「P concentration」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

Therefore, incident light is made to impinge direct on a depletion layer without passing through the high-concentration P-type semiconductor region 13.例文帳に追加

このため、照射された光は、高濃度ｐ型の半導体領域１３を経ずに、直接、空乏層に入射する。 - 特許庁

In the n-type current confinement layer 8, the concentration of the n-type impurity is higher than that of the p-type impurity.例文帳に追加

ｎ型電流狭窄層８においては、ｎ型不純物の濃度はｐ型不純物の濃度よりも高くなっている。 - 特許庁

To provide a method for dephosphorizing molten iron, with which P concentration in the molten iron can be made ≤0.020% without using a fluorite.例文帳に追加

蛍石を使用しないで、溶銑中のＰ濃度を0.020%以下とすることができる、溶銑の脱りん方法を提供する。 - 特許庁

Then, a LOCOS oxide film 6 is formed, and p low-concentration diffusion layers 7 and 8 are formed simultaneously.例文帳に追加

次に、ＬＯＣＯＳ酸化膜６を形成後、ｐ低濃度拡散層７とｐ低濃度拡散層８を同時に形成する。 - 特許庁

An n-type dopant with an LDD-level concentration is added to regions 7 at both the sides of a gate electrode 5 of a (p) well 3.例文帳に追加

ｐウエル３のゲート電極５の両脇の領域７に、ＬＤＤレベルの濃度でｎ型ドーパントを添加する。 - 特許庁

The p+-type silicon layer 3 and the n^+-type silicon layers 4 are set higher in impurity concentration than the support substrate 2.例文帳に追加

Ｐ^＋型シリコン層３及びＮ^＋型シリコン層４の不純物濃度は支持基板２の不純物濃度よりも高くする。 - 特許庁

To provide a method capable of forming a p type ZnO-based semiconductor thin film with high carrier concentration by vapor phase epitaxy.例文帳に追加

気相成長によりキャリア濃度の高いｐ型ＺｎＯ系半導体薄膜を成膜できる方法を提供する。 - 特許庁

Only the first nMOSFET is provided with, further, a p-type channel area 4 whose concentration is higher than the substrate area 1a.例文帳に追加

第１ｎＭＯＳＦＥＴのみ、基板領域１ａよりも高濃度のｐ型チャネル領域４をさらに備えている。 - 特許庁

To provide a light emitting element which has a p-type MgZnO semiconductor layer of high carrier concentration, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

高いキャリア濃度のｐ型ＭｇＺｎＯ半導体層を有する発光素子と、その製造方法とを提供する。 - 特許庁

To provide a group III nitride semiconductor element that has a p-type gallium nitride-based semiconductor layer with reduced oxygen concentration.例文帳に追加

低減された酸素濃度のｐ型窒化ガリウム系半導体層を有するIII族窒化物半導体素子を提供する。 - 特許庁

That is, the n-type zinc oxide thin film is reformed to a p-type zinc oxide semiconductor of high concentration.例文帳に追加

すなわち、ｎ型の亜鉛酸化物薄膜は、高濃度のｐ型亜鉛酸化物半導体に改質されるのである。 - 特許庁

A semiconductor device 10 has an epitaxial layer 12, a high concentration diffusion area 13, and a p-type semiconductor region 14.例文帳に追加

半導体素子１０は、エピタキシャル層１２と、高濃度拡散領域１３と、Ｐ型半導体領域１４を備える。 - 特許庁

The impurity concentration of the p anode layer 8 is relatively rapidly decreased from a first main surface toward the n- drift layer 6.例文帳に追加

ｐアノード層８の不純物濃度は、第１主表面からｎ-ドリフト層６にかけて比較的急峻に減少する。 - 特許庁

The second diffusion region 6 of a higher impurity concentration is formed shallowly from the surface of a P type diffusion region 4.例文帳に追加

そして、不純物濃度の高い第２の拡散領域６は、Ｐ型の拡散領域４表面から浅く形成する。 - 特許庁

A high concentration n^+-emitter layer 10 is selectively formed at the boundary of the p-base layer 4 and the recessed part 6.例文帳に追加

ｐベース層４における凹部６との境界部には高濃度ｎ^+エミッタ層１０が選択的に形成されている。 - 特許庁

Concentration of P in a molten iron charged to a converter 1 where decarburizing treatment is performed is controlled to 0.004 to 0.012%.例文帳に追加

脱炭処理を行う転炉１に対して装入する溶銑のＰ濃度を０．００４％〜０．０１２％とする。 - 特許庁

The cover 14 includes a drive electrode 15 consisting of a p-type high concentration layer in a position opposite to the movable body 9.例文帳に追加

蓋体１４には、可動体９と対面した位置にｐ型高濃度層からなる駆動電極１５を設ける。 - 特許庁

When measuring the HRP, preferably, the concentration of the chemiluminescent substrate in the measuring reagent is 0.03-0.06 mmol/L, the concentration of the hydrogen peroxide is 0.25-0.75 mmol/L and the concentration of the p-iodophenol is 0.29-0.35 mmol/L.例文帳に追加

尚、ＨＲＰの測定に際し、測定試薬にける化学発光基質の濃度は０．０３〜０．０６ｍｍｏｌ／ｌ、過酸化水素の濃度は０．２５〜０．７５ｍｍｏｌ／ｌ、ｐ−ヨードフェノールの濃度は０．２９〜０．３５ｍｍｏｌ／ｌにするとよい。 - 特許庁

An NOx concentration estimating part 64 estimates an NOx concentration ζ_0 in exhaust gases by using an NOx concentration estimation model according to the histories of the temporary in-cylinder temperature T_IVC when the intake valve is closed and the detected pressure p of in-cylinder gases.例文帳に追加

ＮＯｘ濃度推定部６４は、吸気弁閉時の仮筒内温度Ｔ_IVC及び筒内ガスの検出圧力ｐの履歴を基に、ＮＯｘ濃度推定モデルを用いて排気ガス中のＮＯｘ濃度ζ_0を推定する。 - 特許庁

In this manner, Mg concentration is larger as a result of the comparison of the Mg concentration and H_2 concentration contained in the p-type GaN layer (second layer) sandwiched between the n-type GaN layer (first layer) and the n-type GaN layer (third layer).例文帳に追加

このように、ｎ型ＧａＮ層（第１層）およびｎ型ＧａＮ層（第３層）に挟まれたｐ型ＧａＮ層（第２層）に含まれるＭｇ濃度とＨ_２濃度とを比較すると、Ｍｇ濃度の方が大きい値となっている。 - 特許庁

In the outer circumferential region of the linear part in the anode region which touches the linear part, a high concentration region and a low concentration region having the p-type impurity concentration lower than that of the high concentration region are formed to appear repeatedly when viewed along the outer line of the anode region.例文帳に追加

アノード領域のうちの前記直線部に接する直線部外周領域には、高濃度領域と、高濃度領域よりもｐ型不純物濃度が低い低濃度領域が、アノード領域の外周線に沿って視たときに繰り返し出現するように形成されている。 - 特許庁

A p-type region 6 is formed in contact with an n-type high concentration buried region 5 on an inside n-type region 3A in the region 4, and a p-type high concentration region 7 is formed on the region 6.例文帳に追加

そして、枠状トレンチ溝型絶縁領域４内の内側ｎ形領域３Ａにはｐ形領域６をｎ形高濃度埋込み領域５に接するように形成し、ｐ形領域６にはｐ形高濃度領域７を形成する。 - 特許庁

The concentration Na_17c of a non-activated p-type dopant 17c in the first region 17a of the first gallium nitride-based semiconductor layer 17 is lower than the concentration Na_17b of a non-activated p-type dopant 25b in the second region 17b.例文帳に追加

第１の窒化ガリウム系半導体層１７の第１の領域１７ａの活性化されていないｐ型ドーパント１７ｃの濃度Ｎａ_１７ｃは第２の領域１７ｂの活性化されていないｐ型ドーパント２５ｂの濃度Ｎａ_１７ｂより小さい。 - 特許庁

In the semiconductor device, a laminate of an n-type cladding layer 12b, an absorbing layer 12c, a p-type cladding layer 12d and a p-type high concentration layer 12e is formed in a mesa type on an n-type high concentration layer 12a formed on the surface of a substrate 11 and used as a cathode of the photodiode.例文帳に追加

基板１１表面に形成されフォトダイオードのカソードなるｎ型高濃度層１２ａ上にｎ型クラッド層１２ｂ、吸収層１２ｃ、ｐ型クラッド層１２ｄ及びｐ型高濃度層１２ｅの積層体をメサ型に形成する。 - 特許庁

A barrier region 13 is disposed in an area below the gate region 17 in a boundary region of the channel layer 12 and the buffer layer 11, and contains p-type impurities at a higher concentration than the concentration of the p-type impurities in the buffer layer 11.例文帳に追加

バリア領域１３は、チャネル層１２とバッファ層１１との境界領域において、ゲート領域１７の下に位置する領域に配置され、バッファ層１１におけるｐ型不純物の濃度より高い濃度のｐ型不純物を含む。 - 特許庁

On a semiconductor substrate 1 forming a collector region, a p-type first Si layer 2 having an impurity concentration lower than that of the semiconductor substrate 1 is laminated, and moreover a p-type second Si layer 3 having an impurity concentration lower than that of the first Si layer 2 are also laminated.例文帳に追加

コレクタ領域となる半導体基板１上には、半導体基板１より不純物濃度が低いｐ型の第１Ｓｉ層２が積層され、更に、第１Ｓｉ層２より不純物濃度が低いｐ型の第２Ｓｉ層３が積層されている。 - 特許庁

On a region of the high-concentration p-type GaN layer 106 which is exposed in an opening 107a formed in the n-type AlGaN layer 107, a gate electrode 112 having an ohmic contact with the high-concentration p-type GaN layer 106 is formed.例文帳に追加

高濃度ｐ型ＧａＮ層１０６におけるｎ型ＡｌＧａＮ層１０７に形成された開口部１０７ａからの露出領域の上には、高濃度ｐ型ＧａＮ層１０６とオーミック接触するゲート電極１１２が形成されている。 - 特許庁

A p-type impurity diffusion region 12 of high concentration which becomes an anode and an n-type impurity diffusion region 13 of high concentration which becomes a cathode enclosing the p-type impurity diffusion region 12 are formed on the surface of an n-type silicon well region 11.例文帳に追加

Ｎ型シリコンウエル領域１１の表面に、アノードとなる高濃度のＰ型不純物拡散領域１２と、このＰ型不純物拡散領域１２を囲んでカソードとなる高濃度のＮ型不純物拡散領域１３を形成する。 - 特許庁

At the interface between a semiconductor layer 18, including P and a regrowth p-type semiconductor layer 22 formed above it, a p^+-type semiconductor layer 21 is formed that contains As and Ga, whose doping concentration is 5×10^18 cm^-3 or higher.例文帳に追加

Ｐを含む半導体層１８とその上に形成されたｐ型の再成長半導体層２２との界面に、ドーピング濃度が５×１０^18cm^-3以上であるＧaとＡsとを含むｐ^+型の半導体層２１を形成している。 - 特許庁

N-type epitaxial layer 102 having appropriate resistance is deposited on an N-type substrate 101 which is doped to high concentration, and a p-type dose is implanted with a gate 205 masked to form p-type body 210 and P well region 103.例文帳に追加

高濃度ドープにされたＮ型基板１０１上に適切な抵抗率のＮ型エピタキシヤル層１０２を堆積しゲート２０５部をマスクしてＰ型ドーズを注入し、Ｐ型ボデー２１０及びＰ井戸領域１０３を形成する。 - 特許庁

The p-type regions 13, in boundary regions with the n-type layer 12, each include a low impurity region 13A having a lower concentration of p-type impurities that exhibit p-type conductivity than a high impurity region 13B, which is a region in the p-type region 13 adjacent to the boundary region.例文帳に追加

ｐ型領域１３は、ｎ型層１２との境界領域において、境界領域に隣接するｐ型領域１３内の領域である高不純物領域１３Ｂよりも導電型がｐ型であるｐ型不純物の濃度の低い低不純物領域１３Ａを含んでいる。 - 特許庁

A sidewall P-conductivity-type region 4b having an impurity concentration higher than that of the front-surface-side P-conductivity-type regions 4a is formed on the surface-layer part of the sidewall of a second trench that reaches the P-conductivity-type region 2a piercing the front-surface-side P-conductivity-type regions 4a.例文帳に追加

このおもて面側Ｐ導電型領域４ａを貫通してＰ導電型領域２ａに達する第２トレンチの側壁の表層部には、おもて面側Ｐ導電型領域４ａよりも不純物濃度が高い側壁Ｐ導電型領域４ｂが設けられている。 - 特許庁

This means that, since a p+ type 4H-SiC anode layer 12 likened to a p-type substrate is fabricated by epitaxial growth, its crystal growth speed is slower than for a p-type substrate fabricated by bulk growth, so that excellent crystal quality is obtained even when the concentration of aluminum which is a p-type dopant is increased.例文帳に追加

つまり、ｐ型基板に見立てるｐ＋型４Ｈ-ＳｉＣアノード層１２は、エピタキシャル成長により作製するから、バルク成長で作製されるｐ型基板に比べて結晶成長速度が遅く、ｐ型ドーパントであるアルミニウムの濃度を上げても、結晶品質が良くなる。 - 特許庁

A semiconductor device 1 comprises a photo diode 2 consisting of a high-concentration N-type silicon substrate 5, a first low-concentration N-type epitaxial layer 6, a second low-concentration N-type epitaxial layer 7 and a P-type anode unloading region 8, and a semiconductor integrated circuit formed on a P-type well region 9 in the layer 6.例文帳に追加

半導体装置１を、高濃度Ｎ型シリコン基板５、第１低濃度Ｎ型エピタキシャル層６、第２低濃度Ｎ型エピタキシャル層７およびＰ型アノード取り出し領域８から成るフォトダイオード２と、第１低濃度Ｎ型エピタキシャル層６のＰ型ウェル領域９に形成した半導体集積回路とから構成する。 - 特許庁

In a high breakdown voltage MOS transistor 101, a peak p1 in concentration distribution in a depthwise direction of p-type impurity in the drain offset region 4, and a peak p2 in concentration distribution in a depthwise direction of n-type impurity having higher concentration than p-type impurity, are positioned in same depth just below the gate electrode 9.例文帳に追加

本発明の高耐圧ＭＯＳトランジスタ１０１は、ゲート電極９の直下では、ドレインオフセット領域４中のＰ型不純物の深さ方向の濃度分布のピークｐ１と、Ｐ型不純物よりも高濃度のＮ型不純物の深さ方向の濃度分布のピークｐ２とを互いに同じ深さ位置にしている。 - 特許庁

In the first multiplication layer 13 and the second multiplication layer 15, each of a p-type impurity concentration and an n-type impurity concentration is ≤5×10^15 cm^-3.例文帳に追加

第一増倍層１３および第二増倍層１５はｐ型の不純物濃度およびｎ型の不純物濃度の各不純物濃度が５×１０^１５ｃｍ^−３以下である。 - 特許庁

The couple further have a field-shaping zone of the first conductivity-type p^-, defining the lateral edge of the couple and having a dopant concentration higher than the dopant concentration of the semiconductor substrate.例文帳に追加

上記対は、対のラテラル方向端部を規定し、半導体基板１のドーパント濃度よりも高いドーパント濃度を有する第１導電型ｐ^−のフィールド形成ゾーンをさらに備える。 - 特許庁

A high concentration phosphoric ion is implanted into a region for forming a pn junction varactor on a p-type Si substrate, and after a carbon is implanted, a low concentration n-type Si layer is formed on the Si substrate.例文帳に追加

Ｐ型Ｓｉ基板上のＰＮ接合バラクタの形成領域に高濃度のリンイオンを注入し、カーボンを注入した後、Ｓｉ基板上に低濃度のＮ型Ｓｉ層を形成する。 - 特許庁

An n-type hole barrier layer NHB in concentration higher than impurity concentration of n^--type base layer NB is provided between the n^--type base layer NB and a p-type channel forming layer PCH.例文帳に追加

そして、ｎ^−型ベース層ＮＢとｐ型チャネル形成層ＰＣＨの間に、ｎ^−型ベース層ＮＢの不純物濃度よりも高濃度のｎ型ホールバリア層ＮＨＢを設ける。 - 特許庁

The CMOSN-type substrate diode for temperature sensor (50) is provided with an n-type substrate (51), a p-type well layer (52) formed in the n-type substrate, an n-type high concentration layer (53) formed in the p-type layer and a p^+-diffusion layer (57) formed near a surface of the n-type high concentration layer.例文帳に追加

温度センサ用ＣＭＯＳＮ型基板ダイオード（５０）は、Ｎ型基板（５１）と、このＮ型基板内に形成されたＰｗｅｌｌ層（５２）と、このＰｗｅｌｌ層内に形成されたＮ型高濃度層（５３）と、このＮ型高濃度層の表面近傍に形成されたｐ^＋拡散層（５７）とを有する。 - 特許庁

An N-type embedded diffusion layer 12 is embedded and formed in a P-type substrate 11, and a P-type first embedded diffusion layer 13 having a high impurity concentration is embedded and formed in the N-type embedded diffusion layer.例文帳に追加

Ｐ型基板１１にＮ型埋込み拡散層１２を埋込み形成し、高不純物濃度のＰ型第一埋込み拡散層１３をＮ型埋込み拡散層に埋込み形成する。 - 特許庁

In an n^+ bulk layer 101, a p-type area 109 made mainly of SiC including high-concentration p-type impurities is formed in the surface area on the side of its main surface 101b.例文帳に追加

Ｎ^＋バルク層１０１において、主面１０１ｂ側の表面領域には、高濃度のＰ型不純物を含むＳｉＣを主組成としたＰ型領域１０９が形成されている。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a TFT substrate that individually controls the impurity concentration of channel of an N-type or a P-type TFT without increasing the number of masks, and can form channel length stably.例文帳に追加

マスク数を増加することなく、N型及びP型TFTのチャネルの不純物濃度を個別に制御でき、またチャネル長を安定して形成できるTFT基板の製造方法を提供する。 - 特許庁

An n well region 6 whose concentration is higher than that of the n^--type epitaxial growth layer 2, and lower than that of the p^+-type emitter region 5 is formed at the periphery of the p^+-type emitter region 5.例文帳に追加

Ｐ＋型エミッタ領域５の周囲に、Ｎ−型エピタキシャル成長層２よりも高濃度で、且つＰ＋型エミッタ領域５よりも低濃度のＮウェル領域６が形成されている。 - 特許庁

Thus, a separation width between a p-type embedding area 29 and a p-type epitaxial layer 22 of photodiode can be taken widely, so that separation property is improved without increasing the concentration of the n-wells.例文帳に追加

これにより、フォトダイオードのｐ型埋め込み領域２９とｐ型エピタキシャル層２２との分離幅を十分大きくとれ、ｎウェルの濃度を増やすことなく分離特性が改善する。 - 特許庁