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「Vapor Deposition」に関連した英語例文の一覧と使い方(90ページ目) - Weblio英語例文検索
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Vapor Depositionの部分一致の例文一覧と使い方

該当件数 : 5223



例文

The coaxial type vacuum arc deposition source 8 comprises: a cylindrical insulator 14; a vapor deposition material 80 arranged at the inner circumferential part of the insulator 14, and around which two or more metal foils 82 (82a, 82b) are wound in piles; a trigger electrode 13 arranged at the outer circumferential part of the insulator 14; and a cylindrical anode 23 arranged around the trigger electrode 13.例文帳に追加

本発明に係る同軸型真空アーク蒸着源8は、円筒状の絶縁碍子14と、絶縁碍子14の内周部に配置され、2種以上の金属箔82(82a,82b)が重ねて巻回されてなる蒸着材料80と、絶縁碍子14の外周部に配置されたトリガ電極13と、トリガ電極13の周囲に配置された筒状のアノード電極23とを具備する。 - 特許庁

The method for depositing a conductive thin film having the texture structure further includes a step of depositing the conductive thin film formed of Ag containing aluminum oxide by using a vacuum film deposition process such as sputtering and vacuum vapor deposition, and a step of laminating a plurality of conductive thin films of different composition, and the mean surface roughness and the shape of the texture structure can be controlled.例文帳に追加

スパッタまたは真空蒸着などの真空成膜プロセスを使用して、酸化アルミニウムを含有したAgからなる導電性薄膜を形成すること、および異なる組成の導電性薄膜を複数積層する工程をさらに含み、テクスチャー構造の平均表面粗さおよび形状を制御することを特徴とするテクスチャー構造を有する導電性薄膜の形成方法。 - 特許庁

To provide a film deposition apparatus that uses an electrode roller pair for depositing a film while conveying a substrate by hanging and winding the substrate to deposit a film by an atmospheric-pressure plasma chemical vapor deposition (CVD) that is caused by dielectric-barrier discharge, and that generates plasma stably for a long period of time, thereby stably depositing a high quality film for a long period of time.例文帳に追加

基板を巻き掛けて搬送しつつ成膜を行なう電極ローラ対を用い、誘電体バリア放電による大気圧プラズマCVDで成膜を行なう成膜装置であって、長時間に渡って安定したプラズマを生成することができ、これにより、長時間に渡って高品質な成膜を安定して行なうことを可能にする成膜装置を提供する。 - 特許庁

To provide a thin film forming method, and a plasma CVD(chemical vapor deposition) system, for fabricating a highly reliable element by enhancing step coverage while suppressing corrosion of underlying Si layer at the time of forming a titanium film and a titanium silicide film by plasma CVD using TiCl4 as a material.例文帳に追加

TiCl_4 を原料としたプラズマCVDでチタン膜とチタンシリサイド膜を形成するとき、段差被覆性が良くかつ下地Si層の浸食を抑制し、信頼性の高い素子を製造する薄膜形成方法とプラズマCVD装置を提供する。 - 特許庁

例文

An aperture for forming an electrode 30 is formed in a mask for vapor deposition 28 and has wider opening on the side of a second plane 28b than that on the side of a first plane 28a.例文帳に追加

蒸着用マスク28には電極形成用の開口部30が形成されており、この電極形成用の開口部30は、蒸着用マスク28の第一面28a側の開口部よりも第二面28b側の開口部のほうが広い開口面積を有する形状とする。 - 特許庁


例文

To provide a coating type magnetic recording medium having excellent medium base body adhesion properties and the same magnetic recording characteristics as a vapor deposition type magnetic recording medium by using magnetic fine particles (including magnetic nano particles) without using a binder resin and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

磁性微粒子(磁性ナノ粒子を含む)を用いて、バインダー樹脂を用いずに媒体基体密着性に優れ、蒸着型磁気記録媒体並の磁気記録特性を有する塗布型磁気記録媒体及びその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To improve uniformity of a dielectric film by eliminating incubation time when forming the dielectric film by Chemical Vapor Deposition (CVD) method on a silicon (Si) substrate surface covered with a thin molecular layer of an insulator and to control composition of the dielectric film in the thickness direction.例文帳に追加

薄い絶縁物の分子層で覆われたSi基板表面にCVD法により誘電体膜を形成する際のインキュベーション時間をなくし、得られる誘電体膜の均一性を向上させると同時に、誘電体膜の膜厚方向の組成を制御する。 - 特許庁

Since the light shielding layer 7 is also formed by an in-mold coating method using a mold, the light shielding layer 7 can be inexpensively and simply formed in comparison with other methods such as a sputtering method, a vapor deposition method, a CVD method, or a heat transfer method.例文帳に追加

しかも、本発明では、型を用いる型内塗装によって遮光層7を形成することとしたので、例えばスパッタリング法や蒸着法、CVD法、熱転写法などの他の方法と比較して低コストかつ簡単に遮光層7を形成することができる。 - 特許庁

This material relates to a gas-barrier vapor deposition laminate which has a constitution that a primer coat layer formed of an organic compound, a thin film layer of a metal or a metal oxide and a thin film layer of an organic compound are provided sequentially at least on one side of the plastic base.例文帳に追加

プラスチック基材の少なくとも一方の面に、有機化合物によるプライマ−コ−ト層、金属または金属酸化物の薄膜層、および、有機化合物薄膜層を順次に設けたことを特徴とするガスバリア性蒸着積層体に関するものである。 - 特許庁

例文

The lid material in which a base material film, a resin film having a vapor-deposition film of an inorganic oxide, and a heat-sealing resin layer are laminated in turn and a heat-sealing resin layer is formed on the adhesive layer and the aseptically packed rice with the use of it are concerned.例文帳に追加

基材フィルム、無機酸化物の蒸着膜を設けた樹脂のフィルム、および、ヒ−トシ−ル性樹脂層を順次に積層したことを特徴とする無菌米飯充填容器用蓋材およびそれを使用した無菌包装米飯に関するものである。 - 特許庁

例文

To provide a vapor deposition apparatus of excellent practicability for automatically correcting a mask and a substrate at an adequate overlapping position and setting them with high accuracy even in a configuration having a fixed part in a vacuum tank or a rotating mechanism to rotate the fixed part.例文帳に追加

真空槽内の固定部あるいは固定部を回転させる回転機構を備える構成でも、常にマスクと基板とを適正な重合位置に自動補正修正して精度良くセットできる極めて実用性に秀れた蒸着装置を提供すること。 - 特許庁

The semiconductor silicon carbide substrate is preferably a semiconductor silicon carbide substrate in which surface silicon of an SOI substrate is made thin, the extremely thin silicon layer is denatured into a silicon carbide layer through carbonization, and a silicon carbide epitaxial film is deposited thereon by a CVD (chemical vapor-deposition) method.例文帳に追加

炭化珪素基板としては、SOI基板の表面シリコンを薄層化し、その極薄シリコン層を炭化処理により炭化珪素層に変性し、その上にCVD(化学気相成長)法により炭化珪素エピタキシャル膜を形成させたものが好ましい。 - 特許庁

To provide a member for an ink cartridge which prevents the deterioration of property of gas barrier and occurrence of delamination with lapse of time from a viewpoint of barrier to moisture evaporation from the inside of a package by making a gas barrier layer heat-resistant while using alumina vapor deposition.例文帳に追加

インクカートリッジ用部材において、アルミナ蒸着を用いて、ガスバリア層に耐熱性を付与し、包装内側からの水分蒸散のバリアという観点から、経時でのガスバリア性の劣化・デラミの発生などを防ぐことを目的とするインクカートリッジ用部材の提供。 - 特許庁

To inexpensively provide a continuous automatic vapor deposition system which is capable of realizing the uniform heating over the entire part of substrates by minimizing the temperature difference between a substrate holder and the segments of the substrates inclusive of lenses in contact with the substrate holder as far as possible, improves lens performance and is high in productivity.例文帳に追加

基板ホルダーと基板ホルダーに接触するレンズを含む基板の部分との間の温度差を極力抑えて基板全体の均一加熱が実現でき、レンズ性能を向上させ、かつ生産性の高い連続自動蒸着装置を安価に提供する。 - 特許庁

The organic EL element is formed in the vapor deposition device PM1 and Al(CH_3)_3 gas, SiH_4 gas, and N_2 gas are made a plasma by power of microwave in the microwave plasma treatment device PM3, and an SiAlON film 14 is formed so as to cover the organic EL element.例文帳に追加

蒸着装置PM1にて有機EL素子を形成し、マイクロ波プラズマ処理装置PM3にてマイクロ波のパワーによりAl(CH_3)_3ガス、SiH_4ガス、N_2ガスをプラズマ化し、有機EL素子を覆うようにSiAlON膜14を形成する。 - 特許庁

By using the granular material 14 or calcinated powder 19 obtained by calcinating the granular material, and then, disintegrating it, the first granulated powder 15 or the second granulated powder 21 is produced, and the ZnO vapor deposition material 17 or 23 consisting of ZnO sintered compact is produced through molding and sintering.例文帳に追加

粒状体14又はこれを仮焼後に解砕して得る仮焼粉末19を用いて、第1造粒粉末15又は第2造粒粉末21を作製し、成形、焼結を経て、ZnO焼結体からなるZnO蒸着材17又は23を作製する。 - 特許庁

An amorphous silicon thin film is formed on the surface of a substrate 4 in a vacuum atmosphere by a CVD (chemical vapor deposition) process, thereafter, while placing the substrate 4 in the vacuum atmosphere, the temperature is raised to the one at which the amorphous silicon thin film is formed or above, and dehydrogenation treatment is performed.例文帳に追加

真空雰囲気中で基板4表面にCVD法によってアモルファスシリコン薄膜を形成した後、その基板4を真空雰囲気中に置いたまま、アモルファスシリコン薄膜を形成したときの温度以上に昇温させ、脱水素処理を行う。 - 特許庁

To provide equipment and a method of depositing a thin film by chemical vapor deposition which enable obtaining a material having high permittivity (High-k) constituted of a metal oxide thin film on an Si substrate without oxidizing the interface with the Si substrate by small-sized equipment and at a low cost.例文帳に追加

Si基板上に金属酸化薄膜からなる誘電率の高い材料(High-k)をSi基板との界面を酸化することなく小型で、かつ、コスト安に得ることができる化学気相成長法による薄膜堆積装置および堆積方法を提供すること。 - 特許庁

On a surface of a metal compound particle (5) having low electrical conductivity such as a metal oxide, a metal chalcogenide compound, and a metal phosphate compound, a carbon material (7) having electrical conductivity higher than that of the metal compound particle (5) having low electrical conductivity is attached by vapor deposition.例文帳に追加

低い導電性を有する、金属酸化物、金属カルコゲナイド化合物、金属燐酸化合物等の金属化合物粒子(5)の表面に、前記低導電性金属化合物粒子(5)よりも高い導電性を有する炭素材(7)を蒸着により付着させる。 - 特許庁

In a process of forming the conductive paths by forming the first conductive film by a simple process of hardening the paste without using sputtering, chemical vapor deposition, and vacuum evaporation methods, the substrate is not exposed to vacuum and high temperature.例文帳に追加

第1導電膜を、スパッタリング法、化学気相成長法および真空蒸着法を用いないで、ペーストを塗布して硬化させるという簡単な工程によって、形成することによって導電路を形成する工程で、基板を真空および高温に曝すことがない。 - 特許庁

To provide a method for forming an electrode for a piezoelectric vibrating bar capable of forming a main electrode of a desired shape at an accurate position at a low cost by a physical vapor deposition method with respect to an inverted mesa piezoelectric vibrating bar and a mask for electrode formation for a piezoelectric vibrating bar.例文帳に追加

逆メサ型圧電振動片に対して物理蒸着法により、正確な位置に、所望形状の主電極を、低コストで形成可能な、圧電振動片の電極形成方法および圧電振動片の電極形成用マスクの提供を目的とする。 - 特許庁

Material switching chambers 42 and 82 which are selectively evacuated, communicated with a film forming chamber 10 without breaking the vacuum when gate valves 41, 81 are opened in an evacuated condition, and capable of storing vapor deposition materials from the outside when gate valves 41 and 81 are closed, are provided.例文帳に追加

選択的に真空引きされ、真空引きされた状態でゲートバルブ41,81が開かれると成膜室10に真空を破ることなく連通し、ゲートバルブ41,81が閉じた状態では外部から蒸着材料を収めることのできる材料入替チェンバ42,82を設ける。 - 特許庁

To provide a method and an apparatus for feeding a vaporized material by which a vaporized material can stably be fed and to provide an organometallic chemical vapor deposition method and a system therefor by which the reproducibility of a deposited film can be improved by stably feeding the vaporized thin film raw material.例文帳に追加

気化物を安定して供給できる気化物供給方法および装置ならびに気化した薄膜原料を安定して供給することにより成膜の再現性を向上可能な有機金属化学気相蒸着方法および装置を提供する。 - 特許庁

In the manufacturing method of the narrow porous alumina base material, alumina is subjected to the physical vapor deposition on a porous alumina base material 1 to reduce the inlet of each pore of the porous alumina base material to be 0.2-1.5 nm, and the narrow porous alumina base material can be obtained thereby.例文帳に追加

多孔質アルミナ基材1にアルミナを物理蒸着させて、該多孔質アルミナ基材の細孔の入口を0.2〜1.5nmと狭小化し、狭小化多孔質アルミナ基材を得ることを特徴とする狭小化多孔質アルミナ基材の製造方法。 - 特許庁

To provide a vapor deposition device capable of making uniform a gas concentration distribution on a substrate surface to be film-deposited in a growth chamber when introducing a raw material gas from peripheral parts, and capable of improving the thickness of a deposited film and a composition ratio.例文帳に追加

原料ガスを周辺部から導入した場合に、成長室の被成膜基板面上のガス濃度分布を均一化することができ、成膜厚や組成比を向上させることができる気相成長装置及び半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for producing a high-purity β-diketonate complex of an alkaline earth metal with suppressed formation of a hydrate, useful as a raw material for a thin layer of an oxide containing the alkaline earth metal formed by a metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) method.例文帳に追加

有機金属化学蒸着(MOCVD)法によってアルカリ土類金属を含む酸化物の薄層を形成する際の原料として有用な、水和物の生成が抑制された高純度なアルカリ土類金属β−ジケトネート錯体の製造方法に関する。 - 特許庁

To provide a nanoparticle support device in which the particle carriers do not scatter to the outside from the inside of a vessel upon making nanoparticles for a catalyst carried on the particle carriers by the support device equipped with a source of coaxial type vacuum arc vapor deposition, and to provide a supporting method of nanoparticles.例文帳に追加

同軸型真空アーク蒸発源を備えた坦持装置によって触媒用のナノ粒子を粒子状担体に担持させるに際し、粒子状担体が容器内から外へ飛散しないナノ粒子担持装置、およびナノ粒子担持方法を提供すること。 - 特許庁

After installing coaxial cables 19a-19h and 24a-24h, and vacuum cables 20a-20h and 25a-25h having a standard length, and actually providing high frequency power to form a film on a substrate, the state of vapor deposition such as film thickness and the like is observed.例文帳に追加

基準長さを有する同軸ケーブル19a〜19h及び24a〜24h、真空ケーブル20a〜20h及び25a〜25hを配設し、実際に高周波電力を供給して基板上に製膜させた後、膜厚等の蒸着状態を観察する。 - 特許庁

A substrate film 12 comprising a fluorine-based resin is formed on the surface of constituent fibers of the fiber sheet 11 composed of the synthetic fibers and a transparent outer surface film 13 composed of ceramics consisting essentially of SiO2 is then formed on the substrate film 12 by physical vapor deposition.例文帳に追加

合成繊維からなる繊維シート11の構成繊維表面にフッ素系樹脂からなる下地被膜12を形成し、この下地被膜12の上にSi O_2 を主成分とするセラミックスからなる透明な外面被膜13を物理蒸着により形成する。 - 特許庁

The method for manufacturing a stimulable phosphor panel of this invention is provided with a humidifying process for humidifying a phosphor panel 4 where a stimulable phosphor layer 3 is formed by the vapor deposition method on a specific substrate 2 under a humidity environment of 30 to 60%.例文帳に追加

本発明に係る輝尽性蛍光体パネルの製造方法は、所定の基板2上に気相堆積法で輝尽性蛍光体層3が形成された蛍光体パネル4を相対湿度30〜60%の湿度環境下で加湿する加湿工程を備えている。 - 特許庁

Further, the vacuum vapor deposition surface of the nonwoven fabric is coated with a hybrid resin of an ultraviolet curable resin and an isocyanate curing resin using a lip coater by a thickness setting of Wet 25μm, an ultraviolet curing resin layer is formed, and a fiber-tone decorative sheet is obtained.例文帳に追加

さらに、上記不織布の真空蒸着した面に紫外線硬化性樹脂とイソシアネート硬化樹脂のハイブリット樹脂をリップコーターを用いてWet25μmの膜厚設定でコーティングを行なって紫外線硬化樹脂層を形成し、繊維調加飾シートを得た。 - 特許庁

In a method for forming a polysilicon film 11 on the surface of a glass substrate 100 with a chemical vapor deposition method using the plasma of SiH4 gas and H2 gas, the method includes intermittently supplying the SiH4 gas to the apparatus while supplying the H2 gas thereto.例文帳に追加

SiH4ガスおよびH2ガスのプラズマを用いた化学気相成長法によりガラス基板100の表面にポリシリコン膜11を形成するポリシリコン膜形成方法において、上記H2ガスの供給中に上記SiH4ガスを断続的に供給する。 - 特許庁

By splashing the vapor deposition material 11 for surface treatment to the surface of the MgO protective film 13, each cavity 13a with the average hole diameter of 50 to 10,000 nm is formed, and also, each particle 13b with the average particle diameter of 50 to 10,000 nm is stuck thereto.例文帳に追加

この表面処理用蒸着材11をMgO保護膜13の表面にスプラッシュさせることにより、平均穴径50nm〜10000nmの窪み13aが形成され、かつ平均粒径50nm〜10000nmの粒子13bが付着される。 - 特許庁

To provide a CVD (Chemical Vapor Deposition) apparatus which uses a gas jet plate used for the production of a titanium nitride thin film or the like, the CVD apparatus suppressing the generation of deposits formed on the gas jet plate, and to provide a thin film production method.例文帳に追加

窒化チタン薄膜などの作製に使用されるガス噴出板を用いたCVD装置において、ガス噴出板に形成される付着物の発生を抑制することができるCVD装置及び薄膜製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

Ceramic layers 27a and 27b are formed by means of vapor deposition, on the first side surface 13e and the second side surface 13f, respectively, of the ceramic member 13, and thereby, an electronic component body 43 that is constituted of the ceramic member and the ceramic layers 27a and 27b is formed.例文帳に追加

セラミック部材13の第1及び第2の側面13e、13fのそれぞれの上に、蒸着によりセラミック層27a、27bを形成することにより、セラミック部材13とセラミック層27a、27bとからなる電子部品本体43を形成する。 - 特許庁

To provide a vapor deposition polymerizer in which two raw material monomer gases are made to flow into a treatment chamber 1 to deposit a polymer film on the surface of a substrate S, which can deposit a polymer film having a uniform compositional distribution and a uniform film thickness distribution, and also, has excellent productivity.例文帳に追加

処理室1に2種類の原料モノマーガスを流入させ、基板Sの表面に高分子膜を形成する蒸着重合装置であって、組成分布及び膜厚分布の均一な高分子膜を形成でき且つ生産性に優れた装置を提供する。 - 特許庁

To provide a substrate holding member for eliminating the attaching/detaching work of a back plate in a film forming process, facilitating uniform raising of the temperature of the plane of a substrate, and permitting efficient chemical vapor deposition of thin films, and provide a method for manufacturing thin films.例文帳に追加

成膜工程における背板の着脱作業を解消し、基板の面の温度を均一に昇温することが容易であり、効率のよい薄膜の化学蒸着を可能にすることができる基板保持部材及び薄膜の製造方法を提供することである。 - 特許庁

The power supply comprises a power source configured to bias the target with a sputtering voltage relative to the substrate support and configured to bias the target with a reverse voltage about 10 or more times for a period of about one second after an arc is detected inside the physical vapor deposition chamber.例文帳に追加

基板支持部に対しスパッタリング電圧でターゲットをバイアスし、物理気相蒸着チャンバ内でアーク放電が検出された後、約1秒間に約10回又はそれ以上、逆方向電圧でターゲットをバイアスするように構成された電源を備えている。 - 特許庁

The metal-containing fabric is manufactured by forming the thin metal film layer on at least one surface of the fabric by metal vapor deposition, and applying a treating liquid of a coloring agent-containing resin to the yarn portion of the thin metal film layer.例文帳に追加

布帛の少なくとも片面に、金属蒸着によって金属薄膜層を形成し、次いでその金属薄膜層の糸条部に着色剤含有樹脂からなる処理液を塗布した後、乾燥させることを特徴とする金属含有布帛の製造方法。 - 特許庁

To provide a barrier film excellent in the close adhesiveness with a vapor deposition film of inorg. oxide, enhanced in gas barrier properties to oxygen gas and steam and excellent in transparency, heat resistance, flexibility or laminate strength and a laminated material using the same.例文帳に追加

無機酸化物の蒸着膜との密接着性に優れ、その酸素ガスおよび水蒸気等に対するガスバリア性を向上させ、更に、透明性、耐熱性、柔軟性、ラミネ−ト強度等に優れたバリア性フィルムおよびそれを使用した積層材を提供することである。 - 特許庁

An optical thin film having a refractive index in the range of 1.6 to 2.1 and having high permeability in a wide wavelength region from an ultraviolet region to an infrared region can be produced on an optical substrate with a vapor deposition material at least composed of aluminum oxide and tantalum oxide.例文帳に追加

少なくとも酸化アルミニウムと酸化タンタルからなる蒸着材料によって、屈折率が1.6〜2.1の範囲にあり、紫外域から赤外域まで広い波長域において高い透過率を有する光学薄膜を光学基体上に作製することができる。 - 特許庁

The semiconductor element comprises a III-V nitride semiconductor obtained by a chemical vapor deposition method, using a material gas containing a carrier gas in which an oxygen, is removed by using an oxygen gas removal means provided at a carrier gas supply passage, in which hydrogen is supplied as the carrier gas.例文帳に追加

水素がキャリアガスとして供給されるキャリアガス供給路に設けられた酸素除去手段を用いて酸素が除去された前記キャリアガスを含む原料ガスを使用した気相成長法により得られたIII−V族窒化物半導体を備えてなる。 - 特許庁

In the aluminum stabilized laminate, a stabilizing layer composed of metal and having 0.001 to 1μm thickness is laminated by sputtering, vapor deposition or ion plating on the whole surface of a thin film whose surface is composed of at least aluminum.例文帳に追加

表面が少なくともアルミニウムで構成される薄膜の全面に、金属で構成される厚み0.001〜1μmの安定化層をスパッタリング法、蒸着法またはイオンプレーティング法のいずれかの方法により積層してなるアルミニウム安定化積層体に関する。 - 特許庁

The manufacture apparatus of conductive catalyst particle comprises a vibration means 2 for vibrating the conductive powder 1, a cooling means 5 for cooling the conductive powder 1 and a physical vapor deposition means for sticking the catalyst material to the surface of the conductive powder 1.例文帳に追加

導電性粉体1を振動させる振動手段2と、導電性粉体1を冷却する冷却手段5と、導電性粉体1の表面に触媒物質を付着させる物理的蒸着手段とを有する、導電性触媒粒子の製造装置。 - 特許庁

To provide a barrier film enhanced in the close adhesiveness with a vapor deposition film of inorg. oxide, enhanced in gas barrier properties to oxygen gas and steam and enhanced in transparency, heat resistance, flexibility or laminate strength and a laminated material using the same.例文帳に追加

無機酸化物の蒸着膜との密接着性を改良し、その酸素ガスおよび水蒸気等に対するガスバリア性に優れ、更に、透明性、耐熱性、柔軟性、ラミネ−ト強度等に優れたバリア性フィルムおよびそれを使用した積層材を提供することである。 - 特許庁

The aluminum-added zinc oxide-based transparent conductive film is deposited on a substrate by a vacuum vapor deposition method while a zinc oxide sintered body containing at least 0.01-10 wt.% aluminum fluoride as impurity dopant is a target material.例文帳に追加

不純物ドーパントとして少なくともフッ化アルミニウムを0.01〜10重量%の割合で含む酸化亜鉛焼結体をターゲット材料とした真空蒸着法により、基板上に成膜されることを特徴とするアルミニウム添加酸化亜鉛系透明導電膜。 - 特許庁

An oxygen absorbable packaging material is constituted by successively laminating a polyolefin inner surface material, an oxygen absorbing layer comprising a compsn. of polyolefin and a ferrous oxygen absorbent, a polyolefin cushioning layer, an aluminum foil and a stretched film or an inorg. vapor deposition plastic film.例文帳に追加

ポリオレフィン内面材/ポリオレフィンと鉄系酸素吸収剤との組成物から成る酸素吸収層/ポリオレフィン緩衝層と、アルミニウム箔/延伸フィルム、或いは無機蒸着プラスチックフィルムが順次積層されていることを特徴とする酸素吸収性包装材。 - 特許庁

The invention relates to the brilliant coating composition comprising a double layered color aluminum flake pigment coated with a metal oxide layer formed by a chemical vapor deposition method as a first layer and a second layer coated with a color pigment and a polymer, and a vehicle.例文帳に追加

第一層が化学気相蒸着法により形成された金属酸化物層により被覆され第二層が着色顔料およびポリマーにより被覆されてなる複層着色アルミニウムフレーク顔料、およびビヒクルを含有する光輝性塗料組成物。 - 特許庁

The apparatus for manufacturing the conductive catalyst particles having vibrating means 5 for vibrating the conductive powder 1, physical vapor deposition means of depositing the catalyst material 18 to the surfaces of the conductive powder 1, and the balls 3, etc., as the means for amplifying the vibrations.例文帳に追加

導電性粉体1を振動させる振動手段5と、この導電性粉体1の表面に触媒物質18を付着させる物理蒸着手段と、前記振動の増幅手段としてのボール3等とを有する、導電性触媒粒子の製造装置。 - 特許庁

例文

To provide a manufacturing method of a vapor deposition tape capable of coping with narrowing of the track pitch of a next generation magnetic tape, in which a contraction amount generated in a tape longitudinal direction is reduced, a dimension change over aging is little and an off-track amount is half the track width or less.例文帳に追加

次世代磁気テープの狭トラックピッチ化に対応できる、テープ長手方向に生じる収縮量が緩和されて経時においても寸法変化が小さく、オフトラック量がトラック幅の半分以下である蒸着テープの製造方法を提供する。 - 特許庁




  
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