「P concentration」に関連した英語例文の一覧と使い方(14ページ目) - Weblio英語例文検索

To manufacture a semiconductor material having a large electrical conductivity by increasing carrier concentration even in doping p-type and n-type impurity raw materials to a crystal layer.例文帳に追加

ｐ型不純物原料とｎ型不純物原料とを結晶層にドーピングする場合においても、キャリアー濃度が増加するようにして、伝導度の大きな半導体材料を作製することができるようにする。 - 特許庁

Placing of a hydrogen ion is performed to an impurity semiconductor layer 2 formed in the upper surface of a p-type semiconductor substrate 1, so that a high concentration ionized layer L may be formed in the impurity semiconductor layer 2.例文帳に追加

Ｐ型半導体基板１の上面に形成された不純物半導体層２に対して水素イオンの打ち込みを行って高濃度イオン層Ｌを不純物半導体層２内に形成する。 - 特許庁

To provide a p-type conductive carbon doped semiconductor film of high-carrier concentration that is obtainable without performing electron irradiation or annealing, a semiconductor element using this, and manufacturing methods therefor.例文帳に追加

電子線照射やアニーリングを行うことなく得られる、キャリア濃度の高いｐ型伝導を示すカーボンドープ半導体膜、及びこれを用いた半導体素子、並びにこれらの製造方法を提供すること。 - 特許庁

A silicon germanium carbide semiconductor film, doped with high concentration impurities is used in a gate electrode 2 of a transistor, thus controlling the threshold voltage in each of P- and N-type MOSFETs.例文帳に追加

高濃度に不純物をドープしたシリコンゲルマニウムカーバイド半導体膜をトランジスタのゲート電極２に用いることにより、Ｐ型及びＮ型のいずれのＭＯＳＦＥＴに於いても、閾値電圧を制御できる。 - 特許庁

To provide a semiconductor distribution Bragg reflecting mirror, with a characteristic that does not deteriorate, which comprises a contact layer that stably grows even when a contact layer of a p-type semiconductor requiring high doping concentration is contained.例文帳に追加

高いドーピング濃度を必要とするｐ型半導体のコンタクト層を含むときにも、安定に成長できるコンタクト層を有し、かつ特性の悪化の無い半導体分布ブラッグ反射鏡を提供する。 - 特許庁

When the concentration of arsenic as the impurities of the silicon substrate 1, and that of the impurities of the p-type epitaxial film 23 are set to be "α" and "β", respectively, α≤3×10^19In(β)-1×10^21 is met.例文帳に追加

シリコン基板１の不純物としての砒素の濃度を「α」、ｐ型エピタキシャル膜２３の不純物濃度を「β」としたとき、α≦３×１０^１９・Ｉｎ（β）−１×１０^２１を満足させる。 - 特許庁

Since a region of deep junction is provided in the outermost circumferential p+ type well region 21a, concentration of field is relaxed and a high breakdown strength can be attained even if the number of guard rings is small.例文帳に追加

このように、最外周ｐ^+型ウェル領域２１ａに接合深さが深く形成された領域を設けることにより、電界集中が緩和され、リング数が少なくても高耐圧が得られる。 - 特許庁

A source tie region 4 where p-type impurities are introduced with a relatively high concentration is arranged near the center in the direction of the gate width of the gate electrode 5 in the surface of the source region 31.例文帳に追加

また、ソース領域３１の表面内には、ゲート電極５のゲート幅方向のほぼ中央部近傍に、Ｐ型の不純物が比較的高濃度に導入されたソースタイ領域４が配設されている。 - 特許庁

To provide a method for supplying an aqueous solution having a pH in the vicinity of neutrality by dissolving p-boronophenylalanine in water in a high concentration in comparison with a conventional method and to obtain the aqueous solution obtained by the method.例文帳に追加

ｐ−ボロノフェニルアラニンを従来に比べ高濃度で水に溶解させて中性付近のｐＨの水溶液を与えることを可能にする方法、及びそれにより得られる水溶液を提供すること。 - 特許庁

In a method for automatically controlling the concentration of residual chlorine in pool water using a solid chlorine agent (e.g.; trichloroisocyanuric acid) feeder cooperating with the chlorine concentration detector provided to a pool water circulating filter system, the chlorine concentration detector uses a colorimetric method due to ortholysine or diethyl-p- phenylenediammonium.例文帳に追加

プール水の循環ろ過系に設けた塩素濃度検出器と連動した固形塩素剤（例えばトリクロロイソシアヌル酸等）供給機を用いるプール水の残留塩素濃度の自動制御方法において、塩素濃度検出器として、オルトトリジン又はジエチル−ｐ−フェニレンジアンモニウムによる比色法を用いることを特徴とするプール水の残留塩素濃度の自動制御方法に関する。 - 特許庁

The surface layer 116 includes a first surface layer 118 formed so as to include a portion overlapping with the transfer electrode 120, and a second surface layer 117 having no overlap with the transfer gate electrode 120 and adjoining the first surface layer 118, and p-type impurity concentration in the second surface layer 117 is higher than the p-type impurity concentration in the first surface layer 118.例文帳に追加

表面層１１６は、Ｘ軸方向において、転送ゲート電極１２０と重なる部分を含み形成された第１表面層１１８と、転送ゲート電極１２０と重なりを有さず、且つ、第１表面層１１８に隣接する第２表面層１１７とを含んでなり、第２表面層１１７におけるｐ型の不純物濃度が、第１表面層１１８におけるｐ型の不純物濃度よりも高い。 - 特許庁

Each of the first voltage source circuit and the second voltage source circuit includes a depression field effect transistor connected in series and having an N-type high concentration gate, and a depression field effect transistor having a P-type high concentration gate, and a voltage is outputted from a node where the field effect transistors are connected.例文帳に追加

第１の電圧源回路および第２の電圧源回路は、それぞれ、直列に接続されＮ型高濃度ゲートを有するデプレッション電界効果トランジスタと、Ｐ型高濃度ゲートを有するデプレッション電界効果トランジスタとを含み、これらの電界効果トランジスタが結線されているノードから電圧が出力される。 - 特許庁

The surface concentration top region 14A of the p-type diffusion region 14 can be made comparatively high in impurity concentration because an opening is provided to a field oxide film 4 avoiding the gate electrode 6 and impurities are diffused by implanting impurity ions through the opening, and a surface leakage current occurring between itself and the source region and drain region of the adjacent MOS transistor can be restrained.例文帳に追加

Ｐ型拡散領域１４の表面濃度頂上領域１４Ａは、ゲート電極６と重ならずフィールド酸化膜４を開孔しイオン打ち込みによって拡散するため、比較的高濃度にすることができ、隣接したＭＯＳトランジスタのソース領域、ドレイン領域との表面リーク電流を抑制できる。 - 特許庁

A plurality of low concentration impurity regions 30 which are formed of impurities of the same conductivity type as a drain region 21 and have impurity concentration lower than the drain region 21 are installed in a P well region 12 formed in a semiconductor substrate 11, so that they are brought into contact with an LDD region 17-2 and the drain region 21.例文帳に追加

半導体基板１１に形成されたＰウェル領域１２に、ドレイン領域２１と同じ導電型の不純物よりなり、ドレイン領域２１よりも不純物濃度が低い低濃度不純物領域３０をドレイン領域２１及びＬＤＤ領域１７−２と接触するように複数設けた。 - 特許庁

In a body region 30 of an insulated gate semiconductor device 20 which is constituted as a trench IGBT and in the body region 30 in a bonded part to an emitter region 32, a high concentration region 34 is formed by using P-type semiconductor whose impurity concentration is higher than that of the body region 30, so as not to be in contact with trench gates 28.例文帳に追加

トレンチＩＧＢＴとして構成された絶縁ゲート型半導体装置２０のボディ領域３０とエミッタ領域３２との接合部分のボディ領域３０内にトレンチゲート２８とは接触しないようボディ領域３０より不純物濃度が高いｐ型半導体により高濃度領域３４を形成する。 - 特許庁

In a trench gate type MISFET, first injection for forming a first highly concentrated p-type source region 6 is carried out to deeply implant impurities, and then, second injection for forming a second highly concentrated p-type source region 8 is carried out to increase impurity concentration in the neighborhood of the top surface of a semiconductor region 14.例文帳に追加

トレンチゲート型ＭＩＳＦＥＴにおいて、第１の高濃度Ｐ型ソース領域６を形成するための第１の注入により不純物を深くまで注入し、第２の高濃度Ｐ型ソース領域８を形成するための第２の注入により半導体領域１４の上面付近の不純物濃度を高くする。 - 特許庁

The impurity element, such as a 3d transition metal, can be moved into a region far from the junction regions of a channel-forming region and a drain region by doping the element represented by P(phosphorus) in a region, in which source/drain are formed, and forming a gradient to the concentration distribution.例文帳に追加

上記問題点を解決するために、ソース／ドレインが形成される領域に、P（リン）に代表される元素をドープし、その濃度分布に勾配をつけることで、３ｄ遷移金属などの不純物元素を、チャネル形成領域とドレイン領域との接合領域から遠い領域に移動させることができる。 - 特許庁

The photodiode unit PD includes a light reception portion 11 comprising an N conductivity type diffusion layer for accumulating signal charges obtained by photoelectrically converting incident light, and an accumulation layer 12 comprising a diffusion layer region (P-layer) of low impurity concentration having, for example, a P conductivity type for suppressing a dark current.例文帳に追加

フォトダイオード部ＰＤは、入射光を光電変換して得た信号電荷を蓄積するためのＮ導電型の拡散層からなる受光部１１と、暗電流を抑制するための、たとえばＰ導電型を有する低不純物濃度の拡散層領域（Ｐ−層）からなるアキューミュレーション層１２と、を有して構成されている。 - 特許庁

In a triple well NMOS transistor 311 having a P well region 22 formed in an N well region 28 and an MOSFET formed in the P well region 22, an impurity diffusion region 29 having an impurity concentration lower than that of an N+ drain region 25 is provided on the N+ drain region 25 side in order to suppress substrate current.例文帳に追加

Ｎウェル領域２８内にＰウェル領域２２が形成され、Ｐウェル領域２２にＭＯＳＦＥＴが形成されたトリプルウェルＮＭＯＳトランジスタ３１１において、Ｎ^+ドレイン領域２５側にＮ^+ドレイン領域２５よりも不純物濃度が低い不純物拡散領域２９を設け、それによって基板電流を抑制する。 - 特許庁

Because the peak concentration of carbon contained in the n-type GaAlAs clad layer 3 near the composition interface with the p-type GaAlAs active layer 2 is reduced by the heat treatment for raising the temperature again after the epitaxial growth, a p-type conversion layer does not occur near the composition interface, and the epitaxial wafer can be obtained wherein the thyristor failure does not occur.例文帳に追加

エピタキシャル成長後、再度温度を上昇させる熱処理により、ｐ型ＧａＡｌＡｓ活性層２との組成界面付近のｎ型ＧａＡｌＡｓクラッド層３に含まれる炭素のピーク濃度が下がるため、組成界面付近でｐ型変換層が発生せず、サイリスタ不良が発生しないエピタキシャルウエハが得られる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a p-type nitride compound semiconductor, having characteristics of a low resistance according to a high hole concentration in a growing crystal, having no dry spots on the surface of the crystal and furthermore, not lowering mass productivity, a semiconductor wafer having a p-type nitride layer obtained by the method, and to provide a semiconductor device.例文帳に追加

成長結晶に高正孔濃度による低抵抗の特質が備わるとともに、結晶表面の荒れがなく、さらに、量産性を低めることのないｐ型窒化物系化合物半導体の製造方法と、これより得られるｐ型窒化物層を備えた半導体ウエハおよび半導体デバイスを提供する。 - 特許庁

An epitaxial layer 2 having a p-type conductivity in a specified film thickness and a specified impurity concentration is formed on a semiconductor substrate 1 having the p-type conductivity, a surface protective film 5 is formed on the layer 2 and an opening section 6 extending to reaching the layer 2 is formed to the surface protective film 5.例文帳に追加

ｐ型の導電型を有する半導体基板１上に所定の膜厚および所定の不純物濃度でｐ型の導電型を有するエピタキシャル層２を形成し、エピタキシャル層２上に表面保護膜５を形成した後、表面保護膜５にエピタキシャル層２に達する開口部６を形成する。 - 特許庁

After a p-conductivity type epitaxial layer 2 having a specified film thickness and a specified impurity concentration is formed on a p-conductivity type semiconductor substrate 1, a surface protective film 5 is formed on the epitaxial layer 2 and an opening 6 reaching the epitaxial layer 2 is formed in the surface protective film 5.例文帳に追加

ｐ型の導電型を有する半導体基板１上に所定の膜厚および所定の不純物濃度でｐ型の導電型を有するエピタキシャル層２を形成し、エピタキシャル層２上に表面保護膜５を形成した後、表面保護膜５にエピタキシャル層２に達する開口部６を形成する。 - 特許庁

A heavily doped P type area 13 whose impurity concentration is high is formed so as to be brought into contact with a covered area 15a covered with the conductive film 21, and a heavily doped N type area 11 for extracting an electrode at the semiconductor side is formed and provided with a terminal 17 connected with the heavily doped P type area 13.例文帳に追加

Ｎ型半導体基板１５上に導電膜２１で覆われる被覆領域１５ａに接するように、不純物濃度の高い高濃度Ｐ型領域１３を設け、さらに、半導体側の電極を引き出すための高濃度Ｎ型領域１１を設けて高濃度Ｐ型領域１３と接続し、端子１７を設ける。 - 特許庁

In a DRAM chip Chip, sense amplifier cross coupling parts CC use p^+ gate PMOS parts Qp0, Qp1 of a p^+ polysilicon gate, having low impurity concentration in a channel and n^+ gate NMOS parts Qn0, Qn1 of an n^+ polysilicon gate, and the PMOS has a high substrate voltage and the NMOS has a low substrate voltage.例文帳に追加

ＤＲＡＭチップＣｈｉｐにおいて、センスアンプクロスカップル部分ＣＣにチャネル中の不純物濃度の低いＰ^+ポリシリコンゲートのＰ^+ゲートＰＭＯＳＱｐ０，Ｑｐ１とＮ^+ポリシリコンゲートのＮ^+ゲートＮＭＯＳＱｎ０，Ｑｎ１を用い、さらにＰＭＯＳの基板電圧を高く、ＮＭＯＳの基板電圧を低くする。 - 特許庁

In this manner, an impurity profile of the p-n junction becomes abrupt, and further, an impurity concentration of a junction region forming the p-n junction with the gate region GR in the channel-formed region is higher than those of a center region in the channel-formed region and of an epitaxial layer EPI.例文帳に追加

これにより、ｐｎ接合の不純物プロファイルを急峻にするとともに、チャネル形成領域のうち、ゲート領域ＧＲとｐｎ接合を形成する接合領域の不純物濃度が、チャネル形成領域の中央領域の不純物濃度およびエピタキシャル層ＥＰＩの不純物濃度よりも高くする。 - 特許庁

Dopants, for example an n-type dopant like Ga which is an element of group III and p-type dopant like N which is an element of group V, are doped on a ZnO crystal layer, wherein the n-type dopant is more than the p-type dopant and the n-type dopant is dorped at the impurity concentration of 1×1018 cm-3 or higher.例文帳に追加

ＺｎＯ結晶層にドーパントとして、たとえばＧａのようなIII族元素などのｎ型ドーパントと、たとえばＮのようなＶ族元素などのｐ型ドーパントとがドーピングされ、そのｎ型ドーパントがｐ型ドーパントより多く、かつ、ｎ型ドーパントが１×１０^18ｃｍ^-3以上の不純物濃度にドーピングされている。 - 特許庁

A band gap of the AlGaN layer 34 is larger than those of the p-GaN layer 32 and SI-GaN layer 62, which has an impurity concentration of ≤1×10^17 cm^-3 as a character.例文帳に追加

ｐ−ＧａＮ層３２とＳＩ−ＧａＮ層６２よりもＡｌＧａＮ層３４のバンドギャップの方が大きく、さらに、ＳＩ−ＧａＮ層６２は、その不純物濃度が1×10^17cm^-3以下であることを特徴としている。 - 特許庁

A carrier storage preventive layer 8 having a striped opening section in the top face of a ridge section, a low carrier concentration layer 9 and an N-current block layer 10 are formed successively on a P-clad layer 6 with a ridge section.例文帳に追加

リッジ部を有するｐ−クラッド層６上に、リッジ部の上面にストライプ状開口部を有するキャリア蓄積防止層８、低キャリア濃度層９およびｎ−電流ブロック層１０が順に形成されている。 - 特許庁

The high concentration p-type diffusion layer 10 has a base part 10a (a cross-shaped intersecting part) positioned within a source contact part 4s and a plurality of extension parts 10b extending from the base part 10a to the outside of the source contact part 4s.例文帳に追加

上記高濃度ｐ型拡散層１０は、ソースコンタクト部４sの内側に位置する基部１０a(十字形の交差部分)と、上記基部１０aからソースコンタクト部４sの外側に延びた複数の延伸部１０bとを有する。 - 特許庁

In the high carrier concentration region, a laminated structure, composed of the n-type or p-type impurity layer and a group IV semiconductor layer which are successively repeatedly laminated by vapor phase growth, for example, is formed.例文帳に追加

高キャリア濃度領域は例えば気相成長により順次繰返して積層されるｎ型またはｐ型いずれかの一方の不純物層とIV族半導体層とからなる積層構造の形成により行なわれる。 - 特許庁

Consequently, a current flowing through a channel can flow not only a part located between the p-type deep layers 10 out of an n^--type drift layer, but also flow through the inversion layer formed in the low concentration region 10b.例文帳に追加

これにより、チャネルを通じて流れる電流がｎ^-型ドリフト層２のうちｐ型ディープ層１０の間に位置する部分だけでなく、低濃度領域１０ｂに形成された反転層を通じても流れるようにできる。 - 特許庁

This method forms a Schottky junction between an SOI layer 3 and a body contact 61 in a joint area (namely, below an element separation insulating film 41) for a contact 61 in the SOI layer 3 without forming a P^+ area with a high impurity concentration.例文帳に追加

ＳＯＩ層３におけるコンタクト６１との接続部分（即ち、素子分離絶縁膜４１の下）に、不純物濃度の高いＰ^+領域を形成せずに、ＳＯＩ層３とボディコンタクト６１とをショットキー接合させる。 - 特許庁

The p^+ region 25 is formed on the substrate, is of a second conductivity type different from the first conductivity type, and has an impurity concentration of 1×10^20 cm^-3 to 5×10^21 cm^-3 inclusive.例文帳に追加

ｐ^＋領域２５は、基板上に形成され、前記第１導電型とは異なる第２導電型の導電性不純物濃度が１×１０^２０ｃｍ^−３以上５×１０^２１ｃｍ^−３以下である。 - 特許庁

The number of peaks of impurity concentration of the n-type pillar regions 15 formed in the n-type epitaxial layer 13 is larger than that of the p-type pillar regions formed in the n-type epitaxial layer 13.例文帳に追加

ｎ型エピタキシャル層１３に形成されるｎ型ピラー領域１５の不純物濃度のピークの数は、ｎ型エピタキシャル層１３に形成されるｐ型ピラー領域の不純物濃度のピークの数よりも多い。 - 特許庁

To provide a nitride-based semiconductor light-emitting element that reduces the driving voltage by increasing the area near a p-type electrode pad to improve the light extraction efficiency and by preventing local current concentration.例文帳に追加

ｐ型電極パッド付近の面積を拡張して光抽出効率を向上させ、局部的な電流の集中を防止して駆動電圧を減少させる窒化物系半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

To substantially control a dark current, blooming and color mixture when a PWL (p-type well region) structure is employed that deepens the PWL concentration profile, to improve the quantum efficiency of photoelectric conversion in a photo diode.例文帳に追加

ＰＷＬ（Ｐ型のウエル領域）の濃度プロファイルを深くしフォトダイオードでの光電変換の量子効率を向上させるＰＷＬ構造を有した場合、暗電流、ブルーミング及び混色などを大幅に抑制する。 - 特許庁

In the interior of the trench 4, an electrode 5p which is set to be ground potential GND is formed so as to contact the inner wall of the trench 4 using a conductive material such as polysilicon, for example, in high concentration P-type.例文帳に追加

そして、トレンチ４内部には、該トレンチ４内壁に接するように、接地電位ＧＮＤに設定される電極５ｐが、例えばポリシリコン等の導電材料を用いて、例えば高濃度のＰ型にて形成されている。 - 特許庁

First conductivity impurities of large mass are diffused under the extension high-concentration impurity diffusion layers 15, by which a P-type pocket impurity diffusion layer 16 is formed under the impurity diffusion layers 15.例文帳に追加

エクステンション高濃度不純物拡散層１５の下側には、質量の大きい第１導電型の不純物が拡散されることにより形成されたｐ型のポケット不純物拡散層１６が形成されている。 - 特許庁

As a semiconductor layer brought into contact with the transparent conductive film 7, a p-type AlGaAs layer 6 having a zinc concentration of 1×10^19 cm^-3 is formed as a transparent conductive film exfoliation prevention layer.例文帳に追加

透明導電膜７が接する半導体層として、少なくともアルミニウムを含み、亜鉛濃度１×１０^１９ｃｍ^−３のｐ型ＡｌＧａＡｓ層６を透明導電膜剥離防止層として設けた。 - 特許庁

A potential barrier layer (PBL 11) is configured as a p type semiconductor region with much higher concentration formed between the first photo-diode PD1 and the body region 10 to form a potential barrier against the body region 10.例文帳に追加

電位障壁層（ＰＢＬ１１）は、第１のフォトダイオードＰＤ１とボディ領域１０との間に形成された、より高濃度なｐ型半導体領域であり、ボディ領域１０に対し電位障壁を形成する。 - 特許庁

To provide a nitride semiconductor light emitting element wherein a drive voltage is decreased by preventing a local concentration of a current by enlarging an area near a p-type electrode pad to improve light extraction efficiency.例文帳に追加

ｐ型電極パッド付近の面積を拡張して光抽出効率を向上させ、局部的な電流の集中を防止して駆動電圧を減少させる窒化物系半導体発光素子を提供する。 - 特許庁

A dislocation loop defective layer 19 is provided in a position shallower than the implantation range of the impurity ions of a p-type extension high concentration diffused layer 16, in the region at the side of the gate electrode 13 in an n-type well 11a.例文帳に追加

Ｎ型ウエル１１ａにおけるゲート電極１３の側方の領域で、Ｐ型エクステンション高濃度拡散層１６の不純物イオンの注入飛程よりも浅い位置に転位ループ欠陥層１９を設けている。 - 特許庁

To provide a ZnO-based p-type semiconductor crystal having excellent reproducibility of characteristics such as the carrier concentration, excellent optical characteristics when used for a light emitting element, and sufficient characteristics when applied to an electronic device.例文帳に追加

キャリア濃度などの特性値の再現性に優れ、発光素子に用いた場合の光学特性に優れ、かつ電子デバイスへの適用に十分な特性を有するＺｎＯ系ｐ型半導体結晶を提供する。 - 特許庁

On the other hand, a high-concentration source/drain area 14a and an extension area 14b are formed in areas located by the sides of a polysilicon gate electrode 18 in a P well 11 in the transistor region Tr.例文帳に追加

一方、トランジスタ領域ＴｒにおけるＰウェル１１のうちポリシリコンゲート電極１８の両側方に位置する領域には、高濃度ソース・ドレイン領域１４ａとエクステンション領域１４ｂとが形成されている。 - 特許庁