「P concentration」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

The IGBT has a p^+-type high-concentration drain layer 12 which decides the injection volume of a hole and a p^--type low-concentration drain layer 11 which absorbs the fluctuation of the ground amount of the rear surface of a wafer under an n^+-type buffer layer 13.例文帳に追加

本発明のＩＧＢＴは、ｎ^+バッファ層１３の下に、正孔の注入量を決めるｐ^+高濃度ドレイン層１２と、ウェハ裏面研削量のばらつきを吸収するｐ^-低濃度ドレイン層１１を有している。 - 特許庁

The Si layer 14 comprises an n-type Si layer with the concentration of an n-type impurity of about 7×10^18 atoms cm^-3, and a p-type Si layer with the concentration of a p-type impurity of about 2×10^17 atoms cm^-3 which is formed on the n-type Si layer.例文帳に追加

Ｓｉ層１４は、ｎ型不純物濃度が７ｘ１０^18atoms・cm^-3程度のｎ型Ｓｉ層と、ｎ型Ｓｉ層の上に形成され、ｐ型不純物濃度が２ｘ１０^17atoms・cm^-3程度のｐ型Ｓｉ層とからなる。 - 特許庁

To obtain high quality treated water with a PO4-P concentration of 1 mg/L or less by treating wastewater containing phosphorus in a low concentration of several-ten several mg/L as PO4-P at a high speed of SV=10-20 hr-1例文帳に追加

ＰＯ_４−Ｐ濃度数ｍｇ／Ｌ〜１０数ｍｇ／Ｌ程度の低濃度リン含有排水をＳＶ＝１０〜２０ｈｒ^−１程度の高速処理によりＰＯ_４−Ｐ濃度１ｍｇ／Ｌ以下の高水質処理水を得る。 - 特許庁

By the n-type pocket region 6, there is formed a barrier blocking the spread of a depletion layer from the low-concentration p-type drain region 1, without reinforcing the electric field strength applied to the low-concentration p-type drain region 1 side.例文帳に追加

Ｎ型ポケット領域６により、低濃度Ｐ型ドレイン領域１側に印加される電界強度を強めることなく、低濃度Ｐ型ドレイン領域１からの空乏層の拡がりを阻止する障壁が形成される。 - 特許庁

The layer 10 is composed of a P-type layer and contains an impurity at a concentration higher than that of the impurity in the substrate 1.例文帳に追加

チャネル不純物層１０はＰ型の層から成る一方で、基板１よりも不純物濃度が高い。 - 特許庁

The concentration of impurity on the surface of the p-type diffusion layer 12 is 5×10^15 to 2×10^16 cm^-3.例文帳に追加

Ｐ型拡散層１２の表面不純物濃度は５×１０^１５〜２×１０^１６ｃｍ^−３である。 - 特許庁

To provide an impurity doped diamond in which B, P, S, N and O are doped at high efficiency in high concentration.例文帳に追加

Ｂ、Ｐ、Ｓ、Ｎ、Ｏが高効率でダイヤモンドに高濃度でドーピングされた不純物ドープダイヤモンドを提供する。 - 特許庁

Low concentration impurity areas 23a, 23b being the source or the drain are formed on a p type well area 11.例文帳に追加

ｐ型ウェル領域１１に、ソース又はドレインとなる低濃度不純物領域２３ａ、２３ｂを形成する。 - 特許庁

A guard ring region 104 composed of p-type SiC is formed in the surface region of the low concentration layer 102.例文帳に追加

低濃度層１０２の表面領域には、ｐ型ＳｉＣからなるガードリング領域１０４が形成されている。 - 特許庁

To provide means for measuring iron concentration contained in boron-doped p-type silicon with high reliability.例文帳に追加

ボロンドープｐ型シリコン中の鉄濃度を、高い信頼性をもって測定するための手段を提供すること。 - 特許庁

In a diode 10, a P-type high concentration region 30a is located under a first surface 12a of a semiconductor substrate 12.例文帳に追加

ダイオード１０では、Ｐ型の高濃度領域３０ａは、半導体基板１２の表面１２ａに位置している。 - 特許庁

The threshold can be controlled, by varying the thickness or the impurity concentration of a p-type (In)GaN layer 6.例文帳に追加

ｐ型（Ｉｎ）ＧａＮ層６の厚さやその不純物濃度を変えることで、閾値電圧を制御することができる。 - 特許庁

Sheet impurity concentration of the p-pillar layer 4 is changed in a depth direction and is made lower as it goes downward.例文帳に追加

更に、ｐピラー層４のシート不純物濃度を深さ方向において変化させて、下方に行くほど低くする。 - 特許庁

A first epitaxial layer 12 high in the concentration of n-type impurities is provided on a p-type silicon wafer 11.例文帳に追加

Ｐ型シリコンウェーハ１１上には、Ｎ型不純物の濃度が高い第１のエピタキシャル層１２が設けられている。 - 特許庁

The temperature-detecting diode 20 comprises a P+-type polysilicon 23, which is an anode region of high impurity concentration, an N+-type polysilicon 25 which is a cathode region of high impurity concentration, and a P-type polysilicon 24, which is an anode region of relatively low impurity concentration formed between the regions.例文帳に追加

温度検出用ダイオード２０は、高不純物濃度のアノード領域であるＰ^^+ 型ポリシリコン２３と、高不純物濃度のカソード領域であるＮ^+ 型ポリシリコン２５と、それらの領域の間に形成される比較的不純物濃度の低いアノード領域であるＰ型ポリシリコン２４から構成される。 - 特許庁

On the surface of a semiconductor substrate 301 at the lower portion of the connection electrode 308, p-type impurities are introduced selectively, thus forming a high-concentration p-type impurity region 310 having a p-type impurity concentration that is higher than that of the pixel separation region 306.例文帳に追加

また、接続電極３０８の下方における半導体基板３０１の表面には、Ｐ型不純物を選択的に導入することによって、画素分離領域３０６よりＰ型不純物濃度が高い高濃度Ｐ型不純物領域３１０が形成されている。 - 特許庁

In this case, the n-well 7 and p-well 11 are formed in the manner that impurity concentration peak 10 of the p-well 11 becomes deeper than impurity concentration peak 6 of the n-well 7 by adjusting ion implantation energy of n-type impurity and ion implantation energy of p-type impurity.例文帳に追加

このとき、Ｎウエル７及びＰウエル１１は、Ｎ型不純物のイオン注入エネルギー及びＰ型不純物のイオン注入エネルギーを調整することによりＰウエル１１の不純物濃度ピーク１０がＮウエル７の不純物濃度ピーク６よりも深くなるように形成される。 - 特許庁

On a substrate 101, an AIN buffer layer 102, an undoped GaN layer 103, an undoped AlGaN layer 104, a p-type GaN layer 105 and a high concentration p-type GaN layer 106 are formed sequentially, and a gate electrode 111 has an ohmic junction to the high concentration p-type GaN layer 106.例文帳に追加

基板１０１上にＡｌＮバッファ層１０２、アンドープＧａＮ層１０３、アンドープＡｌＧａＮ層１０４、ｐ型ＧａＮ層１０５、高濃度ｐ型ＧａＮ層１０６が順に形成され、ゲート電極１１１が高濃度ｐ型ＧａＮ層１０６とオーミック接合する。 - 特許庁

An AlN buffer layer 102, an undoped GaN layer 103, an undoped AlGaN layer 104, a p-type GaN layer 105, and a high concentration p-type GaN layer 106, are sequentially formed on a substrate 101; and a gate electrode 111 is ohmic-contacted to the high concentration p-type GaN layer 106.例文帳に追加

基板１０１上にＡｌＮバッファ層１０２、アンドープＧａＮ層１０３、アンドープＡｌＧａＮ層１０４、ｐ型ＧａＮ層１０５、高濃度ｐ型ＧａＮ層１０６が順に形成され、ゲート電極１１１が高濃度ｐ型ＧａＮ層１０６とオーミック接合する。 - 特許庁

By interposing the P-type second embedded diffusion layer having a low impurity concentration in the bonding surface between the N-type embedded diffusion layer and the P-type diffusion layer and the bonding surface between the N-type embedded diffusion layer and the P-type embedded diffusion layer having the high impurity concentration, a C-EPI capacitance is reduced.例文帳に追加

Ｎ型埋込み拡散層とＰ型拡散層との接合面、およびＮ型埋込み拡散層と高不純物濃度のＰ型埋込み拡散層との接合面に低不純物濃度のＰ型第二埋込み拡散層を介在させることにより、Ｃ−ＥＰＩ容量が減少する。 - 特許庁

To provide the growth method of a p-type ZnO-based oxide semiconductor layer that enables doping a p-type dopant N with stable concentration of carriers, and can fully increase the concentration of the carriers of a p-type layer of a ZnO-family oxide semiconductor layer, even in high-temperature growth that can reduce the concentration of a residual carrier, while the simultaneous doping method is being adopted.例文帳に追加

同時ドーピング法を採用しながら、残留キャリア濃度を減らせる高温成長時においても、ｐ形ドーパントであるＮを安定したキャリア濃度でドーピングでき、ＺｎＯ系酸化物半導体層のｐ形層のキャリア濃度を充分に高くすることができるｐ形ＺｎＯ系酸化物半導体層の成長方法を提供する。 - 特許庁

Then a light emitting element 1, wherein the first p-type contact layer 106 is so formed that the growth temperature is the critical growth temperature and the Mg concentration is the critical Mg concentration, is manufactured.例文帳に追加

次に、成長温度を臨界成長温度とし、Ｍｇ濃度が臨界Ｍｇ濃度となるように第１ｐ型コンタクト層１０６を形成した発光素子１を作製する。 - 特許庁

To stabilize quality of a photodiode when silicide layers are formed on a P-type high concentration diffusion layer and an N-type high concentration diffusion layer of the photodiode.例文帳に追加

フォトダイオードのＰ型高濃度拡散層上及びＮ型高濃度拡散層上にシリサイド層を形成する場合におけるフォトダイオードの品質を安定化させる。 - 特許庁

The well layer includes a nitride semiconductor containing indium and has hydrogen concentration higher than that of the n-type clad layer 102 and lower hydrogen concentration which is lower than that of the p-type clad layer 109.例文帳に追加

井戸層は、インジウムを含む窒化物半導体からなり、ｎ型クラッド層１０２よりも水素濃度が高く且つｐ型クラッド層１０９よりも水素濃度が低い。 - 特許庁

Or, the impurity concentration in either of the (n) drift region 12a or the (p) partitioning region 12b is in the range of 92-108% of the impurity concentration in the other region.例文帳に追加

あるいはｎドリフト領域１２ａおよびｐ仕切り領域１２ｂの一方の不純物濃度を他方の不純物濃度の９２〜１０８％の範囲とする。 - 特許庁

A P-type impurity layer 13 is formed on a surface of a substrate between the gate electrode 7 and the drain layer 12 with high concentration so as to surround the drain layer 12 with high concentration.例文帳に追加

そして、ゲート電極７と高濃度のドレイン層１２との間の基板表面に、高濃度のドレイン層１２を囲むようにしてＰ型不純物層１３を形成する。 - 特許庁

The semiconductor layer 10 is formed into one of an intrinsic semiconductor, an n-type semiconductor, and a p-type semiconductor having a second concentration lower than the first concentration.例文帳に追加

半導体層１０は、真性半導体、ｎ型半導体および第１の濃度よりも低い第２の濃度を有するｐ型半導体のいずれかに形成されている。 - 特許庁

This makes uniform the doping concentration of Zn or Mg in the layer thickness direction, and hence a satisfactory surface carrier concentration is obtained for forming an ohmic contact with a p-type electrode 10, without raising the carrier concentration at an initial growth stage.例文帳に追加

ＺｎまたはＭｇのドーピング濃度を層厚方向に均一にできるので、成長開始時のキャリア濃度を高くしなくても、ｐ型電極１０とオーミックコンタクトを取るために十分な表面キャリア濃度が得られる。 - 特許庁

In the method, p-type silicon single crystal 2 is grown from an initial silicon melt solution having a boron concentration of not higher than 4E14 atoms/cm^3 and a ratio of a phosphorus concentration to a boron concentration of not lower than 0.42 and not higher than 0.50 by the Czochralski method.例文帳に追加

ボロンの濃度が４Ｅ１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ^3以下で、ボロンの濃度に対するリンの濃度の比が０．４２以上０．５０以下である初期シリコン融液からチョクラルスキー法によりｐ型シリコン単結晶２を成長させる。 - 特許庁

The unit cell 6B has constitution similar to the unit cell 6A by the impurity concentration of a p-base region 15b is higher than the p-base region 15 of the unit cell 6A.例文帳に追加

ユニットセル６Ｂは、ユニットセル６Ａに類似する構成を有しているが、ｐベース領域１５ｂの不純物濃度が、ユニットセル６Ａのｐベース領域１５より高くなっている。 - 特許庁

The n-type region in the end of the low-concentration drain region of the high-withstand voltage MISFET is prevented from becoming p-type when the channels are doped with the p-type impurity by optimizing the doping.例文帳に追加

高耐圧ＭＩＳＦＥＴの低濃度ドレイン領域の端部のＮ型領域がチャネルドープによりＰ型化することをチャネルドープの最適化により防止した。 - 特許庁

A p-type partition region 7, whose impurity concentration is higher than that of a part adjacent to a second main surface, is arranged on a prescribed region of a first main surface side of a p-type partition type 1b.例文帳に追加

ｐ型仕切り型１ｂの第一主面側の所定領域に、第二主面に近い部分より純物濃度の高いｐ型仕切り領域７を設ける。 - 特許庁

The embedding layer 20 includes a low carrier concentration p type InP layer 26 (p type semiconductor layer) and an n type InP layer 24 (n type semiconductor layer) constituting pn junction 30.例文帳に追加

埋込層２０は、ｐｎ接合３０を構成する低キャリア濃度ｐ型ＩｎＰ層２６（ｐ型半導体層）とｎ型ＩｎＰ層２４（ｎ型半導体層）を有する。 - 特許庁

Sidewall spacers 26a constituted of a P/DPS film, on which P whose concentration is almost 2 wt.% is doped, is formed via an SiO2 film 24 on the sidewalls of a gate electrode 20.例文帳に追加

ゲート電極２０側壁にＳｉＯ_2 膜２４を介して濃度２ｗｔ．％程度のＰがドープされたＰ−ＤＰＳ２６膜からなるサイドウォール・スペーサ２６ａを形成する。 - 特許庁

At formation of the second p-type pocket layers 11, the concentration of the impurity ions implanted for forming the layers 11 are made higher than that of the impurity ions implanted for forming the first p-type pocket layers 9.例文帳に追加

この時、第２ｐ型ポケット層１１を形成する不純物イオン濃度は第１ｐ型ポケット層９を形成する不純物イオン濃度より高くなるようにする。 - 特許庁

An n-type gate electrode and a p-type gate electrode are composed of the same metal, and its N concentration is made different between the n-type gate electrode and the p-type gate electrode.例文帳に追加

ｎ型ゲート電極及びｐ型ゲート電極を同一のメタルで構成し、且つ、そのＮ濃度をｎ型ゲート電極とｐ型ゲート電極とで異ならせる。 - 特許庁

Since the p-type clad layer 13 contains tellurium (Te) as a group VI element, the carrier concentration of the p-type clad layer 13 is increased, and an electrical conductivity is enhanced.例文帳に追加

ｐ型クラッド層１３がＶＩ族元素としてテルル（Ｔｅ）を含むので、ｐ型クラッド層１３のキャリア濃度が高くなっており、電気伝導性が向上する。 - 特許庁

Then p-type regions 38A are formed on the substrate 22, by injecting a low- concentration p-type impurity deep into the substrate 22, by high-energy ion implantation by using the photoresist film 2 as a mask.例文帳に追加

この第１のフォトレジスト層２をマスクとして低濃度のｐ型不純物を深部に高エネルギーのイオン注入により導入しｐ型領域３８Ａを形成する。 - 特許庁

For example, when the impurity layer (8) is disposed between the p-type cladding layer (18) and the waveguide layer (6), the impurity concentration of the impurity layer (8) is ≥1/10 to ≤1/2 of the impurity concentration of the p-type cladding layer (18).例文帳に追加

不純物層（８）は、例えば、ｐ型クラッド層（１８）と導波層（６）との間に設けられる場合に、その不純物濃度が、ｐ型クラッド層（１８）の不純物濃度の１０分の１以上かつ２分の１以下である。 - 特許庁

To develop a technique by which complicated labor such as the preparation, charge, stirring and the confirmation of concentration in a master alloy which has been performed in the case a master alloy having a high P concentration is charged in a small amount for additionally feeding P into a solder bath can be obviated.例文帳に追加

はんだ浴中にＰを追加供給するためにＰ濃度の高い母合金を少量投入する場合に見られた母合金の調合、投入、攪拌、濃度確認等、煩雑な手間を省略できる技術を開発する。 - 特許庁

A diode 1 includes a cathode region 20 containing an n-type impurity in high concentration, a high-resistance region 40 containing an n-type impurity in low concentration and constantly along the thickness, and an anode region 50 containing a p-type impurity.例文帳に追加

ダイオード１は、n型の不純物を高濃度に含むカソード領域２０と、n型の不純物を低濃度に含み、且つ厚み方向に一定に含む高抵抗領域４０と、p型の不純物を含むアノード領域５０を備えている。 - 特許庁

To quickly and easily measure concentrations of polychlorinated- dibenzo-p-dioxins in exhaust gas with precision eaqual to an official method, in measurement of the concentrations of the polychlorinated-dibenzo-p-dioxins in the exhaust gas, in particular when a dust concentration is high, using total organic halogen concentration.例文帳に追加

排ガス中のダイオキシン類濃度の測定において、特にダスト濃度が高い場合の排ガス中のダイオキシン濃度を全有機ハロゲン濃度を用いて、公定法と同等の精度で迅速にかつ簡易に測定する方法を提供する。 - 特許庁

A p-type well 2 has a higher impurity concentration than that of the p-type RESURF layer 18, and is formed in contact with the p-type RESURF layer 18 on the substrate 50 in the n-type impurity region 1.例文帳に追加

Ｐ型ウェル２はＰ型リサーフ層１８よりも高い不純物濃度を有しており、かつＮ型不純物領域１内の基板５０上面においてＰ型リサーフ層１８と接触して形成されている。 - 特許庁

The p-type group III nitride semiconductor region 19 includes a first p-type gallium nitride-based semiconductor layer 21, and the oxygen concentration of the first p-type gallium nitride-based semiconductor layer 21 is 5×10^17 cm^-3 or less.例文帳に追加

ｐ型III族窒化物半導体領域１９は、第１のｐ型窒化ガリウム系半導体層２１を含み、第１のｐ型窒化ガリウム系半導体層２１の酸素濃度は５×１０^１７ｃｍ^−３以下である。 - 特許庁

On a surface of an n^+ type epitaxial layer 8 on a principal surface of a p^++ type high-concentration substrate 7, p^++ type semiconductor regions 12, p^++ type semiconductor regions 13 and p^++ type semiconductor regions 14 are formed to form two zener junctions by the n^+ type epitaxial layer 8 and the p^++ type semiconductor regions 12 and 13.例文帳に追加

ｐ^＋＋型高濃度基板７の主面上のｎ^＋型エピタキシャル層８の表面にｐ^＋＋型半導体領域１２、ｐ^＋＋型半導体領域１３およびｐ^＋＋型半導体領域１４を形成し、ｎ^＋型エピタキシャル層８とｐ^＋＋型半導体領域１２、１３とによる２つのツェナー接合を形成する。 - 特許庁