「"formation region"」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

Next, a boundary between the unnecessary part of the optical waveguide mother board and an optical wageguide formation region is cut with a dicing blade and the unnecessary part of the optical waveguide mother board is removed.例文帳に追加

ついで、ダイシングブレードで光導波路親基板の不要部分と光導波路形成領域との境界を切断し、光導波路親基板の不要部分を除去する。 - 特許庁

A bonding portion 8 for bonding a plurality of wiring layers 2 formed on a semiconductor substrate 3 to each other is provided nearby a dicing position on the side of a device formation region 10.例文帳に追加

ダイシング位置のデバイス形成領域１０側近傍において、半導体基板３上に形成された複数の配線層２同士を接合する接合部８を設ける。 - 特許庁

A plurality of connection terminals 34 are disposed in parallel each other on the back surface of the driving substrate 31, and a terminal formation region formed with the connection terminals 34 is covered with resist 35.例文帳に追加

駆動基板３１の裏面には、複数の接続端子３４が並設され、接続端子３４が形成された端子形成領域がレジスト３５で覆われている。 - 特許庁

At patterning the remaining part of the floating gate and the control gate, a recessed part prevented from being formed due to the excessive etching of the source line formation region 88 is eliminated.例文帳に追加

したがって、フローティングゲートの残りの部分及びコントロールゲートのパターンニングをする際、ソース線形成領域８８が過度にエッチングされ、凹部が形成されるということがなくなる。 - 特許庁

With the first opening 27 as an alignment mark, at least a third opening 102 corresponding to a second well formation region 4 is formed in the first film 18.例文帳に追加

第１開口２７を位置合わせマークに用いて、第１の膜１８に、第２のウェル形成領域４に対応した第３開口１０２を少なくとも形成する。 - 特許庁

A P^+-type impurity introduction region 24 is formed in the upper surface of a substrate 80 including a part adjacent to a channel formation region at lower parts of gate structures 10 and 14.例文帳に追加

Ｐ^+型不純物導入領域２４は、ゲート構造１０，１４の下方のチャネル形成領域に隣接する部分を含んで、基板８０の上面内に形成されている。 - 特許庁

The flexible printed circuit substrate 90 is connected to a pad formation region 12 of a first substrate 10 used for various kinds of electrooptical devices with an anisotropic conductive material 95.例文帳に追加

各種電気光学装置に用いる第１基板１０のパッド形成領域１２に異方性導電材９５によりフレキシブル配線基板９０を接続する。 - 特許庁

A gate electrode 104 has a pattern with an aperture above at least the region 120 out of the element formation region 10HV as viewed from the top.例文帳に追加

ゲート電極１０４は、平面視したときに、素子形成領域１０ＨＶのうち少なくとも第１不純物領域１２０の上方に開口を有するパターンを有している。 - 特許庁

On the waveguide formation region 10, the top plates 20 are bonded and fixed and the end surface of the plane optical waveguide chip 1 and end surfaces of the top plates 20 are polished in one body.例文帳に追加

導波路形成領域１０上に上板２０を接着固定し、平面光導波路チップ１の端面と上板２０の端面を一体的に研磨する。 - 特許庁

A recessed groove 54 extended vertically straightly and having depth shallower than that of the recessed part 53 is formed in the lateral part on each right and left side in a burner port formation region on the front face of the combustion plate 5.例文帳に追加

燃焼プレート５の前面の炎孔形成領域の左右各側の側部に、上下方向に真直にのびる、凹部５３より深さが浅い凹溝５４を形成する。 - 特許庁

Then, a tungsten layer is formed over the entire surface without implementing the reverse sputter etching, and a resist film is formed in the capacitance formation region, which is used to etch the tungsten layer.例文帳に追加

次に、逆スパッタエッチングを行わずに全面にタングステン層を形成し、容量形成領域にレジスト膜を形成し、これを用いてタングステン層のエッチングを行う。 - 特許庁

In a region of the sub-pixel region where the slits are positioned, an electrode non-formation region is provided where the second electrode is not formed opposite the first electrode.例文帳に追加

サブ画素領域におけるスリットが位置する領域には、第１の電極に対向して第２の電極が形成されない電極非形成領域が設けられている。 - 特許庁

The element isolation region 108 is formed so that the flattened surface of the element isolation regions other than both electrode formation region is lower than the semiconductor substrate 101.例文帳に追加

素子分離領域１０８は、両電極形成領域以外の素子分離領域の平坦化された表面が半導体基板１０１より低く形成されている。 - 特許庁

The semiconductor constitution body 6 is mounted only in a semiconductor device formation region where the first lower-layer wiring 2 is determined to be formed as expected.例文帳に追加

そして、この検査により、第１の下層配線２が所期の通り形成されていると判定された半導体装置形成領域のみに半導体構成体６を搭載する。 - 特許庁

In the piston 10 with such a constitution, preferably, the small groove 14 formed at the boot groove 12 may be formed over the whole periphery along the formation region of the booth groove 14.例文帳に追加

このような構成のピストン１０では、ブーツ溝１２に形成した小溝１４は、ブーツ溝１４の形成領域に沿って全周に亙って形成されることが望ましい。 - 特許庁

The transistor and the diode are formed on an insular formation region 26, which is separated by insulating with an insulating trench 25 on a semiconductor substrate 21.例文帳に追加

そして、トランジスタ１８及びダイオード２０を、半導体基板２１上において絶縁用トレンチ２５により絶縁分離された島状の形成領域２６に形成する。 - 特許庁

In an in-layer lens formation region 402 including the photoelectric conversion region 400 and the peripheral region, a plurality of in-layer lenses are formed at constant pitches.例文帳に追加

光電変換領域４００および上記周辺の領域を含む層内レンズ形成領域４０２に、一定のピッチで複数の層内レンズが形成されている。 - 特許庁

After that, a channel formation region, a source region, and a drain region can be formed with the use of the regions with different conductivities formed in the oxide semiconductor layer.例文帳に追加

その後、酸化物半導体層に形成された導電率が異なる領域を用いて、チャネル形成領域、ソース領域及びドレイン領域を形成することができる。 - 特許庁

A second MIS transistor formed in a high-voltage transistor formation region B includes a gate insulating film 5 and a second gate electrode composed of a polycrystalline silicon film 9.例文帳に追加

高電圧系トランジスタ形成領域Ｂに形成された第２のＭＩＳ型トランジスタは、ゲート絶縁膜５と、多結晶シリコン膜９からなる第２のゲート電極とを含む。 - 特許庁

A transistor used as the switching element includes, in a channel formation region, a semiconductor having bandgap wider than silicon and an intrinsic carrier density lower than silicon.例文帳に追加

そして、スイッチング素子として用いられるトランジスタは、シリコンよりもバンドギャップが広く、真性キャリア密度がシリコンよりも低い半導体を、チャネル形成領域に含んでいる。 - 特許庁

A channel formation region of the first transistor is formed using an oxide semiconductor, while that of the second transistor is formed using silicon.例文帳に追加

第１のトランジスタはチャネル形成領域が酸化物半導体により形成され、第２のトランジスタはチャネル形成領域がシリコンにより形成されたものを用いることができる。 - 特許庁

The transistor has a channel formation region including a semiconductor with a wider bang gap and lower intrinsic carrier density than silicon semiconductor and has extremely small off current.例文帳に追加

上記トランジスタは、チャネル形成領域に、シリコン半導体よりもバンドギャップが広く、真性キャリア密度がシリコンよりも低い半導体を含み、オフ電流の極めて小さい。 - 特許庁

A semiconductor device includes a transistor having a buffer layer provided between a source electrode layer and a drain electrode layer, and a semiconductor layer forming a channel formation region.例文帳に追加

チャネル形成領域を形成する半導体層とソース電極層及びドレイン電極層との間にバッファ層が設けられたトランジスタを有する半導体装置である。 - 特許庁

To perform stable image formation by providing a roll paper terminal detecting means, in a sheet carrying device having a carrying means for carrying roll-shaped sheets to an image formation region.例文帳に追加

画像形成領域にロール状シートを搬送する搬送手段を有するシート搬送装置において、ロール紙終端検知手段を設け安定した画像形成を行う。 - 特許庁

A holding member 19 is formed on a region outside the element formation region 12 in the protective layer 17, and the holding member 19 holds a bottom surface of a transparent member 21.例文帳に追加

保護層１７における素子形成領域１２の外側の領域の上には保持部材１９が形成され、透明部材２１は保持部材１９に下面を保持されている。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a semiconductor device and a polishing method wherein a device formation region on a semiconductor substrate in which region any transistor is formed prevents any scratch or any damage from occurring therein or thereon.例文帳に追加

半導体基板のトランジスタを形成する素子形成領域にスクラッチやダメージを発生させない半導体装置の製造方法及び研磨方法を提供する。 - 特許庁

In the ESD protection element 4, a frame-like p well block region 11 in which the p well 2 is not formed is provided between a transistor formation region 8 and a guard ring 12.例文帳に追加

ＥＳＤ保護素子４においては、トランジスタ形成領域８とガードリング１２との間に、Ｐウエル２を形成しない枠状のＰウエルブロック領域１１を設ける。 - 特許庁

A first thermal oxide film 109 is formed in a second bipolar transistor forming region A2 and a second MOSFET forming region B2 on a semiconductor substrate 100, and a second thermal oxide film 111 having film thickness different from that of the first thermal oxide film 109, in a first bipolar transistor formation region A1 and a first MOSFET formation region B1.例文帳に追加

半導体基板１００上の第２のバイポーラトランジスタ形成領域Ａ__2 と第２のＭＯＳＦＥＴ形成領域Ｂ_2 とに第１の熱酸化膜１０９を形成し、第１のバイポーラトランジスタ形成領域Ａ_1 と第１のＭＯＳＦＥＴ形成領域Ｂ_1 とに第１の熱酸化膜１０９とは膜厚の異なる第２の熱酸化膜１１１を形成する。 - 特許庁

In manufacture, an unwanted portion on the STI film in the second polycrystalline silicon film for formation of the floating gate electrode and the unwanted portion on the source formation region are removed separately by the first mask covering the whole surface of the stripe-form active region and the second mask covering the whole surface of the drain formation region in place of being removed in one process.例文帳に追加

製造時には、フローティングゲート電極形成用の第２の多結晶シリコン膜におけるＳＴＩ膜上の不要部分及びソース形成領域上の不要部分を一度の工程で除去する代わりに、ストライプ形状の活性領域の全面を覆う第１のマスクと、ドレイン形成領域の全面を覆う第２のマスクとにより別々に除去する。 - 特許庁

In carrying out a salicide process, at least in a part of an exposure region of a semiconductor substrate surface other than an element formation region, a salicide block used as a mask preventing a silicide layer from being formed on the semiconductor substrate surface in the exposure region of the semiconductor substrate surface other than the element formation region is formed on the semiconductor substrate surface.例文帳に追加

サリサイド工程を行うに際し、素子形成領域以外の半導体基板表面の露出領域の少なくとも一部に、素子形成領域以外の半導体基板表面の露出領域の半導体基板表面にシリサイド層が形成されることを防止するマスクとなるサリサイドブロックを半導体基板表面上に形成する。 - 特許庁

The VCSEL includes a p-side upper electrode 130 which is electrically connected to the contact layer 114 of the post P, and where an opening 132 is formed for regulating the emitting region of the laser beam; and a second upper electrode 140 which is formed on the pad formation region, and electrically connects the contact layer 114 of the pad formation region to the lower DBR 106.例文帳に追加

ポストＰのコンタクト層１１４に電気的に接続され、レーザ光の出射領域を規定する開口部１３２が形成されたｐ側の上部電極１３０と、パッド形成領域１１８上に形成され、パッド形成領域のコンタクト層１１４を下部ＤＢＲ１０６に電気的に接続するための第２の上部電極１４０とを有している。 - 特許庁

The present invention is a manufacturing method of a semiconductor device having a p-channel MISFET in a pMIS formation region 1A, and an n-channel MISFET in an nMIS formation region 1B, comprises: a process of forming an Al film 8a on an HfON film 5; and a process of forming a Ti-rich TiN film 7a on the Al film.例文帳に追加

本発明は、ｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴをｐＭＩＳ形成領域１Ａに有し、ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴをｎＭＩＳ形成領域１Ｂに有する半導体装置の製造方法であって、ＨｆＯＮ膜５上にＡｌ膜８ａを形成する工程と、Ａｌ膜上にＴｉリッチなＴｉＮ膜７ａを形成する工程と、を有する。 - 特許庁

A semiconductor device has: a semiconductor substrate; an element formation region having a semiconductor element formed on the semiconductor substrate; one or more embedded electrode plugs provided so as to penetrate through the semiconductor substrate; and a groove-type electrode embedded in a trench located in the semiconductor substrate between the element formation region and the embedded electrode plug.例文帳に追加

半導体基板と、半導体基板上に形成された半導体素子を有する素子形成領域と、半導体基板を貫通するように設けられた１以上の埋め込み電極プラグと、素子形成領域と埋め込み電極プラグの間の半導体基板内に位置するトレンチ内に埋め込まれた溝型電極と、を有する半導体装置。 - 特許庁

After a first thermal-oxidation film 10 is formed by a first thermal process on a first transistor formation region, where a first MOS transistor of high threshold voltage is formed and a second transistor formation region where a second MOS transistor of low threshold voltage is formed, a CVD oxide film 11 is laminated over it.例文帳に追加

高しきい値電圧の第１ＭＯＳトランジスタを形成するための第１トランジスタ形成領域１と、低しきい値電圧の第２ＭＯＳトランジスタを形成するための第２トランジスタ形成領域２との上に、第１回目の熱処理を行なって第１の熱酸化膜１０を形成した後、その上にＣＶＤ酸化膜１１を積層する。 - 特許庁

In the diffraction grating layer 30, a diffraction grating formation region 31, in which an uneven diffraction grating 33 is formed, and a diffraction grating non-formation region 32, in which the diffraction grating 33 is not formed, are formed by turns periodically in a range affected by an evanescent field of the stimulated emission light, which is subjected to wave guide in the active layer 40.例文帳に追加

そして、回折格子層３０において、活性層４０を導波される誘導放出光のエバネセント場の及ぶ範囲内に、凹凸の回折格子３３が形成された回折格子形成領域３１と、前記回折格子３３が形成されていない回折格子非形成領域３２とが、交互に周期的に形成されている。 - 特許庁

The first gate electrode and the second gate electrode have tapered portions at their ends, and the first semiconductor layer has a first channel formation region, a pair of first impurity regions, and a pair of second impurity regions, and then the second semiconductor layer has a second channel formation region and a pair of third impurity regions.例文帳に追加

前記第１のゲート電極及び前記第２のゲート電極は、それぞれ端部にテーパー部を有し、前記第１の半導体層は、第１のチャネル形成領域、一対の第１の不純物領域、及び一対の第２の不純物領域を有し、前記第２の半導体層は、第２のチャネル形成領域、及び一対の第３の不純物領域を有する。 - 特許庁

This semiconductor device includes: a semiconductor substrate 101 containing first conductivity type impurities and having an element formation region 170; gate electrodes 125 formed on the element formation region 170 by interposing gate insulation films 132; and source/drain regions 150 formed on both sides of the gate electrodes 125 and containing second conductivity type impurities.例文帳に追加

半導体装置は、第１導電型の不純物を含み、素子形成領域１７０を有する半導体基板１０１と、素子形成領域１７０上にゲート絶縁膜１３２を挟んで形成されたゲート電極１２５と、ゲート電極１２５の両側方に形成され、第２導電型の不純物を含むソース／ドレイン領域１５０とを備える。 - 特許庁

A ground layer is arranged in a wiring formation region A on a prepreg, a metal foil is arranged on the prepreg with the ground layer interposed so that the metal foil larger than the ground layer comes into contact with an outer peripheral part B of the wiring formation region A, and the prepreg is cured by heating and pressurization to bond the metal foil to a temporary substrate while obtaining the temporary substrate.例文帳に追加

プリプレグ上の配線形成領域Ａに下地層が配置され、下地層より大きな金属箔が配線形成領域Ａの外周部Ｂに接するように、下地層を介して金属箔をプリプレグ上に配置し、加熱・加圧によってプリプレグを硬化させることにより、仮基板を得ると同時に、仮基板に金属箔を接着する。 - 特許庁

To provide a method for easily arranging a dummy pattern relative to a conventional one, and preventing an interlayer insulation film from being thinned in a formation region of a semiconductor chip adjacent to a scribe region.例文帳に追加

従来よりも簡単にダミーパターンを配置し、スクライブ領域に隣接した半導体チップの形成領域において、層間絶縁膜が薄くなるのを抑制する方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device using an oxide semiconductor film for a channel formation region, which inhibits variation in electric characteristics due to a short channel effect, and achieves microfabrication and improved ON-state current.例文帳に追加

酸化物半導体膜をチャネル形成領域に用いたトランジスタにおいて、短チャネル効果による電気特性の変動を抑制し、微細化した半導体装置を提供する。 - 特許庁

A first well 210 is formed in the first element forming region 12 using a first mask pattern, and a second well 410 is formed in the second element formation region 13 using a second mask pattern.例文帳に追加

第１マスクパターンを用いて第１素子形成領域１２に第１ウェル２１０を形成し、第２マスクパターンを用いて第２素子形成領域１３に第２ウェル４１０を形成する。 - 特許庁

To provide a naked-eye view stereoscopic image display device which generates small loss of light projected from the image display device and provides no unnatural vision at an edge of an image formation region.例文帳に追加

画像表示装置から射出された光のロスが少なく、かつ画像形成領域の端部で不自然な見え方とならない裸眼視立体画像表示装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor device suppressed with the decline in the impurity density of a diffusion region due to various heat treatments near the interface between an element isolation region and an element formation region.例文帳に追加

素子分離領域と素子形成領域の界面近傍において、各種熱処理による拡散領域の不純物濃度の低下を抑制する半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a flash memory element capable of increasing a formation region of a floating gate, with no decrease of gap fill margin of an element separation film within a limited area.例文帳に追加

限られた面積の下で素子分離膜のギャップフィルマージン減少なしにフローティングゲートの形成領域を増加させることが可能なフラッシュメモリ素子の製造方法を提供す。 - 特許庁

To provide substrate treating apparatus capable of surely removing contaminant from the peripheral region of the surface of a substrate, without affecting a device formation region on the surface of the substrate.例文帳に追加

基板の表面のデバイス形成領域に影響を与えることなく、基板の表面の周縁領域から汚染を確実に除去することができる基板処理装置を提供すること。 - 特許庁