「Passivation」に関連した英語例文の一覧と使い方(9ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a method for replacing discharge electrodes which is performed easily in a short time without requiring a passivation film.例文帳に追加

パッシベーションを不要とし、容易、かつ短時間で実施可能な放電電極の交換方法を提供することを解決課題とする。 - 特許庁

A passivation capping layer 42 overlies the ohmic contact and has an oxidation rate which is less than the oxidation rate of the ohmic contact.例文帳に追加

パッシベーションキャップ層４２は、オーミック接触の上に重なり、オーミック接触の酸化速度よりも小さい酸化速度を有する。 - 特許庁

An insulating resin layer 4 is formed on the passivation film 3 and an opening 6 is made above the electrode 2.例文帳に追加

パッシベーション膜３上に絶縁性樹脂層４が形成されており、電極２の上方には開口部６が形成されている。 - 特許庁

To prevent an interlayer insulating film covering an electrode made of ITO formed on an organic passivation film from being separated.例文帳に追加

有機パッシベーション膜の上に形成されたＩＴＯによる電極を覆う層間絶縁膜が剥離する現象を防止する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device which has reliable bonding pads having a passivation structure with high durability against water.例文帳に追加

水分に対する耐性が高く信頼性の高いパッシベーション構造をもつボンディングパッドを有する半導体装置を提供する。 - 特許庁

PASSIVATION METHOD OF NON-RADIATIVE RECOMBINATION CENTER OF ZNO SAMPLE AND PASSIVATED ZNO SAMPLE PREPARED BY THE METHOD例文帳に追加

ＺｎＯ試料の非放射再結合中心を不動態化する方法及びそれによって用意された不動態のＺｎＯ試料 - 特許庁

Then, an Al_2O_3 film 20 is formed on a silicon oxide film 19 as the passivation preventing hydrogen and moisture from invading.例文帳に追加

次いで、シリコン酸化膜１９上に、水素及び水分の侵入を防止する保護膜としてＡｌ_2Ｏ_3膜２０を形成する。 - 特許庁

Subsequently, organic matter removal, metal removal, passivation film (protective film) formation and contaminant reattachment prevention are carried out by using the ozone water again.例文帳に追加

そして、再度オゾン水を用いることで、有機物除去・金属除去・ハ゜シヘ゛ーション（保護膜）形成 ・汚染再付着防止を行う。 - 特許庁

A silicon nitride film formed by a plasma CVD method is provided thereupon as a passivation film 42 to serve as a barrier for fluorine.例文帳に追加

この上にパッシベーション膜４２としてプラズマＣＶＤ法により形成した窒化シリコン膜を設け、フッ素に対するバリアとする。 - 特許庁

An opening is formed by penetrating and defining the first passivation stack using normal lithography technology and dielectric etching technology.例文帳に追加

開口を、通常のリソグラフィ技術および誘電エッチング技術によって、第１のパッシベーション・スタックを貫通して画定し形成する。 - 特許庁

The method includes (1) a device manufacturing process 202, (2) a substrate-cleaning process 204, (3) a passivation process (206), and (4) a sealing process 208.例文帳に追加

（１）デバイス作製工程２０２、（２）基板清浄工程２０４、（３）不動態化工程２０６、及び（４）シーリング工程２０８を含む。 - 特許庁

The nanoparticle formulation includes at least one low-soluble vascularization inhibitor and at least one surface passivation agent.例文帳に追加

少なくとも１種の低溶解性血管新生抑制剤および少なくとも１種の表面安定剤を含むナノ粒子組成物。 - 特許庁

By using ozone water again, organic substance elimination, metal elimination and passivation (protective film forming and prevention of re-adhesion of contaminant) are performed.例文帳に追加

そして、再度オゾン水を用いることで、有機物除去・金属除去・ハ゜シヘ゛ーション（保護膜形成 ・汚染再付着防止を行う。 - 特許庁

Then, the sealing resin layer 7 is formed on the passivation film 3 to have a thickness larger than the height of the post 8.例文帳に追加

次に、パッシベーション膜３上に、封止樹脂層７がポスト８の高さよりも大きい厚さを有するように形成される。 - 特許庁

A semiconductor device includes an uppermost layer metal 1, a passivation film 2 for covering the upper surface of the chip, and a polyimide resin 3.例文帳に追加

半導体装置は、最上層メタル１およびチップ上面を覆うパッシベーション膜２およびポリイミド樹脂３を有している。 - 特許庁

Formation of a passivation layer (11) which is to be left between the individual contacts on the surface of the substrate may be added optionally to the method.例文帳に追加

随意に、基板表面の個々の接点の間に残ることになるパッシベーション層（１１）を、この方法の間に加えてもよい。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device capable of increasing efficiency of a manufacturing step and suppressing peel-off of a passivation film.例文帳に追加

製造工程の効率化とパッシベーション膜の剥離の抑制とが可能な半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method of measuring a recombination life time in a semiconductor wafer by a μ-PCD method based on chemical passivation of an iodine alcohol solution, which can stably measure the recombination life time without being influenced by a difference in passivation time.例文帳に追加

ヨウ素アルコール溶液によるケミカルパッシベーションを用いたμ−ＰＣＤ法による半導体ウエハの再結合ライフタイムの測定において、パッシベーション時間の違いに影響されずに安定的に再結合ライフタイムを測定できるようにすることを目的とする。 - 特許庁

A liquid crystal layer thickness adjusting layer 65 is formed on the passivation film 64 in the reflection region 50B and the pixel electrode 55 is formed on the passivation film 64 of the transmission region 50A and on the liquid crystal layer thickness adjusting layer 65 of the reflection region 50B.例文帳に追加

反射領域５０Ｂのパッシベーション膜６４上には、液晶層厚調整層６５が形成され、透過領域５０Ａのパッシベーション膜６４上、および反射領域５０Ｂの液晶層厚調整層６５上に、画素電極５５が形成される。 - 特許庁

A wiring 14 is laid on the passivation film 10 and the wiring 14 is connected to the aluminum pad 12 and is laid around to the upper side of the insulating passivation film 10 on the rear surface side electrode 22 on the rear surface side along the side surfaces of the semiconductor substrate 4.例文帳に追加

パッシベーション膜１０の上には配線１４が施されており、この配線１４はアルミニウムパッド１２に接続し、半導体基板４の側面に沿って裏面側の裏面側電極２２上の絶縁性のパッシベーション膜１０の上にまで引き回されている。 - 特許庁

A semiconductor substrate 10 is prepared, where it has the passivation film 16 that is formed at the upper portion of an integrated circuit 12 and has an irregular surface, and an electrode 14 that is connected to the integrated circuit 12 electrically and is exposed from the passivation film 16 at least partially.例文帳に追加

集積回路１２の上方に形成されて表面が凹凸面になったパッシベーション膜１６と、集積回路１２に電気的に接続されてパッシベーション膜１６から少なくとも一部が露出する電極１４と、を有する半導体基板１０を用意する。 - 特許庁

Ozone is first sealed for a specified time into the piping and the ozone in the piping is purged, then the concentration of the ozone flowing out of an outlet is time serially measured in order to identify the point where the passivation in the piping is insufficient in a step for passivation treatment of the inner wall of the piping.例文帳に追加

配管内壁の不動態化処理工程において、配管中の不動態化の不十分な箇所を同定するため、まず配管にオゾンを一定時間封入し、ついで該配管内のオゾンをパージし、出口から流れ出るオゾン濃度を時系列に測定する。 - 特許庁

By turning the surface of a passivation film 6 to a rugged surface 6d, a distance L2 from the opening end of an opening 6a to the end face of a semiconductor chip through the surface of the passivation film 6 is made longer compared to the case that the rugged surface 6d is not formed.例文帳に追加

パッシベーション膜６の表面を凹凸面６ｄとすることで、パッシベーション膜６の表面を経路とした開口部６ａの開口端から半導体チップの端面までの距離Ｌ２を凹凸面６ｄが形成されていない場合と比べて長くする。 - 特許庁

Alternatively, the through-via 22 and the opening 16A of the passivation film 16 are disposed so that the opening edge of the through-via 22 is disposed at a location which does not overlap with the opening edge (an opening edge of a portion in contact with a pad electrode 14) of the opening 16A of the passivation film 16.例文帳に追加

又は、貫通ビア２２の開口縁がパッシベーション膜１６の開口部１６Ａの開口縁（パッド電極１４と接する個所の開口縁）とは重ならない位置となるように、貫通ビア２２及びパッシベーション膜１６の開口部１６Ａを配設する。 - 特許庁

To achieve a method for manufacturing solar cell device, with a reaer-surface passivation structure that allows formation of a back electrode without requiring formation of an opening in a passivation film and fine precision alignment with the opening and prevents deterioration of the silicon substrate during electrode formation.例文帳に追加

パッシベーション膜に対する開口の形成や精細な精度の位置合わせを必要とすることなく裏面電極を形成が可能で、電極形成時のシリコン基板の劣化が小さい裏面パッシベーション構造の太陽電池素子の製造方法を得ること。 - 特許庁

Otherwise, a passivation film 225 formed on the top surface on the element is formed up to the outer periphery of an end of the element, so as to coat the element, or the passivation film 225 is formed at the outer periphery of an end of the element so as to embed the element in the semiconductor substrate.例文帳に追加

あるいは、素子最表面に形成されるパッシベーション膜225を、素子端部の外周辺部まで素子を被覆するように形成するか、もしくはパッシベーション膜225を、素子端部の外周辺部にて半導体基板の内部に埋め込むように形成する。 - 特許庁

A process to open contact holes 26, 27 on a passivation film 32 includes: a step to pattern form a photoresist on the interlayer insulating film; and a step to apply dry-etching to the passivation film 32 with the photoresist being used as a mask not through a step for post-baking the photoresist.例文帳に追加

パッシベーション膜３２にコンタクトホール２６，２７を開口する工程は、層間絶縁膜上にフォトレジストをパターン形成する工程と、フォトレジストをポストベークする工程を経ることなく、フォトレジストをマスクとしてパッシベーション膜３２にドライエッチングを施す工程と、を備える。 - 特許庁

The adjustment wall 40 is formed, for example, with the same material and by the same process as an organic passivation film 108 in a display area.例文帳に追加

調整壁４０は、例えば、表示領域の有機パッシベーション膜１０８と同じ材料によって同じプロセスによって形成する。 - 特許庁

The method for manufacturing the semiconductor device includes a step of forming a silicon oxide film 32 becoming a passivation film on wiring 31a, 31b (bonding pads) and a silicon oxide film 26.例文帳に追加

配線３１ａ、３１ｂ（ボンディングパッド）および酸化シリコン膜２６上にパッシベーション膜となる酸化シリコン膜３２を形成する。 - 特許庁

A lower barrier metal film 31 is formed so as to cover the lower electrode 23 and a protruded portion 30b of the passivation film 30.例文帳に追加

下部バリアメタル膜３１は、下部電極２３とパッシベーション膜３０の凸状部分３０ｂとを被覆するように形成されている。 - 特許庁

The level difference of a passivation film 36 is thus reduced over the surface of a substrate 1 to reduce variations in film thickness of a silicone resin 38.例文帳に追加

基板１上全面におけるパッシベーション膜３６の段差幅を小さくし、シリコーン樹脂３８の膜厚のばらつきを小さくする。 - 特許庁

Preferably, a heat radiating effect is also given to a fourth passivation film 50 to cause the EL element 203 to be surrounded by heat radiating layers.例文帳に追加

さらに好ましくは、第４パッシベーション膜５０にも放熱効果を持たせてＥＬ素子２０３を放熱層で囲んだ状態とする。 - 特許庁

The second, third and fourth mask films are removed and the first mask film remains as a passivation layer for the dielectric material.例文帳に追加

第２、第３および第４のマスク・フィルムは取り除かれ、第１のマスク・フィルムは、誘電体材料のためのパッシベーション層として残る。 - 特許庁

The outer circumferential end 5b of the barrier metal layer 5 is formed inside the first opening 3a of the passivation layer 3 in a planar view.例文帳に追加

また、バリアメタル層５は、平面的に見て、外周端部５ｂがパッシベーション層３の第１開口部３ａの内側に形成されている。 - 特許庁

The method advantageously promotes the control of the profile and the size of the feature of a high aspect ratio through a side wall passivation management technique.例文帳に追加

開示された方法は、側壁パッシベーション管理技法を通して、高アスペクト比のフィーチャのプロファイルと寸法の制御を有利に促進する。 - 特許庁

The pattern is formed by using an unmagnified projection aligner at the same time when forming an aluminum wiring or a protection film (passivation film).例文帳に追加

このパターンは、等倍投影露光装置を用いて、アルミ配線形成時あるいは保護膜（パッシベーション膜）形成時に同時に形成する。 - 特許庁

To form a passivation film which is flexible and strong in impact stress, and exhibits a high shielding for moisture and oxygen in the air.例文帳に追加

可撓性があり、衝撃応力に強く、かつ、水分や酸素に対してより高い遮蔽性を有するパッシベーション膜を形成する。 - 特許庁

For the CSP, the passivation film 15 on the rewiring pad area 13 is selectively removed to form pad openings.例文帳に追加

ＣＳＰに適用する場合は再配線用パッド領域１３のパッシベーション膜１５を選択的に除去してパッド開口部を形成する。 - 特許庁

At the upper part of the terminal electrode 2, the passivation layer 4 and the protecting film 5 are removed, and a recess 45 is formed on the terminal electrode 2.例文帳に追加

端子電極２の上部はパッシベーション４と保護膜５とが除去されており、端子電極２上に凹部４５が形成されている。 - 特許庁

Cathodes 106, 107, a luminous layer 108, an anode 109 and a passivation film 110 are formed on picture element electrodes 104, 105.例文帳に追加

画素電極１０４、１０５の上に陰極１０６、１０７、発光層１０８、陽極１０９、パッシベーション膜１１０を形成する。 - 特許庁

This organic EL display has the second passivation layer comprising an inorganic material prepared by the above method.例文帳に追加

本発明の有機ＥＬディスプレイは、上記方法により作成された無機材料からなる第２パッシベーション層を有することを特徴とする。 - 特許庁

To work at a low cost a hole including an excellent working surface on a passivation film in steps for manufacturing a solar cell having a PERC structure.例文帳に追加

ＰＥＲＣ構造の太陽電池の製造工程において、パッシベーション膜に良好な加工面を有する穴を低コストで加工する。 - 特許庁

A passivation film 25 is laminated on the interlayer insulating film to cover the signal line 13, then a contact hole 26 is formed and a pixel electrode 27 is deposited thereon.例文帳に追加

信号線13を覆う層間絶縁膜上にパッシベーション膜25を積層してからコンタクトホール26を設けて画素電極27を積層する。 - 特許庁

A passivation layer 21 is formed on the second SOG layer 16, and an opening 22 is made in the layer 21 to expose the pad 20.例文帳に追加

第２の有機ＳＯＧ層１６上にパッシベーション層２１が配設され、層２１にパッド２０が露出する開孔２２が形成される。 - 特許庁

An interconnect 18 and the intermediate metal layer 12 are connected through the contact hole, and the interconnect 18 is covered with a passivation film 40 finally.例文帳に追加

コンタクトホールを介して配線１８と中間金属層１２を接続し、最終的にパッシベーション膜４０で配線１８を覆う。 - 特許庁