加

電界効果トランジスタにおいて、短チャネル特性の劣化を抑制しつつ、チャネル形成領域に与える応力を向上させることが可能な半導体装置を実現する。 - 特許庁

The memory transistor TR2 is provided on the memory transistor TR1, and a gate electrode 5b is formed on the B plane and a C plane of side faces of the element formation region 100.例文帳に追加

メモリトランジスタＴＲ２はメモリトランジスタＴＲ１の上部に設けられ、ゲート電極５ｂが素子形成領域１００の側面のＢ面及びＣ面に形成される。 - 特許庁

A polysilicon film 86 is removed by etching so that the polysilicon film 86 is left on the whole face of a source line formation region 88, and one part of a floating gate is patterned.例文帳に追加

ソース線形成領域８８全面にポリシリコン膜８６が残るように、ポリシリコン膜８６をエッチング除去し、フローティングゲートの一部分のパターンニングをしている。 - 特許庁