「Passivation」に関連した英語例文の一覧と使い方(10ページ目) - Weblio英語例文検索

The height of the stopper 14a can be adjusted by the laminating structure of the wiring electrode 11 and a passivation film 12.例文帳に追加

ストッパ１４ａの高さ調節は、例えば配線電極１１、パッシベーション膜１２の積層構造により行うようにしても構わない。 - 特許庁

The apparatus 100 for manufacturing the semiconductor device forms a pattern of the passivation film selectively on the cleaned wafer surface by using inkjet technique.例文帳に追加

製造装置１００では、インクジェット技術を用いて、洗浄後のウェハ表面に、選択的にパッシベーション膜のパターンを形成する。 - 特許庁

The passivation layer comprises one or two or more of interfaces of a layer including a nitride or the like and a layer including a fluoride.例文帳に追加

パッシベーション層中に、窒化物等を含む層とフッ化物を含む層との界面を１つ、あるいは２つ以上含む構成とする。 - 特許庁

METALLIC MATERIAL WHEREIN CHROMIUM OXIDE PASSIVATION FILM IS FORMED, ITS MANUFACTURE AND CORROSIVE FLUID CONTACTING PART AND FLUID SUPPLY/DISCHARGE SYSTEM例文帳に追加

酸化クロム不働態膜が形成された金属材料及びその製造方法並びに接流体部品及び流体供給・排気システム - 特許庁

A photo-IC 1 is constituted of a substrate 2, an epitaxial laminate 3, a diffusion layer 4, a passivation film 5, and two electrodes 6 and 7.例文帳に追加

フォトＩＣ１は、基体２、エピタキシャル積層体３、拡散層４、パッシベーション膜５、及び２つの電極６，７から構成されている。 - 特許庁

Further passivation treatment for improving corrosion resistance is preferably performed on the constituent member applying the magnesium alloy.例文帳に追加

なお、上記マグネシウム合金を用いた構成部材は、耐食性を向上させるための不動態化処理がされていることが望ましい。 - 特許庁

The thermal head comprises a plurality of heating resistor layers formed in rows on a substrate, and electrodes provided on respective heating resistor layers in connected therewith wherein a passivation layer is provided beneath each heating resistor layer, an opening is provided in the passivation layer at a position corresponding to the heating resistor part, and a space layer is formed by removing a dummy layer formed beneath the passivation layer from that opening by etching.例文帳に追加

基板上に複数の発熱抵抗体層を列状に形成し、各発熱抵抗体層上に電極をそれぞれ接続してなるサーマルヘッドにおいて、前記各発熱抵抗体層の下部にはパシベーション層を具備し、このパシベーション層の発熱体部に位置する部分に開口部を設け、この開口部からパシベーション層の下部に配したダミー層をエッチング除去して空間層を形成した。 - 特許庁

A wiring pattern containing pads 2g is formed by patterning the metal layer 5 which has been used as a mask, at least a passivation film 6 is formed on the surface of the semiconductor substrate 1 where the empty groove 4 is formed, and an opening is provided to the passivation film 6 to make the pads 2g exposed.例文帳に追加

マスクとして用いられた金属層５をパターニングしてパッド２ｇを含む配線パターンを形成し、空堀４が形成された半導体基板１表面に少なくとも１層のパッシベーション膜６を形成し、パッシベーション膜６を開口して前記パッド２ｇを露出させる。 - 特許庁

To reduce the number of manufacturing steps in a method of manufacturing a thin film transistor substrate, by allowing omission of a passivation film which has been conventionally essential for a thin film transistor substrate structure, and eliminating a need of a contact hole forming step necessary for the passivation film.例文帳に追加

薄膜トランジスタ基板の製造方法において、薄膜トランジスタ基板構造に従来必要であったパッシベーション膜を省略することができ、工程数の削減ができるとともに、パッシベーション膜に必要であったコンタクトホール形成工程も不要として工程数を削減する。 - 特許庁

The electrostatic actuator comprises a diaphragm 12, a counter electrode 17 facing the diaphragm 12 via a gap 21, and an electrode substrate 3 where the counter electrode 17 is formed; a passivation film 22 is formed on the electrode substrate 3; and the counter electrode 17 is formed on the passivation film 22.例文帳に追加

振動板１２と、該振動板１２にギャップ２１を隔てて対向する対向電極１７と、該対向電極１７が形成される電極基板３とを備え、該電極基板３上にパッシベーション膜２２が形成され、該パッシベーション膜２２上に対向電極１７が形成されているものである。 - 特許庁

A region in the AlGaAs emitter layer 5, which is not covered with the GaAs emitter layer 6, is a passivation region 10, and a base electrode 11 in contact with the base layer 4 is formed inside the opening part of the AlGaAs emitter layer 5 so as to extend to the passivation region.例文帳に追加

ＡｌＧａＡｓエミッタ層５において、ＧａＡｓエミッタ層６に覆われていない領域はパッシベーション領域１０となっており、ＡｌＧａＡｓエミッタ層５の開口部内には、ベース層４に接触するベース電極１１がパッシベーション領域上まで延出するように形成されている。 - 特許庁

The liquid crystal device is provided with transparent substrates 10 and 20, electrodes 9a and 21 formed on the transparent substrates, passivation films 91 and 92 which are formed on the electrodes 9a and 21 and whose surfaces are activated and alignment layers 16 and 22 formed on the passivation films 91 and 92.例文帳に追加

透明基板１０，２０と、前記透明基板上に形成される電極９ａ，２１と、前記電極９ａ，２１上に形成され表面が活性化されたパシベーション膜９１，９２と、前記パシベーション膜９１，９２上に形成される配向膜１６，２２とを具備したことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of an organic electroluminescent panel capable of forming a film patterning in such a way that a passivation layer covers an organic electroluminescece layer avoiding an electrode connection part on an organic electroluminescent substrate without degradation of original performance of the passivation layer, and to provide a mask used for the same.例文帳に追加

パッシベーション層本来の性能を低下させることなく、有機エレクトロルミネッセンス基板上の電極接続部にのみパッシベーション層が被覆しないようにパターニング成膜することのできる有機エレクトロルミネッセンスパネルの製造方法とそれに用いるマスクを提供する。 - 特許庁

A peripheral solder base 16 is connected to and fixed on the wiring 14 on the passivation film 10 formed on the rear surface side electrode 22 while a central solder base 18 is formed on the rear surface side electrode 22, on which the passivation film 10 is not formed.例文帳に追加

裏面側電極２２上に形成されているパッシベーション膜１０上の配線１４上には、周辺はんだベース１６が接続固定されており、パッシベーション膜１０が形成されていない裏面側電極２２上には中央はんだベース１８が形成されている。 - 特許庁

When an organic EL element having a passivation layer is manufactured, a gas composition ratio is set constant in forming the passivation layer by a CVD method, and a layer of which the internal stress is compression stress and a layer of which the internal stress is tensile stress are stacked on each other by modulating gas pressure.例文帳に追加

パッシベーション層を備える有機ＥＬ素子を製造するにあたり、パッシベーション層をＣＶＤ法によって形成するに際し、ガス組成比を一定とするとともに、ガス圧力を変調させて、内部応力が圧縮応力である層と内部応力が引張応力である層とを積層する。 - 特許庁

In a step of etching the passivation film 336, a through-hole 344 having the size including the width of the wiring 330 inside is formed in the passivation film 336, on a position furthermore in the cutting line direction of a substrate 310 than a drain electrode 334 and a source electrode 332 of the wiring 330.例文帳に追加

パッシベーション膜３３６をエッチングする工程で、配線３３０の、ドレイン電極３３４及びソース電極３３２よりも基板３１０の切断ライン方向の位置で、配線３３０の幅を内側に含む大きさの貫通穴３４４をパッシベーション膜３３６に形成する。 - 特許庁

The bump 40 integrally has a first portion 41 for covering the entire upper surface of the pad 22; a second portion 42 entering the entire space between the internal surface of the opening 32 of the passivation film 30 and the external surface of the pad 22; and a third portion 43 to be placed on the passivation film 30.例文帳に追加

バンプ４０は、パッド２２の上面全体を覆う第１の部分４１と、パッシベーション膜３０の開口３２の内面とパッド２２の外面との間のスペース全体に入り込む第２の部分４２と、パッシベーション膜３０に載る第３の部分４３と、を一体的に有する。 - 特許庁

To provide a method in which connecting terminals of an electronic component and wiring patterns are reliably electrically connected with a low cost in a method of manufacturing an electronic-component mounting structure, in which an electronic component furnished with a passivation film is mounted by embedding the electronic component in an insulating layer, wherein the passivation film is not limited to films of specific materials.例文帳に追加

パシベージョン膜を備えた電子部品を絶縁層に埋設して実装する電子部品実装構造の製造方法において、パシベーション膜が限定されることなく、電子部品の接続端子と配線パターンとを低コストで信頼性よく電気接続できる方法を提供する。 - 特許庁

Then, a passivation film 25 covering a part of the surface of the second division Pad electrode 15b is formed, and a non- division Pad electrode 30a covering the surface of the first and second division Pad electrodes 15a and 15b not covered with the passivation film 25 is formed.例文帳に追加

そして、第２の分割Ｐａｄ電極１５ｂの表面の一部を覆うパッシベーション膜２５が形成され、このパッシベーション膜２５で覆われていない第１、第２の分割Ｐａｄ電極１５ａ、１５ｂの表面を覆う非分割Ｐａｄ電極３０ａが形成されている。 - 特許庁

A thermic welding layer is applied to bond a substrate and a resistor in face-to-face orientation, and a passivation layer is applied to partially cover the resistor, such that it consequently divides the surface not covered with the passivation layer in the resistor into two electrode zones.例文帳に追加

熱溶融接合層により基材と抵抗体とを対向接合させ、保護層を該抵抗体の一部の表面に被覆することで、該抵抗体の表面が該保護層に被覆されていない部分を２つの電極領域に区画する抵抗器およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

A thermo-conductive bonding layer is applied to bond a substrate with a fixed resistor in face-to-face orientation, and a passivation layer is applied to partially cover the fixed resistor, such that it divides the surface not covered with the passivation layer in the fixed resistor into two electrode zones.例文帳に追加

熱伝導接合層により基材と定抵抗体とを対向貼り合わせ、保護層を該定抵抗体の一部の表面に被覆することで、該定抵抗体の表面が該保護層に被覆されていない部分を２つの電極領域に区画する抵抗器およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

In the etching method, a first step performing plasma etching of an article 12 arranged in a processing chamber 5 by supplying etching gas 1 into the processing chamber, and a second step for forming a passivation layer in the etching portion of the article by supplying passivation gas 2 into the processing chamber are repeated alternately.例文帳に追加

エッチング方法は、処理室５内にエッチングガス１を供給して該処理室内に配置された被処理物１２のプラズマエッチングを行う第１の工程と、該処理室内にパッシベーションガス２を供給して被処理物のエッチング部にパッシベーション層を生成する第２の工程とを交互に繰り返す。 - 特許庁

To provide a semiconductor element for preventing any function from being damaged even when any crack is generated in a passivation layer, or for minimizing the damage of the function.例文帳に追加

パッシベーション層に亀裂が生じても機能が損なわれない、または、機能が損なわれることを小さく抑える半導体素子を提供する。 - 特許庁

An opening 36 is etching- formed so as to be put through the passivation layers 32 and the insulating layers 16, and the photoresist and the conductive layer are used as a mask, in this case.例文帳に追加

該パッシベーションと絶縁層を貫通して開口をエッチング形成し、その場合にホトレジスト及び導電層がマスクとして作用する。 - 特許庁

To provide a III-V engineered substrate with which a device including a passivation layer and having improved performance is actualized, and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

パッシベーション層を備え、改善した性能を持つデバイスを実現できるＩＩＩ−Ｖ族加工基板およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device having a passivation film which is hardly deteriorated in humidity resistance and has high versatility.例文帳に追加

耐湿性が低下し難いパシベーション膜を有する半導体装置の製造方法であって、より汎用性が高い製造方法を提供する。 - 特許庁

A plurality of plasma dry etching steps are provided between a step of forming the floating gate 13 and a step of etching a passivation film 37.例文帳に追加

フローティングゲート１３を形成する工程からパッシベーション膜３７をエッチングする工程の間に複数のプラズマドライエッチング工程を有する。 - 特許庁

Using an SiN film deposited by plasma CVD is employed as a passivation film for diffusion, zinc is diffused from an opening to form a diffusion area.例文帳に追加

プラズマＣＶＤによるＳｉＮ膜を拡散用のパシベーション膜として用い、開口部より亜鉛を拡散して拡散領域を形成した。 - 特許庁

In the first opening 13a of the passivation film 13, a golden stud bump 14 is bonded to the bonding pad 12 of the semiconductor chip side.例文帳に追加

パッシベーション膜１３の第１の開口部１３ａにおいて金スタッドバンプ１４が半導体チップ側のボンディングパッド１２と接合されている。 - 特許庁

To reduce a characteristic deterioration due to the deposition of a thin-film such as a passivation film brought into contact with a carbon nano-tube for a carbon nano-tube element and an electrode.例文帳に追加

カーボンナノチューブ素子のカーボンナノチューブに接する薄膜、例えばパッシベーション膜や電極の堆積による特性劣化を小さくする。 - 特許庁

The insulating film is arranged on the passivation film and has voids 145 which are extended in directions of the at least two adjacent rewirings 135 respectively.例文帳に追加

絶縁膜は、パシベーション膜上に配置され、少なくとも２つの隣接する再配線１３５間で延長されるボイド１４５を具備する。 - 特許庁

The coated pigment includes an inorganic substrate 12 with surface-anchoring groups, optionally coated with a passivation layer 15, and a manganese oxide nanoparticles layer 18 coating the substrate.例文帳に追加

場合によっては不動態化層１５で被覆された、表面固定基を有する無機基材１２を、酸化マンガンナノ粒子層１８で被覆する。 - 特許庁

The semiconductor device has a metal resistor layer Rm in a region between a passivation film SN12 and an uppermost level aluminum interconnect M.例文帳に追加

半導体装置内のパッシベーション膜ＳＮ１２と最上層アルミ配線Ｍとの間の領域に、金属抵抗素子層Ｒｍを形成している。 - 特許庁

Gas from the organic passivation film 109 is released from the through hole 140 for degasification, and thereby the interlayer insulating film 111 is prevented from being separated.例文帳に追加

ガス抜きのためのスルーホール１４０から有機パッシベーション膜１０９からのガスを放出させ、層間絶縁膜１１１の剥離を防止する。 - 特許庁

A passivation film 14 for partially covering the base layer 131 is formed between the layer 131 and the photoelectric conversion layer 132.例文帳に追加

一導電型層（１３１）と光電変換層（１３２）との間に、下地層（１３１）を部分的に覆うパッシベーション膜（１４）が形成されている。 - 特許庁

The potential is thereafter inversely swept to the natural potential 1 through a re-passivation area and an active state area to selectively corrode the crystal grain boundary part.例文帳に追加

爾後、該電位を再不動態域と活性態域とを通過させて自然電位(1)まで逆掃引し、結晶粒界部を選択的に腐食させる。 - 特許庁

Although the formation is made in the passivation film in Figure, an antireflection structure can be provided on the surface of the photodiode 2 and on the surface of the insulating film 3.例文帳に追加

図ではパッシベーション膜に形成するが、フォトダイオード２の表面、絶縁膜３の表面に反射防止構造体を設けることができる。 - 特許庁

An electrode pad 13 for external connection; comprising principally of aluminum, is formed on an insulation film 11, while being surrounded by a passivation film 12.例文帳に追加

絶縁膜１１上にパッシベーション膜１２に囲まれた外部接続用のアルミニウムを主成分とする電極パッド１３が形成されている。 - 特許庁

To provide a highly reliable semiconductor device which prevents the deterioration of sensitivity in a photodetector and which has a passivation film under a micro-lens.例文帳に追加

受光素子における感度低下が防止され、かつマイクロレンズ下方にパッシベーション膜を有する信頼性の高い半導体装置を提供する。 - 特許庁

In this method for forming the solder bump, a wafer equipped with a plurality of I/O pads, a passivation layer, an insulating metal layer, and a UBM layer is provided.例文帳に追加

本はんだバンプ形成方法は、複数のＩ／Ｏパッド、不動態化層、絶縁金属層、及びＵＢＭ層を備えるウェーハを提供している。 - 特許庁

Therefore, a global metal layer covering a bonding pad and a passivation layer is necessary, before forming a new under ball metallurgy(UBM) layer.例文帳に追加

したがって、新しいアンダボール冶金（ＵＢＭ）層を形成する前に、ボンディング・パッドおよび不活性化層を覆うグローバル金属層が必要である。 - 特許庁

This flexible wiring board 1 wholly or partially has an insulating passivation layer 6 with two-layered structure as a protection film for a circuit pattern 3.例文帳に追加

このフレキジブル配線基板１は、回路パターン３の保護皮膜として、２層構造の絶縁保護層６を、全体的又は部分的に有している。 - 特許庁

Passivation of a group III nitride material separates the dielectric material from the device so that low dielectric constant material may be available for a high power product.例文帳に追加

III族窒化物材料のパッシベーションは、装置から誘電体を切り離し、低誘電率材料を高パワー製品で使用できるようにする。 - 特許庁

A photodiode 1 of this semiconductor photodevice is constituted of a base body 2, a light-receiving body 3 which is used as a light-receiving part, a passivation film 4 and two electrodes 5 and 6.例文帳に追加

フォトダイオード１は、基体２、受光部としての受光体３、パッシベーション膜４、及び２つの電極５，６から構成されている。 - 特許庁

In a method for manufacturing a liquid crystal display device having POP(Pixel On Passivation) structure, dry film resist 18 is used when the interlayer insulating film 3 is formed.例文帳に追加

ＰＯＰ構造の液晶表示装置の製造方法において、層間絶縁膜３を形成する際にドライフィルムレジスト１８を用いる。 - 特許庁