「P concentration」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

To obtain a P type gate electrode of an NMOSFET which can function surely as a P^+ type gate electrode (metal-like gate electrode) by maintaining high concentration of P type impurities.例文帳に追加

ＮＭＯＳＦＥＴのＰ型ゲート電極のＰ型不純物濃度を高濃度に保って確実にＰ^＋型ゲート電極（メタルライクなゲート電極）として機能できるようにする。 - 特許庁

To accurately form an n-type high-concentration impurity region doped with only n-type impurities and an n-type low-concentration impurity region doped with n-type impurities and p-type impurities, by self-alignment when forming the n-type high-concentration impurity region and the p-type low-concentration impurity region on a semiconductor substrate adjacently to each other.例文帳に追加

半導体基板にｎ型不純物のみを導入したｎ型高濃度不純物領域と型不純物とｐ型不純物とを導入したｎ型低濃度不純物領域と隣接して形成する際、セルフアライメントにより高精度に形成する。 - 特許庁

In IGBT having at least a p+n-pn+ structure from a collector side to an emitter side, and an n layer having high concentration compared with an n- layer between the n- layer and a p layer, an n layer having the further high concentration compared with the n layer is formed between the n- layer and the p layer.例文帳に追加

コレクタ側からエミッタ側に向かって少なくともｐ＋ｎ−ｐｎ＋構造と、ｎ−層とｐ層との間にｎ−層よりも高濃度のｎ層と有するIGBTにおいて、ｎ−層とp層との間にn層よりさらに高濃度のn層を形成する。 - 特許庁

In the base layer 3, a p^+ layer 12, whose p-type impurity concentration is higher than an average value of the p-type impurity concentration of the base layer 3 and is smaller in thickness than the base layer is formed adjacent to the boundary between the base layer 3 and p-type polysilicon layer 8.例文帳に追加

ベース層３において、ベース層３とｐ型ポリシリコン層８との界面近傍には、ｐ型不純物濃度がベース層３のｐ型不純物濃度の平均値より高く、厚さがベース層の厚さに比して極めて薄いｐ^+層１２が形成されている。 - 特許庁

A p-type InP buffer layer 2 containing low concentration Zn, and an undoped InP buffer layer 3 with a carrier concentration of 3×10^17 cm^-3 or less, are stacked on a p-type InP substrate 1 containing Zn.例文帳に追加

Znを含むｐ型InP基板１の上に、低濃度のZnを含むｐ型InPバッファ層２、キャリア濃度が３×１０^１７ｃｍ^−３以下となるアンドープInPバッファ層３を積層する。 - 特許庁

Then an electroless plated low-concentration Ni-P film 30, which contains phosphorus at a rate of 3 wt.% or lower, has a thickness of 0.5-10 μm, and covert the high concentration Ni-P film 30, is provided.例文帳に追加

３重量％以下の濃度でリンを含有し、０．５〜１０μｍの膜厚で無電界高濃度Ｎｉ−Ｐメッキ膜３０を覆う無電界低濃度Ｎｉ−Ｐメッキ膜３２を設ける。 - 特許庁

SiC semiconductor of p-type contains Al and Ti in SiC crystal as impurites, and Ti concentration is equal to or less than Al concentration, based on an atom ratio.例文帳に追加

ＳｉＣ結晶中に不純物としてＡｌとＴｉを含み、原子比でＴｉ濃度≦Ａｌ濃度であるｐ型ＳｉＣ半導体。 - 特許庁

In a structure of the lateral double diffusion MOS transistor formed on a p-type semiconductor substrate 7, a high concentration p-type diffusion layer 10 serving as an electrode of a low concentration p-type well layer 11 is formed in contact with a high concentration n-type diffusion layer 9 serving as a source region.例文帳に追加

ｐ型半導体基板上７に形成された横型二重拡散ＭＯＳトランジスタを構成において、ソース領域となる高濃度ｎ型拡散層９に接するように、低濃度ｐ型ウエル層１１の電極となる高濃度ｐ型拡散層１０を形成する。 - 特許庁

The P-type second low-concentration diffusion region 9 is formed by implanting N-type impurity ions for forming the N-type low-concentration diffusion region 11 and P-type impurity ions for forming the P-type low-concentration diffusion region 7 repeatedly into a semiconductor substrate, and thermally diffusing them.例文帳に追加

Ｐ型第２低濃度拡散領域９は、Ｎ型低濃度拡散領域１１を形成するためのＮ型不純物イオンとＰ型低濃度拡散領域７を形成するためのＰ型不純物イオンが半導体基板に重複して注入され、かつ熱拡散されて形成されたものである。 - 特許庁

The concentration of p-type impurities of the curved part 36b of the resurf layer 36 is smaller than that of p-type impurities of the linear parts 36a and 36c.例文帳に追加

リサーフ層３６の曲線部３６ｂのｐ^—型不純物濃度は、直線部３６ａ，３６ｃのｐ^—型不純物濃度よりも薄い。 - 特許庁

A p-type low-concentration well region 22 is formed in a well region 21 for n-type drain which is formed in a p-type substrate 1.例文帳に追加

Ｐ型基板１に形成されたＮ型ドレイン用ウエル領域２１内にＰ型低濃度ウエル領域２２が形成されている。 - 特許庁

The P-type diffusion layer 23 is formed to have an impurity concentration lower than that of the P-type diffusion layer 22 and have a diffusion width which is smaller.例文帳に追加

そして、Ｐ型の拡散層２３は、Ｐ型の拡散層２２よりも不純物濃度が低く、その拡散幅が狭く形成される。 - 特許庁

The carrier concentration of the first p-type inversion area 5a is set higher than that of second p-type inversion area 5b.例文帳に追加

第１のｐ型反転領域５ａのキャリア濃度は第２のｐ型反転領域５ｂのキャリア濃度より高く設定されている。 - 特許庁

To realize a p-type III nitride semiconductor having a high carrier concentration by improving the activation ratio of ion-implanted P-type impurities.例文帳に追加

イオン注入したｐ型不純物の活性化率を高くして、キャリア濃度の高いｐ型ＩＩＩ族窒化物半導体を実現する。 - 特許庁

In the outer peripheral part of the base layer 2, a p-type RESURF layer 5 of low concentration is formed and relieves an electric field in a p-n junction part.例文帳に追加

ｐ型ベース層２の外周部には、低濃度のｐ型リサーフ層５が形成され、ｐｎ接合部での電界緩和を行っている。 - 特許庁

N-type buffer regions 48, which are formed under the lower parts of the regions 36 and 46 in contact with the regions 36 and 46, contain As and phosphous P as N-type impurities, and have a P concentration lower than an As concentration and the As concentration, are formed.例文帳に追加

エクステンション領域３６及びソース／ドレイン領域４６に接してその下方に、ｎ型不純物としてＡｓ及びリン（Ｐ）を含み、かつＰ濃度がＡｓ濃度より低いｎ−バッファ領域４８が形成されている。 - 特許庁

At least the concentration of silicon out of oxygen, carbon, and silicon in an interface between the p-type light guide layer 106 and the p-type contact layer 108 is 1/10 of the concentration of a dopant in the p-type light guide layer 106.例文帳に追加

ｐ型光ガイド層１０６とｐ型コンタクト層１０８との界面における酸素、炭素及びシリコンのうち少なくともシリコンの濃度は、ｐ型光ガイド層１０６におけるドーパント濃度の１０分の１以下である。 - 特許庁

A low-concentration p-type impurity region having a concentration approximately identical to that of a low-concentration n-type impurity region to be a channel region of a depression type n-channel MOS transistor is formed under the low concentration n-type impurity region to suppress variations in the depth of the low-concentration n-type imputiry region.例文帳に追加

デプレッション型ＮチャネルＭＯＳトランジスタの、チャネル領域となる低濃度Ｎ型不純物領域の下に、同程度の濃度の低濃度Ｐ型不純物領域を形成し、低濃度Ｎ型不純物領域の深さばらつきを抑制する。 - 特許庁

A junction electric field transistor according to this invention, when the a pn junction of a gate is formed in a selection regrowth, a low-concentration doped regrowth layer 13 doped at lower concentration than a p+ type high-concentration doped regrowth layer 14 is inserted directly under the p+ type high-concentration doped regrowth layer 14.例文帳に追加

本発明の接合電界トランジスタは、選択再成長によりゲートのｐｎ接合を形成する際、ｐ＋型高濃度ドーピング再成長層１４の直下に、ｐ＋型高濃度ドーピング再成長層１４よりも低濃度にドーピングされた低濃度ドーピング再成長層１３を挿入する。 - 特許庁

An n-channel FET 3 comprises: the high-concentration n-type semiconductor layers 22 forming source/drain; the high-concentration p-type semiconductor layer 33 forming a gate; a low-concentration n-type semiconductor layer 21 under the high-concentration p-type semiconductor layer 33; the first electrode layer 41; and the second electrode layers 42.例文帳に追加

ｎチャネルＦＥＴ３は、ソース／ドレインを形成する高濃度ｎ型半導体層２２と、ゲートを形成する高濃度ｐ型半導体層３３と、その下方に形成された低濃度ｎ型半導体層２１と、第１電極層４２と、第２電極層４２とを備える。 - 特許庁

In a semiconductor device having a PN junction part, a low concentration substrate junction of a p^+ layer and an n^- layer steep in impurity concentration gradient is formed, and a diffusion layer of a p^- layer in a low concentration is formed by making a surface concentration low and diffusing deeply so that it does not make a junction with the n^- layer of the substrate.例文帳に追加

PN接合部を有する半導体装置において、不純物濃度勾配の急峻なｐ^+層とｎ^-層の低濃度基板接合を形成し、低濃度のｐ^-層の拡散層を基板のn-層と接合ができないように表面濃度を薄く、深く拡散させて形成した。 - 特許庁

An n^+ high-concentration region 10 is provided at a part of a surface layer of the p collector region 9.例文帳に追加

ｐコレクタ領域９の表面層の一部には、ｎ^+高濃度領域１０が設けられている。 - 特許庁

Current gain of a parasitic bipolar transistor is lowered by increasing the impurity concentration of the P well region 22.例文帳に追加

Ｐウェル領域２２の不純物濃度を高くして寄生バイポーラトランジスタの電流利得を下げる。 - 特許庁

To dope a base layer with carbon which is p-type impurities with a high concentration and to improve a current gain.例文帳に追加

ベース層にｐ型不純物である炭素を高濃度ドーピングし、かつ電流利得を高くする。 - 特許庁

Further, an impurity region 6p of high concentration P-type is formed in the entire circumference of the trench 4.例文帳に追加

さらに、高濃度Ｐ型の不純物領域６ｐが、トレンチ４の全周囲に形成されている。 - 特許庁

On a p-type semiconductor substrate 1, an n-type diffusion layer 4a for low-concentration drain is formed.例文帳に追加

ｐ型の半導体基板１に、ｎ型の低濃度ドレイン用拡散層４ａを形成する。 - 特許庁

P-type diffusion layers 31, 34 of high concentration are selectively formed on the surface of the substrate 1.例文帳に追加

更に、基板１の表面に選択的に高濃度のｐ型拡散層３１、３４が形成される。 - 特許庁

A second wiring 11 of aluminum is connected electrically to the P+-type high concentration region 4.例文帳に追加

ｐ^+形高濃度領域４にはアルミニウムよりなる第２の配線１１が電気的に接続される。 - 特許庁

A P-type high-concentration impurity diffusion layer 130 is provided in the region jointing to the ground wiring 130 of the silicon substrate 10, and a P-type semiconductor diffusion region 160 is provided in the region between the P-type high-concentration impurity diffusion layer 140 and the P-type well region 120.例文帳に追加

シリコン基板１０のグランド配線１３０を接合する領域には、Ｐ型高濃度不純物拡散層１４０が設けられ、このＰ型高濃度不純物拡散層１４０とＰ型ウエル領域１２０との間の領域には、Ｐ型半導体拡散領域１６０が設けられている。 - 特許庁

The p-type impurity concentration of the outer circumferential region of the curved part in the anode region which touches the curved part is lower than that of the high concentration region.例文帳に追加

アノード領域のうちの前記曲線部に接する曲線部外周領域のｐ型不純物濃度が、高濃度領域よりも低い。 - 特許庁

An n-type stopper layer 6 of high concentration is formed deeply in a chip end portion, sandwiching an n-type low concentration substrate 1 from the p-type RESURF layer 5.例文帳に追加

ｐ型リサーフ層５からｎ型の低濃度基板１を挟み、チップ端部には高濃度のｎ型ストッパー層６が深く形成されている。 - 特許庁

The concentration strip length product of the fiber 2 is preferably 60 kppm.m or more, and the doping concentration of P is preferably 0.01 to 10 mol%.例文帳に追加

光増幅用ファイバ２の濃度条長積は６０ｋｐｐｍ・ｍ以上が好ましく、Ｐのドープ濃度は、０．０１〜１０ｍｏｌ％が好ましい。 - 特許庁

The contact surfaces of a p-type high-concentration semiconductor region 10 and an n-type high-concentration buffer region 12 with each other are formed so that they may become uneven and their areas become larger.例文帳に追加

ｐ型高濃度半導体領域１０とｎ型高濃度バッファ領域１２との接面が凹凸状になるように形成する。 - 特許庁

At least one part of the n-type channel region has a lower concentration than the concentration of the drift region 11, or has a thinner layer than the thickness of the drift region.例文帳に追加

さらにチャネル領域の少なくとも一部の濃度がドリフト領域１１の濃度より低く、あるいは薄いp型層を形成する。 - 特許庁

A P-type intermediate concentration region 30b is located spaced apart from the high concentration region 30a under the first surface 12a of the semiconductor substrate 12.例文帳に追加

Ｐ型の中濃度領域３０ｂは、高濃度領域３０ａと間隔を隔てて、半導体基板１２の表面１２ａに位置している。 - 特許庁

The metal concentration of a p-side gate electrode 106C is set higher than the metal concentration of the n-side gate electrode 106B.例文帳に追加

ｐ側のゲート電極１０６Ｃの金属濃度は、ｎ側のゲート電極１０６Ｂの金属濃度よりも高くなるように設定されている。 - 特許庁

A p++ type region 17 of a p-type region having high impurity concentration is formed nearly at the middle part between the n-type regions 8 on the main surface side in the p-type silicon substrate 1.例文帳に追加

ｐ形シリコン基板１内の主表面側においてｎ形領域８間の略中央部に高不純物濃度ｐ形領域たるｐ^++形領域１７が設けられている。 - 特許庁

Further, a P^-- diffusion region 52 having a concentration lower than that of the P^- body region 41, and the P diffusion regions 51 is formed to be in contact with the end of the gate trench 21 in the longitudinal direction thereof.例文帳に追加

また，ゲートトレンチ２１の長手方向の端部と接し，Ｐ^- ボディ領域４１およびＰ拡散領域５１よりも低濃度のＰ^--拡散領域５２が形成されている。 - 特許庁

Since the concentration of p-type impurities in the p^- impurity layer 24 is higher than that in the body region 13, a depletion layer appearing upon application of a gate voltage does not elongate readily toward the p^+ impurity layer 8.例文帳に追加

ｐ^- 不純物層２４のｐ型不純物濃度がボディ領域１３より高いので、ゲート電圧の印加時に発生する空乏層がｐ^+ 不純物層８の方へ伸びにくくなる。 - 特許庁

At least, two narrow p(++) auxiliary FLR 24 having concentration for preventing punch-through are formed in a p(+) FLR by using a p(+) main FLR 23 having a shallow junction.例文帳に追加

浅い接合を有するｐ(+)主ＦＬＲ２３を用い、該ｐ(+)主ＦＬＲ内にパンチスルーしない濃度を有する狭いｐ(++)補助ＦＬＲ２４を少なくとも２本形成した半導体装置。 - 特許庁

To inhibit the sticking of spitting granular iron onto a furnace wall and a furnace opening hole during treating and to make [P] concentration in molten pig iron after treating to be ≤0.007 mass%.例文帳に追加

処理中における炉壁及び炉口へのスピッティング粒鉄の付着を抑制し、かつ処理後の溶銑中[P]濃度を0.007質量%以下とする。 - 特許庁

The MOSFET region 10 includes a p+ type diffusion region 5 provided in a p type base region 3 and having a first impurity concentration.例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴ領域１０は、ｐ型ベース領域３に設けられ第１の不純物濃度を有するｐ＋型拡散領域５を備える。 - 特許庁

In the P type well 202, a P type dark charge capturing region 211 capturing dark charge and having a third impurity concentration higher than the first impurity concentration is formed near the well contact 26.例文帳に追加

Ｐ型ウェル２０２内において、ウェルコンタクト２６の近傍に、第１の不純物濃度よりも高い第３の不純物濃度を有する、暗電荷を捕獲するＰ型の暗電荷捕獲領域２１１を形成した。 - 特許庁

Impurity surface concentration of the first p-type region 6a is 1.8×10^13 to 4×10^13cm^-2, and impurity surface concentration of the second p-type region 6b is 1×10^13 to 2.5×10^13cm^-2.例文帳に追加

第１のｐ型領域６ａの不純物面濃度は、１．８×１０^13〜４×１０^13ｃｍ^-2であり、第２のｐ型領域６ｂの不純物面濃度は、１×１０^13〜２．５×１０^13ｃｍ^-2である。 - 特許庁

The concentration of the p- impurity region 3a is higher than that of the p- impurity region 4a, and the concentration of the n+ impurity region 3b is higher than that of the n+ impurity region 4b.例文帳に追加

そして、ｐ^-不純物領域３ａの濃度をｐ^-不純物領域４ａの濃度よりも高くし、ｎ^+不純物領域３ｂの濃度をｎ^+不純物領域４ｂの濃度よりも高くする。 - 特許庁