「Vapor Deposition」に関連した英語例文の一覧と使い方(105ページ目) - Weblio英語例文検索

The invention is the improvement of a solution raw material for an organo-metallic chemical vapor deposition process where one or more kinds of organo-metallic compounds are dissolved in an organic solvent.例文帳に追加

１種又は２種以上の有機金属化合物を有機溶媒に溶解した有機金属化学蒸着法用溶液原料の改良であり、その特徴ある構成は、有機溶媒がＣ_5Ｈ_9−Ｒで表される５員環化合物であるか、あるいは有機溶媒がＣ_5Ｈ_9−Ｒからなる第１溶媒と、Ｃ_5Ｈ_9−Ｒにアルコール、アルカン、エステル、芳香族、アルキルエーテル及びケトンからなる群より選ばれた１種又は２種以上の第２溶媒とを混合した混合溶媒であるところにある。 - 特許庁

In the film laminated paper characterized in that an endless press layer is provided on the surface of a paper layer bing a base material layer and a plastic film layer is laminated on the surface of the endless press layer through an adhesive layer and its manufacturing method, a plastic film layer is a plastic film provided with a metal vapor deposition layer or a metal foil layer or a plastic film provided with a hologram layer.例文帳に追加

本発明は、基材層の紙層の表面に、エンドレスプレス加工によりエンドレスプレス層が設けられ、該エンドレスプレス層の表面に接着層を介してプラスチックフィルム層が積層されていることを特徴とするフィルム貼合紙およびその製造方法であり、プラスチックフィルム層が、金属蒸着層又は金属箔層が設けられたプラスチックフィルムであること、あるいは、ホログラム層が設けられたプラスチックフィルムであることを特徴としている。 - 特許庁

The material for depositing the electroconductive barrier film is used for depositing an electroconductive Ta-Ti barrier film as an undercoat film of the copper film by a chemical vapor deposition method and includes a Ta-containing metal organic compound, a Ti-containing metal organic compound and a solvent for dissolving one or both of the Ta-containing metal organic compound and the Ti-containing metal organic compound.例文帳に追加

ケミカルベーパーデポジションにより銅膜の下地膜として導電性Ｔａ−Ｔｉ系バリア膜を形成する為の材料であって、Ｔａを持つ金属有機化合物と、Ｔｉを持つ金属有機化合物とを含むことを特徴とする導電性バリア膜形成材料、および、前記Ｔａ有機化合物、前記Ｔｉ有機化合物の一方または双方を溶解する溶媒とを含むことを特徴とする導電性バリア膜形成材料。 - 特許庁

To provide a method for producing a Ga-containing nitride semiconductor with high productivity in which, by preventing the accompanying adhesion of a Ga-containing nitride to portions other than a substrate in a growth chamber of a vapor phase deposition apparatus, particularly the accompanying adhesion of the Ga-containing nitride when thick film formation is desired, various problems due to the adhesion is solved, without inhibiting the growth of the Ga-containing nitride semiconductor onto the substrate.例文帳に追加

気相成長装置の成長室内の基板以外の部分へのＧａ含有窒化物の随伴的な付着、特に厚膜形成を行いたい場合の当該Ｇａ含有窒化物の随伴的な付着を防止することにより当該付着による様々な問題を解消し、且つ基板上へのＧａ含有窒化物半導体の成長が阻害されることなく、生産性が高いＧａ含有窒化物半導体の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a propylene polymerization reaction apparatus stably and efficiently manufacturing a propylene based block copolymer excellent in a balance of rigidity/impact-resistance strength, suppressing generation of a gel and deposition in a reaction tank and having a wider composition in addition to it without reducing productivity in a multi-stage continuous vapor-phase polymerization method for the propylene based block copolymer using an olefin polymerization catalyst, and a manufacturing method for the propylene based block copolymer.例文帳に追加

オレフィン重合用触媒を用いたプロピレン系ブロック共重合体の多段連続気相重合法において、剛性／耐衝撃強度のバランスに優れ、加えてゲルの発生及び反応槽内の付着が抑制され、加えてより広い組成のプロピレン系ブロック共重合体を、生産性を低下させることなく安定的かつ効率よく製造するプロピレン重合反応装置及びプロピレン系ブロック共重合体の製造方法を提供する。 - 特許庁

In the silicon carbonitride film film-deposited by a plasma CVD (Chemical Vapor-phase Deposition) method using a material gas consisting of a first gas made of a precursor molecule containing silicon, carbon and hydrogen, and a second gas containing nitrogen, the amount of nitrogen atoms constituting the silicon carbonitride film and present as a Si-N-Si bonding is at least 7% of the amount of all nitrogen atoms in the silicon carbonitride film.例文帳に追加

珪素、炭素、水素を含有する前躯体分子からなる第１のガスと、窒素を含有する第２のガスとからなる原料ガスを用いてプラズマＣＶＤ法によって成膜された炭窒化珪素膜であって、前記炭窒化珪素膜を構成する窒素原子でＳｉ−Ｎ−Ｓｉ結合として存在している窒素原子の量が、前記炭窒化珪素膜中の全窒素原子の量の７％以上であることを特徴とする炭窒化珪素膜。 - 特許庁

The vapor phase deposition apparatus 10 includes a reactor 11, a barrel type susceptor 12 arranged inside the reactor, and a tray 13 arranged on the surface of the susceptor to mount a wafer W, wherein the tray 13 rotates by a rotary shaft which is different from that of the barrel type susceptor 12, the barrel type susceptor 12 rotates by an electric motor 14 for revolution, and the tray 13 rotates by an electric motor 15 for rotation.例文帳に追加

リアクタ１１と、該リアクタの内部に配置されたバレル型サセプタ１２と、ウエーハＷを装着するために該サセプタの表面に配置されたトレイ１３とを備えた気相成長装置１０において、前記トレイ１３は前記バレル型サセプタ１２とは異なる回転軸で回転するものであり、かつ前記バレル型サセプタ１２は公転用電動モータ１４によって回転し、前記トレイ１３は自転用電動モータ１５によって回転する。 - 特許庁

In a method for manufacturing the organic thin film transistor wherein at least three terminals, namely a gate electrode, a source electrode and a drain electrode, an insulating layer and an organic semiconductor layer are formed on a substrate and the source-drain current is controlled by applying a voltage to the gate electrode, an insulating layer-forming step includes vapor phase film deposition of a fluorine polymer.例文帳に追加

少なくとも基板上にゲート電極、ソース電極及びドレイン電極の３端子、絶縁体層並びに有機半導体層が設けられ、ソース−ドレイン間電流をゲート電極に電圧を印加することによって制御する有機薄膜トランジスタを作製する方法であって、該絶縁体層の形成工程がフッ素ポリマーの気相成膜を含むことを特徴とする有機薄膜トランジスタの製造方法及び該方法で製造されてなる有機薄膜トランジスタ。 - 特許庁

In this radiation image conversion panel having the support body and the phosphor layer formed thereon by a vapor-deposition method, the phosphor layer is constituted of a phosphor comprising a phosphor mother compound and an activator, and a substrate layer comprising the phosphor mother compound and having a value of a relative density lower than that of the phosphor layer is provided between the support body and the phosphor layer.例文帳に追加

支持体およびその上に気相堆積法により形成された蛍光体層を有する放射線像変換パネルにおいて、該蛍光体層が蛍光体母体化合物と付活剤とからなる蛍光体から構成され、そして該支持体と該蛍光体層との間に、該蛍光体母体化合物からなり、相対密度が該蛍光体層の相対密度よりも低い値を示す下地層が設けられている放射線像変換パネル。 - 特許庁

A method for forming the diffusion barrier for the copper wiring includes steps for supplying a semiconductor, forming a dielectric layer over the semiconductor, forming a trench in the dielectric layer, forming the diffusion barrier including a TiNSi in the trench using a chemical vapor deposition method (CVD), and forming an (α-Ta) layer having a body-centered cubic structure on the diffusion barriers.例文帳に追加

銅線用拡散バリアを形成する方法であって、 半導体を供給すること、 前記半導体上に誘電体層を形成すること、 前記誘電体層中にトレンチを形成すること、 化学気相成長法（ＣＶＤ）を用いて前記トレンチ中に窒化チタンケイ素を含む拡散バリアを形成すること、及び 前記拡散バリア上に体心立方構造をもつアルファ相タンタル（α‐Ｔａ）層を形成することを含む方法が提供される。 - 特許庁

In the method of manufacturing a thin film transistor having a channel region connected to at least a source region and a drain region and a gate electrode opposite to the channel region through a gate insulation film on a substrate, the process of forming the gate insulation film is to form a silicon oxide by the plasma chemical vapor deposition method with the substrate 205 fixed by a retaining member 206 above plasma generating electrodes 203.例文帳に追加

基板上に少なくともソース領域およびドレイン領域に接続するチャネル領域と、該チャネル領域にゲート絶縁膜を介して対峙するゲート電極とを備える薄膜トランジスタの製造方法において、前記ゲート絶縁膜の形成工程は、前記基板２０５をプラズマ発生させるための電極２０３上に押さえ部材２０６により固定した状態で、プラズマ化学気相堆積法によりシリコン酸化物を形成する。 - 特許庁

When a GaN crystal is grown on an AlN layer after sequentially forming an SiC layer and the AlN layer on an Si substrate 12 by a chemical vapor deposition method, the Si substrate 12 having a nitride semiconductor thin film is manufactured by generating nitrogen-based radical by blowing ammonia gas onto a heated mesh-shaped tungsten catalyst 14 and growing the GaN crystal by reacting the generated radical and an organic gallium compound on the AlN layer.例文帳に追加

化学気相成長法によりＳｉ基板１２上にＳｉＣ層及びＡｌＮ層を順次形成した後に、ＡｌＮ層上にＧａＮ結晶を成長させる際に、加熱したメッシュ状タングステン触媒１４にアンモニアガスを吹付けて窒素系ラジカルを生成させ、ＡｌＮ層上で有機ガリウム化合物と反応させてＧａＮ結晶を成長させることにより窒化物半導体薄膜を有するＳｉ基板１２を製造する。 - 特許庁

In a method of manufacturing an organic thin-film solar cell containing an anode and a cathode which are formed to be spaced from each other, a photoelectric conversion layer of an organic thin film provided between the anode and the cathode, and an electron transport layer formed of TiO_x provided between the photoelectric conversion layer and the cathode, the electron transport layer formed of TiO_x is formed by a combustion chemical vapor deposition method.例文帳に追加

互いに離間して形成された陽極および陰極と、前記陽極と前記陰極との間に設けられた有機薄膜の光電変換層と、前記光電変換層と前記陰極との間に設けられたＴｉＯ_xからなる電子輸送層とを有する有機薄膜太陽電池を製造するにあたり、前記ＴｉＯ_xからなる電子輸送層を燃焼化学気相成長法により形成することを特徴とする有機薄膜太陽電池の製造方法。 - 特許庁

The vapor deposition film is prepared by depositing an inorganic thin layer on the coating layer of the above film.例文帳に追加

高分子樹脂組成物からなる基材上に、メラミン系化合物、ポリビニルアルコール系重合体、およびカルボキシル基を有する化合物を必須成分とした被覆層を積層した被覆フィルムであって、該被覆フィルムの厚みが５〜５０μｍであり、かつ１３０℃で加熱したときに該被覆フィルムから発生するホルムアルデヒドの質量およびアルコールの質量が、それぞれ該被覆フィルム試料の質量の５０ｐｐｍ以下であることを特徴とする被覆フィルム、および当該フィルムの被覆層上に無機薄膜層を蒸着した蒸着フィルム。 - 特許庁

To provide an improved tool for removing a metal film, which is used when solving resist and at the same time removing an unnecessary metal film with immersing in an organic solvent a metal-film-deposited semiconductor wafer substrate which has been obtained by applying resist onto a semiconductor substrate produced by metal-organic vapor-phase growth, subsequently patterning the same, and then depositing the metal film thereon by vacuum deposition.例文帳に追加

有機金属気相成長法（ＭＯＶＰＥ法）により作製した半導体基板上へレジスト塗布、パターニング処理、真空蒸着法による金属薄膜の堆積形成を順次することにより金属薄膜堆積形成半導体基板とした後、その金属薄膜堆積形成半導体ウエハ基板を有機溶剤中へ浸漬処理してレジストの溶解処理と不要金属薄膜の除去処理とを同時に行うときに用いる新規な金属薄膜剥離用治具を提供すること。 - 特許庁

The plurality of vapor deposition sources are connected to a supply pipe line 92 via a heat insulating member 110.例文帳に追加

蒸着材料を収容する収容部１０１と、収容部１０１を加熱する加熱手段１０３と、収容部１０１にキャリアガスを導入するためのガス導入口１０１Ａと、キャリアガスにより、気化又は昇華された蒸着材料を放出する放出口１０１Ｂと、放出口１０１Ｂに設置され、収容部１０１内の圧力を調整する圧力調整手段１０４と、収容部１０１を冷却する冷却部１０８とを備えた蒸着源を複数設け、複数の蒸着源を断熱部材１１０を介して供給用管路９２に接続した。 - 特許庁

In the vapor phase deposition apparatus, the first channel is branched into two paths 1a and 1b, and the second channel is branched into two paths 2a and 2b so as to supply a gas individually to a peripheral portion and to a central portion on the wafer 102.例文帳に追加

本発明の気相成長装置は、チャンバ１０３内に、支持台１０１上に載置されたウェハ１０２が収容され、ウェハ１０２上に成膜するためのガスを供給する第一の流路１２１及びウェハ１０２上に成膜される膜の不純物濃度を制御するためのガスを供給する第二の流路１３１が前記チャンバに接続された気相成長装置において、上述した第一の流路が２経路１ａ、１ｂ、第二の流路が２経路２ａ、２ｂに分割され、ウェハ１０２上の周辺部と中央部に、個々に供給されるように構成されていることを特徴とする。 - 特許庁

The apparatus for manufacturing compound semiconductor includes a disk-like susceptor 4 in which a plurality of substrates 8 are arranged along a circumferential direction; and a rotary shaft 6 for rotating the susceptor 4 around an axis center in a reactor 3, and allows a compound semiconductor to be subjected to vapor phase deposition from material gas supplied through a gas supply pipe 1 on a plurality of substrates 8 installed on the susceptor 4.例文帳に追加

複数の基板８が周方向に沿って配列される円盤状のサセプタ４と、サセプタ４を軸心廻りに回転させる回転シャフト６とをリアクター３内に備え、サセプタ４に設置された複数の基板８上に、ガス供給管１を通じて供給される材料ガスから化合物半導体を気相成長させる化合物半導体製造装置において、ガス供給管１は、サセプタ４の軸心に対向する位置に配設し、リアクター３の外周に向かう放射方向に材料ガスを流出させるガス供給部１ａを一端に設ける。 - 特許庁