Passivationを含む例文一覧と使い方
該当件数 : 1105件
A passivation layer is formed at an opening formed at such a portion on the RDL, and an upper front surface and a sidewall portion of the RDL are exposed at an opening.例文帳に追加
パッシベーション層はこれに形成される開口によりRDL上に形成され、RDLの上表面と側壁部分は、開口により露出する。 - 特許庁
To provide a solid image-pickup device whereby any step of its passivation film can be eliminated and an incident light can be converged into its light receiving portion.例文帳に追加
パッシベーション膜の段差をなくすことができ、入射した光を受光部に集光させることができる固体撮像装置を提供する。 - 特許庁
The conductive deposit 70 is cut off by extending a bridge portion 30 of the organic passivation film 28 to the end portion of the substrate 2.例文帳に追加
有機パッシベーション膜28のブリッジ部30を基板2の端部にまで延在させることによって、導電性付着物70を遮断する。 - 特許庁
The passivation film 14 includes protrusions 141 and 142 where at least a peripheral edge of an electrode pad 12 and a shape of a guard ring 13 are reflected.例文帳に追加
パッシベーション膜14は、少なくとも電極パッド12周縁及びガードリング13の形状を反映させた隆起部141,142を伴う。 - 特許庁
To provide a manufacturing method of a solar cell capable of inexpensively manufacturing a solar cell having a passivation film on a rear surface of a substrate and excellent photoelectric conversion efficiency in a simple step.例文帳に追加
基板の裏面にパッシベーション膜を有する光電変換効率に優れた太陽電池を簡略な工程で安価に得ること。 - 特許庁
Thus, the presence/absence of the passivation film 15 is electrically detected by measurement results of the output signal VOUT of the VDD pad.例文帳に追加
よって、VDDパッドの出力信号VOUTの測定結果によって、パッシベーション膜15の有無を電気的に検出することができる。 - 特許庁
The semiconductor memory element may comprise a hydrogen infiltration preventive film which is another capacitor protective film between a passivation film and a capacitor.例文帳に追加
場合によって、半導体メモリ素子はまた他のキャパシタ保護膜である水素浸透防止膜をパッシベーション膜とキャパシタ間に含むこともできる。 - 特許庁
To increase the safety when depositing a reflection preventive film, and to enhance the productivity by effectively performing the hydrogen passivation to a substrate.例文帳に追加
反射防止膜を成膜する際の安全性を高めると共に、基板に対する水素パッシベーションを効果的に行って生産性も向上する。 - 特許庁
A passivation insulating layer having a via hole for exposing the source electrode or the drain electrode is positioned on the source electrode and the drain electrode.例文帳に追加
ソース電極とドレーン電極上にソース電極またはドレーン電極を露出させるビアホールを有するパッシベーション絶縁膜が位置する。 - 特許庁
A back surface exposure process is executed and a photoresist layer 212 is patterned on this passivation layer with the use of the gate and the source/drain terminal as a mask.例文帳に追加
裏面露光プロセスを実行して、このパシベーション層上に、前記ゲート、ソース/ドレイン端子をマスクとして用いて、フォトレジスト層212をパターン化する。 - 特許庁
A semiconductor device has wiring 20 extending from on an electrode 14 onto a resin projection 18 via a passivation film 16.例文帳に追加
半導体装置は、電極14上からパッシベーション膜16上を通って樹脂突起18上に至るように延びる配線20を有する。 - 特許庁
A part formed on the wafer peripheral edge part 1A out of the silicon nitride film 7 as a passivation film is previously removed by dry etching before dicing.例文帳に追加
ダイシングに先立ち、パッシベーション膜である窒化シリコン膜7のうち、ウエハ周縁部1Aに形成された部分をドライエッチングで予め除去する。 - 特許庁
The electrode for electrolysis suppresses passivation of the electrode base material and secures the durability of the electrode, and is manufactured at a low cost.例文帳に追加
本発明に係る電解用電極は、電極基材の不働態化を抑制し、電極の耐久性を確保でき、かつ、低コストで製造できる。 - 特許庁
An insulating passivation film 10 is formed so as to cover the front surface, side surfaces and a part of the rear surface side electrode of the silicon substrate 4.例文帳に追加
絶縁性のパッシベーション膜10は、シリコン基板4の表面と、側面と、裏面側電極の一部を覆うようにして形成されている。 - 特許庁
To provide an apparatus for manufacturing a multilayer film of diamond-like carbon, which can form a thin film of a good quality with a nitrogen passivation function.例文帳に追加
品質の良い薄膜を形成することができる窒素パッシベーション機能を有するダイヤモンド様炭素多層膜の製造装置を提供する。 - 特許庁
A metal film 110 comprising Ti/TiN is formed on a passivation film 19 including an inside of a through-hole 109a, by a spattering method.例文帳に追加
スルーホール109a内を含めたパシベーション膜109上に、スパッタ法によりTi/TiNからなる金属膜110を形成する。 - 特許庁
A second passivation layer 44 which is plane on the front surface is formed on the color filters 43 from the material contg. the silicon nitride or the silicon oxide.例文帳に追加
その後、上面が平面である第2パシベーション層がカラーフィルタ上に窒化珪素あるいは酸化珪素を含む材料から形成される。 - 特許庁
By setting to the low frequency, an ion irradiation rate onto a semiconductor substrate of an H radical is raised, and the H_2 passivation effect of the semiconductor substrate is enhanced.例文帳に追加
低周波とすることで、Hラジカルの半導体基板へのイオン照射率を高め、半導体基板のH_2パッシベーション効果を高める。 - 特許庁
A silicon nitride film 24 is formed on memory cells MC, which respectively have a floating gate electrode 4 and a control gate electrode 6 as a passivation film.例文帳に追加
フローティングゲート電極4とコントロールゲート電極6とを有するメモリセルMC上にパッシベーション膜としてシリコン窒化膜24が形成されている。 - 特許庁
The semiconductor chip 1A is provided with a substrate 2, an electrode pad 3, a passivation film 4, and a bump 5 formed on the substrate 2.例文帳に追加
本発明の半導体チップ1Aは、基板2と、基板2上に形成された電極パッド3と、パッシベーション膜4と、バンプ5とを備えている。 - 特許庁
In a gas feeding system for feeding fluorine gas to the oscillation devices 31, a fluorinated passivation film is provided to fluorine-gas contacting surfaces.例文帳に追加
発振装置31にフッ素ガスを供給する為のガス供給装置において、フッ素ガス接触面にフッ化不働態膜が設けられている。 - 特許庁
In the semiconductor photoelectric component and the light-emitting diode forming the component, an organic dielectric layer is a passivation layer protecting the semiconductor photoelectric component.例文帳に追加
半導体光電部品及びそれを形成する発光ダイオードに於いて、有機誘電層は半導体光電部品を保護する鈍化層である。 - 特許庁
To provide a process for uniformly keeping a gap between a passivation layer of lower base material and upper base material of an LCD integrated circuit device.例文帳に追加
LCD集積回路装置の下基材のパシベーション層と上基材との間の隙間を均等に維持するためのプロセスを提供する。 - 特許庁
This manufacturing method of a patterned passivation film for preventing deterioration of an organic EL element caused by permeation of moisture from an ambient environment includes processes of: forming a patterned film for lift-off on the organic EL element; forming the passivation film after that; and separating the film for lift-off along with a part of the passivation film present on top of it.例文帳に追加
周囲環境から水分の浸透による有機EL素子の劣化を防止するためのパターンニングされたパッシベーション膜の製造方法であって、上記有機EL素子にパターニングされたリフトオフ用フィルムを形成する工程と、その後のパッシベーション膜を形成する工程と、上記リフトオフ用フィルムをその上に存在する上記パッシベーション膜の一部とともに剥離する工程と、を含んでなるパターニングされたパッシベーション膜の製造方法を提供する。 - 特許庁
In the solid-state image sensing device, light hν_1 is refracted at an interface (point A) between a passivation film 48 and a dielectric film 49 to be turned to the direction of an adjacent pixel signal converter 53.例文帳に追加
光hν_1はパッシベーション膜48と誘電体膜49との界面(点A)で屈折し、隣接画素の信号変換部53方向へ曲げられる。 - 特許庁
A diffusion blocking layer, i.e., an intermediate layer 10, is provided on the side opposite to the substrate 2 while being coated with a passivation layer 3 of glass.例文帳に追加
サブストレートと反対側上に中間層10としての拡散阻止層を備えており、拡散阻止層の方は、ガラスより成る不動態層3で被覆されている。 - 特許庁
The passivation 4 contains glass beads 6 whose specific gravity is greater than that of an insulated coating film 5 in the insulated coating film 5 and is formed by screen-stencil.例文帳に追加
保護膜4は、絶縁塗膜5中に、前記絶縁塗膜5よりも比重の大きいガラスビーズ6を含有し、スクリーン印刷によって形成されたものである。 - 特許庁
In other words, since the upper face of a second wiring layer 114 is completely covered with the passivation film 120, it is not exposed to the outside air.例文帳に追加
つまり、第2配線層114上面は、パッシベーション膜120により完全に覆われているので、第2配線層114の上面は外気に曝されない。 - 特許庁
An insulation film 116 filling space between metal patterns to flatten its top surface, and a step is executed such that a passivation layer 112 is laminated thereon and selectively etched to expose bonding pads.例文帳に追加
次いで、メタルパターン間を充填する絶縁膜116を積層してその上面を平坦化してから、この上にパッシベーション層112を積層する。 - 特許庁
To provide a method for further readily determining a state of passivation film, without requiring configuration of an electrochemical equivalent circuit of a metal corrosion system.例文帳に追加
金属腐食系の電気化学的な等価回路の構成などを必要とせずに、より容易に不動態被膜の状態が測定できるようにする。 - 特許庁
On the passivation film 6 of an HFET, a semi-insulating film 7 connected with a drain electrode 4 is provided to cover a partial region at least between the gate-drain.例文帳に追加
HFETのパッシベーション膜6上に、少なくともゲート−ドレイン間の一部領域を覆いドレイン電極4に接続される半絶縁膜7を設ける。 - 特許庁
To form a protective film with H_2 excellent passivation effect when low-temperature polysilicon is filmed, and to form a TFT having stable electric characteristics.例文帳に追加
低温ポリシリコンに対する成膜において、H_2パッシベーション効果の優れた保護膜を形成すると共に、電気的特性が安定したTFTを形成する。 - 特許庁
To provide a charge transfer device high in charge transfer efficiency and reliability by stopping a gate electrode with a passivation insulating film without holes.例文帳に追加
ゲート電極を空孔の無いパシベーション絶縁膜によって埋め込むことによって、電荷転送効率および信頼性が高い電荷転送装置を提供する。 - 特許庁
To provide a high-current density electrolysis method for copper, which can inhibit passivation of an anode and deposition of slime onto the surface of a cathode, without filtrating an electrolytic solution.例文帳に追加
電解液のろ過なしでアノード不働態化及びカソード表面へのスライム付着を抑制できる銅の高電流密度電解法を提供する。 - 特許庁
In a throttle body 10, a passivation film 14 and a corrosion resistant film 16 are laminated in this order on a substrate 12 composed of aluminum.例文帳に追加
スロットルボディ10においては、アルミニウムからなる下地12上に、不動態膜14及び耐食性皮膜16がこの順序で積層されている。 - 特許庁
To solve the problem of imaging equipment, utilizing a conventional CCD or MOS solid-state imaging element having a passivation film, being likely to bring about color unevenness in a reproduced image.例文帳に追加
パッシベーション膜を備えた従来のCCD型またはMOS型の固体撮像素子を利用した撮像機器では、再生画像に色むらが生じ易い。 - 特許庁
The surface of the first base film contacting the insulating layer is oxidized by the moisture emitted from the insulating layer to form a passivation film 13a.例文帳に追加
絶縁層から放出された水分により、絶縁層と接する第1の下地膜の表面が酸化されてパッシベーション膜13aが形成される。 - 特許庁
To provide a semiconductor device and a production method therefor, with which reliability in TAB packaging is improved by suppressing the occurrence of cracks on passivation film.例文帳に追加
パッシベーション膜へのクラックの発生を抑制することにより、TAB実装の信頼性を向上させた半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a semiconductor device capable of preventing the occurrence of cracks between a passivation film, each interlayer film and lower layer of each of the films.例文帳に追加
パッシベーション膜および各層間膜とそれら各膜の下層との間でのひび割れの発生を防止することができる半導体装置を提供する。 - 特許庁
A passivation film 13 and a protective film 14 are formed on the mounting surface 11F such that the central area of each bonding pad 12 is open.例文帳に追加
また、実装面11Fには、パッシべーション膜13と保護膜14とがボンディングパッド12の中央領域を開口するように形成されている。 - 特許庁
To provide a semiconductor device which can prevent a passivation film from being removed from top-layer wiring composed of materials whose principal constituent is Cu.例文帳に追加
Cuを主成分とする材料からなる最上層配線からのパッシベーション膜の剥離を防止することができる、半導体装置を提供する。 - 特許庁
The passivation film 30 is composed of a laminated film formed by laminating a first nitride film 31, an intermediate film 33 and a second nitride film 32 in order from the wiring 27 side.例文帳に追加
パッシベーション膜30は、配線27側から順に第1窒化膜31、中間膜33および第2窒化膜32を積層した積層膜からなる。 - 特許庁
The semiconductor device 1 comprises a first nitride film 4, a copper interconnection 5, a second nitride film 6, a passivation 7, a barrier layer 8, an adhesive layer 9, and a wire 10.例文帳に追加
半導体装置1は、第1窒化膜4と、銅配線5と、第2窒化膜6と、保護膜7と、バリア層8と、接着層9と、ワイヤ10とを備えている。 - 特許庁
A reference resistor 5 comprising the nano-structure carbon material whose surface is covered with a passivation film is disposed on one surface of the substrate 1.例文帳に追加
基板1の一表面上には、表面がパッシベーション膜により覆われたナノ構造炭素材料からなる基準用抵抗体5が配設されている。 - 特許庁
As a result, optical absorption and a refractive index by the passivation film on the main pixel array region are removed to improve the photosensitivity of the image sensor.例文帳に追加
その結果、前記メイン画素アレイ領域上で前記パッシベーション膜による光吸収率及び屈折率を取り除いてイメージセンサの光感度を改善させる。 - 特許庁
Side surfaces of the passivation film 7 and the low dielectric film wiring laminate structural part 3 are covered with a metal film 14 and a sealing film 18.例文帳に追加
パッシベーション膜7および低誘電率膜配線積層構造部3の側面は金属膜14および封止膜18によって覆われている。 - 特許庁
To provide a method for passivation treatment of a metal surface, having no effect on a corrosion-resistant and non-heat-resistant packing and excellent in workability.例文帳に追加
耐食性を有するが非耐熱性であるパッキンに影響を与えないで作業性に優れた金属表面の不動態化処理方法を提供する。 - 特許庁
On the passivation film 3 of a semiconductor chip 2, a columnar post 8 is formed which has a substantially fixed sectional shape parallel to the top surface of the semiconductor chip 2.例文帳に追加
半導体チップ2のパッシベーション膜3上に、半導体チップ2の表面と平行な断面形状がほぼ一定である柱状のポスト8が形成される。 - 特許庁
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