「P concentration」に関連した英語例文の一覧と使い方(16ページ目) - Weblio英語例文検索

To reduce the number of processes and to raise the heat tolerance by performing dephosphorization with only a converter, in a method for assuming the P concentration in molten steel after blowing with sufficient accuracy, in a converter blowing for controlling the molten steel temperature after stopping the blowing and C and P concentrations into the targeted values by deciding the used amounts of O_2 and coolant based on intermediate measured result information at the blowing time.例文帳に追加

吹錬時の中間測定結果情報に基づいてＯ_２使用量と冷却材使用量を決定し、吹止後の溶鋼温度と、Ｃ及びＰ濃度を目標値に制御する転炉吹錬において、吹止後の溶鋼中のＰ濃度を精度よく推定する方法であって、脱Ｐを転炉のみで行って工程数を少なくし、熱裕度を向上させる。 - 特許庁

Disclosed is a leadless bronze casting alloy in which the intrusion of low Pb is allowable, and at least comprising Bi and high concentration P, where Ni is comprised, so as to increase liquidus temperature by the interaction between P and Ni, and excessive Massesy solidification is relaxed, so as to be a leadless bronze casting alloy in which the soundness of a casting is secured.例文帳に追加

本発明は、低Ｐｂが混入することを許容し、少なくともＢｉと高濃度のＰを含有する青銅鋳物合金において、Ｎｉを含有させてＰとＮｉとの交互作用により固相線温度を上げ、過度のマッシー型凝固を緩和することで鋳物の健全性を確保した鉛レス青銅鋳物合金である。 - 特許庁

The device is provided with an n-well layer 2 provided on the top part of a p-type silicon substrate 1, a p-type residual substrate 1a provided on the layer 2 on the top part of the substrate 1 and having an impurity concentration distribution uniform in the depth direction, and an MOS transistor element provided in this residual substrate 1a.例文帳に追加

Ｐ型シリコン基板１の上部に設けられたＮウェル層２と、Ｐ型シリコン基板１の上部においてＮウェル層２の上に設けられた、不純物濃度分布が深さ方向に均一であるＰ型の残存基板１ａと、この残存基板１ａ内に設けられたＭＯＳトランジスタ素子とを具備することを特徴としている。 - 特許庁

The oil-resistant sheet for food is a fiber sheet comprising solely wood pulp having the pulp freeness (Canadian standard freeness) of ≤450 ml measured in conformity to JIS P-8121 at a pulp concentration of 0.03 mass% and the penetration time of turpentine oil in the sheet is 50-3,000 sec measured in conformity to JIS P-8146.例文帳に追加

ＪＩＳ Ｐ−８１２１に準じてパルプ濃度０．０３質量％で測定されるパルプのろ水度（カナダ標準フリーネス）が４５０ｍｌ以下である木材パルプのみからなる繊維シートであって、ＪＩＳ Ｐ−８１４６に準じて測定されるテレビン油の浸透時間が５０〜３０００秒であることを特徴とする食品用耐油性シート。 - 特許庁

Consequently, the on-resistance can be reduced such that the contact resistance can be reduced by contacting with all the side walls of each contact trench Tc and besides the rise of the channel impurity concentration of a p-type well region 4 caused by the lateral direction diffusion of impurities effectively in forming an additional p^+-type region 8 of the bottom may be suppressed.例文帳に追加

これにより、各コンタクトトレンチＴｃの側壁すべてでコンタクトがとれるようになるためコンタクト抵抗を低減することができ、さらにその底面の追加ｐ^+型領域８形成時の不純物の横方向拡散によるｐ型ウェル領域４のチャネル不純物濃度の上昇を効果的に抑え、オン抵抗の低減を図ることができる。 - 特許庁

In the n-type MOS transistor Q10b, the p-type impurity of low concentration is introduced in an LDD region 8, and since drain side and source side n+ impurity regions 10 are separated from a channel-forming region by such a p- impurity region, the gap of drain and source is held in off state, even if the gate voltage is impressed.例文帳に追加

ｎ型ＭＯＳトランジスタＱ１０ｂにおいては、ＬＤＤ領域８に低濃度のｐ型不純物が導入されており、このｐ−不純物領域によってドレイン側およびソース側のｎ＋不純物領域１０がチャネル形成領域から分離されるため、ゲート電圧を印加してもドレイン−ソース間はオフ状態に保持される。 - 特許庁

The method of manufacturing the solar battery includes: a step of applying the alcoholic solution of phosphorous acid to a p-type semiconductor substrate by the inkjet method so that the dots of the alcoholic solution of the phosphorous acid partially overlap; and a step of forming the n-type diffusion layer of a different phosphor concentration on the p-type semiconductor substrate by thermally diffusing phosphor.例文帳に追加

リン酸のアルコール溶液のドットが一部重なり合うようにリン酸のアルコール溶液をインクジェット法によりｐ型半導体基板に塗布する工程と、リンを熱拡散させることによりｐ型半導体基板上にリン濃度の異なるｎ型拡散層を形成する工程とを備えることを特徴とする太陽電池の製造方法である。 - 特許庁

Dialysate waste obtained from peritoneal dialysis is prepared, at least one protein marker chosen from among a group of prealbumin, haptoglobin, α-microglobulin, C4, and the total protein contained in the dialysis drain is measured; and D/P creatinine is indirectly determined by using a preliminarily developed correlation formula indicating the relation between D/P creatinine and the marker concentration.例文帳に追加

腹膜透析により得られる透析排液を準備し、前記透析排液に含まれるプレアルブミン、ハプトグロビン、α１−ミクログロブリン、Ｃ４および総タンパク質からなる群から選択された少なくとも一つのタンパク質マーカーを測定し、予め作成したＤ／Ｐクレアチニン値とマーカー濃度との関係を示す相関式から間接的にＤ／Ｐクレアチニンを決定する。 - 特許庁

By changing the concentration of Al in the HfAlO_X film, control is made so that the work function of n-type polycrystalline silicon and that of p-type one becomes symmetric while sandwiching a mid gap (the threshold voltage of a MOS transistor=0).例文帳に追加

そこで、ＨｆＡｌＯ_X膜中のＡｌ濃度を変えることによって、ｎ型多結晶シリコンの仕事関数とｐ型多結晶シリコンの仕事関数とがミッドギャップ（ＭＯＳトランジスタのしきい値電圧＝０）を挟んで対称となるように制御する。 - 特許庁

The thickness Dc of the low-concentration collector region 12 is set less than the width Wc of a depletion layer in the collector region 12 by forming a p-n junction with the collector region 12 and the base region 13 in a usual operation.例文帳に追加

そして低濃度のコレクタ領域１２の膜厚Ｄcは、通常動作時にコレクト領域１２とベース領域１３とのｐｎ接合によりコレクタ領域１２に発生する空乏層幅Ｗcより小さく設定されていることを特徴としている。 - 特許庁

Moreover, a high concentration region 16 is formed with higher accuracy because the lattice-to-lattice silicon in the silicon substrate 13 is reduced to control the redistribution of impurity when high temperature heat process is conducted before the process to implant such p-type impurity.例文帳に追加

また、このｐ型不純物を注入する工程の前に高温で熱処理を行うことで、シリコン基板１３内の格子間シリコンが低減して不純物の再分布が抑制されるので、高濃度領域１６が精度良く形成される。 - 特許庁

In the figure, 505 is an N type cathode of photo diode, 506 is a surface P type area to make the photo diode a buried structure, and a 508a is an N type high concentration area which forms a floating diffusion and is a drain area of a transfer MOS transistor, too.例文帳に追加

５０５はフォトダイオードのＮ型カソード、５０６はフォトダイオードを埋め込み構造とするための表面Ｐ型領域、５０８ａはフローティングディフュージョンを形成し転送ＭＯＳトランジスタのドレイン領域ともなっているＮ型高濃度領域である。 - 特許庁

Then the polysilicon films 2, 4 are covered with a resist 7 and only the polysilicon film 3 is doped with low concentration P (phosphorus) ion so as to control the threshold voltage of the pixel sampling n-chTFT to be lower than the threshold voltage of the n-chTFT of the CMOS transistor.例文帳に追加

次にポリシリコン膜２，４をレジスト７を覆い、ポリシリコン膜３のみに、低濃度のＰ（リン）イオンをドープし、画素・サンプリングｎ−ｃｈＴＦＴの閾値電圧をＣＭＯＳトランジスタのｎ−ｃｈＴＦＴの閾値電圧よりも低く設定する。 - 特許庁

There are provided the alcohol-fermenting yeast which is Saccharomyces cerevisiae (Accession Number NITE P-890) which can proliferate in the presence of limonene having concentration of 0.1 to 0.5 wt.% and having resistance to the limonene, and the method for producing the ethanol therewith.例文帳に追加

濃度０．１〜０．５ｗｔ％のリモネンの存在下で増殖することが可能な、リモネンに耐性を有するサッカロマイセス・セルビジエ（受託番号 ＮＩＴＥ Ｐ−８９０）であるアルコール発酵性酵母及びこれを使用するエタノール製造方法。 - 特許庁

To provide a carbon monoxide gas sensor with high selectivity for detecting carbon monoxide gas, capable of accurately detecting a concentration of the carbon monoxide gas even under a coexistence with organic gas, and to provide a method of manufacturing a P-type semiconductor used for making up the above sensor.例文帳に追加

一酸化炭素ガス検出の選択性が高く、有機ガスの共存下においても正確に一酸化炭素ガス濃度を検出することのできる一酸化炭素ガスセンサ、及び同センサ製造用Ｐ型半導体の製造方法を提供する。 - 特許庁

The sealing material 5 and the sheet 1 are bonded by a primer for bonding having a solid matter having concentration of 3-25 mass % mainly comprising a bromide of an isobutyrene-p- methylstyrene copolymer and using an aliphatic hydrocarbon solvent as a solvent main component.例文帳に追加

シール材５と防水シート１とを、イソブチレン−ｐ−メチルスチレン共重合体の臭素化物を主成分とし脂肪族炭化水素系溶剤を溶媒主成分とする固形分の濃度３〜２５質量％の接着用プライマーで接着させる。 - 特許庁

A substrate made of single-crystal silicon is prepared, wherein a semiconductor layer that is made of P conductivity-type silicon having higher impurity concentration than a semiconductor substrate and is arranged on the surface of the semiconductor substrate, with a surface having (100) plane with an insulation layer in between.例文帳に追加

単結晶シリコンからなり、表面が（１００）面の半導体基板の表面上に、絶縁層を介して、半導体基板よりも不純物濃度の高いＰ導電型のシリコンからなる半導体層が配置された基板を準備する。 - 特許庁

A pixel isolation portion PB is formed from a compound semiconductor subjected to doping concentration control or composition control in such a way as to become a potential barrier between chalcopyrite photoelectric conversion films 13 formed corresponding to a plurality of pixels P.例文帳に追加

複数の画素Ｐに対応して形成されたカルコパイライト光電変換膜１３の間においてポテンシャル障壁になるように、画素分離部ＰＢを、ドーピングの濃度制御または組成制御がされた化合物半導体によって形成する。 - 特許庁

And, by applying the ion implantation method using the ring-shaped gate electrode 35 as a mask, arsenic is injected with high concentration into the surface n^+ layer 90 and the p^+ type region 89 through the LDD side spacer 91 to form an n^+ type source region 36.例文帳に追加

そして、リング状ゲート電極３５をマスクとしたイオン注入法を適用して、ＬＤＤサイドスペーサ９１を通して表面ｎ^+層９０及びｐ^+型領域８９内にひ素を高濃度で注入し、ｎ^+型のソース領域３６を形成する。 - 特許庁

In the device layer 30, a gauge section 37 which is electrically connected to the positive-side electrode 60a and has a p-type impurity concentration higher than that of the remainder, and an n-type region 36 which is electrically connected to the negative-side electrode 60b are formed.例文帳に追加

デバイス層３０には、正側電極６０ａに電気的に接続されるとともにｐ型の不純物濃度が残部よりも濃いゲージ部３７と、負側電極６０ｂに電気的に接続されるｎ型領域３６が形成されている。 - 特許庁

The semiconductor element 10 has a P-type semiconductor substrate 11 having an N-well 13 and an N^+-diffusion layer 14 with its impurity concentration higher than that of the N-well 13, and a silicide layer 12 formed to partly cover the N^+-layer 14.例文帳に追加

半導体素子１０は、Ｎウェル１３及びＮウェル１３よりも高い不純物濃度を有するＮ^＋拡散層１４を有するＰ型半導体基板１１と、Ｎ^＋拡散層１４上に部分的に形成されたシリサイド層１２と、を備える。 - 特許庁

The first body layer 17A'is formed to extend from the first corner section 14C1 to a lower part of the gate electrode 14, and a P-type impurity concentration in the body layer 17A' at the first corner section 14C1 can be made high, as compared with those of prior art transistors.例文帳に追加

第１のボディ層１７Ａ’は第１のコーナー部１４Ｃ１からゲート電極１４の下方に延びて形成され、第１のコーナー部１４Ｃ１のボディ層１７Ａ’のＰ型不純物濃度を従来例のトランジスタに比して高く確保することができる。 - 特許庁

To solve a problem in which a current path through which minority carrier (hole) that is injected from a collector electrode flows is narrowed by a depletion layer located between a P-type body region and an N-type low- concentration drift region to increase a resistance (JFET resistance) component.例文帳に追加

ｐ型ボディ領域とｎ型低濃度ドリフト領域との間の空乏層のためにコレクタ電極側から注入される少数キャリア（正孔）が流れる電流路が狭くなり、抵抗（ＪＦＥＴ抵抗）成分が大きくなってしまう。 - 特許庁

An extended drain region 2 formed of n-type impurity and a source region 3, formed of n-type impurity in a concentration of about 3×10^15 to 1×10^16cm^-3 having the depth of about 3 to 5 μm, are formed on a p-type silicon substrate 1.例文帳に追加

ｐ型シリコン基板１に、約３〜５μｍ程度の深さを有する約３×１０^15〜１×１０^16ｃｍ^-3の濃度のｎ型不純物からなる延長ドレイン領域２及び、ｎ型不純物からなるソース領域３を形成する。 - 特許庁

The variations in lifetime τ, thickness (d) and carrier concentration (p) of the base layer are obtained for each wafer and in the wafer plane, and such conditions as the raw material gas feed distribution and temperature distribution are changed, so as to reduce the variations, thereby searching for conditions for reducing the variations.例文帳に追加

ウエハ−毎、ウエハ−面内でのベース層のライフタイムτ、厚みｄ、キャリヤ濃度ｐのばらつきを求め、ばらつきを減ずるように原料ガス供給分布、温度分布などの条件を変更してばらつきの少ない条件を探す。 - 特許庁

To provide an efficient molten metal dephosphorizing method using a converter-type refining vessel, in which the degree of progression of the dephosphorizing reaction in a furnace is controlled in a fixed range by using a simple method and the resultant dephosphorized molten metal has little unevenness of P concentration.例文帳に追加

転炉型の精錬容器を用いた溶銑脱りん方法において、簡便な方法で炉内脱りん反応の進行度合いを一定の範囲内に制御し、処理後のＰ濃度のばらつきの少ない効率的な溶銑脱りん方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor element such as a MOSFET provided with parallel pn layers wherein an n-type region and a p-type region are alternately arranged as a drift layer that prevents concentration of current in a reverse recovery process of a built-in diode so as to enhance the reverse recovery breakdown.例文帳に追加

ドリフト層としてｎ型領域とｐ型領域とを交互に配置した並列ｐｎ層を備えるＭＯＳＦＥＴ等において、内蔵ダイオードの逆回復過程における電流集中を防止し、逆回復耐量を向上させる。 - 特許庁

Next, after a gate insulating film 17A and a gate electrode 18B are formed, an n type impurity is ion-injected in the p type well area 11, and the low concentration impurity areas 30a, 30b being the source or the drain of a MOS transistor are formed.例文帳に追加

次に、ゲート絶縁膜１７Ａ及びゲート電極１８Ｂを形成した後、ｐ型ウェル領域１１にｎ型不純物をイオン注入して、ＭＯＳトランジスタのソース又はドレインとなる低濃度不純物領域３０ａ、３０ｂを形成する。 - 特許庁

When adjusting an image forming condition before forming the image, a sticking toner quantity on a toner sticking pattern is detected by a P sensor, and a toner concentration control reference value Vref in a developing device is set based on the detected value.例文帳に追加

本発明の画像形成装置は、画像形成前の作像条件調整時において、Ｐセンサにより、トナー付着パターンにおけるトナー付着量を検知し、この値に基づき、現像装置内のトナー濃度制御基準値Ｖｒｅｆを設定する。 - 特許庁

Particulates P flow in a downstream direction along the comb electrodes 16 and 17 and gradually shift to the side of a condensed water outlet 10, while flowing though a chamber 9, and condensed water having a high particulate concentration flows out of the condensed water outlet 10.例文帳に追加

微粒子Ｐは櫛形電極１５，１７に沿って下流方向へ流れ、チャンバ９内を流れる間に次第に濃縮水流出口１０側へシフトし、濃縮水流出口１０からは微粒子濃度の高い濃縮水が流出する。 - 特許庁

Since this translocation loop defective layer 19 suppresses the dose loss of impurity atoms which form the p-type extension high concentration diffused layer 16, the drop of the driving force of a transistor is suppressed, and a MIS-type transistor with a short gate can be achieved.例文帳に追加

この転位ループ欠陥層１９により、Ｐ型エクステンション高濃度拡散層１６を形成する不純物原子のドーズロスが抑制されるため、トランジスタの駆動力の低下が抑制され且つ短ゲート長のＭＩＳ型トランジスタを実現できる。 - 特許庁

At a portion facing a discharge cell C of the PDP, the PDP has oxide magnesium crystal grains p which have characteristics to carry out CL light-emission having its peak in a wavelength range of 200 to 300 nm by being excited by electron beam irradiation and contain calcium with content concentration 0.5 to 200 wt. ppm or zinc with content concentration 10 to 200 wt. ppm.例文帳に追加

ＰＤＰの放電セルＣに面する部分に、電子線の照射によって励起されて波長域２００〜３００ｎｍの範囲内にピークを有するＣＬ発光を行う特性を有するとともに、含有濃度０．５〜２００重量ｐｐｍのカルシウムまたは含有濃度１０〜２００重量ｐｐｍの亜鉛を含有する酸化マグネシウム結晶体粒子ｐが含まれている。 - 特許庁

In a photovoltaic device provided with a substantially intrinsic amorphous silicon layer containing hydrogen between an n-type single crystal silicon substrate and a p-type amorphous silicon layer containing hydrogen, a trap layer is formed between the p-type amorphous silicon layer and the intrinsic amorphous silicon layer, wherein the hydrogen concentration of the trap layer is lower than that of the intrinsic amorphous silicon layer.例文帳に追加

この発明は、ｎ型単結晶シリコン基板と水素を含有するｐ型非晶質シリコン層との間に、水素を含有する実質的に真性な非晶質シリコン層を設けた光起電力装置において、前記ｐ型非晶質シリコン層と前記真性な非晶質シリコン層との間に、前記真性な非晶質シリコン層の水素濃度より水素濃度が低いトラップ層を設ける。 - 特許庁

To provide a p-n junction diode-type gas sensor whose sensor constitution is simple, in which the aged deterioration of a diode characteristic in a long-term use is small and which can detect the gas concentration of molecules comprising hydrogen atoms such as H2, NH3, H2S, hydrocarbon or the like contained in a gas to be detected.例文帳に追加

センサ構成が簡単で、長期使用におけるダイオード特性の経時変化が少なく、被検ガスに含まれるＨ_2、ＮＨ_3、Ｈ_2Ｓ、炭化水素等の水素原子を有する分子のガス濃度を検出可能なｐｎ接合ダイオード型ガスセンサを提供すること - 特許庁

Then, since the region formed of a P-type impurity diffused layer 6 is covered with the photoresist, the N-type impurity is not implanted, a photolithographic step can be reduced, and the impurity concentration of the layer 6 sufficient to take the contact is obtained.例文帳に追加

このとき、Ｐ型不純物拡散層６が形成される領域はフォトレジストで覆われているためＮ型不純物は注入されず、フォトリソグラフィ工程を削減できるとともに、コンタクトを取るのに十分なＰ型不純物拡散層６の不純物濃度を得られる。 - 特許庁

A conductive layer 2 containing extremely fine conductive fibers 3 such as carbon nanotubes or the like is formed at least on one side of a base material to obtain the conductive molded body P wherein the concentration of the extremely fine conductive fibers 3 contained in the conductive layer 2 is increased toward the surface side of the conductive layer 2.例文帳に追加

基材の少なくとも片面に、カーボンナノチューブなどの極細導電繊維３を含んだ導電層２が形成させ、当該導電層２に含まれる極細導電繊維３の含有濃度を表面側ほど高くした導電性成形体Ｐとする。 - 特許庁

This method for producing an N- or P-type single crystal with a resistivity of 1-50 Ω.cm comprises the following practice: a silicon single crystal seed 1 containing germanium at a concentration of 1018 to 1020 atoms/cm3 is used and a neck part 2 comparable in diameter to the seed is parallel-grown.例文帳に追加

チョクラルスキー法により抵抗値１〜５０Ω・ｃｍのＮ型又はＰ型のシリコン単結晶を製造するに際し、１０^18〜１０^20 atoms／ｃｍ^3 のゲルマニウムを含むシリコン単結晶のシード１を使用し、シードと同程度の直径のネック部２をパラレル成長させる。 - 特許庁

Not only the breakdown voltage is enhanced but also static electricity surge resistance can be ensured by further forming a heavily doped P type region 8 having a depth of 0.5 μm and an impurity concentration of 1×10^20/cm^3-6×10^21/cm^3 on the surface of the guard ring region 5.例文帳に追加

さらにガードリング領域５の表面に、深さ０．５μｍ、不純物濃度１×１０^20／ｃｍ^3〜６×１０^21／ｃｍ^3程度の高濃度Ｐ型領域８を形成することにより、耐圧を高くするのみでなく静電気サージ耐量も確保できることとなる。 - 特許庁

The MISFET 10 is provided with a p-type substrate 1 having a channel region 20 of impurity concentration C, an SiO_2 insulation film 11 formed on the channel region 20, and an HfSiON insulation film 12 formed on the insulation film 11.例文帳に追加

ＭＩＳＦＥＴ１０は、不純物濃度Ｃのチャネル領域２０を有するｐ型の基板１と、チャネル領域２０上に形成された、ＳｉＯ_2よりなる絶縁膜１１と、絶縁膜１１上に形成されたＨｆＳｉＯＮよりなる絶縁膜１２とを備えている。 - 特許庁

This superjunction semiconductor element is provided with an n high-resistance region 20, around a drift layer 12 consisting of parallel pn layers composed of n drift regions 12a and p partition regions 12b, and concentration ND of the impurities in the high-resistance region 20 is set at 5.62×1017×VDSS-1.36 (cm-3) or lower.例文帳に追加

ｎドリフト領域１２ａとｐ仕切り領域１２ｂとの並列ｐｎ層からなるドリフト層１２の周囲に、ｎ^-高抵抗領域２０を設け、そのｎ^-高抵抗領域２０の不純物濃度Ｎ_Dを５．６２×１０^17×Ｖ_DSS^-1.36（ｃｍ^-3）以下とする。 - 特許庁

In a power MISFET 20, a BOX layer (an oxide film layer) 2 is formed on the surface of a first silicon substrate 1, and an N^+ source layer 7, a P layer 6, an offset layer 5 of low impurity concentration and an N^+ drain layer 8 are provided in this order on the surface of the BOX layer 2.例文帳に追加

パワーＭＩＳＦＥＴ２０は、第１のシリコン基板１の表面上にＢＯＸ層（酸化膜層）２が形成され、このＢＯＸ層２の表面上にＮ^＋ソース層７、Ｐ層６、低不純物濃度オフセット層５、Ｎ^＋ドレイン層８が設けられている。 - 特許庁

Here, the impurity concentration of the P silicon substrate 3 is 1×10^16 cm^-3 or more (specific resistance is 1.5 Ω-cm or lower) when fixed to a ground electric potential while 1×10^15 cm^-3 or less (specific resistance is 15 Ω-cm or higher) in a floating state.例文帳に追加

ここで、Ｐシリコン基板３の不純物濃度は、グランド電位に固定されるときは１×１０^16ｃｍ^-3以上（比抵抗１．５Ω−ｃｍ以下）、フローティング状態にされるときは１×１０^15ｃｍ^-3以下（比抵抗１５Ω−ｃｍ以上）とする。 - 特許庁

To improve positive hole concentration in a crystal layer that is made of a group III nitride semiconductor, in which a group II element is added and to reduce the treatment temperature in a heat treatment process for forming a crystal layer into a p-type.例文帳に追加

結晶層ｐ型化のための熱処理工程において、２族元素を添加した３族窒化物半導体からなる結晶層における正孔濃度を向上させかつ処理の低温化を可能とする３族窒化物半導体素子製造方法を提供する。 - 特許庁

A P type semiconductor region for forming an N type insulated gate field effect transistor employs high energy ion implantation in order to attain such a concentration profile as having peaks in the vicinity of source and drain thereof and the final heat treatment is carried out in hydrogen atmosphere of about 430°C.例文帳に追加

特にＮ型絶縁ゲ−ト電界効果トランジスタを形成するＰ型半導体領域はそのソース、ドレイン近傍にピークを持つ濃度プロファイルとなるよう高エネルギーイオン注入を用い、最終熱処理工程は４３０℃程度の水素雰囲気で行うものとする。 - 特許庁

B ion is directly implanted at high energy on the main surface side of a semiconductor substrate 1 in the direction of crystal axis of the semiconductor substrate 1 to cause ion channeling, by way of a specified resist pattern 3 to form a peak part in impurity concentration of a p-type well 4.例文帳に追加

Ｐ型ウェル４の不純物濃度のピーク部分を形成するために所定のレジストパターン３を介して、半導体基板１の主面側に直に高エネルギーでＢイオンをイオンチャネリングを起こすように半導体基板１の結晶軸の方向にイオン注入する。 - 特許庁