「"formation region"」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索

In a gate electrode formation region of a substrate 121 having a sheathed nano-wire 103 disposed thereon, an upper gate electrode 124 overlying with a lower gate electrode 122 is formed across the sheathed nano-wire 103.例文帳に追加

被覆ナノワイア１０３を配置した基板１２１のゲート電極形成領域の上に、被覆ナノワイア１０３に交差して下部ゲート電極１２２に重なる上部ゲート電極１２４を形成する。 - 特許庁

Therefore a passage, in which heat is dissipated through the element isolation region 6 and the embedded conductor 9 by the semiconductor device formed in the element formation region 5a from the backside, is formed.例文帳に追加

これにより、素子形成領域５ａに形成した半導体素子が発生する熱を素子分離領域６を介して埋め込み導体９により裏面側に放熱させる経路を形成する。 - 特許庁

To provide a substrate treating apparatus and substrate treating method, which excellently removes contaminants from a circumferential edge portion of a substrate without affecting a device formation region on a surface of the substrate.例文帳に追加

基板の表面のデバイス形成領域に影響を与えることなく、基板の周縁部から汚染物質を良好に除去することができる基板処理装置および基板処理方法を提供すること。 - 特許庁

An active layer (island-like semiconductor film) is arranged so that at least a channel formation region is accommodated inside one single crystal particle, for improved electric characteristics of a TFT.例文帳に追加

そして、一つの結晶粒の内部に少なくともチャネル形成領域が収まるように活性層（島状半導体膜）の配置を設計することで、ＴＦＴの電気特性を向上させることが可能となる。 - 特許庁

A memory cell 80 has a 3T1J type three-dimensional structure in which memory transistors TR1 to TR3 and a TMR element TMR1 are provided in an element formation region 100 in a square-pole shape.例文帳に追加

メモリセル８０は、四角柱形状の素子形成領域１００にメモリトランジスタＴＲ１乃至３とＴＭＲ素子ＴＭＲ１が設けられた３Ｔ１Ｊ型の３次元構造のメモリセルである。 - 特許庁

The oxide semiconductor layer has a characteristic structure that upper and lower layers in its channel formation region are silicon oxide/nitride films of at least 3 atom% and not more than 30 atom% in nitrogen content.例文帳に追加

また、酸化物半導体層のチャネル形成領域の上層及び下層が、窒素含有量が３原子％以上３０原子％以下の酸化窒化珪素膜であることを特徴的な構造とする。 - 特許庁

By an ion implantation method using the patterned resist film FR2 as a mask, argon (Ar^+)is introduced to the polysilicon film PF1 in an exposed n-channel type MISFET formation region NTR.例文帳に追加

その後、パターニングしたレジスト膜ＦＲ２をマスクにしたイオン注入法により、露出しているｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴ形成領域ＮＴＲのポリシリコン膜ＰＦ１にアルゴン（Ａｒ^＋）を導入する。 - 特許庁

In manufacture of a display device by applying transistors in which an oxide semiconductor layer is used for a channel formation region, a gate electrode is further provided over at least a transistor which is applied to a driver circuit.例文帳に追加

酸化物半導体層をチャネル形成領域とするトランジスタを適用して表示装置を作製するに際し、少なくとも駆動回路に適用するトランジスタの上に更なるゲート電極を配する。 - 特許庁

A pixel 10P is composed so that the area of a light emitting region of an organic EL element E1 is smaller than the area of a formation region of a black resin layer 12 excluding the light emitting region.例文帳に追加

画素１０Ｐでは、有機ＥＬ素子Ｅ１の発光領域の面積が、その発光領域を除いた黒色樹脂層１２の形成領域の面積よりも小さくなるように構成されている。 - 特許庁

A semiconductor device comprises a data holding part connected to a thin film transistor having an oxide semiconductor layer in a channel formation region, for holding data relevant to a conduction state even when a power source voltage is disconnected.例文帳に追加

電源電圧が停止しても導通状態に関するデータの保持を、チャネル形成領域に酸化物半導体層を有する薄膜トランジスタに接続されたデータ保持部で行う構成とする。 - 特許庁

A first conducting layer 205 is formed on the whole surface of a semiconductor substrate 201, the layer 205 is made to remain on an alignment mark formation region and storage electrodes 205 are formed on a memory cell region.例文帳に追加

半導体基板２０１の全面に第１の導電層２０５を形成し、位置合わせマーク形成領域に第１の導電層２０５を残存させ、メモリセル領域に蓄積電極２０５を形成する。 - 特許庁

A dam beam 5 is disposed having a slight clearance with the surface 2a of a sensor chip 2, and a sealing part 7 is formed by sealing an electrode 2b formation region 2c side by a sealing resin 7a from the dam beam 5.例文帳に追加

センサーチップ２の表面２ａと僅少な隙間を有してダム梁５を配置し、ダム梁５から電極２ｂ形成領域２ｃ側を封止樹脂７ａで封止し封止部７を形成する。 - 特許庁

Further, ink 13 is dripped in the pattern formation region 9 from an ink jet head 12 to form a pattern 14 comprising the ink 13 and the aggregate (wetting spread suppression part 11) of the metal particulates 10 (c).例文帳に追加

次いで、インクジェットヘッド１２からパターン形成領域９内にインク１３を滴下させ、インク１３及び金属微粒子１０の集合体（濡れ拡がり抑制部１１）からなるパターン１４を形成する（ｃ）。 - 特許庁

Because the lead frame 1 is formed such that only the shape pattern formation region 2 is made thin without making the entire part flexible, a semiconductor element can be mounted without hindrance by using a conventional manufacturing apparatus.例文帳に追加

このリードフレーム１は、全体を撓み易くせずに、形状パターン形成領域２だけを薄くしているので、従来の製造装置によって、半導体素子を支障なく組み付けることが可能である。 - 特許庁

A thin-film transistor 300 is formed in a dual gate structure in which a first gate electrode 311 and a second electrode 332 face each other through a channel formation region 321c of a semiconductor layer 321.例文帳に追加

第１ゲート電極３１１と第２ゲート電極３３２とが、半導体層３２１のチャネル形成領域３２１ｃを介して対面しているデュアルゲート構造にて、薄膜トランジスタ３００を形成する。 - 特許庁

In an element formation region 9 surrounded by the deep trench 6, a P type drain buffer region 10, a drain contact region 11 and a drift region 12 are formed in the top layer of the epitaxial layer 5.例文帳に追加

ディープトレンチ６に取り囲まれる素子形成領域９には、エピタキシャル層５の表層部に、Ｐ型のドレインバッファ領域１０、ドレインコンタクト領域１１およびドリフト領域１２が形成されている。 - 特許庁

Then, the support is etched in the state of the upper part of the support in the SOI formation region being covered with a resist pattern to form an opening surface in the support for exposing part of the end of the SiGe layer 3.例文帳に追加

そして、ＳＯＩ形成領域の支持体上をレジストパターンで覆った状態で支持体をエッチングすることにより、支持体にＳｉＧｅ層３の端部の一部を露出させる開口面を形成する。 - 特許庁

The method for manufacturing the printed matter includes: a step in which a printing layer 109 is provided at a base material 107 using a predetermined pattern; and a step in which an opening 111 penetrating through the base material and the printed matter is provided in an opening formation region.例文帳に追加

基材１０７に所定パターンで印刷層１０９を設ける工程と、基材及び印刷層を貫通する開口部１１１を開口部形成領域に設ける工程とを含む。 - 特許庁

To provide an apparatus and a method for the development of a substrate wherein it is possible to prevent very fine deposits from remaining on the substrate after a processing operation, especially on an open frame for the substrate or on a pattern formation region.例文帳に追加

現像処理後の基板、特に基板のオープンフレームやパターン形成領域に微小な付着物が残留するのを防止できる基板現像装置および基板現像方法を提供する。 - 特許庁

This method also includes a step in which a buffer layer 108 to alleviate the impact applied to the printing layer when the opening is formed is locally provided in the periphery of the opening formation region in contact with the printing layer.例文帳に追加

開口部を設ける際に印刷層に加わる衝撃を緩和する緩衝層１０８を、開口部形成領域の周囲に印刷層に接して局所的に設ける工程を有する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device for obtaining a circuit and element formation region of high quality having a flat separated surface from an Si substrate, and to provide the semiconductor device and a semiconductor composite device.例文帳に追加

Ｓｉ基板から平坦な剥離面を備えた高品質の回路・素子形成領域を得るための半導体装置の製造方法、半導体装置、及び、半導体複合装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that can prevent delay and nonuniform operation during switching, and stress generated in a trench formation region is relaxed as much as possible, and to provide a method of manufacturing the semiconductor device.例文帳に追加

スイッチング時の遅延および不均一動作を防止することができるとともに、トレンチ形成領域に生じる応力が可及的に緩和された半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

In a holding circuit of the semiconductor device, a transistor that includes a semiconductor layer (at least a channel formation region) including an oxide semiconductor material with which sufficiently small off-state current can be achieved is used.例文帳に追加

半導体装置の保持回路に、オフ電流を十分に小さくすることができる酸化物半導体材料を用いて半導体層（少なくともチャネル形成領域）を形成したトランジスタを用いる。 - 特許庁

At this time, a plate of the solder plate formation region 8 and the solder solid phase material layer 6 on the surface of the conductive via hole 5 are solid-phase bonded to become rigid, thus securing the connection reliability at the bonded section.例文帳に追加

このとき、はんだめっき形成領域８のめっきと導電ビア５表面のはんだ固相材料層６が固相結合し、強固なものとなって、結合部での接続信頼性が確保される。 - 特許庁

In a second discharge process, the droplets are discharged with the same pitch as the first process to a location different from the discharge location of the first discharge process of the whole wiring formation region.例文帳に追加

第２吐出工程では、前記液滴を前記配線形成領域全体の前記第１吐出工程における吐出位置と異なる位置に前記第１吐出工程と同じピッチで吐出する。 - 特許庁

Screen printing is carried out using the particulate dispersed solution to form a wetting spread suppression part 11 comprising the aggregate of many metal particulates 10 in the pattern formation region 9 (b).例文帳に追加

次いで、前記微粒子分散溶液を使用してスクリーン印刷し、これにより多数の金属微粒子１０の集合体からなる濡れ拡がり抑制部１１をパターン形成領域９に形成する（ｂ）。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for electronic equipment having an electrode substrate to which an FPC can excellently be connected by reducing a formation region for external connection terminals and which has electrodes on both surfaces.例文帳に追加

外部接続端子の形成領域を縮小し、ＦＰＣを良好に接続することができる両面に電極を有する電極基板を備えた電子機器の製造方法を提供すること。 - 特許庁

A SOI substrate 2 where a semiconductor layer 5 is formed through a silicon oxide film 4 on a silicon substrate 3, is divided into a semiconductor layer 5 and an element formation region 5a by an element isolation region 6.例文帳に追加

シリコン基板３上にシリコン酸化膜４を介して半導体層５を形成したＳＯＩ基板２を、素子分離領域６により半導体層５を分離して素子形成領域５ａとする。 - 特許庁

The second electrode layer 32 is formed on a region R2 different from a formation region R1 of the first electrode layer 31 in a surface of the dielectric layer 2, separated from the first electrode layer 31.例文帳に追加

第２電極層３２は、誘電体層２の表面の内、第１電極層３１の形成領域Ｒ１とは異なる領域Ｒ２上に、該第１電極層３１から離間させて形成されている。 - 特許庁

In the semiconductor device, a silicon oxide film 42 for dielectric films in the capacitor 3 is formed on a p-type diffusion layer 41 for the lower electrode of the capacitor at the formation region of the capacitor 3.例文帳に追加

本発明の半導体装置では、キャパシタ３の形成領域において、キャパシタの下部電極用のＰ型の拡散層４１上には、キャパシタ３の誘電膜用のシリコン酸化膜４２が形成されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which impurities for obtaining one conductivity can be prevented from going through a gate electrode constituted of a semiconductor, and from spreading to a channel formation region.例文帳に追加

半導体で構成されたゲート電極中から、一導電型を付与する不純物がゲート電極を突き抜け、チャネル形成領域に拡散してしまうことを防ぐ半導体装置を提供する。 - 特許庁

Ions are implanted with a dammy gate electrode formed right on a channel formation region of a semiconductor substrate 1 as a mask to form a source and drain region 5 self-alignedly against the dummy gate electrode.例文帳に追加

半導体基板１のチャネル形成領域直上に形成したダミーゲート電極４ａをマスクにイオン注入し、ダミーゲート電極に対して自己整合的にソース・ドレイン領域５を形成する。 - 特許庁

A base layer 4 is selectively formed on a substrate 1, and an AlGaAs emitter layer 5 with an opening part in a base electrode formation region is selectively formed on the base layer 4.例文帳に追加

基板１の上にはベース層４が選択的に形成されており、このベース層４の上にベース電極形成領域に開口部を有するＡｌＧａＡｓエミッタ層５が選択的に形成されている。 - 特許庁

The photo diode formation region PD includes a first portion having a plurality of extended parts EX, and a second portion disposed outside thereof in a plan view to the surface of the plurality of the receiving elements.例文帳に追加

フォトダイオード形成領域ＰＤは、複数の受光素子の表面に対して平面視したときに、複数の延出部ＥＸを有する第１の部分と、その外側に配置された第２部分とを含む。 - 特許庁

The manufacturing cost can be suppressed by forming the island semiconductor film which is to be the channel formation region and the semiconductor film which is to be the source region or the drain region without using a doping device.例文帳に追加

チャネル形成領域となる島状半導体膜とソース領域又はドレイン領域となる半導体膜をドーピング装置を用いないで形成することにより、製造コストを抑制することができる。 - 特許庁

A first MIS transistor formed in a low-voltage transistor formation region A includes a gate insulating film 5, and a first gate electrode composed of a metal film 6 and a polycrystalline silicon film 9.例文帳に追加

低電圧系トランジスタ形成領域Ａに形成された第１のＭＩＳ型トランジスタは、ゲート絶縁膜５と、金属膜６及び多結晶シリコン膜９からなる第１のゲート電極とを含む。 - 特許庁

The electrode formation region Ra includes a first region R1 and a second region R2 which has a greater exposed area of the solar cell substrate 20 per unit area than that of the first region R1.例文帳に追加

電極形成領域Ｒａは、第１領域Ｒ１と、第１領域Ｒ１よりも単位面積当たりにおける太陽電池基板２０の露出面積が大きい第２領域Ｒ２とを含む。 - 特許庁

To provide an image forming device or the like capable of adjusting an image by suppressing the influence of an optical memory on a detection pattern formed in a non-image-formation region during image forming operation.例文帳に追加

画像形成動作中における非画像形成領域に形成される検知用パターンに、光メモリーが与える影響を抑制して画像調整可能な画像形成装置等を提供すること。 - 特許庁

To provide a printed wiring board which can secure the adhesion strength between a heat radiation pattern and an insulation substrate even if via holes to be connected to the heat radiation pattern are formed in a high concentration in a heat radiation pattern formation region.例文帳に追加

放熱パターンに接続されるビアホールを、放熱パターン形成領域内に密に形成する場合においても、放熱パターンと絶縁基板との密着強度を確保できるプリント配線板の提供。 - 特許庁

At an element formation region 9 surrounded by the deep trench 6, a P-type body region 10 and an N^--type drift region 11 made of a residual region other than the body region 10 are formed.例文帳に追加

ディープトレンチ６に取り囲まれる素子形成領域９には、Ｐ型のボディ領域１０と、このボディ領域１０以外の残余の領域からなるＮ^−型のドリフト領域１１とが形成されている。 - 特許庁

In this semiconductor device formed on a semiconductor substrate, and including an element formation region, and a dicing line region arranged to surround the element formation region, first and second superposition inspection marks 15 formed with different shots are formed in the dicing line region, and the first and second superposition inspection marks 15 include auxiliary marks 18 for discriminating the first and second superposition inspection marks from each other.例文帳に追加

半導体基板上に形成され、素子形成領域と、この素子形成領域を囲むように配置されたダイシングライン領域とを備える半導体装置であって、ダイシングライン領域では、異なるショットで形成された第１および第２の重ね合わせ検査マーク１５が形成され、第１および第２の重ね合わせ検査マーク１５は、第１および第２の重ね合わせ検査マークを識別するための補助マーク１８を含む。 - 特許庁

The circuit board in which a plurality of wiring patterns 13 are arranged on one main surface of an insulating substrate 11 and the one main surface includes an electrode formation region 10 which turns to an electronic component installation electrode by arranging conductive adhesive agent, is characterized by including a flow prevention projection 12 of the conductive adhesive agent arranged at a part of ambients at least of an electrode formation region 10.例文帳に追加

絶縁性基板１１の一方の主面に複数の配線パターン１３が配置された回路基板であって、上記一方の主面が、導電性接着剤が配置されることにより電子部品設置用電極となる電極形成領域１０を含み、電極形成領域１０の周囲の少なくとも一部に配置された前記導電性接着剤の流れ防止突起１２を含むことを特徴とする。 - 特許庁

In the display device having a reverse stagger thin-film transistor of channel stop type, the reverse stagger thin-film transistor of the channel stop type has a microcrystalline semiconductor film including a channel formation region, and the channel formation region of the microcrystalline semiconductor film has an impurity region containing an impurity element for selectively providing a conductivity type for a region not overlapping a source electrode and a drain electrode.例文帳に追加

チャネルストップ型の逆スタガ型薄膜トランジスタを有する表示装置において、該チャネルストップ型の逆スタガ型薄膜トランジスタは、チャネル形成領域を含む微結晶半導体膜を有し、該微結晶半導体膜のチャネル形成領域には、ソース電極及びドレイン電極と重ならない領域に選択的に一導電型を付与する不純物元素を含む不純物領域が設けられている。 - 特許庁

A stress relaxation layer material B flowing out of the second bonding pad arrangement region is allowed to stay in the recessed groove 12, thus preventing the stress relaxation layer material B from entering the first bonding pad formation region.例文帳に追加

凹溝１２内に第２ボンディングパッド配列領域より流出した応力緩和層材料Ｂを溜めることができ、第１ボンディングパッド形成領域への応力緩和層材料Ｂの侵入を防止することができる。 - 特許庁

A channel formation region 12 in stripe structure of which a planar shape is band-like, an n^+-source region 13, an n^+-drain region 20, and a gate electrode, are formed on a top layer of n well layers on a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板でのＮウェル層の表層部に、平面形状が帯状をなすストライプ構造のチャネル形成領域１２、Ｎ^＋ソース領域１３、Ｎ^＋ドレイン領域２０、ゲート電極が形成されている。 - 特許庁