「P concentration」に関連した英語例文の一覧と使い方(17ページ目) - Weblio英語例文検索

An n-well of the surface of a p-type silicon substrate 2 is formed by carrying out impurity implantation process twice, and an n-well 70 below an imaging part and an accumulation part and an n-well 90 below a horizontal transfer are formed by making the impurity concentration thereof differ from each other.例文帳に追加

Ｐ型シリコン基板２の表面のＮウェルを２回の不純物の注入工程により形成し、撮像部及び蓄積部の下のＮウェル７０と、水平転送部の下のＮウェル９０とを、互いに不純物濃度を異ならせて形成する。 - 特許庁

Accordingly, in a connection part in which the base leading-out electrode 13 and an intrinsic base layer are contacted with each other, the p-type polycrystalline silicon film 13a in which boron is doped in a high concentration and the intrinsic base layer are contacted with each other, so that the resistance in the connection part will be reduced.例文帳に追加

従って、ベース引出し電極１３と真性ベース層とが接触する繋ぎ部では、高濃度のホウ素がドープされたｐ型多結晶シリコン膜１３ａと真性ベース層とが接触した状態となるので、繋ぎ部の抵抗が低減される。 - 特許庁

The impurity implanted photoabsorbing layer 104 in the composition reducing the band gap energy per payer from n type layer clad layer side to p type clad layer side to be formed in semiconductor laminated structure of multiple layers 104A, B, C reducing the impurity concentration.例文帳に追加

不純物注入光吸収層は、ｎ型クラッド層側からｐ型クラッド層側に向かって、層毎にバンドギャップ・エネルギーが小さくなる組成を有し、かつ不純物濃度が低くなる複数層１０４Ａ、Ｂ、Ｃの半導体積層構造として形成されている。 - 特許庁

This reagent comprises a substrate having 400-450 nm absorbance of a coloring compound to be dissociated by the action of leucine aminopeptidase, such as L-leucyl-p-nitroanilide, a nonionic surfactant having 0.005-0.01 w/v% final concentration and a buffer solution.例文帳に追加

ロイシンアミノペプチダーゼの作用により解離する発色化合物の吸光度が400 〜450nm である基質、例えばＬ−ロイシル−ｐ−ニトロアニリド、最終濃度が0.005 〜0.01w/v ％である非イオン界面活性剤及び緩衝液を含有することを特徴とするロイシンアミノペプチダーゼ活性測定用試薬。 - 特許庁

In the method wherein the P (phosphorus)-doped silicon single crystal is manufactured by the Czochralski method, the single crystal is grown so that the Al (aluminum) concentration becomes 2×10^12 atoms/cc or higher.例文帳に追加

チョクラルスキー法によりＰ（リン）がドープされたシリコン単結晶を製造する方法において、少なくとも、Ａｌ（アルミニウム）濃度が２×１０^１２ａｔｏｍｓ／ｃｃ以上になるようにして単結晶の成長を行うことを特徴とするＰドープシリコン単結晶の製造方法。 - 特許庁

Optical carriers generated inside an N-type impurity diffusion layer 8, formed on the surface of an N-type epitaxial layer 6 on a P-type semiconductor substrate 1 move into a depletion layer by a built-in field made by the concentration slope of impurity diffusion, and a photocurrent is generated.例文帳に追加

Ｐ型半導体基板１上のＮ型エピタキシャル層６表面に形成されたＮ型不純物拡散層８内で発生した光キャリアは、不純物拡散の濃度傾斜による内蔵電界により空乏層中まで移動し、光電流が生じる。 - 特許庁

The distribution of permittivity is found based on the measured data of the capacitance of the respective pair of the electrodes 12, and thereby the information on a space distribution (concentration distribution) of a particle P in the cross section of the tube passage of the draft tube 4 installed with the sensor 10 can be acquired.例文帳に追加

各電極対間の静電容量の計測データに基づいて誘電率分布を求めることにより、センサー１０が設置されたドラフトチューブ４の管路断面における粉粒体粒子Ｐの空間分布（濃度分布）の情報を得ることができる。 - 特許庁

Thus, the sheet resistance of the layer 17 of the element is decided, according to a thickness of the layer 17 and a concentration of the added P-type impurity, and an arbitrary sheet resistance can be designed independently.例文帳に追加

このため、抵抗素子の抵抗層１７のシート抵抗値は、ＨＥＭＴのチャネル層１３とは無関係に、抵抗層１７の層厚と添加するＰ型不純物の濃度によって決定され、任意のシート抵抗が得られるように独立に設計することが可能になる。 - 特許庁

To provide a contact plug forming method of a semiconductor element, which thermally dopes the impurity of phosphorus P in-situ during the formation of a contact plug by an SEG method and after formation, and increases impurity concentration for preventing the increase in the resistance due to the reduction in the impurity concentration of the contact plug formed by the SEG method.例文帳に追加

ＳＥＧ法によって形成されたコンタクトプラグの不純物濃度減少による抵抗の増加を防止するために、コンタクトプラグをＳＥＧ法によって形成する途中と形成後に、インサイツ(in-situ)でリンＰなどの不純物をサーマルドーピング(Thermal Doping)して不純物濃度を増加させることにより、抵抗を減少させて素子の電気的特性を向上させることができる半導体素子のコンタクトプラグ形成方法を提供すること。 - 特許庁

Therefore, the generation of a low concentration region can be prevented in the vicinity of an interface between the n-type active region 121 and the p-type active region 122 even if the region 121 and the region 122 are mixed so as to be mutually contacted (butting diffusion).例文帳に追加

従って、ｎ型活性領域１２１とｐ型活性領域１２２とが互いに接するように混在する場合（バッティングディフュージョン）においても、ｎ型活性領域１２１とｐ型活性領域１２２との界面付近に低濃度領域が生じることを防ぐことができる。 - 特許庁

Even when a surge voltage is applied, since a pn junction is formed by the n-type semiconductor layer region 130 and the p type impurity diffusion region 170, the concentration of the surge voltage on a defect is prevented and the destruction of the dielectric separation membrane 120 is prevented.例文帳に追加

サージ電圧が印加されたとしても、ｎ−型半導体層領域１３０とｐ型不純物拡散領域１７０とによりｐｎ接合が形成されているため、サージ電圧が欠陥に集中することを防ぎ、誘電体分離膜１２０の破壊を防止することができる。 - 特許庁

In this photovoltaic element, an intermediate layer 17 formed in an atmosphere containing hydrogen at a concentration of ≤5 vol.% is provided between a second transparent conductive film 12-2 and a p-type semiconductor layer 13, so as to cover first and second transparent conductive layers 12-1 and 12-2.例文帳に追加

第２の透明導電膜１２−２とＰ型半導体層１３との間に、水素濃度１５体積％以下の雰囲気中において形成されてなる中間層１７を、第１の透明導電膜１２−１及び第２の透明導電膜１２−２を覆うようにして設ける。 - 特許庁

An interval 12a, between a first N-type embedded diffused layer 2 and a second N-type diffused layer 3 formed on the surface of a P-type semiconductor substrate 1, is adjusted so that the fluctuations of a punch-through voltage becomes smaller according to the impurity concentration of the substrate 1.例文帳に追加

Ｐ型半導体基板１の表面に形成された第１のＮ型埋め込み拡散層２と第２のＮ型埋め込み拡散層３との間隔１２ａは、Ｐ型半導体基板１の不純物濃度に応じてパンチスルー電圧のばらつきが小さくなるように調整される。 - 特許庁

To provide a red semiconductor laser in which impurity concentration of an active layer constituting an end face window structure is controlled to an appropriate value by preventing impurities in a p-type semiconductor layer from diffusing into the light emitting region of the active layer during a thermal process for end face disordering.例文帳に追加

端面無秩序化の熱プロセス中に、ｐ型半導体層中の不純物が活性層の発光領域へ拡散することを防止し、端面窓構造を構成する活性層中の不純物濃度が適切になるようにした赤色半導体レーザを提供する。 - 特許庁

An electrode 17 to be connected with the P-type layer 12 as well as an electrode 18 to be connected with the channel stopper layer 14 are formed on the insulating film 16, and a high-concentration N+-type layer 19 as well as an electrode 20 to be connected with the layer 19 are formed on the rear surface of the N-type substrate 11.例文帳に追加

絶縁膜１６上にＰ型層１２と接続される電極１７、チャネルストッパ層１４と接続される電極１８が形成されＮ型基板１１の裏面には高濃度のＮ^+ 型層１９及びこのＮ^+ 型層１９に接続される電極２０が形成されている。 - 特許庁

An N- layer 32 having an N-type impurity diffused to a low concentration is provided right below the insulating layer 14, and a second P+ region 34 formed by implanting ions etc., and a second N+ region 36 are formed in the N- layer 32 to obtain a second photodiode 30.例文帳に追加

絶縁層１４の直下にＮ型不純物を低濃度に拡散させたＮ−層３２が設けられ、Ｎ−層３２中にイオン等を注入して形成された第２のＰ＋領域３４および第２のＮ＋領域３６が形成され、第２のフォトダイオード３０とされている。 - 特許庁

In an epitaxial wafer in a p-type GaAlAs system single heterostructure or double heterostructure, carbon density in an n-type GaAlAs clad layer 3 is set, having concentration of not higher than 1×10^17 cm^-3, by using a graphite jig applied with a PBN coating as a liquid phase epitaxial layer growing device.例文帳に追加

ｐ型ＧａＡｌＡｓ系シングルヘテロ構造又はダブルヘテロ構造のエピタキシャルウェハにおいて、液相エピタキシャル層成長治具として、ＰＢＮコーティングを施したグラファイト治具を用いて、ｎ型ＧａＡｌＡｓクラッド層３中のカーボン濃度を１×１０^17cm^-3以下にする。 - 特許庁

According to the method for manufacturing the ink jet head, a channel substrate to which movable plates are formed is formed by a single crystal silicon substrate, and a high concentration p type diffusion layer which becomes the movable plate is formed by heating at a time of bonding an electrode substrate having counter electrodes formed and the channel substrate each other.例文帳に追加

本発明のインクジェットヘッド製造方法によれば、可動板が形成される流路基板を単結晶シリコン基板で作製し、対向電極が形成された電極基板と流路基板との接合時の加熱によって可動板となる高濃度ｐ型拡散層を形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which can easily obtain superior characteristics by preventing the threshold deterioration caused by the short channel effect by preventing the concentration variation of an impurity near the joint surface of a p-n junction and a method for manufacturing the device.例文帳に追加

ｐｎ接合における接合面近傍において不純物濃度が変化することを防止することができ、これにより、短チャネル効果によるしきい値の低下を防止して良好な特性を容易に得ることができる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

A control unit 30, in its stabilization control, makes a printing unit 2 form a plurality of toner images, and determines the intensity of the beam B radiated by the optical scanner 6 at the time of formation of a toner image on a sheet P, on the basis of detection signals according to the toner concentration of the plurality of toner images.例文帳に追加

制御部３０は、安定化制御において、印刷部２に複数のトナー画像を形成させ、複数のトナー画像のトナー濃度に応じた検知信号に基づいて、用紙Ｐへのトナー画像の形成時に光走査装置６が放射するビームＢの強度を決定する。 - 特許庁

To provide a method for growing a ZnO oxide semiconductor layer which can significantly increase the carrier concentration of a p-type layer in the ZnO oxide semiconductor layer and a method for manufacturing a semiconductor light-emitting device having a superior property of light emission by improving a crystal state of the ZnO oxide.例文帳に追加

ＺｎＯ系酸化物半導体層のｐ形層のキャリア濃度を充分に高くすることができるＺｎＯ系酸化物半導体層の成長方法、およびＺｎＯ系酸化物の結晶性を向上させて発光特性の優れた半導体発光素子を製造する方法を提供する。 - 特許庁

To improve avalanche resistance in a super junction semiconductor device having such a parallel pn structure that a drift layer is formed by bonding alternately and repeatedly a drift area formed of an n-type semiconductor area with higher impurity concentration and a partitioning area formed of a p-type semiconductor area.例文帳に追加

ドリフト層を、不純物濃度を高めたｎ型半導体領域よりなるドリフト領域とｐ型半導体領域よりなる仕切領域とを交互に繰り返し接合した構成の並列ｐｎ構造とした超接合半導体素子において、アバランシェ耐量を向上させること。 - 特許庁

The work function of the first part 30 of a gate electrode 14 adjoining to the N-type low-concentration drift region 6 of an IGBT 100 through the intermediary of a gate insulating film 12 is set different from that of the second part 32 of the gate electrode 14 adjoining to a P-type body region 8 through the intermediary of a gate insulating film 12.例文帳に追加

ＩＧＢＴ１００のｎ型低濃度ドリフト領域６にゲート絶縁膜１２を介して隣接するゲート電極１４の第１部位３０と、ｐ型ボディ領域８にゲート絶縁膜１２を介して隣接するゲート電極１４の第２部位３２とは、その仕事関数が異なっている。 - 特許庁

In the N-type MOS transistor for ESD protection having the shallow trench isolation structure for element isolation, a P-type impurity region having a higher concentration than any other region is disposed in proximity to the shallow trench isolation region of a channel region of the N-type MOS transistor for ESD protection.例文帳に追加

素子分離にシャロートレンチ構造を有するＥＳＤ保護用のＮ型ＭＯＳトランジスタにおいて、ＥＳＤ保護用のＮ型ＭＯＳトランジスタのチャネル領域のシャロートレンチ分離領域に近接する部分には、他のチャネル領域より高濃度のＰ型の不純物領域を配置した。 - 特許庁

That is, on an A-A' line, the impurity concentration reaches the highest value on an upper surface of the p-type base contact layer 15 and exhibits a minimal value C_min at a position P_min other than upper and lower surfaces and a maximal value C_max at a position P_max lower than the position P_min.例文帳に追加

すなわち、Ａ−Ａ’線上において、不純物濃度は、ｐ型ベースコンタクト層１５の上面において最も高く、上面及び下面以外の位置Ｐ_ｍｉｎにおいて極小値Ｃ_ｍｉｎをとり、位置Ｐ_ｍｉｎよりも下方の位置Ｐ_ｍａｘにおいて極大値Ｃ_ｍａｘをとる。 - 特許庁

A heavily doped transparent thin film 6 made of a GZO thin film, AZO thin film, or IZO thin film having carrier concentration higher than that of the n-type ZnO substrate 3 is interposed between the p-type GaN layer 24 and the n-type ZnO substrate 3 at the LED thin-film section 2.例文帳に追加

ＬＥＤ薄膜部２におけるｐ形ＧａＮ層２４とｎ形ＺｎＯ基板３との間にｎ形ＺｎＯ基板３よりもキャリア濃度が高濃度のＧＺＯ薄膜もしくはＡＺＯ薄膜もしくはＩＺＯ薄膜からなる高濃度透明薄膜６を介在させてある。 - 特許庁

After the backside polishing, a collector electrode 31 made of e.g. aluminum forms an ohmic junction with the p^- lightly-doped collector layer 11, and the n^+ collector short-circuited region 13, dispensing with the ion implantation and heat treatment for separately forming a collector contacting high-concentration layer.例文帳に追加

裏面研削後、例えばアルミニウム等から成るコレクタ電極３１によって、ｐ^−低濃度コレクタ層１１及びｎ^＋コレクタ短絡領域１３とオーミック接合が形成されるので、コレクタコンタクト用の高濃度層を別途形成するためのイオン注入及び熱処理が不要となる。 - 特許庁

One-dimensional simulation is performed to a junction structure including an npn structure or pnp structure having an impurity concentration equal to that of an n-type region and a p-type region in a semiconductor device to obtain one-dimensional simulation value for a depleted layer in the semiconductor device.例文帳に追加

半導体装置に含まれるｎ型領域およびｐ型領域と同一の不純物濃度を有するｎｐｎ構造若しくはｐｎｐ構造を含む接合構造に対して一次元シミュレーションを行って、半導体装置における空乏層についての一次元シミュレーション値を取得する。 - 特許庁

To provide an epitaxial wafer with high gettering capability by increasing BMD density more than before which has an epitaxial layer grown on a P-type silicon single-crystal wafer with a high dopant concentration and a low resistivity of 0.02 Ω cm or lower.例文帳に追加

ドーパント濃度が高く、０．０２Ω・ｃｍ以下のような低い抵抗率を有するＰ型のシリコン単結晶ウェーハにエピタキシャル層を成長させたエピタキシャルウェーハであって、従来よりもＢＭＤ密度を増大させることにより、高いゲッタリング能力を有するエピタキシャルウェーハを提供する。 - 特許庁

The adhesive tapes 3 and the sheet 1 are bonded through primers 5 for bonding composed of a solution of solid-matter concentration of 3-25 mass % mainly comprising the bromide of an isobutylene-p-methylstyrene copolymer and using an aliphatic hydrocarbon solvent as a solvent main component.例文帳に追加

そして、接着テープ３と防水シート１とを、イソブチレン−ｐ−メチルスチレン共重合体の臭素化物を主成分とし、脂肪族炭化水素系溶剤を溶剤主成分とする固形分濃度３〜２５質量％の溶液からなる接着用プライマー５を介して接着させる。 - 特許庁

The high nitrogen concentration preventing boron contained in a gate electrode 106b of the p-type transistor from diffusing, and halogens contained in the gate insulating film increase the conductance of the transistor, resulting in enhanced reliability for hot-carrier injection.例文帳に追加

ゲート絶縁膜に窒素濃度が１×１０^20(／ｃｍ^3)以上含まれるためにｐ型トランジスタのゲート電極に含まれるボロンがチャネルに拡散せず、ゲート絶縁膜にパロゲン元素が含まれるため、トランジスタのコンダクタンスが増大し、ホットキャリア注入に対する信頼性が向上する。 - 特許庁

A second conductivity type semiconductor region 101 where a channel of an NMOS transistor included in a logic circuit block 202 is formed is lower in P type concentration than a second conductivity type semiconductor region 101 where channels of N-type (driving) transistors N1 and N2 in an SRM block 201 are formed.例文帳に追加

論理回路ブロック２０２に含まれるＮＭＯＳトランジスタのチャネルが形成される第２導電型半導体領域１０１のＰ型濃度が、ＳＲＡＭブロック２０１内のＮ型の（駆動）トランジスタＮ１,Ｎ２のチャネルが形成される第２導電型半導体領域１０１のＰ型濃度より低い。 - 特許庁

The color developing concentrated composition for a silver halide photographic sensitive material contains ≥0.2 mol/L p-phenylenediamine- base color developing agent, has ≤0.5 mol/L concentration of sulfurous acid and ≤pH 7.0 and further contains a compound of formula [1].例文帳に追加

ｐ−フェニレンジアミン系発色現像主薬を０．２モル／Ｌ以上含有し、亜硫酸濃度が０．５モル／Ｌ以下で、ｐＨ７．０以下であり、かつ下記一般式〔１〕で表される化合物を含有することを特徴とするハロゲン化銀写真感光材料用発色現像濃縮組成物である。 - 特許庁

A P sensor 8 comprises a first light receiving element 82 for detecting regular reflection light of a light emitting element 81 and a second light receiving element 83 for receiving diffused reflection light of the light emitting element 81, thereby accurately detecting a toner concentration and deterioration on a surface of a photosensitive body.例文帳に追加

Ｐセンサ８に発光素子８１の正反射光を検出する第１受光素子８２と、発光素子８１の拡散反射光を受光する第２受光素子８３とを備えることで、トナー濃度の検出、感光体表面の劣化の検出を正確に行うことができる。 - 特許庁

This patent discloses the use of human albumin intending the preparation of a medicine for the treatment of a patient irrespective of Aβ content in the blood of the patient of cognitive deficiency or a patient at a risk of developing the diseases, and the concentration of albumin is 4-25% (p/v).例文帳に追加

認知障害を患う患者又は認知障害を発症する危険性を示す患者の血中のＡβ含有量に拘らず、当該患者を治療するための薬物の調製を目的とするヒトアルブミンの使用であり、アルブミンは４％(ｐ／ｖ)〜２５％(ｐ／ｖ)の濃度である。 - 特許庁

A heavily doped N type region 52 and a heavily doped P type region 53 of a diode element 50 are formed utilizing a high concentration impurity introduction process for forming the source-drain region of TFTs 30, 80 and 90 on the same substrate 10b, and an intrinsic region 51 is formed between.例文帳に追加

同一基板１０ｂ上にＴＦＴ３０、８０、９０のソース・ドレイン領域を形成するための高濃度不純物導入工程を利用して、ダイオード素子５０の高濃度Ｎ型領域５２および高濃度Ｐ型領域５３を形成し、かつ、それらの間に真性領域５１を形成する。 - 特許庁

An n-type DBR layer 12 (distribution Bragg reflection layer of first conductivity type), an i-InGaAs optical absorption layer 14 (optical absorption layer) with low carrier concentration, and a p-type InP window layer 16 (semiconductor layer of second conductivity type) are formed in order on an n-type InP substrate 10 (semiconductor substrate).例文帳に追加

ｎ型ＩｎＰ基板１０（半導体基板）上に、ｎ型ＤＢＲ層１２（第１導電型の分布ブラッグ反射層）、低キャリア濃度のｉ−ＩｎＧａＡｓ光吸収層１４（光吸収層）、及びｐ型ＩｎＰ窓層１６（第２導電型の半導体層）が順番に形成されている。 - 特許庁

The surface-mounted diode 100d having the above structure can be designed such that it has large ESD resistance by suitably setting the diffusion depth and the surface impurity concentration of the n conduction type impurity diffusion region 12 and the p conduction type impurity diffusion region 13.例文帳に追加

上記の構造を有する表面型ダイオード１００ｄは、ｎ導電型不純物拡散領域１２およびｐ導電型不純物拡散領域１３の拡散深さや表面不純物濃度を適宜設定することで、大きなＥＳＤ耐量を持つように設計することができる。 - 特許庁

In the apparatus, the most appropriate concentration control can always be carried out by setting the value of transfer bias applied when transferring a test pattern formed on the photoreceptor drum 4 to transfer material P by a transfer charging blade 8 to be a higher value than when transferring in a normal image formation.例文帳に追加

感光ドラム４上に形成されたテストパターンを転写帯電ブレード８によって転写材Ｐ上に転写する際に印加する転写バイアスの値を、通常の画像形成時における転写時よりも高い値とすることにより、常に最適な濃度制御を行うことができる。 - 特許庁

In the voltage source circuit, a first field effect transistor having a high-concentration n-type gate and a second field effect transistor having a heavily-doped p-type gate are connected in series to output a voltage depending on a difference of work functions of gate electrodes of the two field-effect transistors.例文帳に追加

本発明に係る電圧源回路では、高濃度ｎ型ゲートを有する第１の電界効果トランジスタと、高濃度ｐ型ゲートを有する第２の電界効果トランジスタとが直列に接続され、前記２つの電界効果トランジスタのゲート電極の仕事関数の差に依存する電圧を出力する。 - 特許庁

Two kinds of p-type impurities of boron having higher solid solubility with respect to silicon, and indium having lower solid solubility with respect to silicon, are diffused into a body region 10 while the ratio of concentration of indium in a site near the source diffusion layer 12a of the body region 10 is specified so as to be higher than that in the other sites.例文帳に追加

シリコンに対する固溶限度のより高いボロンとより低いインジウムとの２つのＰ型不純物をボディ領域１０に拡散するとともに、そのボディ領域１０のソース拡散層１２ａ近傍の部位におけるインジウムの濃度比を該ボディ領域１０の他の部位に比して高くする。 - 特許庁

In addition to each light received light quantity P, Q in a first optical path A and a second optical path B in which the transmission lengths in lubrication oil that are measured by the conventional particle concentration detecting method are different, light received quantity R in a third optical path C is measured.例文帳に追加

従来の粒子濃度検出方法において測定されている潤滑油透過長さが異なる第１光路Ａおよび第２光路Ｂの光の各受光量Ｐ、Ｑに加えて、潤滑油を経由しない第３光路Ｃの光についても受光量Ｒを測定している。 - 特許庁

At a source-terminating part, a sectorial region 14 which does not form the extension drain region is formed so as to surround the source region 2, in order to prevent the concentration of an electric field and further a region 15 which does not inject a p-type embedded region is formed so as to be overlapped with the sector form region 14.例文帳に追加

ソース終端部では、電界の集中を防ぐためソース領域２を取り囲むように延長ドレイン領域を形成しない扇形の領域１４が、さらに、扇形の領域１４と重なるようにＰ型埋め込み領域を注入しない領域１５が形成されている。 - 特許庁

To solve the problem that, when an N-type impurity is implanted by using a mask for forming a gate pattern of a cell transistor to reduce manufacturing steps of a semiconductor memory device, the N-type impurity is also implanted in a region for forming a P-type contact so that a sufficient impurity concentration cannot be obtained to take a contact.例文帳に追加

半導体記憶装置の製造工程を削減するため、セルトランジスタのゲートパターンを形成するためのマスクを用いてＮ型不純物を注入すると、Ｐ型コンタクトを形成する領域にもＮ型不純物が注入されて、コンタクトをとるのに十分な不純物濃度を得られない。 - 特許庁

To increase the saturation amount of electric charges and reduce noise at the same time, by maximizing the area of a photoelectric conversion portion (photodiode) and the area of an amplification transistor and forming the photoelectric conversion portion in a P-N junction having a steep concentration profile.例文帳に追加

本発明は、光電変換部（フォトダイオード）の面積と増幅トランジスタの面積を最大化し、かつ光電変換部が急峻な濃度プロファイルを有するＰ／Ｎ接合に形成されていることで、飽和電荷量の増大とノイズの低減を両立させることを可能にする。 - 特許庁