「Passivation」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

The composite material dielectric layer is located on the substrate, and includes a catalyst dielectric layer and a passivation dielectric layer.例文帳に追加

複合材料誘電層は基板の上に位置し、触媒誘電層とパシベーション誘電層を含む。 - 特許庁

The passivation cleaning for Al out of the light metals includes treatment with a strongly acidic solution such as nitric acid and peroxysulfuric acid.例文帳に追加

軽金属がＡｌ系の場合は硝酸、ペルオキシー硫酸などの強酸性溶液で処理する。 - 特許庁

Furthermore, the semiconductor element is provided with a passivation layer (3) arranged on the metal/insulator structure (2).例文帳に追加

さらに、半導体素子は、金属／絶縁体構造（２）上に配置されたパッシベーション層（３）を備えている。 - 特許庁

The passivation film formed on the EL layer protects the EL layer from moisture.例文帳に追加

また、ＥＬ層上にパッシベーション膜を設けることによって、ＥＬ層を水分から保護することができる。 - 特許庁

To stably form a passivation film of an organic LED element with quick film formation rate by easy operation.例文帳に追加

有機ＬＥＤ素子のパッシベーション膜を早い成膜レートで、簡単な操作で安定して形成する。 - 特許庁

SILICON CARBIDE BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR HAVING SILICON CARBIDE PASSIVATION LAYER ON BASE REGION AND METHOD OF FABRICATING THEREOF例文帳に追加

ベース領域上に炭化ケイ素保護層を有する炭化ケイ素バイポーラ接合トランジスタとその製造方法 - 特許庁

To provide a method for producing a low-temperature polysilicon thin film transistor having a multilayer channel passivation step.例文帳に追加

多層チャンネルパッシベーション段階を有する低温ポリシリコン薄膜トランジスターの製造方法、を提供する。 - 特許庁

A semiconductor chip 1 has a multilayer wiring structure, and its uppermost surface is covered with the passivation film 22.例文帳に追加

半導体チップ１は、多層配線構造を有しており、最表面がパッシベーション膜２２で覆われている。 - 特許庁

The passivation film 11 is formed from an oxynitride (SiON) of silicon and has the thickness of, e.g. 1,000 nm.例文帳に追加

パッシベーション膜１１は、シリコンの酸窒化物（ＳｉＯＮ）から成り、その厚さは、例えば１０００ｎｍである。 - 特許庁

Thus, adhesion of an ITO film 7 formed under it and the passivation film 9 is improved.例文帳に追加

このため、その下に形成されるＩＴＯ膜７とパッシベーション膜９との密着性が改善される。 - 特許庁

A passivation film 120 forms an opening part 123 reaching up to an interlayer insulating film 109.例文帳に追加

パッシベーション膜１２０には、層間絶縁膜１０９にまで到達する開口部１２３が形成されている。 - 特許庁

The liquid crystal device 1 has a first substrate 10 on which a gate insulating film 2 and a passivation film 4 are layered, wherein a pixel electrode 9a fabricated above the passivation film 4 is connected through a first contact hole 81 to a drain electrode 6b formed between layers of a gate insulating film 2 and the passivation film 4.例文帳に追加

液晶装置１でも、第１の基板１０上にゲート絶縁膜２とパッシベーション膜４とが積層され、パッシベーション膜４の上層に形成された画素電極９ａは、ゲート絶縁膜２とパッシベーション膜４との層間に形成されたドレイン電極６ｂに対して、第２１のコンタクトホール８１を介して接続している。 - 特許庁

The television unit has a primary passivation film attached on a substrate, a primary electrode attached on the primary passivation film, an inorganic EL layer attached on the primary electrode, a secondary electrode attached on the inorganic EL layer, and a secondary passivation film attached on the secondary electrode.例文帳に追加

基板上に設けられた第１のパッシベーション膜と、前記第１のパッシベーション膜上に設けられた第１の電極と、前記第１の電極上に設けられた無機ＥＬ層と、前記無機ＥＬ層上に設けられた第２の電極と、前記第２の電極上に設けられた第２のパッシベーション膜とを有する。 - 特許庁

This is the active matrix type liquid crystal display device using a TFT array, a dummy passivation film 12 using the same material as a passivation film 7 in a TFT part is arranged in the neighborhood of the passivation film 7 in the TFT part at the position on a gate electrode 4 and also at the position not overlapped with a source electrode 9.例文帳に追加

ＴＦＴアレイを用いたアクティブマトリクス型液晶表示装置であって、ＴＦＴ部におけるパッシベーション膜７と同一の材料を用い、ＴＦＴ部におけるパッシベーション膜７の近傍であって、ゲート電極４上に位置するとともに、ソース電極９とは重ならない位置にダミーパッシベーション膜１２を配置する。 - 特許庁

A through-via 22 and an opening 16A in a passivation film 16 are disposed so that an opening diameter of the through-via 22 is larger than an opening diameter of the opening 16A of the passivation film 16 while an opening edge of the through-via 22 is located outside an opening edge of the opening 16A of the passivation film 16.例文帳に追加

貫通ビア２２の開口径がパッシベーション膜１６の開口部１６Ａの開口径よりも大きく、且つ貫通ビア２２の開口縁がパッシベーション膜１６の開口部１６Ａの開口縁よりも外側に位置するように、貫通ビア２２及びパッシベーション膜１６の開口部１６Ａを配設する。 - 特許庁

The photovoltaic cell includes a substrate, a passivation layer formed on one surface of the substrate, a back electrode formed on the opposite side from the surface of the substrate where the passivation layer is formed, and a carbon nanotube structure formed on the opposite side from the surface of the passivation layer connected to the substrate.例文帳に追加

本発明の太陽電池は、基板と、前記基板の一つの表面に設置されたパッシベーション層と、前記基板の、前記パッシベーション層が設置された表面と反対側に設置された背面電極と、前記パッシベーション層の、前記基板に接続された表面と反対側に設置されたカーボンナノチューブ構造体と、を含む。 - 特許庁

A display device including a plurality of light emitting elements includes: a passivation film formed to cover the light emitting elements; and a steam barrier film chemically bonded to at least a part of the passivation film and having a steam barrier property to block a hole included in the passivation film.例文帳に追加

複数の発光素子を備える表示装置であって、前記複数の発光素子を覆うように形成されたパッシベーション膜と、前記パッシベーション膜の少なくとも一部と化学的に結合され、前記パッシベーション膜に含まれる孔を閉塞する水蒸気バリア性を有する水蒸気バリア膜と、を備えることを特徴とする表示装置。 - 特許庁

A first passivation layer 22 is applied on a semiconductor device 12 and a base dielectric laminate 42, which has a thickness greater than that of the first passivation layer, is affixed to a first surface 18 of the semiconductor device.例文帳に追加

半導体デバイス１２上に第１のパッシベーション層２２が施工され、ベース誘電体積層体４２が、半導体デバイスの第１の表面１８に付加され、第１のパッシベーション層よりも大きな厚みを有する。 - 特許庁

An inorganic passivation film 108 and an organic passivation film 109 are formed in this order so as to cover the TFT, a common electrode 110 is formed thereon, and furthermore, an interlayer insulating film 111 is formed thereon.例文帳に追加

ＴＦＴを覆って、無機パッシベーション膜１０８、有機パッシベーション膜１０９がこの順で形成され、その上にコモン電極１１０が形成され、さらにその上に層間絶縁膜１１１が形成されている。 - 特許庁

When the potential is returned from the passivation potential 2 to the natural potential 1 through the return point R, the sweep is performed at a low rate at least up to the re-passivation minimum potential 8 in the inverse sweep to promote the dissolution of the grain boundary part.例文帳に追加

不動態化電位(2)から折り返し点(R)を経て自然電位(1)に戻す際に、少なくとも逆掃引時の再不動態化最小電位(8)迄は遅い速度で掃引して粒界部の溶解を促進する。 - 特許庁

To prevent an organic passivation film in a peripheral seal part and an interlayer dielectric disposed by low-temperature CVD formed on the organic passivation film from being peeled off in an IPS liquid crystal display device.例文帳に追加

ＩＰＳ方式の液晶表示装置において、周辺シール部における有機パッシベーション膜と有機パッシベーション膜の上に配置された低温ＣＶＤによって形成された層間絶縁膜の剥離を防止する。 - 特許庁

To reduce the warpage of a semiconductor substrate caused by a passivation film, in a manufacturing apparatus of a semiconductor device having the passivation film that covers a semiconductor integrated circuit and a scribed region.例文帳に追加

本発明は、半導体集積回路上及びスクライブ領域上を覆うパッシベーション膜を備えた半導体装置の製造装置に関し、パッシベーション膜に起因する半導体基板の反りを低減することを課題とする。 - 特許庁

The Na-diffusion inhibiting capacity of the passivation film 11 is in the range of ≤2,000 ppm and the passivation film 11 has a surface resistance of 1.0×107 to 1.0×1015 Ω/(square), preferably, 1.0×107 to 1.0×1012 Ω/(square).例文帳に追加

パッシベーション膜１１のＮａ拡散防止性能は２０００ｐｐｍ以下であり、パッシベーション膜１１の表面抵抗は１．０×１０^7〜１．０×１０^15Ω／□、好ましくは１．０×１０^7〜１．０×１０^12Ω／□である。 - 特許庁

Preferably, a gold (Au)-made conductive bump is formed on the passivation layer and makes electrical contact with the upper surface region which extends via the opening in the passivation and to which the contact pad is exposed.例文帳に追加

好適には金（Ａｕ）からなる導電性バンプが該パッシベーション層の上に形成されて該パッシベーションにおける開口を介して延在し該コンタクトパッドの露出されている上表面区域と電気的に接触している。 - 特許庁

A second dielectric film (passivation film) 26 is formed in a center part of an upper surface of a connecting pad 23 which is exposed in an opening part 24 of a dielectric film 25 when a first dielectric film (passivation film) 25 is formed.例文帳に追加

絶縁膜２５の開口部２４において露出された接続パッド２３の上面の中心部には、第２の絶縁膜２６が、第１の絶縁膜（パッシベーション膜）２５の形成と同時に形成されている。 - 特許庁

The passivation film 9 is so formed as to be contacted with the mesa structure 20, the wiring electrode 11 is formed on a portion of the contact layer 8 and on the passivation film 9. and further, the n-side electrode 12 is formed on the rear surface of the substrate 1.例文帳に追加

パッシベーション膜９は、メサ構造体２０に接して形成され、配線電極１１は、コンタクト層８の一部およびパッシベーション膜９上に形成され、ｎ側電極１２は、基板１の裏面に形成される。 - 特許庁

After a hydrogen plasma treatment, nitrogen plasma treatment is conducted, so as to sufficiently discharge gaseous hydrogen and then the passivation film 9 which does not contain gaseous hydrogen from the initial period of the formation of the passivation film 9 is formed by a gas which contains nitrogen.例文帳に追加

水素プラズマ処理の後、水素ガスを十分排気するために窒素プラズマ処理を行い、続いて窒素含有ガスでパッシベーション膜９の成膜初期から水素ガスを含まないパッシベーション膜９を形成する。 - 特許庁

The passivation structure is for a semiconductor device having a high UV transmission silicon (UV-SiN) layer that gives an enhanced passivation effect using a minimum number of layers.例文帳に追加

本発明によるパッシベーション構造は、最小限の層の数を用いて強化されたパッシベーション効果を供する高紫外線透過性珪素（ＵＶ−ＳｉＮ）層を有する半導体装置のためのパッシベーション構造である。 - 特許庁

The device includes a relatively thick passivation layer 20 to reduce traps caused by device processing, and thin passivation layers 16, 18 below a gate terminal 38 to reduce the gate current leakage.例文帳に追加

該デバイスは、デバイスの加工に起因するトラップを減少させるため比較的厚い不動態化層２０と、ゲート電流の漏れを減少させるためゲート端子３８の下方の薄い不動態化層１６、１８とを含む。 - 特許庁

The semiconductor chip 1 further includes an interlayer insulating film 90 and a passivation film 2, and respective side surfaces of the interlayer insulating film 90 and the passivation film 2 are covered with the sealing resin layer 5 that gets into the trench 11.例文帳に追加

また、半導体チップ１は、層間絶縁膜９０やパッシベーション膜２をさらに含んでおり、層間絶縁膜９０やパッシベーション膜２の各側面は、溝１１に入り込んだ封止樹脂層５に被覆されている。 - 特許庁

Each magnetoresistive element 31 to 34 is covered with a protective film (inter-layer insulating film 40 and passivation film 60).例文帳に追加

磁気抵抗素子３１〜３４の各々は、保護膜（層間絶縁膜４０、パッシベーション膜６０）により覆われている。 - 特許庁

The transcription sheet has a passivation layer 11 on a support substrate 3 through a photothermal conversion layer 7.例文帳に追加

支持基板３上に光熱変換層７を介して不動態層１１を設けたことを特徴としている。 - 特許庁

A substrate 20 is placed in a vacuum chamber 52, then a passivation gas including water vapor is introduced into the chamber to generate plasma.例文帳に追加

真空チャンバ５２内に基板２０を置き水蒸気を備えたパシベーションガスを導入しプラズマを発生させる。 - 特許庁

As a result, the formation of the pin holes in the passivation 4 can be restrained more appropriately than before.例文帳に追加

この結果、前記保護膜４にピンホールが形成されるのを従来よりも適切に抑制することが出来る。 - 特許庁

To suppress a reduction in output of a semiconductor device caused by penetration of hot carriers into a passivation film.例文帳に追加

表面保護膜中へのホットキャリアの侵入に起因する半導体装置の出力低下を抑制すること。 - 特許庁

The passivation film 30 covers a region including a periphery of the lower electrode 23 except the connection hole 30h.例文帳に追加

パッシベーション膜３０は、接続孔３０ｈを除いて下部電極２３の周縁部を含む領域を被覆する。 - 特許庁

A first passivation stack 149 is formed on conductive runners 132 and 134 and a dielectric layer 162.例文帳に追加

第１のパッシベーション・スタック１４９を、導電性ランナ１３２、１３４および誘電体層１６２の上に形成する。 - 特許庁

A first passivation film 7 is provided on an upper surface of the low-dielectric-constant film wiring laminate structure portion 3.例文帳に追加

低誘電率膜配線積層構造部３の上面には第１のパッシベーション膜７が設けられている。 - 特許庁

Peripheral regions 143 and 144 by the passivation film 14 are regions where the protection film 15 is not extended.例文帳に追加

パッシベーション膜１４による周囲領域１４３及び１４４は、保護膜１５を伸ばさない領域である。 - 特許庁

The passivation layer 11 is obtained by oxidizing a surface of a metal material layer 9 installed on the photothermal conversion layer 7.例文帳に追加

不動態層１１は、光熱変換層７上に設けた金属材料層９の表面を酸化してなる。 - 特許庁

After the surface treatment of the outer pad 144, a metal passivation layer 190 is formed on the outer pad 144.例文帳に追加

外側パッド１４４の表面処理後に、外側パッド１４４上に金属不動態化層１９０を形成する。 - 特許庁

A passivation layer 28, which is formed of a material containing SiCN is formed on the second electrode layer 26.例文帳に追加

第２の電極層２６上にはＳｉＣＮを含む材料で構成されたパッシベーション層２８が形成される。 - 特許庁

A stress relaxing layer 3, a rewiring 4, and a sealing resin layer 5 are formed on the passivation film 2.例文帳に追加

パッシベーション膜２上には、応力緩和層３、再配線４および封止樹脂層５が形成されている。 - 特許庁

On a surface of the passivation film, grooves are formed as a location information pattern indicating a location on the wafer.例文帳に追加

そして、このパッシベーション膜の表面に、ウエハ上の位置を示す位置情報パターンとして、溝を形成する。 - 特許庁

The metal layer 3 and the passivation 2, at least on the irradiating side, are provided after irradiation with particles.例文帳に追加

少なくとも照射側の金属層(３)及びパッシベーション(２)は、粒子の照射(Ｐ)の後まで設けられない。 - 特許庁