「P concentration」に関連した英語例文の一覧と使い方(12ページ目) - Weblio英語例文検索

A high-concentration impurity layer, which is at least an ohmic contact surface for a gate electrode M1b of a base layer (a P-type base region and a P-type semiconductor region P1) that is a path of a gate trigger current I_GT, is formed by a high-melting-point metal silicide layer LM.例文帳に追加

少なくとも、ゲートトリガ電流Ｉ_ＧＴの経路となるベース層（Ｐ型ベース領域、Ｐ型半導体領域Ｐ１）のゲート電極Ｍ１ｂとのオーミック接触面である高濃度不純物層を、高融点金属シリサイド層ＬＭで形成する。 - 特許庁

P^--type semiconductor layers 23 consisting of InP doped in low concentration with Zn, P^+-type semiconductor layers 25 consisting of InP doped in high concentration with Zn, and semiconductor layers 27 consisting of InP doped with Si are stacked sequentially and embedded on both sides of this waveguide structure so as to form a current throttling region.例文帳に追加

この光導波路構造の両側に、Ｚｎを低濃度にドープしたＩｎＰからなるｐ^−型半導体層２３、Ｚｎを高濃度にドープしたＩｎＰからなるｐ^＋型半導体層２５、およびＳｉをドープしたＩｎＰからなるｎ型半導体層２７が順次積層され、埋め込まれ電流狭窄領域を形成している。 - 特許庁

A contacted area between a P-type silicon substrate 1 and an N-type low-concentration well region 2 is reduced by forming a trench on the silicon substrate at a charge accumulation region 6 of a MOS type capacitor, so that the MOS type capacitor with a reduced leakage current from the N-type low-concentration well region 2 to the P-type silicon substrate 1 can be obtained.例文帳に追加

ＭＯＳ型のキャパシタの電荷蓄積領域６のシリコン基板にトレンチを設けることにより、Ｐ型シリコン基板１とＮ型低濃度ウェル領域２の接触面積を減少させたから、Ｎ型低濃度ウェル領域２からＰ型シリコン基板１へのリーク電流を低減させたＭＯＳ型キャパシタを得ることが出来る。 - 特許庁

The solid p-type semiconductor layer 26 is made with a solution in which the ratio of the concentration of the ionic liquid as an additive to the concentration of the Cu compound is equal to or higher than 0.6% and equal to or lower than 12.5% to contain the Cu compound and the ionic liquid.例文帳に追加

この固体ｐ型半導体層２６は、Ｃｕ化合物の濃度に対する添加剤としてのイオン性液体の濃度の割合を０．６％以上１２．５％以下とした溶液を用いＣｕ化合物及びイオン性液体を含んで作製されている。 - 特許庁

In the super-junction structure wherein an n-type column and a p-type column are repeated, the width of a column where a carrier passes through is 4.5 μm or less, and the concentration of impurity of the column where the carrier passes through is adjusted to be lower than a concentration satisfying the reduced surface field.例文帳に追加

ｎ型コラムとｐ型コラムが繰返されているスーパージャンクション構造において、キャリアが通過するコラムの幅は４．５μｍ以下であり、かつキャリアが通過するコラムの不純物濃度がリサーフ条件を満たす濃度よりも低濃度に調整する。 - 特許庁

(2) [Ti is the concentration (mmol.%) of the titanium metal element of the polyester-soluble titanium compound contained in the polyester; P is the concentration (mmol.%) of the phosphorus element except the phosphorus compound (A) contained in the polyester].例文帳に追加

２≦Ｐ／Ｔｉ≦１５ （１） １０≦Ｔｉ＋Ｐ≦１００（ミリモル％） （２） （ここで、Ｔｉはポリエステル中に含有されるポリエステル可溶チタン化合物のチタン金属元素の濃度（ミリモル％）、Ｐはポリエステル中に含有されるリン化合物（Ａ）以外のリン元素の濃度（ミリモル％）を示す。） - 特許庁

An impurity concentration distribution of the n and p type pillar regions 2 and 3 in a corner 33 of the terminating region 30 has a plurality of impurity concentration peaks periodically along a curve BC bent from an x direction to a y-direction in the corner 33.例文帳に追加

終端領域３０のコーナー部３３のｎ型ピラー領域２及びｐ型ピラー領域３の不純物濃度分布は、コーナー部３３においてｘ方向からｙ方向へと曲がる曲線ＢＣに沿って周期的に複数の不純物濃度ピークが与えられる。 - 特許庁

The speed of response to a low-intensity light incidence in a readout period can be improved by reducing the capacity and anode resistance of the photodiode through the use of a laminated substrate formed of a p-type semiconductor substrate 141, and a p-type epitaxial layer 142 having a lower impurity concentration than the substrate 141 and formed thereon.例文帳に追加

Ｐ型半導体基板１４１の上にそれよりも不純物濃度が低いＰ型エピタキシャル層１４２を形成した積層基板を用いて、フォトダイオードの容量およびアノード抵抗を下げて、読み出し時の小光量での応答速度を向上させる。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus for forming a high-quality, stable, and low-resistance (high concentration) p-type semiconductor layer, having a sheet resistance of 25 Ω/(square) or lower, by conducting a thermal diffusion of arsenic which is consistent in a silicon wafer or in a lot, using a high purity BBr_3 liquid source.例文帳に追加

高純度のBBr_3液体ソースを用い、シリコン基板内やロット内でのバラツキを抑制した硼素の熱拡散を行い高品質且つ安定で、シート抵抗が25Ω/□を下回る低抵抗(高濃度)のp型半導体層を形成する方法および装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an organic photoelectric conversion element, in which materials are not wasted and carrier path formation effective in providing concentration gradients of a p-type semiconductor and an n-type semiconductor of a photoelectric conversion layer and in making micro p-type/n-type layer separation can be controlled.例文帳に追加

製造方法として、材料の無駄を発生せず、光電変換層のｐ型半導体、ｎ型半導体の濃度勾配を設けたり、ｐ型、ｎ型がミクロ的に層分離する際に有効なキャリアパス形成のコントロールし得る製造方法を提供する。 - 特許庁

A P type impurity concentration distribution having a steep slope in the depth direction is formed by forming a P type substrate region 3 becoming a channel region by ion implantation after a process for forming a gate insulating film 4 on the wall face of a trench T.例文帳に追加

トレンチＴの壁面上にゲート絶縁膜４を形成する工程よりも後に、チャネル領域となるＰ型基板領域３をイオン注入法により形成することによって、深さ方向に急峻な勾配を有するＰ型不純物濃度分布を形成する。 - 特許庁

The electronic control device calculates degree of contribution P which is ratio of re-circulated blow-by gas quantity to intake air quantity sucked into the intake air passage, and executes alcohol concentration learning control under a condition where the degree of contribution P is not greater than a determination value TP.例文帳に追加

電子制御装置は、吸気通路内に吸入される吸気量に対する還流されるブローバイガス量の割合である寄与度Ｐを算出し、寄与度Ｐが判定値ＴＰ以下であることを条件にアルコール濃度学習制御を実行する。 - 特許庁

To conduct analysis under high sensitivity to measure a concentration of polychlorinated-dibenzo-p-dioxins, by adsorbing and concentrating the polychlorinated-dibenzo-p-dioxins contained in gas, fly ashes, active carbon particulates discharged from the municipal refuse incinerator and the like at a speed near to an on-line real time.例文帳に追加

ごみ焼却炉等から排出されるガス、飛灰、活性炭微粒子に含まれるダイオキシン類をオンライン・リアルタイムに近い迅速さで吸着・濃縮し、高感度下に分析してその濃度を測定することができる方法およびそのための装置を提供すること。 - 特許庁

Since the first dephosphorization refining and the subsequent slag removal are followed by dephosphorization refining and slag removal carried out for the second time using additional flux and further by decarburization refining, the P concentration in molten iron achieved after the decarburization refining is sufficiently reduced to an ultra-low P steel level.例文帳に追加

最初の脱りん精錬とその後のスラグ除去の後、フラックスを追加して第２の脱りん精錬とスラグ除去を行い、さらにその後に脱炭精錬を行うので、脱炭精錬終了後の溶鋼中Ｐ濃度を十分に極低Ｐ鋼レベルまで低減できる。 - 特許庁

At this time, a Fermi level in the first metal-containing film is made to have an energy level close to the balance-band level of a doped silicon in high concentration in a p-type impurity, if the impurity in a first impurity transistor region belongs to p-type.例文帳に追加

この時、第１不純物型トランジスタ領域の不純物型がＰ型であれば、第１金属含有膜のフェルミ準位はＰ型不純物で高濃度ドーピングされたシリコンの平衡バンド準位と近接したエネルギー準位を有するようにする。 - 特許庁

To inhibit a short circuit damage beforehand by preventing a breakdown voltage drop from being caused owing to a field concentration, by forming a distance between a photodiode p-layer and a p anode region into a predetermined structure in order to derive a desired zero cross voltage in a semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置において、所望のゼロクロス電圧を得るために、フォトダイオードＰ層とＰアノード領域の間の距離を所定の構造にすることによって、電界集中による耐圧低下を招かないようにして、短絡破壊を未然に防止する。 - 特許庁

Temperature of the waste oil P, which contains the alkali components occurring by at least one of saponification and an addition reaction, is set to a predetermined temperature (60-100°C), the waste oil P is brought into contact with an acid aqueous solution C with concentration of 5-50 mass%, and this contact condition is kept for a predetermined period.例文帳に追加

鹸化及び付加反応の少なくとも一方が行われたことによってアルカリ分を含有した廃油Ｐを、所定温度（６０℃〜１００℃）とし、これに濃度５〜５０質量％の酸水溶液Ｃを接触し、この接触状態を所定時間保つ。 - 特許庁

In a p-type semiconductor layer 101, a heavily doped region 109 in which the concentration of p-type impurities different from right and left n-type diffusion regions 106, 107 becomes extremely large is formed by oblique ion implantation in the center of a channel region 108.例文帳に追加

ｐ型の半導体層１０１には、チャネル領域１０８の中央部に、左右のｎ型の拡散領域１０６，１０７とは異なるｐ型の不純物の濃度が極大となる高濃度領域１０９が斜めイオン注入により形成されている。 - 特許庁

The self oscillation type or a high power semiconductor laser including an n-type clad layer (308, 302), an active layer (309, 303), and a p-type clad layer (310, 304) on an n-type GaN substrate (301), comprises AlGaInN based compound, wherein the carrier concentration of the GaN substrate is not higher than 2×10^18 cm^-3.例文帳に追加

n型のGaN基板（３０１）上にn型クラッド層（３０８、３０２）と活性層（３０９、３０３）とp型クラッド層（３１０、３０４）を含む自励発振型又は高出力半導体レーザであって、GaN基板のキャリア濃度が2×10^18cm^-3以下であり、AlGaInN系化合物から成る。 - 特許庁

The p type cladding layer 20 has a first part 2 consisting of an AlGaInP layer doped with Mg with high concentration when it grows; a second part 3 consisting of an AlGaInP layer doped with Zn with low concentration when it grows; and a third part 4 consisting of an AlGaInP layer doped with Mg with high concentration when it grows from the side of the active layer 1.例文帳に追加

ｐ型クラッド層２０が、活性層１側から、成長時にＭｇが高濃度にドープされたＡｌＧａＩｎＰ層から成る第一部分２と、成長時にＺｎが低濃度にドープされたＡｌＧａＩｎＰ層から成る第二部分３と、成長時にＭｇが高濃度にドープされたＡｌＧａＩｎＰ層から成る第三部分４とを有する構造とする。 - 特許庁

The concentration of catalyst metal in the CG silicon film 14 is 1×10^13 atoms/cm^3 or more and 1×10^15 atoms/cm^3 or less, and the concentration of catalyst metal in the p-Si film 15 for a display part is made lower than the concentration of catalyst metal in the CG silicon film 14b for a peripheral driving circuit.例文帳に追加

上記ＣＧシリコン膜１４中の触媒金属の濃度が１×１０^13ａｔｏｍｓ／ｃｍ^3以上かつ１×１０^15ａｔｏｍｓ／ｃｍ^3未満の範囲内であり、表示部用ｐ−Ｓi膜１５中の触媒金属の濃度を周辺駆動回路用ＣＧシリコン膜１４ｂ中の触媒金属の濃度よりも低くする。 - 特許庁

A high concentration drain layer 109A of the LOCOS offset drain-type high breakdown voltage MOS transistor is formed with a fixed distance from the end of a LOCOS oxide film 105 in a p-type electric field alleviating layer 104, and a concentration gradient of the end of the LOCOS oxide film 105 is made gradual so as to raise breakdown voltage by preventing electric field concentration.例文帳に追加

ＬＯＣＯＳオフセットドレイン型高耐圧ＭＯＳトランジスタの高濃度ドレイン層１０９Ａを、Ｐ型電界緩和層１０４内においてＬＯＣＯＳ酸化膜１０５の端部から一定の距離をおいて形成し、ＬＯＣＯＳ酸化膜１０５の端部の濃度勾配を緩やかにし、電界集中を防ぎ、耐圧を向上させる。 - 特許庁

The concentration in the p-channel region 16 is made lower than that in the (n) drift region 14, and wide intervals are secured between the gates so that the entire channel region is depleted when no gate bias is applied.例文帳に追加

ｐ−チャネル領域１６の濃度をｎドリフト領域１４の濃度以下と小さくし、比較的大きなゲート間隔でゼロゲートバイアス状態でチャネル領域全体を空乏化する。 - 特許庁

Thereby, the high-concentration N-type drift layer 5 formed in the vicinity of the field oxide film corner part 19 can be moved away from the P-type body layer 4 without increasing a device area.例文帳に追加

これにより、デバイス面積を拡大することなく、Ｐ型ボディ層４から、フィールド酸化膜コーナー部１９の近傍に形成される高濃度Ｎ型ドリフト層５を遠ざける事ができる。 - 特許庁

The hyperthermophilic archaebacteria, belonging to the genus including IRCS 99138( FERM P-19031 ), is viable at a temperature of higher than 70°C and at a salt concentration of 0.2 wt.% or lower.例文帳に追加

ＩＲＣＳ ９９１３８Ａ（ＦＥＲＭ Ｐ−１９０３１）が属する属の古細菌であって、７０℃以上の温度および０．２重量％以下の塩濃度で生育可能である古細菌。 - 特許庁

The p-type diffusing layer 6 is formed by the ion implantation step of two times conforming to the shape of a contact hole 15 and an impurity concentration at a surface area, and a deep area thereof is adjusted.例文帳に追加

Ｐ型の拡散層６は、コンタクトホール１５の形状に合わせて、２回のイオン注入工程により形成され、その表面部と深部との不純物濃度が調整されている。 - 特許庁

The n-type ZnO semiconductor layer 13 and the p-type ZnO semiconductor layer 15 are so regulated as to be gradually reduced in carrier concentration as approaching the light emitting layer 14.例文帳に追加

ｎ 型 ＺｎＯ 系半導体層１３とｐ 型 ＺｎＯ 系半導体層１５のキャリア濃度は発光層１４に接近するにつれて小さくなるように調整されている。 - 特許庁

The ion implantation is performed under the condition selected in accordance with deviation of the measured film thickness of the gate insulating film from the design thickness in order to adjust impurity concentration of the p-type well (S7).例文帳に追加

そして、測定したゲート絶縁膜の膜厚の設計膜厚からのずれに応じて選択した条件でイオン注入を行い、ｐ型ウエルの不純物濃度を調整する（Ｓ７）。 - 特許庁

In a method for manufacturing a semiconductor device, P type diffusion regions 7 and 17 used as back gate regions are formed while shifting a peak of an impurity concentration.例文帳に追加

本発明の半導体装置の製造方法では、バックゲート領域として用いるＰ型の拡散層７、１７を形成する際に、それぞれの不純物濃度のピークをずらして形成する。 - 特許庁

On that, a low-concentration p-type well region 9 is formed in a region 2 that is the peripheral part of the end part of the n-type source region 7 and becomes a channel by ion implantation using the mask 10.例文帳に追加

その上で、マスク１０を用いたイオン注入により、ｎ型ソース領域７の端部周辺部でありチャネルとなる領域２内に低濃度ｐ型ウエル領域９を形成する。 - 特許庁

The P-type impurity concentration of a channel region which controls the second transistor A2 in a threshold potential is so set as to be higher in a source-side part than in a drain-side part.例文帳に追加

第２のトランジスタＡ２におけるチャネル領域のしきい値電位制御用のｐ型不純物濃度は、ドレイン側部分よりもソース側部分が大きくなるように設定されている。 - 特許庁

A reconstruction processing unit 32 generates data on a SPECT image, representing the concentration distribution of the radioisotope inside a subject under examination P, on the basis of output from the detector 14.例文帳に追加

再構成処理部３２は、検出器１４からの出力に基づいて被検体Ｐ内における放射性同位元素の濃度分布を表わすＳＰＥＣＴ画像のデータを生成する。 - 特許庁

A region between a Pwell PW1 and a Pwell PW2 is the region having the same composition as a P type semiconductor substrate, having lower impurity concentration than a Pwell.例文帳に追加

そして、ＰウェルＰＷ１と、基板電位固定用ＰウェルＰＷ２の間の領域は、Ｐ型半導体基板と同じ組成の領域とし、Ｐウェルよりも不純物濃度を低くくしている。 - 特許庁

The dispersion of the threshold voltage in the depression-type lateral MOSFET decreases by that the depth of the pn junction becomes shallow and besides the concentration of the impurities at the surface of the P well becomes low.例文帳に追加

ｐｎ接合深さが浅くなり、かつＰウェル５の表面の不純物濃度が低くなることで、デプレッション型ラテラルＭＯＳＦＥＴにおけるしきい値電圧のばらつきが減少する。 - 特許庁

The concentration of the p-type impurities in the root portion of the projection (13a) for linearly connecting the regions (BL1, BL2) is made higher than the projection (13a) except the root portion.例文帳に追加

ソース・ドレイン領域（ＢＬ１、ＢＬ２）を直線的に結ぶ凸部（１３ａ）の基端部のｐ型不純物濃度は、基端部を除く凸部（１３ａ）のｐ型不純物濃度よりも高濃度にする。 - 特許庁

Since the area 12 is formed by implanting the ion of a p-type impurity into the area 12 at a high concentration by using a narrowly converged ion beam, the area 12 has a very small occupying area.例文帳に追加

このｐ^+領域１２は、微細に集束されたイオンビームによって高濃度のｐ形不純物が打ち込まれて形成されたものであり、占有面積を非常に小さくしたものである。 - 特許庁

An N-type diffusion layer 33 of high concentration is formed in a part between the two P-type diffusion layers 34a and 34b so as to prevent it from deteriorating in withstand voltage.例文帳に追加

２つのＰ型拡散層３４ａ，３４ｂの間の耐圧が低下するのを防ぐために、Ｐ型拡散層３４ａ，３４ｂ間に高濃度のＮ型拡散層３３が形成されている。 - 特許庁

Especially, when the thickness of the carrier stop layer is not larger than 5nm and the p-type dopant concentration of the carrier stop layer is not less than 1.0×10^18cm^-3, the leakage current is reduced remarkably.例文帳に追加

特に、キャリアストップ層の厚みが５ｎｍ以下であり、かつキャリアストップ層のｐ型ドーパント濃度が１．０×１０^１８ｃｍ^−３以上だと、リーク電流が大きく低減される。 - 特許庁

The work function of the gate electrode 31a is controlled by doping P, As or Sb, and the work function of the gate electrode 31b is controlled by adjusting a Ge concentration.例文帳に追加

ゲート電極３１ａの仕事関数はＰ、ＡｓまたはＳｂをドープすることによって制御され、ゲート電極３１ｂの仕事関数はＧｅ濃度を調節することによって制御される。 - 特許庁

The body region 30 is formed of P-type semiconductor whose impurity concentration is low, so that a channel can be formed even if a voltage applied to the trench gates 28 is low.例文帳に追加

また、ボディ領域３０は、不純物濃度が低いｐ型半導体により形成されているから、トレンチゲート２８に印加される電圧が低くてもチャネルを形成することができる。 - 特許庁

An N-type high-concentration diffusion layer 2 is selectively formed on a P-type silicon substrate 1, and a silicon oxide film is formed as a first interlayer insulating film 3 on the surface on the diffusion layer 2.例文帳に追加

Ｐ型シリコン基板１上には選択的にｎ型高濃度拡散層２が形成され、その表面には第１層間絶縁膜３としてシリコン酸化膜が配置されている。 - 特許庁

When an n-type or a p-type impurity diffusion layer 52 is formed on a surface of a monocrystalline silicon substrate 51, the impurity concentration in the impurity diffusion layer 52 is appropriately determined.例文帳に追加

単結晶シリコン基板５１の表面上にＮ型またはＰ型の不純物拡散層５２を形成する際に、不純物拡散層５２中の不純物濃度を適宜設定する。 - 特許庁

The outstanding current constriction flow is obtained by Schottky junction via the alloy layer 116 between the electrode 115 and a p^+-GaAs contact layer 114 which is a high concentration semiconductor layer.例文帳に追加

上記電極１１５と高濃度半導体層であるｐ^+−ＧaＡsコンタクト層１１４との間の合金層１１６を介したショットキー接合により優れた電流狭窄性を得る。 - 特許庁

After the n-channel MISFET region is masked by a silicon nitride film 6, the polycrystalline SiGe film 7 in the p-channel region is thermally oxidized selectively to increase its Ge concentration.例文帳に追加

ｎチャネルＭＩＳＦＥＴ領域をシリコン窒化膜６によりマスクして、ｐチャネル領域の多結晶ＳｉＧｅ膜７を選択的に熱酸化することにより、そのＧｅ濃度を高くする。 - 特許庁

The size of the two-dimensional pattern P shows the area of an input fingerprint picture and inner concentration shows the gradation degree of the input fingerprint picture and a position shows the position of the input fingerprint picture.例文帳に追加

この２次元パターンＰは、その大きさが入力指紋画像の面積を示し、内部の濃度が入力指紋画像の濃淡度を示し、位置が入力指紋画像の位置を示す。 - 特許庁