例文 (901件) |
P concentrationの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 901件
A vertical MOSFET suppresses a parasitic bipolar transistor performance to improve the avalanche resistance by forming n-type regions 8 having an impurity concentration lower than an n-type substrate 1 or a p-type region 9 about the central part of a unit arrangement region having the apexes of FET cells 10 and diode cells 11 arranged on the surface of the n-type semiconductor substrate 1 with equal intervals.例文帳に追加
本発明の縦型MOSFETは、N型半導体基板1の表面上に等間隔に配置されたFETセル10及びダイオードセル11を頂点とした単位配置領域の中央部分を中心として、N型基板1よりも不純物濃度の低いN型領域8を形成するか、もしくはP型領域9を形成することにより、寄生バイポーラトランジスタ動作を抑制してアバランシェ耐量を向上する。 - 特許庁
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