「"formation region"」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

The direction of the air flow from an injection port 30 of the air knife 18 is inclined to a bus line 50 of the image carrier to move the carrier liquid toward the non-image formation region.例文帳に追加

エアナイフ１８の噴出し口３０からエア流の方向を画像担持体の母線５０に対して傾斜させることによってキャリア液を非画像形成領域へ向かって移動させる。 - 特許庁

To reduce junction leakage current in a boundary between an element isolation film and a diffusion layer without any increase in area of an element formation region at the time of forming a silicide film on the diffusion layer.例文帳に追加

拡散層上にシリサイド膜を形成する時に、素子形成領域の面積増加なしに、素子分離膜と拡散層の境界部における接合リーク電流を低減する。 - 特許庁

Preferably, the pasting step is carried out by a winding around motion in which the glaze film 4 of sheet state is wound around all the circumference of the outer peripheral face corresponding to the glaze layer formation region of the insulator 2.例文帳に追加

貼付工程は、シート状の釉薬フィルム４を、上記碍子２の釉薬層形成領域に相当する外周面全周に巻回する巻付動作により行うことが好ましい。 - 特許庁

After that, by means of lithography using the chemical amplification resist, a resist pattern 10a with an opening in a trench formation region including the region where the via-hole 8 is formed, is formed.例文帳に追加

その後、化学増幅型レジストを用いたリソグラフィーにより、ビアホ−ル８が形成された領域を含むトレンチ形成領域に開口部を持つレジストパターン１０ａを形成する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory device, the storage density of which is increased by optimizing a contact hole formation region in a backing region, and to provide a method of manufacturing the nonvolatile semiconductor memory device.例文帳に追加

裏打ち領域におけるコンタクトホール形成領域を最適化することにより、記憶密度が向上された不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a technology that is able to improve the reliability of a semiconductor device having a slit formed on the main surface of a semiconductor substrate so as to surround an element formation region.例文帳に追加

半導体基板の主面上に素子形成領域を取り囲むように形成されたスリットを有する半導体装置の信頼性を向上させることのできる技術を提供する。 - 特許庁

The semiconductor device 100 includes a substrate (for example, a P-type semiconductor substrate 3) and an element isolation region 2 isolating an element formation region 1 formed on the substrate from other regions.例文帳に追加

半導体装置１００は、基板（例えば、Ｐ型半導体基板３）と、基板に形成され素子形成領域１を他の領域と分離する素子分離領域２と、を有している。 - 特許庁

To provide a photosensitive resin composition forming a shading film superior in infrared shading and reducing a residual object out of a formation region of the shading film in forming the shading film.例文帳に追加

赤外遮光能に優れた遮光膜を形成でき、該遮光膜の形成の際、該遮光膜の形成領域外における残渣物を低減できる感光性樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

An N+-type buried guard layer 2 is formed which extends to both the N-type epitaxial layer 3 as a bottommost layer of the IGBT type formation region 50 and the P-type semiconductor substrate 1.例文帳に追加

該ＩＧＢＴ形成領域５０の最下層の前記Ｎ型エピタキシャル層３と前記Ｐ型半導体基板１の双方に延在するＮ＋型埋め込みガード層２を形成する。 - 特許庁

The first internal electrode 20 has a main electrode portion 22 comprising a slit-like non-capacity formation region 28 and capacity formation regions 26a and 26b, and an extraction electrode portion 24.例文帳に追加

第１の内部電極２０は、スリット状の非容量形成領域２８と容量形成領域２６ａ、２６ｂとを含む主電極部分２２と、引き出し電極部分２４とを有する。 - 特許庁

The antenna coil 21 is mounted on the ground electrode non-formation region NGA of the circuit board 20 in such state as the first main surface MS1 of the magnetic core 1 faces the circuit board 20.例文帳に追加

アンテナコイル２１は、磁性体コア１の第１主面ＭＳ１が回路基板２０に対面する状態で、回路基板２０のグランド電極非形成領域ＮＧＡに実装されている。 - 特許庁

Then, thanks to the surface tension of the liquid adhesive 38 that is spread only over the electrode formation region having improved wettability, the oscillator 10 and relay substrate 30 are automatically aligned.例文帳に追加

このとき、濡れ性が高まった電極形成範囲にのみ広がった接着剤３８の表面張力により、自動的に、振動子１０および中継基板３０の位置決めがなされる。 - 特許庁

At this time, boron is injected even into a peripheral edge of the element formation region D2 (second impurity injecting process) simultaneously with the injection for threshold voltage adjustment of the FET 20.例文帳に追加

このとき、ＦＥＴ２０のしきい値電圧調整のための注入と同時に、素子形成領域Ｄ２の周縁部にもボロンを注入する（第２の不純物注入工程）。 - 特許庁

The distance between the horizontal transfer electrodes 42 is larger in a boundary part between the element formation region 11 and the element isolation region 12 than at the center part of the horizontal channel region 41.例文帳に追加

水平転送電極４２同士の間隔は、素子形成領域１１と素子分離領域１２との境界部分において、水平チャネル領域４１の中央部よりも広い。 - 特許庁

In another embodiment, the thickness of a high refractive index ring formation region closest to the core is large enough to provide negative dispersion or no dispersion at a desired wavelength.例文帳に追加

他の例では、コアに最も近い高屈折率リング形領域の厚さは、所望の波長において負の分散またはゼロの分散を提供するように、十分に大きな寸法を有する。 - 特許庁

Charge is accelerated in the vertical direction to the substrate such as substrate hot electron, secondary collision ionized hot electron, or the like, or a step 1b is made at the surface of the channel formation region 1a.例文帳に追加

基板ホットエレクトロン、２次衝突電離ホットエレクトロンなど基板と垂直方向に電荷を加速させる、あるいは、チャネル形成領域１ａの表面に段差１ｂを形成する。 - 特許庁

After a lower electrode and a second silicon oxide film are formed on a first silicon oxide film, the second silicon oxide film is selectively etched to form a capacitance formation region and a through hole.例文帳に追加

第１のシリコン酸化膜上に下部電極及び第２のシリコン酸化膜を形成後、第２のシリコン酸化膜を選択的にエッチングし、容量形成領域及びスルーホールを形成する。 - 特許庁

No flop occurs near the center of the lead frame formation region B, thus inhibiting the occurrence of wire bonding failure and preventing a resin from being routed to the rear in molding.例文帳に追加

リードフレーム形成領域Ｂの中央付近でバタツキが起こらないことから、ワイヤボンディング不良の発生を抑制することができ、また、モールド時の裏面への樹脂回り込みを防ぐことができる。 - 特許庁

In the bonding pad formation region 201 on an LED array IC 103, bonding pads 205 and 207 are alternately arranged.例文帳に追加

ＬＥＤアレイＩＣ１０３上のボンディングパッド形成領域２０１には、ファーストボンディングが実行されるボンディングパッド２０５と、セカンドボンディングが実行されるボンディングパッド２０７とが交互に配置されている。 - 特許庁

The position of a piezo 1 is moved upward, when a cross point CP is in a cross state in which an optical path is varied, and a pushing up member 2 is abutted against the formation region of the cross point CP.例文帳に追加

クロスポイントＣＰが光路を変更させるクロス状態であるときはピエゾ１の位置を上方に移動させ押し上げ部材２をクロスポイントＣＰの形成領域に押し当てる。 - 特許庁

This method is provided with a process for removing an etching damaged layer 11 which occurs in a source/drain formation region when dry- etching the first thick oxide film 9 of the high breakdown strength MOS transistor.例文帳に追加

高耐圧ＭＯＳトランジスタの厚い第１の酸化膜９をドライエッチングする際にソースドレイン形成領域に発生したエッチング・ダメージ層１１を除去するための工程を設ける。 - 特許庁

To provide a semiconductor wafer and a method of manufacturing the same such that a crack stop trench and a bonding pad opening are simultaneously formed without exposing wiring in a fuse element formation region.例文帳に追加

ヒューズ素子形成領域の配線を露出させることなく、クラックストップトレンチとボンディングパッド開口部を同時に形成する半導体ウエハ及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

In the gate insulation film 8, the film thickness of a part opposing the surface of the N-type epitaxial layer 3 is larger than that at a part opposing the surface of the channel formation region 5.例文帳に追加

ゲート絶縁膜８は、Ｎ型エピタキシャル層３の表面と対向する部分の膜厚が、チャネル形成領域５の表面と対向する部分の膜厚よりも大きく形成されている。 - 特許庁

The semiconductor device 100 includes a first trench 112, a second trench 113, and a third trench 114 in an element formation region 101 arranged on a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体装置１００は、半導体基板上に設けられた素子形成領域１０１に、第１のトレンチ１１２、第２のトレンチ１１３、第３のトレンチ１１４が設けられている。 - 特許庁

The semiconductor substrate 22 is an SOI substrate, and comprises an insulating layer 34 and a silicon layer 36 that is provided on the insulating layer 34 and contains a circuit formation region A1.例文帳に追加

半導体基板２２は、ＳＯＩ基板であり、絶縁層３４と、絶縁層３４上に設けられ、回路形成領域Ａ１を含むシリコン層３６とを有して構成されている。 - 特許庁

To stably and electrically connect a wiring layer to an electrode pad by reliably preventing a wiring layer from disappearing from an electrode pad formation region even if thinning the wiring layer.例文帳に追加

配線層を薄くした場合にも電極パッド形成領域で配線層がなくなることを確実に防止できるようにし、配線層と電極パッドとを安定して電気的に接続させる。 - 特許庁

To provide film formation treating equipment which can make effective ozone having oxidation effect come into contact effectively with a film formation region of a substrate, and realize miniaturization and cost reduction of equipment.例文帳に追加

酸化作用を有する有効なオゾンを効率よく基板の成膜領域に触れさせることができ、装置の小型化と低コスト化をはかることができる成膜処理装置を提供する。 - 特許庁

To attain miniaturization of a common contact hole for commonly taking a source potential and a substrate potential in a semiconductor device including a channel formation region in stripe structure.例文帳に追加

ストライプ構造のチャネル形成領域を有する半導体装置において、ソース電位と基板電位を共通でとるための共通のコンタクトホールの小型化を図ることができるようにする。 - 特許庁

Then a resist layer 6 is formed on the capacitor prime body 15 and then the solid electrolyte layer 9 is formed by chemical oxidation polymerization in a cathode formation region 7b of the capacitor prime body 15.例文帳に追加

続いて、コンデンサ素体１５にレジスト層６を形成した後、コンデンサ素体１５の陰極形成領域７ｂに、化学酸化重合により固体電解質層９を形成する。 - 特許庁

Indium ions, whose implantation energy is about 70 keV and implantation dose amount is about 1×10^13/cm^2, are implanted to a channel formation region of a semiconductor substrate 11 in several times.例文帳に追加

半導体基板１１のチャネル形成領域に、注入エネルギーが約７０ｋｅＶで注入ドーズ量が約１×１０^13／ｃｍ^2 のインジウムイオンを複数回に分けてイオン注入する。 - 特許庁

When the distance between the connection sections 3a, 3b is set to L, the distance between an opening formation region 100 in which the opening 4 is formed and respective connection sections 3a, 3b is preferably not more than L/4.例文帳に追加

接続部３ａ、３ｂ間の距離をＬとすると、開口部４が形成される開口部形成領域１００と、各接続部３ａ、３ｂとの距離はＬ／４以下が好ましい。 - 特許庁

Next, the protective resist film 14 is subjected to electron beam(EB) exposure to make a protective opening in an upper-side part of a top formation region of a gate electrode in the protective resist film 14.例文帳に追加

次に、保護レジスト膜１４に対してＥＢ露光を行なって該保護レジスト膜１４におけるゲート電極の頂部形成領域の上側部分に保護開口部を形成する。 - 特許庁

By this structure, the lateral diffusion width of a P-type diffusion layer 13 in the separation region 1 is suppressed, and the formation region of the separation region and the device size of the MOS transistor are reduced.例文帳に追加

この構造により、分離領域１のＰ型の拡散層１３の横方向拡散幅が抑制され、分離領域の形成領域及びＭＯＳトランジスタのデバイスサイズが低減される。 - 特許庁

In a display device having an inverted-staggered channel-stop-type thin film transistor, the thin film transistor includes a microcrystalline semiconductor film including a channel formation region, and an impurity region containing an impurity element of one conductivity type is selectively provided in a region which is not overlapped with source and drain electrodes, in the channel formation region of the microcrystalline semiconductor film.例文帳に追加

チャネルストップ型の逆スタガ型薄膜トランジスタを有する表示装置において、該チャネルストップ型の逆スタガ型薄膜トランジスタは、チャネル形成領域を含む微結晶半導体膜を有し、該微結晶半導体膜のチャネル形成領域には、ソース電極及びドレイン電極と重ならない領域に選択的に一導電型の不純物元素を含む不純物領域が設けられている。 - 特許庁

The semiconductor device includes: a first island-like reinforcement film over a substrate having flexibility; a semiconductor film including a channel formation region and an impurity region over the first island-like reinforcement film; a first conductive film over the channel formation region with a gate insulating film interposed therebetween; and a second island-like reinforcement film covering the first conductive film and the gate insulating film.例文帳に追加

可撓性を有する基板上に設けられた第１の島状の補強膜と、第１の島状の補強膜上に、チャネル形成領域と不純物領域とを具備する半導体膜と、チャネル形成領域の上方にゲート絶縁膜を介して設けられた第１の導電膜と、第１の導電膜及びゲート絶縁膜を覆って設けられた第２の島状の補強膜とを有している。 - 特許庁

A semiconductor device comprises, on a substrate, a first transistor including a single crystal semiconductor layer in a channel formation region, a second transistor separated from the first transistor via an insulation layer and including an oxide semiconductor layer in a channel formation region, and a diode including the single crystal semiconductor layer and the oxide semiconductor layer, and its manufacturing method is provided.例文帳に追加

基板上に、単結晶半導体層をチャネル形成領域に有する第１のトランジスタと、当該第１のトランジスタと絶縁層を介して分離され、酸化物半導体層をチャネル形成領域に有する第２のトランジスタと、当該単結晶半導体層及び酸化物半導体層を有するダイオードを有する半導体装置、及び、その作製方法に関する。 - 特許庁

A p-well region 9 is formed at a substrate surface layer section around a device formation region on a semiconductor substrate 1, and at the same time rings GFP and FP5 at the innermost- and outermost-periphery sides of a group 11 of field plate rings are electrically connected to gate and collector terminals, respectively, on a LOCOS oxide film 10 around the device formation region.例文帳に追加

半導体基板１でのデバイス形成領域の周囲における基板表層部にｐウェル領域９が形成されるとともに、デバイス形成領域の周囲のＬＯＣＯＳ酸化膜１０の上において、フィールドプレートリング群１１の最も内周側のリングＧＦＰがゲート端子と、最も外周側のリングＦＰ５がコレクタ端子と電気的に接続されている。 - 特許庁

After a first resist pattern 52 for opening a logic element formation region 32 is formed, a third insulating film 18A made of silicon oxide is etched by a fluoric acid aqueous solution with the first resist pattern 52 as a mask, thus removing a portion for covering the logic element formation region 32 including a buried element separation film 15B of the third insulating film 18A.例文帳に追加

ロジック素子形成領域３２を開口する第１のレジストパターン５２を形成した後、第１のレジストパターン５２をマスクとして、酸化シリコンからなる第３の絶縁膜１８Ａに対して、弗酸水溶液によるエッチングを行なうことにより、第３の絶縁膜１８Ａの埋め込み素子分離膜１５Ｂを含むロジック素子形成領域３２を覆う部分を除去する。 - 特許庁

This method of manufacturing a semiconductor device comprises a step of ion-implanting impurities into a trench formation region 10 on the main surface of a silicon substrate 1, a step of forming trenches 5a-5c, by etching the trench formation region 10 so as to ion-implant the impurities, and to embed the trenches 5a-5c, to form an element isolation insulating region 7.例文帳に追加

この半導体装置の製造方法は、シリコン基板１の主表面のトレンチ形成領域１０に不純物をイオン注入する工程と、その不純物がイオン注入されたトレンチ形成領域１０をエッチングすることによってトレンチ５ａ〜５ｃを形成する工程と、トレンチ５ａ〜５ｃを埋め込むように素子分離絶縁膜７を形成する工程とを備えている。 - 特許庁

The semiconductor device comprises a memory part where, provided in an element formation region within a chip region of a wafer, a cell is formed using a trenched capacitor, a bonding pad 304 provided around the element formation region, and a dummy trench 303 formed, at least, either above a dicing line 305 of the wafer or below the bonding pad 304.例文帳に追加

ウェハにおけるチップ領域中の素子形成領域に設けられ、セルがトレンチ型キャパシタを用いて形成されたメモリ部と、前記素子形成領域の周辺に設けられたボンディングパッド３０４と、前記ウェハにおけるダイシングライン３０５上、前記ボンディングパッド３０４下方の少なくともいずれかに形成されたダミートレンチ３０３とを具備したことを特徴とする半導体装置。 - 特許庁

The high-permittivity gate insulating film 102 is formed at the nMIS and pMIS formation regions on a single-crystal silicon substrate 100, a first metal film 103 without containing silicon and germanium is formed on the gate insulating film 102, the first metal film 103 is allowed to remain on the gate insulating film at the pMIS formation region, and the first metal film 103 is removed at the nMIS formation region.例文帳に追加

単結晶シリコン基板１００のｎＭＩＳおよびｐＭＩＳ形成領域に高誘電率ゲート絶縁膜１０２を形成し、ゲート絶縁膜１０２上にシリコンおよびゲルマニウムを含まない第一の金属膜１０３を形成し、ｐＭＩＳ形成領域のゲート絶縁膜上に第一の金属膜１０３を残して、ｎＭＩＳ形成領域の第一の金属膜１０３を除去する。 - 特許庁

A silicon oxide film for gate insulating films 25b, 25d of a control transistor and a high withstand voltage MISFET is formed by thermal oxidation and by CVD after the thermal oxidation, and the silicon oxide film is removed in a MISFET formation region 1B, and thereafter a silicon oxide film for a gate insulating film 25c is formed in the MISFET formation region 1B by thermal oxidation processing.例文帳に追加

制御用トランジスタおよび高耐圧用のＭＩＳＦＥＴのゲート絶縁膜２５ｂ，２５ｄ用の酸化シリコン膜を熱酸化と該熱酸化後のＣＶＤにより形成してから、この酸化シリコン膜をＭＩＳＦＥＴ形成領域１Ｂで除去し、その後、熱酸化処理によりＭＩＳＦＥＴ形成領域１Ｂにゲート絶縁膜２５ｃ用の酸化シリコン膜を形成する。 - 特許庁

A gate electrode 15 of the MISFET comprises a first part extending on the surface of an element separation insulating layer 13 that has been polished to the same height as the surface of an element formation region of a silicon substrate 11, and a second part which extends from the first part and is embedded, through a gate oxide film, in a gate trench 16 formed inside an element formation region 14.例文帳に追加

ＭＩＳＦＥＴのゲート電極１５が、シリコン基板１１の素子形成領域の表面と同じ高さに研磨された素子分離絶縁層１３の表面上に延びる第１の部分と、第１の部分から延長し、素子形成領域１４の内部に形成されたゲートトレンチ１６内にゲート酸化膜を介して埋め込まれた第２の部分とを有する。 - 特許庁

A slit 16 which serves such that a deformation produced in a formation region of the hole part 8 on assembling the housing 2 does not affect the attachment region of the metal piece 12 is formed on the front housing 3.例文帳に追加

筐体２の組付けの際に孔部８の形成領域に生じる変形が、金属片１２の取付領域には及ばないようにするスリット１６が、フロント筐体３に形成されている。 - 特許庁

The second electrode has a fine line part extending on the second contact layer and a pad part provided at a non-formation region of the second contact layer and electrically connecting with the fine line part.例文帳に追加

前記第２電極は、前記第２コンタクト層の上に延在する細線部と、前記第２コンタクト層の非形成領域に設けられ前記細線部と電気的に接続されたパッド部と、を有する。 - 特許庁