「P concentration」に関連した英語例文の一覧と使い方(15ページ目) - Weblio英語例文検索

To obtain an AlGaInP-based laser diode and a compound semiconductor wafer of a structure where a p type cladding layer is doped with Mg with high concentration and thereafter preventing an active layer from being deteriorated due to spreading of a dopant.例文帳に追加

ｐ型クラッド層に高濃度にＭｇをドーピングした上で、そのドーパントの拡散による活性層の劣化を防いた構造のＡｌＧａＩｎＰ系レーザダイオード及び化合物半導体ウェハを得ることを可能にする。 - 特許庁

And then, a second impurity injection mask 35 is formed by patterning a formed metal film for forming a gate electrode, and a p-type impurity is injected in high concentration with the mask 35.例文帳に追加

次に、成膜されたゲート電極形成用金属膜をパターニングして第２の不純物注入マスク３５を形成し、この第２の不純物注入マスク３５をマスクとしてｐ型不純物を高濃度に注入する。 - 特許庁

An n- epitaxial layer 12B with impurity concentration higher than the epitaxial layer 12A and thinner than the epitaxial layer is formed on the epitaxial layer 12A, and a (p) buried layer 13B is formed in the epitaxial layer 12B.例文帳に追加

エピタキシャル層１２Ａ上には、エピタキシャル層１２Ａに比べて、不純物濃度が高くかつ厚さが薄いｎ^−エピタキシャル層１２Ｂが形成され、エピタキシャル層１２Ｂにはｐ埋め込み層１３Ｂが形成されている。 - 特許庁

To provide a CMOS image sensor which can getter metallic ion contamination having high concentration by implanting a p-type impurity ion into a dummy moat region, thereby reducing leakage current, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

ダミーモート領域に高濃度のｐ型不純物イオンを注入することによって金属イオン汚染をゲッタリングし、漏れ電流を低減できるようにしたＣＭＯＳイメージセンサとその製造方法を提供する。 - 特許庁

Then, processing for forming an epitaxial layer whose impurity concentration is lower than that of the n type buffer layer 3, and for selectively injecting the n type impurity and the p type impurity into the upper face is repeated.例文帳に追加

次に、不純物濃度がｎ型バッファー層３の不純物濃度よりも低いエピタキシャル層を形成し、その上面にｎ型不純物及びｐ型不純物を選択的に注入する処理を繰り返す。 - 特許庁

The impurity region 23 captures hydrogen remaining in the p-type semiconductor layer, so that the concentration of hydrogen of the impurity region 23 is higher than the part other than the impurity region 23 in the insulating film 20.例文帳に追加

ｐ型半導体層内に残留する水素を不純物領域２３が捕獲するため、不純物領域２３の水素濃度は絶縁膜２０のうち不純物領域２３を除く部分よりも高くなっている。 - 特許庁

Excitation light by a prescribed wavelength is irradiated, and fluorescent intensities a, b at two different excitation wavelengths in fluorescence acquired therefrom are detected, and the concentration of B[a]P is determined by forming simultaneous equations.例文帳に追加

所定の波長による励起光を照射し、これにより得られる蛍光のうち、異なった二つの励起波長での蛍光強度ａ、ｂを検出し、連立方程式を立てることにより、Ｂ[ａ]Ｐの濃度を知る。 - 特許庁

AlGaN of high Al composition can be grown without a crack in an AlGaN/InGaN based layer having high hole concentration and large lattice misfit in the thus-obtained p-type nitride semiconductor layer.例文帳に追加

このようにして得られたｐ型窒化物半導体層は、正孔濃度が高く、大きな格子不整合を有するＡｌＧａＮ／ＩｎＧａＮ系においてもクラックを生じることなく、高いＡｌ組成のＡｌＧａＮを成長することができる。 - 特許庁

A phosphorus measuring apparatus 1 electrochemically measures the concentration of PO_4-P in sample water by a flow injection analysis means 2a, provided with a mixed solution of ammonium molybdate and sulfuric acid as a reagent solution.例文帳に追加

りん測定装置１は試薬溶液としてモリブデン酸アンモニウムと硫酸の混合液が供されるフローインジェクション分析手段２ａによって試料水中のりん酸イオン態りん濃度を電気化学的に測定する。 - 特許庁

The carbon doped layer 115 has a current constriction part having larger dopant concentration than that of adjacent p-type spacer layers 106 and 116 and internally containing hydrogen, and a current injection part internally containing no hydrogen.例文帳に追加

炭素ドープ層１１５は、ドーパント濃度が隣接するｐ型スペーサ層１０６，１１６のドーパント濃度よりも大きく、水素を内部に含む電流狭窄部と、水素を内部に含まない電流注入部とを有する。 - 特許庁

When the electrode 250 uses a polycrystalline Si-doped at a high concentration, the electrode becomes a channel feed source and hence n- and p-type devices can be formed according to the conductivity type depending on an impurity.例文帳に追加

また、該ゲート電極は、縦形のチャネル両側に配置し、接合におよぼす電界効果を有効に働かせることができるようにすることで、オフ状態での接合リークを極めて低いものにすることができる。 - 特許庁

After an N type LDD region is formed by implanting N type impurities into the semiconductor layer using the first and second gate electrodes as masks (step S6), the N type LDD region is inverted into a P type high concentration impurity layer by implanting P type impurities into the region for forming the P type TFT using the first and second gate electrodes as masks (step S7).例文帳に追加

そして、第１のゲート電極と第２のゲート電極とをマスクにして半導体層にＮ型不純物を注入してＮ型ＬＤＤ領域を形成した後に（ステップＳ６）、Ｐ型ＴＦＴを形成すべき領域に第１のゲート電極と第２のゲート電極とをマスクにしてＰ型不純物を注入し、Ｎ型ＬＤＤ領域をＰ型高濃度不純物層に反転する（ステップＳ７）。 - 特許庁

The spaces are reduced between the concentration check toner patterns P in the running direction of the image carrier to shorten the time required to check the toner patterns by including the length corresponding to the time required to switch the developing bias within the edge length areas b, c corresponding to the ineffective areas formed in the concentration check toner patterns P formed for each gradation on the image carrier.例文帳に追加

像担持体上において階調毎に形成される複数の濃度検知用トナーパターンＰに生じている検知無効領域に相当するエッジ部の長さ領域ｂ，ｃに現像バイアス切り換えに要する時間に相当する長さを含めることにより像担持体の進行方向での濃度検知用トナーパターンＰ同士の間隔を短くして濃度検知用トナーパターンの検知に要する時間を短縮することを特徴としている。 - 特許庁

An n-type source 11s is formed in the well region 23 for p-type channel next to the gate electrode 11g, and an n-type drain 11d is formed in the n-type medium-concentration drain region 24 provided with a space from the gate electrode 11g.例文帳に追加

Ｐ型チャネル用ウエル領域２３にゲート電極１１ｇに隣接してＮ型ソース１１ｓが形成され、Ｎ型中濃度ドレイン領域２４にゲート電極１１ｇとは間隔をもってＮ型ドレイン１１ｄが形成されている。 - 特許庁

When a surge is inputted from the I/O pad, the surge is allowed to escape by utilizing the sharp concentration change in a p-n junction section, to be formed from the heavily-doped drain region 7b to a substrate region 1a.例文帳に追加

入出力パッドからサージが入力された場合には、高濃度ドレイン領域７ｂから基板領域１ａに形成されるｐｎ接合部の濃度変化が急峻なことを利用してサージを逃すように構成されている。 - 特許庁

A weight concentration part 15 is provided on the side of the back part from the axis SX of the shaft 5 within the head 7 so as to rise to the toe side from the heel side with respect to the reference horizontal plane P for regulating the lie.例文帳に追加

そして、ヘッド７の内部でシャフト５の軸線ＳＸよりもバック部側に、ライ角を規定する基準水平面Ｐに対し、ヒール側からトウ側に向けて上昇する重量集中部１５を設けたことを特徴とする。 - 特許庁

Hence, conductivity modulation effect is enhanced, and as a result, forward voltage VF can be reduced, even in a configuration in which impurity concentration of a p-type impurity region is reduced for the purpose of shortening the time of reverse recovery ttr.例文帳に追加

従って伝導度変調効果が高まるので、逆回復時間ｔｒｒ短縮のためにｐ型不純物領域の不純物濃度を低減した構造であっても、順方向電圧ＶＦを低減することができる。 - 特許庁

The variation in the In concentration in the surface perpendicular to the first direction of the p-side interface portion is less than or equal to that in the surface perpendicular to the first direction of the n-side interface portion.例文帳に追加

前記ｐ側界面部分の前記第１方向に対して垂直な面内におけるＩｎの濃度のばらつきは、前記ｎ側界面部分の前記第１方向に対して垂直な面内におけるＩｎの濃度のばらつき以下である。 - 特許庁

An N-type low-concentration drain region 3, a source region 5, a drain ohmic region 7, a P-type channel region 9, and an ohmic channel region 11 are formed in a silicon layer 1c at a depth reaching an embedded oxide film 1b.例文帳に追加

シリコン層１ｃに、埋め込み酸化膜１ｂに達する深さで、Ｎ型の低濃度ドレイン領域３、ソース領域５、ドレインオーミック領域７、及びＰ型のチャンネル領域９、オーミックチャンネル領域１１が形成されている。 - 特許庁

By making oxidizing gas such as O2, O3 or N2O be contained in the gaseous atmosphere for the heat treatment, a p-type group-III nitride semiconductor having sufficient carrier concentration can be manufactured even if the temperature of the heat treatment is lowered.例文帳に追加

熱処理を行う際の気相雰囲気中に、Ｏ_2、Ｏ_3、Ｎ_2Ｏなどの酸化性のガスを含ませることで、熱処理の温度を低くしても十分なキャリア濃度を有するｐ型ＩＩＩ族窒化物半導体を製造することができる。 - 特許庁

To provide an Ni-Fe-P-based electroless-plated film which can form an oxidation prevention film of several nanometers on the surface side, by controlling the concentration of sodium potassium tartrate in particular, and to provide a method for producing the same.例文帳に追加

特に、酒石酸ナトリウムカリウムの濃度を調整して、表面側に数ｎｍの酸化防止膜を形成することが可能なＮｉＦｅＰ系無電解メッキ膜及びその製造方法を提供することを目的としている。 - 特許庁

Meanwhile, the arrangement concentration of dummy active regions 12 in an n well 4 is relatively high, making a stress to be applied on an n-type active region relatively large and hence a driving current of the p-channel type MOS transistor can be increased.例文帳に追加

Ｎウエル４側におけるダミー活性領域１２の配置密度は比較的高くなっており、Ｎ型の活性領域に及び応力は比較的大きく、Ｐチャネル型ＭＯＳトランジスタの駆動電流の増加を図ることができる。 - 特許庁

A p-anode layer 3 is formed in the surface layer of the epitaxial growth layer 20, and an n^+-layer 4 is formed by introducing As of 1×10^18 cm^-3 or higher in a surface concentration in the surface layer of the n-cathode layer 1.例文帳に追加

このエピタキシャル成長層２０の表面層にｐアノード層３を形成し、ｎカソード層１の表面層に１×１０^１８ｃｍ^−３以上の表面濃度のＡｓを導入してｎ^＋ 層４を形成する。 - 特許庁

A source/drain region 16 composed of an n^- type region 161 and an n^+ type region 162 having concentration higher than the region 161 is constituted at a distance of the channel region, along the trench 13 from the uppermost surface in the p^- type region 12.例文帳に追加

Ｐ^−型領域１２における最上面から溝部１３に沿うようにチャネル領域を隔ててＮ^−型領域１６１及びそれより高濃度のＮ^＋型領域１６２でなるソース・ドレイン領域１６が構成される。 - 特許庁

Part of a silicon layer 3 held between a bottom face of an element isolation insulation film 5a and a top face of a BOX layer 2 is doped with a P-type impurity for element isolation at a concentration P1 by ion implantation.例文帳に追加

素子分離絶縁膜５ａの底面とＢＯＸ層２の上面とによって挟まれている部分のシリコン層３内には、イオン注入によって、素子分離のためのＰ型不純物が不純物濃度Ｐ１で注入されている。 - 特許庁

The electrophotographic equipment is provided with a P sensor 11 for detecting toner concentration on a photoreceptor, and a control board determined in response to detection output, and timing of output starting of the electrification or developing bias is changed.例文帳に追加

感光体上のトナー濃度を検出するＰセンサー１１と、該検出出力に応じて判断するコントロールボードとを具備し、コントロールボードの判断に基づいて、帯電または現像バイアスの出力開始タイミングを変化させる。 - 特許庁

Since ohmic junction is formed by means of a drain electrode 31 containing aluminum with the p^--type drain layer 11 after the rear surface of the wafer is ground, ion implantation and heat treatment performed for separately forming a high-concentration layer for drain contact become unnecessary.例文帳に追加

裏面研削後、アルミニウムを含むドレイン電極３１によって、ｐ^-低濃度ドレイン層１１とオーミック接合が形成されるので、ドレインコンタクト用の高濃度層を別途形成するためのイオン注入及び熱処理が不要となる。 - 特許庁

The temperature monitoring wafer 10 is manufactured in which a high concentration n-type epitaxial growth layer 12 is formed on a p-type silicon substrate 11, and the coating by the coating film is conducted in order to prevent diffusion of the water as a whole to the external side of impurity.例文帳に追加

Ｐ型シリコン基板１１上に高濃度のＮ型エピタキシャル成長層１２が形成されており、ウェーハ全体が不純物の外方への拡散を阻止するコーティング膜でコーティングされている温度モニタウェーハ１０を作成する。 - 特許庁

The channel region is provided with a P+ impurity region 31 having a higher concentration than the substrate 21 on the source region side and an N- impurity region 33 having a conductive type opposite to that of the substrate 21 on the drain region side.例文帳に追加

チャンネル領域のうち、ソース領域側には基板２１より高濃度のＰ＋ 不純物領域３１が形成されており、ドレイン領域側には基板２１と反対導電型であるＮ− 不純物領域３３が形成されている。 - 特許庁

To enable a P-AlxGa1-xN layer of high carrier concentration to be formed, even if a compositional ratio x of Al is larger than 0.2 and furthermore a photodetector or a flame sensor of satisfactory characteristics to be formed.例文帳に追加

Ａｌの組成比ｘが０．２以上であっても、高キャリア濃度のｐ−Ａｌ__xＧａ_1-xＮ層を作製可能な、更には、良好な特性の受光素子や火炎センサを作製可能な窒化物半導体製造方法を提供する。 - 特許庁

In addition, a highly doped doping layer 8 is formed in the surface layer part of the electron diffusion layer 7 including the main surface on which an electrode 9 is formed, the concentration of the p-type dopant of the surface layer part being designed higher than that of the remainder part of the electron diffusion layer 7.例文帳に追加

また、電流拡散層７の電極９を形成する側の主表面を含む表層部に、ｐ型ドーパント濃度が電流拡散層７内の残余の部分よりも高くされた、高濃度ドーピング層８を形成する。 - 特許庁

This method for removing the alkali from the alkali-containing waste oil is characterized by bringing the alkali-containing waste oil P obtained by carrying out at least one of a saponification reaction and an addition reaction into contact with an acidic aqueous solution having an acid concentration of 5 to 50 mass% and maintaining the contact for a prescribed time.例文帳に追加

鹸化及び付加反応の少なくとも一方が行われたことによってアルカリ分を含有した廃油Ｐに、濃度５〜５０質量％の酸水溶液Ｃを接触し、この接触状態を所定時間保つ。 - 特許庁

Breakdown voltage can be enhanced by forming a heavily doped P type guard ring region 5 having a depth of 2 μm and an impurity concentration of 1×10^16/cm^3-6×10^17/cm^3 in a lightly doped N type epitaxial layer 2.例文帳に追加

低濃度Ｎ型エピタキシャル層２に、深さ２μｍ、不純物濃度１×１０^16／ｃｍ^3〜６×１０^17／ｃｍ^3程度の高濃度Ｐ型ガードリング領域５を形成することにより、耐圧を高くすることが可能となる。 - 特許庁

The semiconductor device has an n-type collector region 1 disposed on a collector electrode CD1, a low-concentration n-type collector region 2 disposed on the region 1, and a p-type base region 3 disposed on the region 2.例文帳に追加

コレクタ電極ＣＤ１上に配設されたＮ型コレクタ領域１と、Ｎ型コレクタ領域１上に配設された低濃度Ｎ型コレクタ領域２と、低濃度Ｎ型コレクタ領域２上に配設されたＰ型ベース領域３とを備えている。 - 特許庁

Moreover, island-shaped semiconductor layers 104 and 105a are formed as active layers, and p-type and n-type impurities in proper concentration are implanted by masks 107 and 108 so as to form a channel which can control the threshold voltage.例文帳に追加

また島状半導体層１０４、１０５ａを形成して活性層とし、マスク１０７、及び１０８によって、ｐ型及びｎ型の適切な濃度の不純物を注入して、しきい値電圧を制御できるチャネルを形成する。 - 特許庁

To prevent a break-through in an activated carbon to allow continuous collection for an organic halogen for a long period, in measurement of concentrations of polychlorinated dibenzo-p-dioxins in exhaust gas using total organic halogen concentration as an alternate index.例文帳に追加

全有機ハロゲン濃度を代替指標として用いる排ガス中のダイオキシン類濃度の測定において、活性炭の破過を防ぎ、長時間にわたる有機ハロゲン連続補集が可能な有機ハロゲンの補集装置を提供する - 特許庁

In order to form a high-concentration p-type collector layer, cooled ion injection 12 is performed from a rear surface, and low-temperature annealing is performed to recrystalize the front-most surface of a polycrystalline layer on the rear surface to make a recrystalizeed layer 32.例文帳に追加

高濃度のｐ型コレクタ層を形成するために、裏面より、冷却イオン注入１２を行い、つぎに、長時間の低温アニールを行って、裏面の多結晶層を最表面まで再結晶化して、再結晶層３２とする。 - 特許庁

When cement clinker G2 is produced by feeding a mixture K of the waste tires T and the waste plastics P in a cement firing process, the mixing ratio of the waste tires T is controlled according to the measured value of the iron concentration in the cement clinker G2.例文帳に追加

廃タイヤＴと廃プラスチックＰの混合物Ｋをセメント焼成工程に投入してセメントクリンカＧ２を製造するに際し、セメントクリンカＧ２中の鉄分濃度の測定値に応じて廃タイヤＴの混合率を調整する。 - 特許庁

In a photo diode 40 formation region, the first p-type semiconductor layer 12 constitutes part of an anode region, and the n-type semiconductor layer 14 constitutes a cathode region 42 and a high concentration cathode region 45.例文帳に追加

フォトダイオード４０が形成される領域において、第１のｐ型半導体層１２はアノード領域の一部分を構成し、ｎ型半導体層１４はカソード領域４２及び高濃度カソード領域４５を構成している。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a semiconductor device to optimize impurities concentration of the gate electrodes of an n-channel MOSFET and a p-channel MOSFET and be capable of reducing defects in a gate insulation film.例文帳に追加

ｎチャネルＭＯＳＦＥＴ及びｐチャネルＭＯＳＦＥＴの各ゲート電極における不純物濃度を最適化し、かつ、ゲート絶縁膜中の欠陥を低減することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

Proposed is the copper powder for an electrically conductive paste which contains aluminum (Al) and phosphorus (P), and is characterized in that the concentration of Al is more than 10.0 atm% and 65.0 atm% or less.例文帳に追加

Ａｌ（アルミニウム）及びＰ（リン）を含有する導電性ペースト用銅粉であって、Ａｌ濃度が１０．０ａｔｍ％より多く、且つ６５．０ａｔｍ％以下であることを特徴とする導電性ペースト用銅粉を提案する。 - 特許庁

To bury trenches formed in a semiconductor layer in manufacturing a semiconductor element having a repetitive p-n junction structure with epitaxial layers having no void nor crystal defect, but having uniform impurity concentration profiles in the depthwise direction.例文帳に追加

繰り返しｐｎ接合構造を有する半導体素子を製造する際に、半導体層に形成したトレンチを、空隙や結晶欠陥がなく、深さ方向に均一な不純物濃度プロファイルを有するエピタキシャル層で埋めること。 - 特許庁

In the area of the DMOS transistor, an N- type offset area 17 where a low concentration N- type impurity is introduced to the surface of a P+ type body diffusion layer 15, with a resist and a gate electrode 14, not shown, as a mask is formed.例文帳に追加

ＤＭＯＳ型トランジスタの領域では、図示しないレジストとゲート電極１４をマスクとしてＰ^+ 型ボディー拡散層１５表面に低濃度Ｎ型不純物を導入してなるＮ^- 型のオフセット領域１７を形成する。 - 特許庁

An interval between the two gates 6 is made narrower; sidewalls 8 are connected between the gates 6; and an insulating film (NSG) 8 is interposed, so that a high concentration impurity layer (n+-type) is formed on a substrate (P-type well) 2 between the gates 6.例文帳に追加

２個のゲート６の間隔をより狭くし、かつ、そのゲート６間にサイドウォール８がつながって絶縁膜（ＮＳＧ）８を存在させ、ゲート６間の基板（Ｐウェル）２に高濃度不純物層（ｎ^+ ）が形成されないようにした。 - 特許庁

An MOSFET includes: an n-type SiC drift layer 2 formed on an SiC substrate 1; a pair of p-type base regions 3 formed above the SiC drift layer 2; and an n-type high-concentration layer 9 formed at a depth of the bottom of the base region 3 over the SiC drift layer 2 and having a high impurity concentration than the SiC drift layer 2.例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴは、ＳｉＣ基板１上に形成されたｎ型のＳｉＣドリフト層２と、ＳｉＣドリフト層２の上部に形成されｐ型の一対のベース領域３と、ＳｉＣドリフト層２におけるベース領域３の底部の深さ一帯に形成され、当該ＳｉＣドリフト層２よりも不純物濃度が高いｎ型の高濃度層９とを備える。 - 特許庁