Passivationを含む例文一覧と使い方
該当件数 : 1105件
An opening 5 which exposes a pad portion 3 is formed in a passivation film 4 on the surface of a semiconductor substrate 1.例文帳に追加
半導体基板１の表面のパッシベーション膜４には、パッド部３を露出させる開口５が形成される。 - 特許庁
PASSIVATION METHOD FOR IMPROVING UNIFORMITY AND REPRODUCIBILITY OF ATOMIC LAYER DEPOSITION AND CHEMICAL VAPOR DEPOSITION例文帳に追加
原子層堆積法および化学気相成長法の均一性および再現性を向上するパッシベーション方法 - 特許庁
A passivation is deposited on the insulating film and the electrode film and then a second contractile photoresist is formed and baked.例文帳に追加
この絶縁膜と電極膜上に保護膜を堆積し、第２の収縮性フォトレジストを形成し焼成する。 - 特許庁
A passivation layer 28 constituted by materials including SiCN is formed onto the second electrode layer 26.例文帳に追加
第２の電極層２６上にはＳｉＣＮを含む材料で構成されたパッシベーション層２８が形成される。 - 特許庁
To prevent a passivation film of a semiconductor chip and an interlayer insulating film of the lower layer of the same from being exfoliated and cracked.例文帳に追加
半導体チップのパッシベーション膜やその下層の層間絶縁膜の剥がれやひび割れを防止すること。 - 特許庁
To provide a semiconductor device in which cracking of a passivation layer can be suppressed, and to provide its fabricating process.例文帳に追加
パッシベーション膜にクラックが発生することを抑制できる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
A metal layer is formed on the passivation film 336 and on a part in the through-hole 342 of the wiring 330.例文帳に追加
パッシベーション膜３３６上及び配線３３０のスルーホール３４２内の部分上に金属層を形成する。 - 特許庁
Many projections and recesses formed by half exposure are formed on a surface of the organic passivation film 109.例文帳に追加
有機パッシベーション膜１０９の表面には、ハーフ露光によって形成された多数の凹凸が形成されている。 - 特許庁
The thin film (the passivation film 6) is formed on the carbon nano-tube 2 with a surface on which the corpuscles 4 are deposited.例文帳に追加
その後、表面に微粒子４が堆積したカーボンナノチューブ２上に薄膜（パッシベーション膜６）を形成する。 - 特許庁
Consequently, the taps are also exposed when the passivation film is removed uniformly for exposing the upper-layer wiring.例文帳に追加
このことにより、上層配線を露出させるために一律にパッシベーション膜を除去すれば、タップも露出する。 - 特許庁
METHOD AND SEMICONDUCTOR STRUCTURE (GERMANIUM-BASED SEMICONDUCTOR STRUCTURE MANUFACTURED USING NON-OXYGEN CHALCOGEN PASSIVATION STEP)例文帳に追加
方法および半導体構造（非酸素カルコゲン不活性化ステップを用いて製作されたＧｅ系半導体構造） - 特許庁
As a result, the productivity can also be enhanced while effectively performing the hydrogen passivation to a substrate W.例文帳に追加
その結果として、基板Ｗに対する水素パッシベーションを効果的に行いながら生産性も向上できる。 - 特許庁
The anode electrode 12 is a soluble electrode and comprises metal having passivation properties.例文帳に追加
アノード電極１２は、可溶性電極であり、不動態化する性質を有する金属を含んで構成されている。 - 特許庁
To provide improved techniques for metallic etching and stripping remaining photoresist and residual sidewall passivation.例文帳に追加
金属エッチングと、残存フォトレジスト及び残留側壁パッシベーションの剥離のための改良された技術を提供する。 - 特許庁
A photodevice 1 is constituted of a base body 2, a light-receiving part 3, a passivation film 4 and two electrodes 5 and 6.例文帳に追加
フォトダイオード１は、基体２、受光部３、パッシベーション膜４、及び２つの電極５，６から構成されている。 - 特許庁
On the passivation film 2, a stress relaxation layer 3, a re-wiring 4 and a sealing resin layer 5 are formed.例文帳に追加
パッシベーション膜２上には、応力緩和層３、再配線４および封止樹脂層５が形成されている。 - 特許庁
A ridge waveguide part formed at a center comprises not the passivation film 105 but the contact layer 104.例文帳に追加
ここで、中央に形成されたリッジ導波路部はコンタクト層１０４を備えるがパッシベーション膜１０５を備えない。 - 特許庁
To obtain high H_2 passivation effect when an antireflection film of silicon nitride films is formed with surface-wave plasma.例文帳に追加
表面波プラズマによる窒化シリコン膜の反射防止膜の成膜において、高いＨ_２パッシベーション効果を得る。 - 特許庁
A waveguide side part formed on both sides comprises not the contact layer 104 but the passivation film 105.例文帳に追加
また、両側に形成された導波路側部はパッシベーション膜１０５を備えるがコンタクト層１０４を備えない。 - 特許庁
A spacing 25 is formed in the Is substrate 21 and the counter electrodes 23 and a passivation oxidized film 24 are formed thereon.例文帳に追加
Ｓｉ基板２１に隙間２５を形成し、対向電極２３とその上にパッシベーション酸化膜２４を形成する。 - 特許庁
The passivation film 18 is composed of a metal film 18a and a ceramic film 18b, and the metal film 18a is formed outside.例文帳に追加
パッシベーション膜18は金属膜18ａとセラミック膜18ｂとで構成され、金属膜18ａが外側に形成されている。 - 特許庁
In particular, the atomic layer multilayer structure functions as a surface passivation layer, a transparent conducting layer and an antireflection layer.例文帳に追加
特に、原子層多層構造は表面パッシベーション層、透明導電層、さらには反射防止層として機能する。 - 特許庁
Passivation treatment is cited as an anti-corrosion film forming treatment, and as for etching, electrolysis etching is preferable.例文帳に追加
耐食性被膜形成処理としては不動態化処理が挙げられ、また、エッチングは電解エッチングが好ましい。 - 特許庁
To provide a semiconductor device, of which the passivation layer is not damaged by the probe needle of an inspection device.例文帳に追加
検査装置のプローブ針がパッシベーション層を傷つけることのない半導体素子を提供することにある。 - 特許庁
This semiconductor device has a passivation film 103 formed on a metal pad 102, an opening part 104 which is formed on the passivation film 103 and positioned on the pad 102, metallic layers 105 and 106 formed in the opening part 104 and on the passivation film 103, and a gold bump 109 formed on the metallic film.例文帳に追加
本発明の半導体装置は、金属パッド１０２上に形成されたパッシベーション膜１０３と、該パッシベーション膜１０３に形成された、該パッド１０２上に位置する開口部１０４と、該開口部１０４内及び該パッシベーション膜１０３上に形成された金属層１０５，１０６と、該金属膜上に形成された金バンプ１０９と、を具備するものである。 - 特許庁
The manufacturing method of the silicon carbide semiconductor device includes a process for forming passivation film on the silicon carbide wafer, before a process in which silicon carbide dust adheres to the silicon carbide wafer, a process for removing the silicon carbide dust by plasma etching, after the silicon carbide dust has adhered on the passivation filn, and a process for removing the passivation film after the plasma etching step.例文帳に追加
ＳｉＣ粉塵がＳｉＣウェハに付着する工程の前に、ＳｉＣウェハ上に保護膜を形成する工程と、ＳｉＣ粉塵が保護膜上に付着した後にプラズマエッチングによりＳｉＣ粉塵を除去する工程と、前記プラズマエッチング後に前記保護膜を除去する工程を含む炭化珪素半導体装置の製造方法とする。 - 特許庁
The method includes the steps of: providing a silicon substrate 2; depositing a surface passivation layer 3 at a rear side of the silicon substrate 2; forming delaminated regions or bubbles 1 at an interface between the surface passivation layer 3 and the silicon substrate 2; depositing a metal layer 4 on the surface passivation layer 3; and performing a metal firing.例文帳に追加
シリコン基板２を提供する工程と、シリコン基板２の裏側に表面パッシベーション層３を堆積する工程と、表面パッシベーション層３とシリコン基板２との間の界面に薄い層に裂けた領域または泡１を形成する工程と、表面パッシベーション層３の上に金属層４を堆積する工程と、金属の焼成を行う工程とを含む。 - 特許庁
An ITO layer with a silicon oxide film thereon is separated by single dry etching, and further the ITO layer is overetched to a passivation film 7 so that the pixel electrode 6 under the passivation film 7 can be reliably separated from the adjacent pixel electrode 6.例文帳に追加
この原因は、ＩＴＯ層からなる画素電極が導電性の異物により短絡されるために発生するためで、２個対点欠陥が生じた場合、パネルは不良品となるので、歩留まりを著しく悪化させていた。 - 特許庁
To provide a passivation film forming method and a passivation film structure of a semiconductor device, capable of markedly reducing the leakage current between a selecting source line and a common source line.例文帳に追加
本発明は、選択ソースラインと共通ソースライン間の漏れ電流を著しく減少させることが可能な半導体素子のパッシベーション膜形成方法及び半導体素子のパッシベーション膜構造を提供することを目的としている。 - 特許庁
To provide a technology for suppressing a crack that occurs on a passivation film, relating to a semiconductor device in which a conductive member is connected to the surface of a bonding pad exposed from an opening part formed at the passivation film.例文帳に追加
パッシベーション膜に形成された開口部から露出するボンディングパッドの表面に導電性部材を接続する半導体装置において、パッシベーション膜に発生するクラックを抑制することができる技術を提供する。 - 特許庁
The chemical mechanical polishing slurry is a solution containing a metal oxide polishing agent, a removal-speed acceleration agent, an anionic polymer passivation agent having a molecular weight of 1,000 to 100,000, and C1 to C12 anion passivation agents.例文帳に追加
金属酸化物研磨粒子、除去速度加速剤、１，０００ないし１００，０００の分子量を有するアニオン性ポリマーパッシベーション剤、及びＣ_１〜Ｃ_１２のアニオン性パッシベーション剤を含む水溶液としてのＣＭＰ用スラリー。 - 特許庁
To provide a flexible printed circuit board which restrains generation of pin holes especially on a passivation and can improve non-tuck nature (non-adhesiveness) of a surface of the passivation, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加
特に保護膜にピンホールが発生するを抑制するとともに、前記保護膜の表面の非タック性（非粘着性）を向上させることが可能なフレキシブルプリント基板及びその製造方法を提供することを目的としている。 - 特許庁
A protective recessed part 200, 1000 formed with a sidewall passivation layer is formed through the passivation layer 118, 902 and the intermetal dielectric layer 112, and located between the metal wire 114 and the outside edge of the integrated circuit 100, 900.例文帳に追加
側壁パッシベーション層を備えた保護凹部［２００］［１０００］は、パッシベーション層［１１８］［９０２］および金属間誘電層［１１２］を通して形成され、金属ワイヤ［１１４］と集積回路［１００］［９００］の外側のエッジとの間にある。 - 特許庁
Thus, the recess 45 is located in a position opposite to a passivation 26A during scrubbing of a pad 18a, so that the amount of scrubbing amount can be increased.例文帳に追加
凹部４５はパッド１８ａのスクラブ時にパッシベーション２６Ａに対向する位置にあり、スクラブ量を増大できる。 - 特許庁
A plurality of openings penetrate the passivation layer and extend to expose a region of the upper surface of the contact pads.例文帳に追加
複数個の開口が該パッシベーション層を貫通して延在しており該コンタクトパッドの上表面の区域を露出させている。 - 特許庁
The semi-transmission type LCD device is characterized in that a passivation layer is formed on a lower substrate in a reflection region.例文帳に追加
半透過型ＬＣＤ装置は、パッシベーション層が反射領域の下基板に形成されることを特徴としている。 - 特許庁
The organic EL element 13 is coated with a passivation film 18 that blocks contact of the organic EL layer 16 with outside air.例文帳に追加
有機ＥＬ素子１３は有機ＥＬ層１６が外気と接しないようにパッシベーション膜１８で被覆されている。 - 特許庁
PHOTOVOLTAIC DEVICE WITH SPATTER-ACCUMULATED PASSIVATION LAYER, AND METHOD AND APPARATUS FOR MANUFACTURING SUCH DEVICE例文帳に追加
スパッタ堆積されたパッシベーション層を備えた光起電力素子並びにこのような素子を製造するための方法及び装置 - 特許庁
A passivation film 336 is etched to form a through-hole 342 for obtaining electrical connection to the wiring 330.例文帳に追加
パッシベーション膜３３６をエッチングして、配線３３０との電気的接続を図るためのスルーホール３４２を形成する。 - 特許庁
A portion of the cap metal 32 which is exposed from a pad opening 44 of the passivation film 33 is a second pad 10.例文帳に追加
このキャップメタル層３２におけるパッシベーション膜３３のパッド開口４４から露出した部分が第２パッド１０である。 - 特許庁
On the passivation film 15 in the light shielding slit 16 and the pixel area 11, a coating layer 17 is formed.例文帳に追加
遮光層スリット１６内及び画素エリア１１内のパッシベーション膜１５上には、コーティング層１７が形成されている。 - 特許庁
A relatively wide contact region of an ITO layer 35 exists on a passivation film 33 around a contact window 8.例文帳に追加
コンタクト窓８の周囲のパッシベーション膜３３上にＩＴＯ層３５の比較的広い接触領域が存在している。 - 特許庁
To provide a manufacturing method of a photoelectric conversion device having a rear surface passivation effect and high in efficiency at a low cost.例文帳に追加
裏面パッシベーション効果を有する高効率な光電変換素子の製造方法を低コストに提供すること。 - 特許庁
There is provided a method for performing a metallic etch, etch mask stripping, and removal of residual sidewall passivation in a single etch chamber.例文帳に追加
単一のエッチングチャンバ内で、金属エッチングと、エッチングマスク剥離と、残留側壁パッシベーションの除去とを実行する方法。 - 特許庁
A passivation film 7 and a protective film 9 are provided, on an upper surface of the low dielectric constant film wiring line laminated structure portion 3.例文帳に追加
低誘電率膜配線積層構造部３の上面にはパッシベーション膜７および保護膜９が設けられている。 - 特許庁
A portion of th cap metal layer 32 which is exposed from a pad opening 34 of the passivation film 33 is a first pad 6.例文帳に追加
このキャップメタル層３２におけるパッシベーション膜３３のパッド開口３４から露出した部分が第１パッド６である。 - 特許庁
The passivation film 2 is formed so as to cover an entire surface of the semiconductor chip 1 except for the groove 11.例文帳に追加
この溝１１を除いて、半導体チップ１の表面全域を被覆するように、パッシベーション膜２が形成されている。 - 特許庁
In order to coat the whole area of the surface of the semiconductor chip 1 except for the groove 11, the passivation film 2 is formed.例文帳に追加
この溝１１を除いて、半導体チップ１の表面全域を被覆するように、パッシベーション膜２が形成されている。 - 特許庁
To provide a semiconductor device having a structure that allows easy determination of possibility of cracks in a passivation film.例文帳に追加
パッシベーション膜にクラックを生じさせるか否かを容易に判定できる構造を有する半導体装置を提供する。 - 特許庁
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