「"formation region"」に関連した英語例文の一覧と使い方 - Weblio英語例文検索

A circuit board 20 includes a ground electrode formation region GA and a ground electrode non-formation region NGA.例文帳に追加

回路基板２０はグランド電極形成領域ＧＡとグランド電極非形成領域ＮＧＡを備えている。 - 特許庁

The first nozzle formation region and the second nozzle formation region are arranged along a first axis in parallel to the injection surface.例文帳に追加

第１ノズル形成領域と第２ノズル形成領域とは、噴射面と平行な第１軸に沿って配置される。 - 特許庁

An interval between the element formation region 4 and an element formation region 8 adjacent to the element formation region 4 (in the gate width direction) is also set to the predetermined interval (distance 2×LA).例文帳に追加

また、この素子形成領域４と、この素子形成領域４に隣り合う素子形成領域８との間隔（ゲート幅方向）も一定の間隔（距離２×ＬＡ）に設定されている。 - 特許庁

After the gate electrode is formed in the low withstand voltage MISFET formation region and the high withstand voltage MISFET formation region, the gate electrode is formed in a memory cell formation region.例文帳に追加

そして、低耐圧ＭＩＳＦＥＴ形成領域および高耐圧ＭＩＳＦＥＴ形成領域にゲート電極を形成した後、メモリセル形成領域にゲート電極を形成する。 - 特許庁

FIELD PLATE RESISTOR HAVING ROUTE FORMATION REGION INCREASED ABOVE例文帳に追加

上に増加したルート形成領域を有するフィールドプレート抵抗 - 特許庁

An interval between an element formation region 4 in an NMOS region and another element formation region 4 adjacent to the element formation region 4 (in a gate width direction) is set to a predetermined interval (distance 2×LA).例文帳に追加

ＮＭＯＳ領域の素子形成領域４と、この素子形成領域４に隣り合う他の素子形成領域４との間隔（ゲート幅方向）が一定の間隔（距離２×ＬＡ）に設定されている。 - 特許庁

A semiconductor device has an active region 10 including a core circuit formation region 1 and a buffer formation region 2, and a fuse element formation region which is arranged at a corner part of the active region and can electrically be blown.例文帳に追加

半導体装置は、コア回路形成領域およびバッファ形成領域を含む活性領域と、活性領域の角部に配置された電気的に溶断可能なヒューズ素子形成領域とを有する。 - 特許庁

The microlens array 22 includes the microlens formation region 25 corresponding to the effective pixel region of an imaging element and a dummy microlens formation region 26 disposed at the periphery of the microlens formation region 25.例文帳に追加

マイクロレンズアレイ２２は、撮像素子の有効画素領域に対応するマイクロレンズ形成領域２５と、マイクロレンズ形成領域２５の周囲に配置されるダミーマイクロレンズ形成領域２６とを含んでいる。 - 特許庁

The protective film 38 covers the side of the circuit formation region A1.例文帳に追加

保護膜３８は、回路形成領域Ａ１の側面を覆っている。 - 特許庁

A rectangular element formation region is formed in a silicon layer 3.例文帳に追加

シリコン層３に、矩形状の素子形成領域が形成されている。 - 特許庁

Then, after forming a source/drain region 9 in the logic formation region, the TEOS oxide film 5b of the logic formation region is removed.例文帳に追加

次に、ロジック形成領域にソース・ドレイン領域９を形成した後、ロジック形成領域のＴＥＯＳ酸化膜５ｂを除去する。 - 特許庁

According to the semiconductor device, a first insulating film 2 is formed in a memory cell formation region 6 and a peripheral circuit formation region 7 of a semiconductor layer 1.例文帳に追加

半導体層１のメモリーセル形成領域６および周辺回路形成領域７上に第１の絶縁膜２を設ける。 - 特許庁

The silicon semiconductor substrate (1) has a protective element formation region (7).例文帳に追加

シリコン半導体基板（１）は保護素子形成領域（７）を有する。 - 特許庁

The sub-pattern formation region 18 is formed like a frame to surround the pattern formation region 15, and the sub-pattern 19 is separated from the pattern formation region 15 by a distance having no optical proximity effect on the pattern 16.例文帳に追加

サブパターン形成領域１８はパターン形成領域１５を囲むように枠状に設け、サブパターン１９がパターン１６に光近接効果を及ぼさない距離だけパターン形成領域１５から離隔させる。 - 特許庁

A sealing ring 7 is formed outside the memory cell formation region 2.例文帳に追加

メモリセル形成領域２の外側には、シールリング７が形成されている。 - 特許庁

An insulating film 33 is formed in a termination formation region 5, and a mask material 47 is formed over the insulating film 33 and a cell formation region 3.例文帳に追加

終端部形成領域５に絶縁膜３３を形成し、絶縁膜３３及びセル形成領域３を覆うマスク材４７を形成する。 - 特許庁

Then, the N-MOS region of the low-breakdown voltage transistor formation region and the P-MOS region of the high-breakdown voltage transistor formation region are respectively covered with resist masks 11, and the phosphorus ions are implanted rotatingly.例文帳に追加

次に、低耐圧のＮＭＯＳ領域と高耐圧のＰＭＯＳ領域をレジストマスク１１で覆い、リンを回転注入する。 - 特許庁

A channel formation region of the transistor includes an oxide semiconductor.例文帳に追加

トランジスタは、そのチャネル形成領域に酸化物半導体を含んでいる。 - 特許庁

A gate electrode 140 is formed in an element formation region 104.例文帳に追加

ゲート電極１４０は素子形成領域１０４に形成されている。 - 特許庁

The peripheral buried part is provided at the outer side of at least one of a formation region of the active layer and a formation region of the first electrode.例文帳に追加

周縁埋設部は、活性層の形成領域または第一電極の形成領域の少なくとも一方の外側に設けられている。 - 特許庁

Then, a bit line diffusion layer 9 is formed in the bit line formation region.例文帳に追加

次に、ビット線形成領域にビット線拡散層９を形成する。 - 特許庁

An npn transistor 1 is formed at one element formation region.例文帳に追加

素子形成領域の１つには、ＮＰＮトランジスタ１が形成されている。 - 特許庁

The pixel formation region 4 includes the photodiode 2 and an amplifier transistor 8; and the peripheral circuit formation region 20 includes an N-type channel transistor 26.例文帳に追加

画素形成領域４は、フォトダイオード２およびアンプトランジスタ８を含み、周辺回路形成領域２０はＮ型チャネルトランジスタ２６を含む。 - 特許庁

Gate electrodes 103A and 103B are formed on an internal transistor formation region RA and on an input/output transistor formation region RB.例文帳に追加

内部トランジスタ形成領域Ｒ_A の上及び入出力トランジスタ形成領域Ｒ_B の上にゲート電極１０３Ａ及び１０３Ｂを形成する。 - 特許庁

A resist mask is formed over the isolation structure part formation region alone.例文帳に追加

素子分離構造部形成領域のみを覆うレジストマスクを形成する。 - 特許庁

Then, a layer containing the impurity element is used as the channel formation region.例文帳に追加

そして、不純物元素を含む層をチャネル形成領域として用いる。 - 特許庁

The ceramic substrate 1 has dummy patterns 31, 32 on both the outsides of an element formation region 2.例文帳に追加

素子形成領域２の両外側に、ダミーパターン３１、３２を有する。 - 特許庁

Then, a gate insulating film 100 is formed on the element formation region 20.例文帳に追加

次に素子形成領域２０上にゲート絶縁膜１００を形成する。 - 特許庁

A silicon oxide layer 25 remains in n+ type source (drain) formation region.例文帳に追加

ｎ^+型ソース（ドレイン）形成領域上には、シリコン酸化層２５が残っている。 - 特許庁

Thereafter, a photoresist film covering the transistor formation region HSn is formed.例文帳に追加

次いで、トランジスタ形成領域ＨＳｎを覆うフォトレジスト膜を形成する。 - 特許庁

Here, the whole trench h is formed inside the SOI formation region.例文帳に追加

ここで、トレンチｈの全てをＳＯＩ形成領域の内側に形成する。 - 特許庁

The N-type epitaxial layer 3 etc., is separated into the IGBT type formation region 50 and the formation region 40 for the control circuit etc., by a P+-type separation layer 13 etc.例文帳に追加

該Ｎ型エピタキシャル層３等をＰ＋型分離層１３等によりＩＧＢＴ形成領域５０と制御回路等形成領域４０に分離する。 - 特許庁

Then, CMP is performed so that a difference in height between an element formation region FR of the plasma TEOS film 8 and an element non-formation region NFR is reduced.例文帳に追加

その後、プラズマＴＥＯＳ膜８の素子形成領域ＦＲと素子非形成領域ＮＦＲとの間での高低差を低減するようにＣＭＰを施す。 - 特許庁

A semiconductor chip 1 includes a memory cell formation region 2, and the memory cell formation region includes therein a memory cell 3 and a decoder 4.例文帳に追加

半導体チップ１には、メモリセル形成領域２が設けられ、このメモリセル形成領域の内部にメモリセルアレイ３およびデコーダ４が形成されている。 - 特許庁

Laser beams are radiated on a formation region of the source electrode and the drain electrode based on the first correction data to make the formation region lyophilic.例文帳に追加

この第１の補正データに基づいて、ソース電極およびドレイン電極の形成領域にレーザ光を照射し、その形成領域を親液性にする。 - 特許庁

Thus, only the post electrodes are formed in the semiconductor device formation region 21, and only the alignment post electrodes are formed in the alignment mark formation region 22.例文帳に追加

これにより、半導体素子形成領域２１にポスト電極のみが形成され、アライメントマーク形成領域２２にアライメント用ポスト電極のみが形成される。 - 特許庁

Only an image formation region of the rolled sheet 100 is guided to the interior of the drum 70, and light from the fluorescent tubes are irradiated to only the image formation region.例文帳に追加

ここで、ロール紙１００は画像形成領域のみがドラム７０内部に導かれ、蛍光管からの光は画像形成領域のみに照射される。 - 特許庁

The conductive path formation region is interrupted by a depletion layer extending from the inversion layer formation region when the gate region is within a range of predetermined voltages.例文帳に追加

導通路形成領域は、ゲート領域が所定の電圧範囲のときには、反転層形成領域から伸びる空乏層により遮断される。 - 特許庁

In the method for forming a pattern 16 on the pattern formation region of the base 11 by a lift-off method, a dummy pattern 116 is formed by a lift-off method also on the pattern non-formation region of the base except the pattern formation region.例文帳に追加

基体１１のパターン形成領域上にリフトオフ法にてパターン１６を形成する本発明の方法は、パターン形成領域以外の基体のパターン非形成領域上にも、リフトオフ法にてダミーパターン１１６を形成する。 - 特許庁

The semiconductor layer includes: an inversion layer formation region arranged so as to be opposed to the gate region and used as a channel of the first transistor; and a conductive path formation region formed along the inversion layer formation region or so as to cross the inversion layer formation region and used as a channel of the second transistor.例文帳に追加

半導体層は、ゲート領域に対向するように配置され、第１のトランジスタのチャネルとして用いられる反転層形成領域と、反転層形成領域に沿って、あるいは反転層形成領域と交差するように形成され、第２のトランジスタのチャネルとして用いられる導通路形成領域と、を有する。 - 特許庁

Then a ridge part 28 is formed in the light-emitting part formation region 6.例文帳に追加

そして、上記発光部形成領域６にリッジ部２８が形成されている。 - 特許庁

The TMR element TMR1 is provided on the element formation region 100.例文帳に追加

ＴＭＲ素子ＴＭＲ１は素子形成領域１００上部に設けられる。 - 特許庁

Then a ridge part 28 is formed in the light emission formation region 6.例文帳に追加

そして、上記発光部形成領域６にリッジ部２８が形成されている。 - 特許庁

Subsequently, a photoresist film 31 is formed to cover the transistor formation region MVn.例文帳に追加

その後、トランジスタ形成領域ＭＶｎを覆うフォトレジスト膜３１を形成する。 - 特許庁

By performing silicidation, cobalt silicide layers 50a1, 50a2, 50b1 and 50b2 are formed on the impurity diffusion regions 7a1 and 7a2 of the DRAM formation region, on the source/drain region 9 of the logic formation region and on the doped polysilicon film 4b of the logic formation region.例文帳に追加

次に、シリサイド化を行うことにより、ＤＲＡＭ形成領域の不純物拡散領域７ａ１，７ａ２上、ロジック形成領域のソース・ドレイン領域９上、及びロジック形成領域のドープトポリシリコン膜４ｂ上に、コバルトシリサイド層５０ａ１，５０ａ２，５０ｂ１，５０ｂ２を形成する。 - 特許庁