「"formation region"」に関連した英語例文の一覧と使い方(18ページ目) - Weblio英語例文検索

To prevent a generation of a bird's beak on a surface of an element formation region due to a thick element isolation film formed in an element isolation region, to prevent an occurrence of a crystal defect in a semiconductor layer near an end of the element isolation film, and to reduce a stress received by the semiconductor layer, in a semiconductor device having a plurality of element formation regions and a method of manufacturing the same.例文帳に追加

複数の素子分離領域で分離された複数の素子形成領域を有する半導体装置及びその製造方法において、素子分離領域に形成される膜厚の厚い素子分離膜による素子形成領域の表面のバーズビークの発生を防ぐこと、並びに素子分離膜の端部近傍の半導体層に結晶欠陥が発生することを防止し、且つ該半導体層が受けるストレスの低減を図る。 - 特許庁

An inlay lens 109 having a convex lens shape only downward is formed without increasing a distance between an on-chip micro lens 112 and a silicon substrate as a lens formation region, by realizing high refractive index in a metallic ion implantation region alone in a first flattening layer 108 by injecting metallic ion into the first flattening layer 108 of an existing interlaminar film without using an inlay lens material.例文帳に追加

層内レンズ材料を用いずに、既存層間膜の第１平坦化層１０８中に金属イオンを注入することによって、第１平坦化層１０８中の金属イオン注入領域のみ高屈折率化してレンズ形成領域として、オンチップマイクロレンズ１１２とシリコン基板間の距離を増加させることなく、下にのみ凸形状のレンズ形状を持つ層内レンズ１０９を形成する。 - 特許庁

The field emission element comprises a mesh grid 400 provided with multiple electron control holes that release electrons corresponding to a phosphor layer 230 of an anode plate 200, and insulating layers 401 and 402 that comprise windows 401a and 402a which are formed on both sides of the mesh grid 400 and where a plurality of electron control holes 400a are exposed corresponding to the formation region of the electron control hole 400a.例文帳に追加

電界放出素子は、アノードプレート２００の蛍光体層２３０に対応して電子を放出する多数の電子放出形成されているメッシュグリッド４００と、メッシュグリッド４００の両側面に形成されるものであって電子制御ホール４００ａ形成領域に対応して複数の電子制御ホール４００ａが露出されるウィンドー４０１ａ、４０２ａを有する絶縁層４０１，４０２とを備える。 - 特許庁

In the semiconductor device including a first silicon nitride film, having a thickness of 200 to 500 nm formed on a glass substrate; a second silicon nitride film formed on the first silicon nitride film; and an amorphous semiconductor film which is formed on the second silicon nitride film and includes a region which serves as a channel formation region, the configuration includes boron at the interface between the first insulating film and the second insulating film.例文帳に追加

上記目的を解決するため、ガラス基板上に２００ｎｍ〜５００ｎｍの膜厚の第１の窒化珪素膜と、前記第１の窒化珪素膜上に第２の窒化珪素膜と、前記第２の窒化珪素膜上にチャネル形成領域となる領域を含む非晶質半導体膜と、を有する構成において、前記第１の絶縁膜と前記第２の絶縁膜との界面において、ボロンを有する。 - 特許庁

The photoelectric conversion device (photoelectric conversion element 100) includes a photoelectric conversion layer 3 including an n-type semiconductor and a p-type semiconductor, and the photoelectric conversion layer 3 forms an optical electric field within the layer and includes an electric field formation region 4 including a part smaller than the wavelength of incident light, thus improving photoelectric conversion characteristics in the photoelectric conversion layer 3.例文帳に追加

本発明は、光電変換デバイス（光電変換素子１００）又は太陽電池等に関し、ｎ型半導体及びｐ型半導体を含む光電変換層３を備えるようにすると共に、この光電変換層３が、層内に光電場を形成すると共に入射光の波長よりも小さい部分を含む電場形成領域４を有するようにし、光電変換層３における光電変換特定の改善を図るようにしたことに特徴がある。 - 特許庁

The semiconductor device includes a first transistor which includes a first channel formation region including a first semiconductor material, and a first gate electrode; and a second transistor which includes one of a second source electrode and a second drain electrode combined with the first gate electrode, and a second channel forming region, including a second semiconductor material and electrically connected to the second source electrode and the second drain electrode.例文帳に追加

第１の半導体材料が用いられた第１のチャネル形成領域と、第１のゲート電極と、を含む第１のトランジスタと、第１のゲート電極と一体に設けられた第２のソース電極および第２のドレイン電極の一方と、第２の半導体材料が用いられ、第２のソース電極および第２のドレイン電極と電気的に接続された第２のチャネル形成領域と、を含む第２のトランジスタと、を備えた半導体装置である。 - 特許庁

The color filter includes a substrate, a black matrix formed on the substrate and including an opening, a color layer formed in the opening, a spacer formed on the black matrix by a photolithographic method, and a barrier layer formed on at least a spacer non-formation region surface on the substrate where the spacer is not formed.例文帳に追加

本発明は、基板と、上記基板上に形成され、開口部を備えるブラックマトリクスと、上記開口部に形成された着色層と、上記ブラックマトリクス上に、フォトリソグラフィー法により形成されたスペーサと、少なくとも上記基板上の上記スペーサが形成されていない領域の表面であるスペーサ非形成領域表面に形成されたバリア層と、を有することを特徴とするカラーフィルタを提供することにより、上記目的を達成するものである。 - 特許庁

When a metal wiring layer connected with a gate layer is formed above the gate layer in order to transmit an electric signal to the gate layer of a MOS transistor formed in a functional circuit region adjacent to the cell formation region of an SRAM memory cell, the metal wiring layer is arranged in a layer different from a wordline layer formed above the gate layer at a metal damascene process using a second metal damascene process.例文帳に追加

ＳＲＡＭメモリセルのセル形成領域に隣接した機能回路領域に形成されるＭＯＳトランジスタのゲート層に電気的信号を伝達するために前記ゲート層と接続される金属配線層を前記ゲート層の上方に形成する場合に、前記ゲート層の上方に金属ダマシン工程で形成されるワードライン層とは互いに異なる層で第２の金属ダマシン工程を用いて前記金属配線層を配置する。 - 特許庁