「P concentration」に関連した英語例文の一覧と使い方(8ページ目) - Weblio英語例文検索

An n^+-type high concentration layer 5 forming a Schottky interface between the high concentration layer 5 and the Schottky electrode 3 is provided in a region sandwiched by the p-type diffusion layer 2 in a front layer of the semiconductor substrate 1.例文帳に追加

半導体基板１の表層部において、Ｐ型拡散層２に挟まれた領域には、ショットキ電極３との間にショットキ界面を形成するＮ^+型高濃度層５が設けられている。 - 特許庁

The p-type base layer Tr1B of the multi-collector type npn transistor has a dopant concentration profile which is inclined so that the concentration may be high on the emitter layer Tr1E side while being low on the collector layer Tr1C side.例文帳に追加

マルチコレクタ型ＮＰＮトランジスタのＰ型ベース層Ｔｒ１Ｂは、エミッタ層Ｔｒ１Ｅ側で高く、かつコレクタ層Ｔｒ１Ｃ側で低くなるように傾斜した不純物濃度プロファイルを持つ。 - 特許庁

It is preferable that the diaphragm has a concentration inclination of the P type impurity that becomes lower as it goes toward the liquid chamber and a concentration inclination thereof that becomes lower as it goes toward the opposite the liquid chamber.例文帳に追加

ここで振動板は、振動板の厚さ方向で、液室方向および液室と逆方向に向かって、それぞれ、低濃度になるＰ型不純物の濃度勾配を有していることが好ましい。 - 特許庁

In this way, since the impurity concentration of the p-type base region 3 can be reduced, the p-type base region 3 can be easily inverted to form a wide channel region and channel mobility is increased.例文帳に追加

これにより、ｐ型ベース領域３の不純物濃度を薄くできるため、ｐ型ベース領域３が容易に反転し、広いチャネル領域を形成することが可能となってチャネル移動度が高くなる。 - 特許庁

An inductor is provided in a specified region and a high concentration n+ type diffused layer is formed beneath an isolating oxide film of that specified region, thereby forming a p-n junction with the n+ type diffused layer and a p- type semiconductor substrate.例文帳に追加

インダクターを設けた所定領域の分離酸化膜下に高濃度Ｎ^+形拡散層を形成して、そのＮ^+形拡散層とＰ^-形半導体基板からなるＰＮ接合を設けている。 - 特許庁

In an NchMOSFET 20 constituting an on-vehicle power IC, p^+-layers 6a are formed more deeply than an n^+-source layer 7a so as to overlap the layer 7a, and are formed so as to have higher concentration than that of p well layers 5.例文帳に追加

車載用パワーＩＣを構成するＮｃｈＭＯＳＦＥＴ２０において、Ｐ^＋層６ａをＮ^＋ソース層７ａよりも深くＮ^＋ソース層７ａとオーバーラップ形成し、且つＰウエル層５より高濃度に形成している。 - 特許庁

In a semiconductor substrate 22 (a heavily-doped p-type substrate 23, whereon a high concentration n-type epitaxial layer 24 and a hightly-doped n-type epitaxial layer 25 are deposited), a p-type channel layer 26 is formed and trenches 29 are formed shallow.例文帳に追加

半導体基板２２（高濃度ｐ型基板２３に高濃度ｎ型エピタキシャル層２４，低濃度ｎ型エピタキシャル層２５を有する）にｐ型チャネル層２６を形成し、トレンチ２９を浅く形成する。 - 特許庁

Thereby, the p-type region 37 is present only in the neighborhood of the source region 36 as illustrated previously and therefore the concentration of the p-type region 37 in the vicinity of the source region 36 can be lowered.例文帳に追加

これにより、最初からｐ型領域自体が３７で示すようにソース領域３６の近傍しか存在しないために、このソース近傍ｐ型領域３７の濃度を低くすることができる。 - 特許庁

This IGBT is constituted in a punch through structure having an n^+ buffer layer 13 and has a p^- type low-concentration layer 12 between the buffer layer 13 and a p^+ drain layer 11.例文帳に追加

本発明のＩＧＢＴ１０は、ｎ^＋バッファ層１３を有するパンチスルー構造とされ、ｎ^＋型のバッファ層１３とｐ＋型のドレイン層１１の相互間にｐ^−型の低濃度層１２を有している。 - 特許庁

The cell of a new microorganism (FERM P-21006) belonging to the genus Halomonas or a cultured liquid of the microorganism is brought into contact with a waste liquid containing sodium chloride at a high concentration to decompose organic compounds in the waste liquid.例文帳に追加

ハロモナス（Halomonas）属に属する新規微生物（FERM P-21006）の菌体または菌体培養液を、高濃度食塩を含む廃液と接触させ、該廃液中に含まれる有機化合物を分解処理する。 - 特許庁

The trench structure 7 is formed by forming a trench and then by forming a high-concentration p^+ type region on the sidewall or by burying p^+ type doped polysilicon or an insulator into the trench.例文帳に追加

該トレンチ構造７は、トレンチを形成した後に、その側壁に高濃度ｐ^＋型領域を形成するか、若しくは、該トレンチ内部にｐ^＋型にドープしたポリシリコンまたは絶縁物を埋め込むことで形成する。 - 特許庁

The carrier concentration at a p-type current block layer of the spot size conversion part of the semiconductor laser, where the spot size conversion part is integrated, is made lower than that at a p-type current block layer of the laser part.例文帳に追加

スポットサイズ変換部を集積化した半導体レーザにおけるスポットサイズ変換部のｐ型電流ブロック層のキャリア濃度を、レーザ部のｐ型電流ブロック層のキャリア濃度よりも低くする。 - 特許庁

A p-AlGaAs first upper cladding layer 108 having a doping concentration of 1×10^18 cm^-3 is formed between the p-AlGaAs second upper cladding layer 109 and a multiple strained quantum well active layer 106.例文帳に追加

ｐ-ＡlＧaＡs第２上クラッド層１０９と多重歪量子井戸活性層１０６との間に、ドーピング濃度が１×１０^18ｃｍ^-3のｐ-ＡlＧaＡs第１上クラッド層１０８を形成する。 - 特許庁

A p--channel area 50 with an effective concentration of acceptor of 1×1013-1×1016 cm-3 which is lower than that of the inside is provided on the surface layer of a p base area 42 just beneath a gate oxide film 45.例文帳に追加

ゲート酸化膜４５直下のｐベース領域４２の表面層に、実効的なアクセプタ濃度が１×１０^13〜１×１０^16ｃｍ^-3と内部より低濃度のｐ^- チャネル領域５０を設ける。 - 特許庁

In this way, an electric field concentration portion when a drain voltage is high voltage is not a lower part of the joint portion between the p-type deep layer 10 and the p-type resurf layer 15, but a guard ring portion.例文帳に追加

これにより、ドレイン電圧が高電圧となった時の電界集中部分がｐ型ディープ層１０とｐ型リサーフ層１５の接合部分の下部ではなくガードリング部となるようにできる。 - 特許庁

The silicon germanium epitaxial layer includes: a first silicon germanium epitaxial layer having a doping profile where a germanium concentration gradually increases; a second silicon germanium epitaxial layer grown over the first silicon germanium epitaxial layer and doped with P-type impurities with high concentration; and a third silicon germanium epitaxial layer grown over the second silicon germanium epitaxial layer and doped with P-type impurities with low concentration.例文帳に追加

シリコンゲルマニウムエピタキシャル層は、ゲルマニウム濃度が漸進的に増加するドーピングプロファイルを有する第１シリコンゲルマニウムエピタキシャル層と、この層上で成長し、高濃度のＰ型不純物がドーピングされた第２シリコンゲルマニウムエピタキシャル層と、この層上で成長し、低濃度のＰ型不純物がドーピングされた第３シリコンゲルマニウムエピタキシャル層とを備える。 - 特許庁

Although the n-type impurities are implanted with high concentration into the source-drain regions 39b of a PMOS thin-film transistor via contact holes 47 too, since p-type higher-concentration impurities than the n-type impurities are already implanted into the regions 39b, the source-drain regions 39b are maintained as p-type high-concentration impurity regions.例文帳に追加

ところで、ＰＭＯＳ薄膜トランジスタのソース・ドレイン領域３９ｂにもコンタクトホール４７を介してｎ型不純物が高濃度に注入されるが、当該ソース・ドレイン領域３９ｂにはすでにそれよりも高濃度でｐ型不純物が注入されているため、当該ソース・ドレイン領域３９ｂはそのままｐ型不純高濃度物領域を維持する。 - 特許庁

The soft magnetic sintered alloy includes 0.01 to 1 mass% higher P, by average concentration, in the surface layer which has a region of 1 μm to 2 mm deep from the surface than a P concentration in the inner part; and includes 0.01 to 1 mass% K and/or Na, by average concentration, in the surface layer.例文帳に追加

表面から１μｍ〜２ｍｍの範囲内の厚さを有する軟磁性焼結合金表層部の平均Ｐ濃度が軟磁性焼結合金内部に含まれるＰ濃度より０．０１〜１質量％高く、かつ軟磁性焼結合金表層部にはＫおよび／またはＮａが平均濃度で０．０１〜１質量％含有していることを特徴とする。 - 特許庁

Concentration of the p-type impurity element at the specified depth at the superimposing part between the p-type impurity element region 33 and the source/drain region 35 is set lower than that of the p-type impurity element at the p-type impurity element region 33 other than the superimposing part corresponding to the specified depth.例文帳に追加

そして、ｐ型不純物元素領域３３とソース・ドレイン領域３５との重畳部分における特定深さのｐ型不純物元素の濃度を、特定深さに対応する重畳部分以外のｐ型不純物元素領域３３部分におけるｐ型不純物元素の濃度より低くしている。 - 特許庁

The AuBe contact electrode 214 of the peripheral rim electrode 215 is directly contacted with the p-AlGaAs current diffusion layer 210, however, the central electrode 220 is electrically connected to the p-AlGaAs current diffusion layer 210 through a p-GaAs contact layer 222 comprising a high concentration of p-type impurities.例文帳に追加

周縁電極部２１５のＡｕＢｅコンタクト電極２１４は直接ｐ−ＡｌＧａＡｓ電流拡散層２１０と接触するが、中心電極部２２０は高濃度のｐ型不純物を含むｐ−ＧａＡｓコンタクト層２２２を介してｐ−ＡｌＧａＡｓ電流拡散層２１０と電気的に接合される。 - 特許庁

The copper-zinc alloy electroplating bath contains copper salt, zinc salt and pyrophosphoric acid ion, wherein a ratio (P/M) of volume molar concentration P (mol/L) of added pyrophosphoric acid ion to total volume molar concentration M (mol/L) of copper ion and zinc ion contained in the bath is in the range of 2.0 to 3.2.例文帳に追加

銅塩と、亜鉛塩と、ピロリン酸イオンとを含有する銅‐亜鉛合金めっき浴において、浴中に含まれる銅イオンおよび亜鉛イオンの総容積モル濃度Ｍ（ｍｏｌ／Ｌ）と添加するピロリン酸イオンの容積モル濃度Ｐ（ｍｏｌ／Ｌ）の比（Ｐ／Ｍ）が２．０〜３．２の範囲である。 - 特許庁

The high concentration diffusion area 13 keeps an approximately equal distance from the p-type semiconductor region 14 as if it surrounds the p-type semiconductor region 14, and has a first high concentration diffusion regions 13a to a sixth 13f that are respectively formed by keeping the equal distance.例文帳に追加

高濃度拡散領域１３は、Ｐ型半導体領域１４を囲むようにＰ型半導体領域１４からほぼ均等な距離だけ離間し、且つそれぞれ離間して形成された第１の高濃度拡散領域１３ａ〜第６の高濃度拡散領域１３ｆを備える。 - 特許庁

In the semiconductor device having the NMOSFET 100, a high-concentration layer (p^+) containing a p-type impurity at a concentration higher than that in the other portion of the channel region 13 of the NMOSFET 100 is provided in a specific portion of the channel region 13 adjoining a source.例文帳に追加

ＮＭＯＳＦＥＴ１００を有する半導体装置であって、このＮＭＯＳＦＥＴ１００のチャネル領域１３のうちソースと隣接する特定部分には、当該チャネル領域１３の他の部分よりもＰ型の不純物濃度が高い高濃度層（Ｐ^＋）が設けられている。 - 特許庁

By forming one or at least two slit-shaped or island-shaped P-type high-concentration diffusion layers 17 in a polycrystalline silicon high- resistance P-type low-concentration diffusion layer 18, a polycrystalline silicon high resistor with a plurality of sheet resistors can be simultaneously manufactured without any additional processes.例文帳に追加

多結晶シリコン高抵抗のＰ型低濃度拡散層１８の中に、１つ又は２つ以上のスリット状又は島状のＰ型高濃度拡散層１７を形成することで、追加工程なしで複数のシート抵抗を持つ多結晶シリコン高抵抗を同時に作製するように出来る。 - 特許庁

When a gate voltage is applied to a gate electrode 9 during the on-time while diluting the impurity concentration of a low concentration region 10b in a p-type deep layer 10, an inversion layer is formed at parts located on the side surface and the bottom of a trench 6 in the low concentration region 10b.例文帳に追加

ｐ型ディープ層１０の低濃度領域１０ｂの不純物濃度を薄くし、オン時にゲート電極９にゲート電圧を印加すると、低濃度領域１０ｂのうちトレンチ６の側面および底部に位置する部分に反転層が形成されるようにする。 - 特許庁

A p^++-type source region 40 much higher in impurity concentration than a p-type semiconductor substrate 10 is provided on the surface of the p-type semiconductor substrate 10 so as to bring, at least, a part of its side face into contact with an n^--type extended drain region 20.例文帳に追加

Ｐ型半導体基板１０の表層部に、Ｐ型半導体基板１０よりも十分に高い不純物濃度で形成されたＰ^++型ソース領域４０は、少なくともその側面の一部でＮ^-型延長ドレイン領域２０と接するように形成されている。 - 特許庁

(1) A step to recover p-xylene; (2) a step to isomerize o-xylene and m-xylene to p-xylene; (3) a step to increase the concentration of p-xylene by membrane separation; (4) a step to remove ethylbenzene; and (5) a step to remove low-boiling components and high-boiling components from the xylenes.例文帳に追加

（１）パラキシレンを回収する工程 （２）オルトキシレンとメタキシレンをパラキシレンに異性化する工程 （３）膜分離により、パラキシレン濃度を上げる工程 （４）エチルベンゼンを除去する工程 （５）キシレン類より低沸点及び高沸点化合物を除去する工程 - 特許庁

Then, the base region 48 of the Tr 38 is formed simultaneously with a p-type well 40, an emitter region 49 is formed simultaneously with n-type source and drain region 42, and a high concentration p-type base region 50 is formed simultaneously with the p-type source and drain region 43.例文帳に追加

このとき、Ｔｒ３５のベース領域４８はｐ型ウェル４０と同時に形成し、エミッタ領域４９はｎ型ソース・ドレイン領域４２と同時に形成し、高濃度ｐ型ベース領域５０はｐ型ソース・ドレイン領域４３と同時に形成する。 - 特許庁

The band gap of the carrier storage preventive layer 8 is set between that of the p-clad layer 6 and that of the low carrier concentration layer 9.例文帳に追加

キャリア蓄積防止層８のバンドギャップは、ｐ−クラッド層６のバンドギャップと低キャリア濃度層９のバンドギャップとの中間に設定される。 - 特許庁

The odd-numbered rows of the regions 32 and 33, however, are formed of second separated regions 33, composed of P-type regions which are higher in concentration than the regions 32b.例文帳に追加

一方、奇数列は、第１の分離領域３２ｂよりも濃度の高いＰ型領域よりなる第２の分離領域３３で形成される。 - 特許庁

To improve crystallinity and electrical conductivity, and to average the composition ratio or p-type impurity concentration within the crystal growth side.例文帳に追加

結晶性および電気伝導性を向上させると共に、結晶の成長面内における組成比やｐ型不純物濃度を均一とする。 - 特許庁

The concentration gradient (a) of impurities is set to the lebel between 1E18 and 1E19 in a boundary between an n^--layer 12 and a p^+-layer 13.例文帳に追加

Ｎ^−層１２とＰ^＋層１３との境界面において、不純物の濃度勾配ａを、１Ｅ１８から１Ｅ１９の範囲にしている。 - 特許庁

Further, the element termination region 200 is terminated by a p-type low-impurity concentration layer 500 at a predetermined distance from the trench 700.例文帳に追加

さらに、素子終端領域２００は、トレンチ７００と所定距離を隔てたｐ−型低不純物濃度層５００で終端されている。 - 特許庁

Additionally, in order to realize the difference in a concentration, Zn is used as the dopant material in the P-type clad layer 2, and Te is used as the dopant material in the N-type clad layer 4.例文帳に追加

さらに、この濃度差を実現するため、Ｐ型クラッド層２の添加材をＺｎとし、Ｎ型クラッド層４の添加材をＴｅとする。 - 特許庁

To provide means to highly accurately measure iron concentration of a boron doped p-type silicon wafer by using an Fe-B pair dissociation phenomenon.例文帳に追加

ボロンドープｐ型シリコンウェーハの鉄濃度を、Ｆｅ−Ｂペア乖離現象を利用して高精度に測定するための手段を提供すること。 - 特許庁

To provide a semiconductor device, whose durability can be increased during the operation of an inductance load by setting the concentration of a P-type semiconductor region low.例文帳に追加

Ｐ型半導体領域の濃度を薄くすることによりインダクタンス負荷時の耐久性を向上する半導体装置を提供する。 - 特許庁

The P-type impurity concentration of a lower part of a source is so set as to be lower than that of a source-side part of the channel region.例文帳に追加

また、ソースの下側のｐ型不純物濃度は、チャネル領域のソース側部分のｐ型不純物濃度よりも小さく設定されている。 - 特許庁

The carbon concentration of the p-type GaN-based semiconductor layer 17 is at least 2×10^16 cm^-3 and not more than 1×10^19 cm^-3.例文帳に追加

ｐ型ＧａＮ系半導体層１７の炭素濃度は２×１０^１６ｃｍ^−３以上１×１０^１９ｃｍ^−３以下である。 - 特許庁

The injecting contact region 3, 4 is doped with a dopant of the first conductivity P^+ type at a higher dopant concentration than the semiconductor substrate 1.例文帳に追加

上記注入接触領域３，４は、半導体基板１よりも高いドーパント濃度で第１導電型Ｐ^＋のドーパントでドープされる。 - 特許庁

An emitter portion 15 of the transistor 20 is constituted of one or several carbon nanotubes 10 having a large energy gap and semiconductive properties and formed by doping P-type impurity in a high concentration.例文帳に追加

炭素ナノチューブ１０のトランジスタ２０は、そのサイズが数ｎｍに過ぎないので、素子のサイズを大幅に小型化させることができる。 - 特許庁

A low concentration source region 7a is formed by implanting phosphorus ion into a p-type semiconductor substrate 1 taking a spacer film 5 as a mask.例文帳に追加

スペーサ膜５をマスクとして、リンイオンをＰ型半導体基板１中にイオン注入することで、低濃度のソース領域７ａを形成する。 - 特許庁

The SBD region 20 includes a p type diffusion region 21 provided on an upper surface of the n type epitaxial layer 2 and having a second impurity concentration.例文帳に追加

ＳＢＤ領域２０は、ｎ型エピタキシャル層２の上面に設けられ第２の不純物濃度を有するｐ型拡散領域２１を備える。 - 特許庁

In addition, the concentration of the center 221 is higher than that of a side 222 close to a junction surface with the p-type semiconductor area 210 of the parallel pn junction layer 2, with respect to an impurity concentration in the horizontal direction in the n-type semiconductor area 220.例文帳に追加

また、ｎ型半導体領域２２０内の横方向の不純物濃度に関しても、中央部２２１の濃度を、ｐ型半導体領域２１０との接合面に近い側部２２２の濃度よりも高くする。 - 特許庁

Side surfaces of the laminate and side surfaces of the n-type high concentration layer 12a each have a portion forming wall surfaces continuing to each other and reaching from the surface of the substrate 11 to the p-type high concentration layer 12e without causing a step difference.例文帳に追加

当該積層体の側面及びｎ型高濃度層１２ａの側面は、互いに連続して基板１１表面からｐ型高濃度層１２ｅまで段差なく到達する壁面を形成する部分を有する。 - 特許庁

A P-type fourth semiconductor layer 15 is formed on an inner surface of the fourth recess part 53a so as to generate a fifth recess part 54a being smaller than the fourth recess part 53a; and has a fourth impurity concentration lower than the third impurity concentration.例文帳に追加

Ｐ型第４半導体層１５は、第４凹部５３ａの内面にそれより小さい第５凹部５４ａを生じるように形成され、第３不純物濃度より低い第４不純物濃度を有する。 - 特許庁