「P concentration」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a gallium nitride system vertical transistor not using a p-type gallium nitride having higher carrier concentration.例文帳に追加

高いキャリア濃度を有するｐ型窒化ガリウムを用いること無い窒化ガリウム系縦型トランジスタを提供する。 - 特許庁

In addition to n-type impurities, p-type impurities of low concentration are contained in the n^+-type semiconductor area 5.例文帳に追加

Ｎ^＋型半導体領域５にＮ型不純物の他にＰ型不純物を低濃度に含める。 - 特許庁

this causes the amount of impurity atoms in the p-type clad layer 25 to be increased, making the carrier concentration high.例文帳に追加

こうして、ｐ型クラッド層２５の不純物原子のドープ量を多くしてキャリア濃度を高くする。 - 特許庁

The third p-type contact layer has the Mg concentration not lower than 1×10^20/cm^3, and is 2 to 10 nm in thickness.例文帳に追加

第３ｐコンタクト層は、Ｍｇ濃度が１×１０^20／ｃｍ^3 以上で、厚さは２〜１０ｎｍである。 - 特許庁

The solder comprises Sn, Ag, and Cu, and P with a concentration in which crystallization does not occur after soldering is incorporated therein.例文帳に追加

ＳｎとＡｇとＣｕとを含み、はんだ付後に晶出が起こらない濃度のＰを含有させる。 - 特許庁

The diode (50) is formed by pn-junction of the p^+-diffusion layer and the n-type high concentration layer.例文帳に追加

ｐ^＋拡散層とＮ型高濃度層との間のｐｎ接合によってダイオード（５０）を構成する。 - 特許庁

P-type doping contains boron and N-type doping contains nitrogen in a concentration of ≤10% (atm).例文帳に追加

Ｐ型ドーピングにはホウ素、Ｎ型ドーピングには窒素を１０％（ａｔｍ）以下の濃度で含有させる。 - 特許庁

Between the drain layer 9 and the embedded layer 11, a high-concentration P-N junction is formed.例文帳に追加

Ｎ＋型ドレイン層９とＰ＋型埋め込み層１１との間で、濃度の高いＰＮ接合が形成される。 - 特許庁

In a fourth embodiment, a single P-layer with changed composition and dopant concentration is formed.例文帳に追加

第４実施形態では、組成およびドーパントの濃度を変化させた単一のＰ型層が形成される。 - 特許庁

Carrier concentration of the p-type GaAs contact layer 17 is specified to be 1.0×10^19 cm^-3.例文帳に追加

このｐ型ＧａＡｓコンタクト層１７のキャリア濃度は１．０×１０^19ｃｍ^-3に設定されている。 - 特許庁

Similarly, a p-type well potential power supply region 110 connected with a VSS wiring 106, for example, impurity concentration of a high concentration p-type impurity diffusion layer which constitutes the region 110 is made higher than that of a source/drain region 103 formed of the high concentration p-type impurity diffusion layer, and resistance value is made small.例文帳に追加

同様に、ＶＳＳ配線１０６に接続されるＰ型ウエル電位給電領域１１０を、例えばそれを構成する高濃度Ｐ型不純物拡散層の不純物濃度を、高濃度Ｐ型不純物拡散層で形成されたソース・ドレイン領域１０３よりも高くし、抵抗値を小さくする。 - 特許庁

Trenches T are formed so as to reach the low-concentration n-type drain region 2 through the high-concentration n-type source region 8 and the p-type substrate region 3.例文帳に追加

高濃度Ｎ型ソース領域８及びＰ型基板領域３を貫通し且つ低濃度Ｎ型ドレイン領域２に達するトレンチＴが形成されている。 - 特許庁

The position of the impurity concentration peak of the N-type semiconductor region 101 and the position of the impurity concentration peak of the P-type semiconductor region 106 are different in depth.例文帳に追加

Ｎ型半導体領域１０１の不純物濃度ピークの位置とＰ型半導体領域１０６の不純物濃度ピークの位置とが異なる深さである。 - 特許庁

In the p-type semiconductor region 45, the position of an impurity concentration peak is located separate from the forming position of a low-concentration n-type impurity diffusion region 44.例文帳に追加

このｐ型半導体領域４５において、不純物濃度のピーク位置は、低濃度ｎ型不純物拡散領域４４の形成位置から離れている。 - 特許庁

To form the p-n junction of a variable capacitance diode to be shallow, to sharpen the distribution of impurity concentration and to lower the impurity concentration.例文帳に追加

可変容量ダイオードのｐｎ接合を浅く形成して、不純物濃度の分布を急峻にするとともに不純物濃度を低くすることである。 - 特許庁

Next, boron is injected onto the low-concentration N-type epitaxial layer 11 by ion injection and so on to form low-concentration P-type guard ring areas 14a.例文帳に追加

次に、イオン注入法等を用いて、低濃度Ｎ型エピタキシャル層１１の上にボロンを注入し、低濃度Ｐ型ガードリング領域１４ａを形成する。 - 特許庁

A channel layer 12 is disposed on the buffer layer 11 and includes n-type impurities at a concentration higher than the concentration of p-type impurities in the buffer layer 11.例文帳に追加

チャネル層１２は、バッファ層１１上に位置し、バッファ層１１におけるｐ型不純物の濃度より高い濃度のｎ型不純物を含む。 - 特許庁

The impurity concentration of the P-type semiconductor region 7p and the N-type semiconductor region 7n is higher than the impurity concentration of the semiconductor substrate 3.例文帳に追加

Ｐ型半導体領域７ｐ及びＮ型半導体領域７ｎの不純物濃度は、半導体基板３の不純物濃度より高くなっている。 - 特許庁

The breakdown voltage BV is specified, by introduction of this principle, with the interval d between the high concentration p-type conductive layers 3, 4 in the low concentration n-type conductive layer 2.例文帳に追加

この原理を採用して降伏電圧BVを低濃度ｎ型導電層２における高濃度ｐ型導電層３，４の間隔ｄによって規定する。 - 特許庁

Even if the connection electrode 308 is applied, the Hall concentration of the pixel separation region 306 is ensured by the high-concentration p-type impurity region 310.例文帳に追加

接続電極３０８が印加されても、高濃度Ｐ型不純物領域３１０によって、画素分離領域３０６のホール濃度が確保される。 - 特許庁

Consequently, it is hard to generate a field concentration between the photodiode p-layer 16 and the anode p-layer 21, and the occurrence of the breakdown voltage drop is prevented.例文帳に追加

これにより、フォトダイオードＰ層１６とアノードＰ層２１の間に電界集中が発生し難くなり、耐圧低下を生じることが防止される。 - 特許庁

In the p-type MgZnO-based thin film 1, nitrogen as a p-type impurity, which serves as an acceptor, is contained in a concentration of not less than about 5.0×10^18 cm^-3.例文帳に追加

ｐ型ＭｇＺｎＯ薄膜１は、アクセプタとなるｐ型不純物の窒素が約５．０×１０^１８ｃｍ^−３以上の濃度で含まれている。 - 特許庁

Then, a p-type high-concentration halogen diffusion layer 15 is formed on the surface of the p-type well layer 11 between the n-type channel layer 12 and deep diffusion layer 14.例文帳に追加

そして、ｎ型チャネル層１２とディープ拡散層１４間のｐ型ウェル層１１表面に、ｐ型高濃度ハロ拡散層１５が形成されている。 - 特許庁

Furthermore, a silicide layer 5 is formed between the p-type contact layer 4 and an electrode 3 so as to reach a peak position of a concentration profile of the p-type contact layer.例文帳に追加

また、ｐ型コンタクト層４と電極３の間には、ｐ型コンタクト層の濃度プロファイルのピーク位置まで達するシリサイド層５が形成される。 - 特許庁

There are two points in the p body region 4 containing the p^+ low resistance region 41 where an impurity concentration becomes maximum at the interface with the gate insulating film 10.例文帳に追加

ｐ^+低抵抗領域４１を含むｐボディ領域４には、ゲート絶縁膜１０との界面で不純物濃度が極大となる位置が２箇所ある。 - 特許庁

A high-concentration P-type impurity diffusion layer 3 is formed over the whole surface by the diffusion of the P-type impurity in the bottom face of the N^- type silicon substrate 1.例文帳に追加

Ｎ^-型シリコン基板１の底面内には、Ｐ型不純物の拡散によって、高濃度のＰ型不純物拡散層３が全面的に形成されている。 - 特許庁

A p-type impurity such as boron is injected into the element isolating insulating film 4 so that its impurity concentration is larger than that of the p-type well 2.例文帳に追加

素子分離絶縁膜４にはボロン等のｐ型不純物が注入されており、その不純物濃度は、ｐ型ウェル２の不純物濃度よりも大きい。 - 特許庁

Here, the concentration of hydrogen contained in the p^+-type GaAs layer 17 is lower than that of the carriers of second-conductivity type contained in the p^+-type GaAs layer 17.例文帳に追加

ここで、ｐ^＋型ＧａＡｓ層１７中に含まれる水素濃度は、ｐ^＋型ＧａＡｓ層１７の第２導電型のキャリア濃度よりも低い。 - 特許庁

The concentration of carbon contained near the interface of an n-type AlGaAs layer against a p-type AlGaAs layer is made lower than that for forming a p-type inversion layer.例文帳に追加

ｎ型ＡｌＧａＡｓ層の、ｐ型ＡｌＧａＡｓ層との界面の近傍に含有する炭素の濃度を、ｐ型反転層を形成する濃度より低くする。 - 特許庁

To provide a substrate for a recording medium which can be polished at low costs without corroding a Ni-low P based soft magnetic film formed on the substrate and having a low phosphorus concentration.例文帳に追加

基板上に形成される燐濃度の低いNi一低P系の軟磁性膜を腐食させることなく、かつ、安価で研摩することができること。 - 特許庁

Furthermore, in this semiconductor device, a depletion layer between the gate and drain is made to extend more easily by reducing the concentration in the drift region just below the p-gate 13.例文帳に追加

さらに本発明の半導体装置はpゲート１３下側のドリフト領域の濃度を低くし、ゲート/ドレイン間の空乏層を拡がり易くする。 - 特許庁

In the unit regions, a contact with the emitter electrode is made and a p+ layer (45) with higher concentration than a p base layer (5) is formed at least under the emitter layer.例文帳に追加

単位領域においてエミッタ電極とのコンタクトを取るとともに、ｐベース層（５）よりも高濃度でｐ＋層（４５）を少なくともエミッタ層の下方に設ける。 - 特許庁

To avoid electric field concentration on a P-type region beneath an N-type source region of a DTMOS FET and more stably hold the drain-source backward withstand voltage to reduce the on-resistance.例文帳に追加

DTMOS FET におけるN ソース領域下のP 型領域での電界集中を防ぎ、ドレイン・ソース間逆方向耐圧をより安定に保ち、オン抵抗を低減させる。 - 特許庁

Thus, the concentration of the impurity in the low concentration (p)-type region being a channel can be reduced, and the breakdown voltage of the parasitic transistor formed of an epitaxial layer 13, high concentration (p)-type region 15, and (n) type source region 19.例文帳に追加

これにより、チャネルとなる低濃度ｐ型領域の不純物濃度を低くすることができるとともに、エピタキシャル層１３、高濃度ｐ型領域１５およびｎ型ソース領域１９で形成される寄生トランジスタのブレークダウン電圧を高くすることができる。 - 特許庁

The embedded layer 15 is made of a non-doped semiconductor material, a p-type semiconductor material with lower p-type impurity concentration than the p-type semiconductor layer 5 or an n-type semiconductor material with n-type impurity concentration of 1×10^17 cm^-3 or less.例文帳に追加

埋め込み層１５は、ノンドープの半導体材料、ｐ型半導体層５よりもｐ型不純物濃度の低いｐ型半導体材料、又は、ｎ型不純物濃度が１×１０^１７ｃｍ^−３以下のｎ型半導体材料からなることを特徴とする。 - 特許庁

The dopant of a p-type clad layer and a p-type active layer is Ge, with its carrier concentration in the range of 8×1017 to 12×1017 cm-3, the thickness of the p-type active layer is set to 0.5 to 1.2 μm, and the oxygen concentration is set less than 3×1016 cm-3.例文帳に追加

ｐ型クラッド層およびｐ型活性層のドーパントをＧｅとし、そのキャリヤ濃度を８×１０^17ｃｍ^-3以上１２×１０^17ｃｍ^-3未満、ｐ型活性層の層厚を０．５μｍ以上１．２μｍ以下で酸素濃度を３×１０^16ｃｍ^-3未満とする。 - 特許庁

This film contains a titanium compound, soluble in polyester, of 2-10 millimol % in terms of titanium element and satisfies the formulas, 0≤Ti-P and 2≤Ti+P≤20 [wherein, Ti is the concentration of titanium element of titanium compounds soluble and contained in polyester (millimol %); and P is the concentration of phosphorus element of phosphoric compound contained in polyester (millimol %)].例文帳に追加

０≦Ｔｉ−Ｐ ・・・（１） ２≦Ｔｉ＋Ｐ≦２０ ・・・（２） （上記式中、Ｔｉはポリエステル中に含有されるポリエステルに可溶なチタン化合物のチタン金属元素の濃度（ミリモル％）、Ｐはポリエステル中に含有されるリン化合物のリン元素の濃度（ミリモル％）を示す。） - 特許庁

To a p-type semiconductor substrate 1a, the semiconductor device forms an n-well 7 in which concentration increases in the depthwise direction from the main surface of the semiconductor substrate 1a to result in impurity concentration peak 6, and a p-well 11 in which concentration increases in the depth direction from the main surface of the semiconductor substrate 1a to result in impurity concentration peak 10.例文帳に追加

Ｐ型の半導体基板１ａに半導体基板１ａの主表面から深さ方向に濃度を増加し不純物濃度ピーク６を有するＮウエル７及び半導体基板１ａの主表面から深さ方向に濃度を増加し不純物濃度ピーク１０を有するＰウエル１１を形成する。 - 特許庁

The biaxially stretched polyamide film is produced with the use of a polyamide resin composition having a terminal amino group concentration [AEG] and a terminal carboxyl group concentration [CEG] of 40-60 equivalents/ton and a phosphorus atom concentration [P] of 1-30 ppm.例文帳に追加

末端アミノ基濃度［ＡＥＧ］および末端カルボキシル基濃度［ＣＥＧ］が40〜60当量／トンかつリン原子濃度［Ｐ］が１〜３０ppmのポリアミド樹脂組成物を用いて、二軸延伸ポリアミドフィルムを製造する。 - 特許庁

A p+ type region 14 of high- impurity concentration is provided from a region just under a region of p-type well region 4 where a channel is formed to the p+ type base contact region 9.例文帳に追加

ｐ形ウェル領域４内においてチャネルが形成される領域の直下の領域からｐ^^^+形ベースコンタクト領域９に亙って高不純物濃度のｐ^+形領域１４を設けてある。 - 特許庁

The voltage-controlled variable capacitance 15 has a P-N junction, and this P-N junction is constituted into superstaged junction, where the concentration of impurities in an N-type region is reduced as one goes away from P-N junction surface.例文帳に追加

電圧制御可変容量１５はＰＮ接合を持ち、このＰＮ接合はＰＮ接合面から離れるに従ってＮ型領域の不純物濃度が低くなる超階段接合に構成される。 - 特許庁

The p-type region 11 is formed by diffusing a p-type impurity from the front side of the substrate 5 so as to surround the p-type region 7 and high-concentration n-type region 9 as seen from the front side.例文帳に追加

ｐ型領域１１は、表面側から見てｐ型領域７及び高濃度ｎ型領域９を取り囲むように、基板５の表面側からｐ型不純物を拡散して形成されている。 - 特許庁

In this case, impurity concentration of the p-type latch-up preventing layer PL is set higher than that of the p-type channel forming layer PCH but lower than the p^+-type contact layer PC.例文帳に追加

このとき、ｐ型ラッチアップ防止層ＰＬの不純物濃度は、ｐ型チャネル形成層ＰＣＨの不純物濃度よりも高く、ｐ^＋型コンタクト層ＰＣの不純物濃度よりも低くなっている。 - 特許庁

Accordingly, the concentration profile PF1_MG of the p-type dopant becomes steep in the p-type Al_XGa_1-XN layer 15 close to the interface between the p-type Al_XGa_1-XN layer 15 and the active layer 17.例文帳に追加

故に、ｐ型Ａｌ_ＸＧａ_１−ＸＮ層１５と活性層１７との界面近傍のｐ型Ａｌ_ＸＧａ_１−ＸＮ層１５でｐ型ドーパントの濃度プロファイルＰＦ１_Ｍｇが急峻になる。 - 特許庁

In this epitaxial wafer having the double heterostructure, the ratio of the carrier concentration C2 of the p-type GaAs substrate 4 to the carrier concentration C1 of the p-type GaAlAs clad layer 3 is so determined as to have the relation 25≤ C2/C1≤ 70.例文帳に追加

このダブルヘテロ構造をしたエピタキシャルウェハにおいて、ｐ型ＧａＡｓ基板４のキャリア濃度Ｃ２とｐ型ＧａＡｌＡｓクラッド層３のキャリア濃度Ｃ１との比が２５≦Ｃ２／Ｃ１≦７０の関係にあるように定める。 - 特許庁