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「P concentration」に関連した英語例文の一覧と使い方(11ページ目) - Weblio英語例文検索
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P concentrationの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 901



例文

Subsequently, a polysilicon film 15 wherein dopants for forming a p-type region is introduced at a high concentration is so formed as to be filled in the contact holes 4 (refer to Fig. e).例文帳に追加

続いて、このコンタクトホール4を埋めるように、P型への制御のための不純物が高濃度に導入されたポリシリコン膜15が形成される(図3(e)参照)。 - 特許庁

In the addition, an electroless plated gold film 16, having a thickness of 0.05-0.5 μm, is provided as an oxidation preventing film that covers the surface of the low-concentration Ni-P film 32.例文帳に追加

無電界低濃度Ni−Pメッキ膜32の表面を覆う酸化防止膜として、0.05〜0.5μmの膜厚を有する無電界金メッキ膜16を設ける。 - 特許庁

The p-type high concentration layer has an identical potential electrode 16 consisting of an n-type region, and the identical potential electrode 16 is electrically connected to the movable body 9.例文帳に追加

また、p型高濃度層にはn型領域からなる同電位電極16を設けると共に、同電位電極16は可動体9に電気的に接続する。 - 特許庁

Further even when membrane separation water is returned to the biological treatment apparatus 5, the increase of the concentration of total N and total P in the final effluent out of the precipitation separation tank 7 can be sufficiently prevented.例文帳に追加

また膜分離水は、生物処理装置5に返送されても沈殿分離槽7の放流水中のT−N、T−P濃度の増加が十分防止される。 - 特許庁

例文

To provide: a p-type AlGaN layer that has improved carrier concentration and improved luminous output; a method for producing the same; and a group III nitride semiconductor light-emitting element.例文帳に追加

キャリア濃度および発光出力を向上させたp型AlGaN層およびその製造方法ならびにIII族窒化物半導体発光素子を提供する。 - 特許庁


例文

Impurity concentration of channel regions of n-channel MISFET 40 and p-channel MISFET 41 is controlled to not more than 1.2×10^18/cm^3.例文帳に追加

nチャネル型MISFET40とpチャネル型MISFET41のチャネル領域の不純物濃度は、1.2×10^18/cm^3以下に制御されている。 - 特許庁

Then, the high concentration P type diffusion region 9 for the body contact is formed at the part where the source diffusion region 3 is removed inside the hollow part of the gate electrode 3.例文帳に追加

そして、ゲート電極3の中抜き部分内のソース拡散領域3を除外した箇所に、高濃度P型のボディーコンタクト用拡散領域9を形成する。 - 特許庁

The control part 33 and the isolation part 32 are formed to be shallower than the N-type diffusion layer 4 and have impurity concentration higher than a P-type well 2 of the substrate 1.例文帳に追加

これ等の制御部33及び分離部32は、前記n型拡散層4よりも浅く、且つ基板1のp型ウェル2よりも高濃度の不純物濃度に形成される。 - 特許庁

In an electron block layer disposed at the p-side of the active layer of a semiconductor laser using a nitride compound semiconductor, the Mg concentration thereof is set equal to or greater than10^19 cm^-3.例文帳に追加

ナイトライド系化合物半導体を用いた半導体レーザの活性層のp側に設けるエレクトロンブロック層のMg濃度を7×10^19cm^-3以上とする。 - 特許庁

例文

The high-concentration n-type region 9 is formed by diffusing an n-type impurity from the front side of the substrate 5 so as to surround the p-type region 7 as seen from the front side.例文帳に追加

高濃度n型領域9は、表面側から見てp型領域7を取り囲むように、基板5の表面側からn型不純物を拡散して形成されている。 - 特許庁

例文

This invention relates to the electrical insulation oil used for the oil-filled electric device, wherein the concentration of 2,6-di-tert-butyl-p-cresol is ≤0.2 wt.%.例文帳に追加

本発明は、2,6−ジ−tert−ブチル−p−クレゾールの濃度が0.2重量%以下であることを特徴とする、油入電気機器に用いる電気絶縁油である。 - 特許庁

The impurity concentration or carrier density in the trapezoidal projection p-type GaN layer 6' increases stepwise or consecutively from a bottom of the trapezoid toward a forefront part thereof.例文帳に追加

台形凸部p型GaN層6’における不純物濃度もしくはキャリア密度は台形の底部から先端部へ向かって段階的もしくは連続的に増大している。 - 特許庁

An anode electrode 12 is formed on a p-type diffusion layer 4 and a cathode electrode 13 is formed on the n-type high concentration diffusion layer 10 at the outer side of the light-receiving region.例文帳に追加

受光領域の外側においては、p型拡散層4上にアノード電極12、n型高濃度拡散層10上にカソード電極13が形成されている。 - 特許庁

Then a maximum value of nitrogen atom concentration in a region which is10 nm away from an interface between the p-type layer 4 and oxide layer 8 is ≥1×10^21 cm^-3.例文帳に追加

そして、p型層4と酸化膜8との界面から10nm以内の領域における窒素原子濃度の最大値は1×10^21cm^−3以上となっている。 - 特許庁

To provide a stable, sufficiently sensitive and inexpensive biosensor for measuring a substrate concentration by using an oxidation-reduction enzyme having a NAD(P) as a coenzyme.例文帳に追加

NAD(P)を補酵素とする酸化還元酵素を用いて基質濃度を測定するバイオセンサであって、安定かつ十分な感度が得られ、なおかつ安価なバイオセンサを提供する。 - 特許庁

This quantitative analysis determination method of an analysis method is used for obtaining iron concentration in boron-doped p-type silicon using the change of measurement values before and after Fe-B pair separation.例文帳に追加

Fe−Bペア乖離前後の測定値の変化を利用してボロンドープp型シリコン中の鉄濃度を求める分析方法の定量分析限界決定方法。 - 特許庁

Shapes of the respective photoelectric conversion portions 11 correspond to the color filters 17, 18 and 19 and differ depending on the high-concentration p-type layers constituting the isolating diffusion layers 10.例文帳に追加

各光電変換部11の形状は、カラーフィルタ17、18及び19と対応して、分離拡散層10を構成する高濃度p型層により異なる。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which can enlarge a signal amount in memory operation without raising impurity concentration of a floating p well, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

フローティングPウェルの不純物濃度を濃くしないで、メモリ動作時の信号量を大きくすることが可能な半導体装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

On one surface of a high-resistance n-type base layer 1, an n-type collector layer 2 of high concentration is formed and on the other surface, a p-type base layer 3 is selectively formed.例文帳に追加

高抵抗のn型ベース層1の一方の面には高濃度のn型コレクタ層2が形成され、他方の面にはp型ベース層3が選択的に形成されている。 - 特許庁

Thereafter, after a p-type pocket region 7 is formed, an insulated side wall 8 is formed on the side of the gate electrode 4 and a high concentration source/drain region 9 is formed.例文帳に追加

その後、p型ポケット領域7を形成した後、ゲート電極4の側面上に絶縁性サイドウォール8を形成し、高濃度ソース・ドレイン領域9を形成する。 - 特許庁

An n-type drain layer 6 is formed in a depth which reaches insulator 2 from the surface of a p-type active layer 3 of low impurity concentration formed on an SOI substrate.例文帳に追加

SOI基板上に形成された低不純物濃度のp型活性層3の表面から絶縁層2に到達する深さでn型ドレイン層6が形成されている。 - 特許庁

In the apparatus for adjusting the concentration of the mixed solution, raw material tanks 20a and 20b, a pump P, a microwave characteristic measuring device 30, and a mixing tank 40 are connected by piping.例文帳に追加

混合液体の濃度調整装置10は、原料タンク20a,20b、ポンプP、マイクロ波特性測定装置30及び混合槽40が配管で連結されてなる。 - 特許庁

A source electrode 11 is so formed as to contact with the p^+ high-concentration contact region 6 formed on the side wall of the second trench 5 and further to contact with the n^+ source region 4.例文帳に追加

第2トレンチ5の側壁に形成されたp^+高濃度コンタクト領域6に接し、かつn^+ソース領域4に接するように、ソース電極11を形成する。 - 特許庁

The concentration distribution in a p-clad layer is measured by finding the relation between the reverse bias voltage and the depletion layer capacity immediately below the Schottky electrode 108.例文帳に追加

逆バイアス電圧とショットキ電極108直下の空乏層容量との関係を求めることにより、Pクラッド層中の不純物濃度分布を測定する。 - 特許庁

The impurity concentration of an adjacent part of the P-type impurity diffusion layer 14 to the element isolation insulating film 12 is selected lower than that of the remaining part.例文帳に追加

P型不純物拡散層14における素子分離絶縁膜12との隣接部分の不純物濃度は、その残りの部分よりも低くなるように設定されている。 - 特許庁

A p-type substrate region 3 and a high-concentration n-type source region 8 are successively formed on n-type drain regions 1 and 2 in a semiconductor substrate S.例文帳に追加

半導体基板S内におけるN型ドレイン領域1及び2の上にP型基板領域3及び高濃度N型ソース領域8が順次形成されている。 - 特許庁

The acceptor impurity concentration of the p-type semiconductor can be set so that the open voltage before the irradiation of light can be set so as to be 0.85-0.99 times as large as the maximum value of the open voltage before the irradiation of light.例文帳に追加

光照射前の開放電圧の極大値に対して、0.85〜0.99倍になるように、p型半導体のアクセプタ不純物濃度を設定しても良い。 - 特許庁

Consequently, the SiC semiconductor device has a structure wherein the second layer 6b with the high concentration of the deep p-type layer 6 is deeper in the center region R1a than in the connection region R1b.例文帳に追加

このため、ディープp型層6のうち高濃度となる第2層6bの深さが接続領域R1bよりも中央領域R1aの方が深い構造となる。 - 特許庁

For example, in an IGBT, a p-type base layer 2 is formed in a first main surface central part (the left side on the paper surface) of a chip formed of an n-type low concentration substrate 1.例文帳に追加

例えばIGBTにおいて、n型の低濃度基板1で形成されたチップの第1の主面中央部(紙面左側)には、p型ベース層2が形成されている。 - 特許庁

Parasitic capacity between the other terminals B and source potential (VSS) can be reduced, because the region 12 and region 11 are to become a low concentration P-N juction.例文帳に追加

N型ウェル領域12とP型ウェル領域11とが低濃度PN接合となるので、他方の端子Bとソース電位(VSS)間の寄生容量を低減できる。 - 特許庁

The SiGe_x region 24 in a PMIS region 140 contains p-type impurities at a relatively high concentration, and it is connected with the silicide 26.例文帳に追加

また、PMIS領域140におけるSiGe_x領域24は、比較的に高濃度のP型不純物を含んでおり、シリサイド26と電気的に接続されている。 - 特許庁

An electroless plated high- concentration Ni-P film 30, which contains phosphorus at a rate of 7-12 wt.%, has a thickness of 3-10 μm, and covers a prescribed portion of the pattern 12 is provided.例文帳に追加

7〜12重量%の濃度でリンを含有し、3〜10μmの膜厚でパターン12の所定部分を覆う無電界高濃度Ni−Pメッキ膜30を設ける。 - 特許庁

When a tensile force acts on the wires 16 from the outside, stress concentration portions P are formed in the wires 16 at the bent portions 55 and 56.例文帳に追加

そして、配線16に対して外部から引張力が作用した場合には、これらの折曲部55,56において、配線16に応力集中部Pが形成される。 - 特許庁

A P-type second semiconductor layer 13 is formed on an inner surface of the second recess part 51a so as to generate a third recess part 52a being smaller than the second recess part 51a; and has a second impurity concentration.例文帳に追加

P型第2半導体層13は第2凹部51aの内面にそれより小さい第3凹部52cを生じるように形成され、第2不純物濃度を有する。 - 特許庁

To provide a method for the separation and concentration of a mixed cresol, especially an isomer mixture of m-cresol and p-cresol by using a separation membrane composed of a zeolite membrane.例文帳に追加

混合クレゾール、特にm−クレゾール及びp−クレゾール異性体混合物を、ゼオライト膜から構成された分離膜を用いて分離濃縮する方法を提供する。 - 特許庁

High-concentration phosphor ions are implanted into the formation area A of a high-speed HBT on a p-type Si substrate 1, and a silicon oxide film 3 is formed on the Si substrate 1.例文帳に追加

P型Si基板1上の高速用HBTの形成領域Aに高濃度のリンイオンを注入した後、Si基板1上にシリコン酸化膜3を形成する。 - 特許庁

The third activation treatment is carried out under the condition that the impurity concentration distribution gradient of the P-N junction be steeper than that of the first impurity diffusion region.例文帳に追加

そのpn接合部における不純物濃度分布勾配が、第1の不純物拡散領域よりも急峻になる条件で第3の活性化処理を行う。 - 特許庁

In the p-type clad layer 54, the concentration of the first dopant is made to be higher from the active layer 18 toward the top surface 52t of the semiconductor mesa 52 in the Z-direction.例文帳に追加

p型クラッド層54では、Z方向において、活性層18から半導体メサ52の頂面52tに向かうに従って、第1ドーパントの濃度が高くなっている。 - 特許庁

The second Al_X2Ga_1-X2N semiconductor layer 7 includes a p-type dopant concentration smaller than that of the first Al_X1Ga_1-X1N semiconductor layer 5.例文帳に追加

第2のAl_X2Ga_1−X2N半導体層7は、第1のAl_X1Ga_1−X1N半導体層5のp型ドーパント濃度より小さいp型ドーパント濃度を有する。 - 特許庁

Low contact resistance by ohmic junction is obtained via an alloy layer 116 between an electrode 115 and a p-InGaAsP semiconductor layer 111 of low concentration.例文帳に追加

電極115と低濃度半導体層であるp−InGaAsP半導体層111との間の合金層116を介したオーミック接合により低コンタクト抵抗を得る。 - 特許庁

Next, an As^+ ion implantation layer 9 is formed by ion implantation so that the concentration peak of the n^+ region 10 comes near to the surface of the p^- semiconductor substrate 3.例文帳に追加

次に、n^+領域10の濃度のピークが、p^-半導体基板3表面付近になるように、As^+イオン注入層9をイオン注入法により形成する。 - 特許庁

A B^+ ion implantation layer 5 is then formed by ion implantation so that the concentration peak of a p region 6 eventually forms a pn junction 8 with an n^+ region 10.例文帳に追加

次に、p領域6の濃度のピークが、最終的にn^+領域10とのPN接合8部になるように、B^+イオン注入層5をイオン注入法により形成する。 - 特許庁

A p-type buried diffusion layer 116 with its impurity concentration higher than that of a semiconductor layer 101 is formed between the semiconductor substrate 100 and the semiconductor layer 101.例文帳に追加

半導体基板100と半導体層101との間に、半導体層101よりも不純物濃度の高いP型埋め込み拡散層116を形成する。 - 特許庁

An NaOH solution of high concentration(51%) is heated at 80°C, and silicon(p-type CZ wafer, face orientation<100>, resistivity 0.005 to 0.01 Ωcm) is resolved to its solution.例文帳に追加

高濃度NaOH溶液(51%)を80℃に上昇させ、その溶液にシリコン(P型のCZウェーハ、面方位〈100〉、比抵抗0.005〜0.01Ω・cm)を溶解した。 - 特許庁

The acceptor concentration N_a in the channel region 29 of the p-type body region 22 is no fewer than10^16 cm^-3 nor more than10^18 cm^-3.例文帳に追加

p型ボディ領域22のチャネル領域29におけるアクセプタ濃度N_aは1×10^16cm^−3以上2×10^18cm^−3以下である。 - 特許庁

To provide a practical p type diamond semiconductor device in which hole concentration is 1.0×10^15 cm^-3 or above at a room temperature (300 K) or above, and also, dopant atom concentration is 1.0×10^21 cm^-3 or below, and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

室温(300K)以上において正孔濃度が1.0×10^15cm^‐3以上で、かつ、ドーパント原子濃度が1.0×10^21cm^‐3以下である実用的なp型ダイヤモンド半導体デバイスとその製造方法を提供すること。 - 特許庁

The corrosion inhibition method comprises adding the above corrosion inhibitor to a liquid to be treated, keeping the concentration of the corrosion inhibitor in the liquid at 20 to 200 mg/liter, and keeping the concentration of the phosphorus-containing substance at 2 mg/liter or less expressed in terms of P.例文帳に追加

被処理液に前記腐食抑制剤を添加し、該被処理液中の腐食抑制剤を20〜200mg/リットルの濃度で保持し、かつリン含有物の濃度をP換算で2mg/リットル以下に保持することを特徴とする腐食抑制方法。 - 特許庁

Since no grain boundary exists in these p-n junction and p-i-n junction or in the channel region, the concentration of the catalytic substance is lowered and a diode or a transistor having characteristics close to those attained by using a single crystal can be manufactured.例文帳に追加

この場合、これらのp−n接合やp−i−n接合領域またはチャネル領域内に結晶粒界がなく、触媒物質濃度が低くなり、単結晶を用いた場合に近い特性のダイオードやトランジスタを作製することができる。 - 特許庁

A p type AlInP capacity reduced layer 100 of which the impurity concentration is lower than that of a p type AlGaInP 1st upper clad layer 14 is formed between the layer 14 and an n type AlInP current block layer 102.例文帳に追加

p型AlGaInP第1上クラッド層14とn型AlInP電流ブロック層102との間に、p型AlGaInP第1上クラッド層14より不純物濃度が低いp型AlInP容量低減層100を設ける。 - 特許庁

例文

The n^+ region 107 is so formed on the main surface 12 as to face the n type source region 103, with the p type base region 105 in between, to adjoin the p type base region 105, having an impurity concentration higher than the n^- region 101.例文帳に追加

n^+領域107は、p型ベース領域105と隣接するように、p型ベース領域105を挟んでn型ソース領域103と向かい合うように主表面12に形成され、n^-領域101よりも高い不純物濃度を有する。 - 特許庁




  
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