「Vapor Deposition」に関連した英語例文の一覧と使い方(86ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a biaxially oriented vapor deposition polyamide resin laminated film roll having high gas barrier properties, capable of being smoothly subjected to bag making processing by virtue of lamination in a good yield and capable of efficiently obtaining a package free from an S-shaped curl.例文帳に追加

ガスバリア性が高く、スムーズに歩留まり良くラミネートによる製袋加工を行うことができ、Ｓ字カールのない包装物を効率的に得ることが可能な二軸配向蒸着ポリアミド系樹脂積層フィルムロールを提供する。 - 特許庁

In the vapor deposition system 10, a material gas G2, supplied from a second feed inlet 30 flows close to a first feed inlet 28 without residence by a gas flow adjuster 32 and reacts with a material gas G1.例文帳に追加

本発明に係る気相成長装置１０においては、ガス流調整部３２により、供給口３０から供給される原料ガスＧ２は、滞留することなく供給口２８付近まで流れて、原料ガスＧ１と反応する。 - 特許庁

To provide a method for depositing a Ti film, when a Ti film is deposited by CVD (Chemical Vapor Deposition), which can deposit a Ti film in which resistance is lower, and also, variation in the resistance is reduced, and can reduce plasma damage.例文帳に追加

ＣＶＤによりＴｉ膜を成膜する際に、より低抵抗でかつ抵抗のばらつきが小さいＴｉ膜を成膜することができ、プラズマダメージを小さくすることができるＴｉ膜の成膜方法を提供すること。 - 特許庁

The method of manufacturing the silicon nitride film includes a step of depositing the silicon nitride film at a film depositing temperature lower than 200°C by a plasma chemical vapor deposition method using a silicon source gas, a nitrogen source gas and a raw material gas containing a hydrogen on a substrate.例文帳に追加

基体上に、珪素源ガス、窒素源ガス及び水素を含む原料ガスを用いたプラズマ化学気相成長法により、２００℃未満の成膜温度で、窒化シリコン膜を成膜する工程を具備することを特徴とする。 - 特許庁

A copper foundation film is formed on the surface of the resin substrate cleaned by ion irradiation or neutral atom irradiation, etc., by vapor deposition or sputtering, and copper foil is press-bonded to the formed copper foundation film.例文帳に追加

イオン照射あるいは中性原子照射等による清浄化処理を施した樹脂基板の表面に銅の下地膜を蒸着あるいはスパッタリングによって形成し、形成された銅の下地膜上に銅箔を加圧接合する。 - 特許庁

Next, a carbon nanotube 104 in which a carrier has been doped by a fine particle 103 is grown up by a thermal chemical vapor deposition method using a raw material gas consisting of at least one of benzylamine and boric acid triisopropyl in a step S103.例文帳に追加

次に、ステップＳ１０３で、ベンジルアミンおよびホウ酸トリイソプロピルの少なくとも１つからなる原料ガスを用いた熱化学気相成長法により、微粒子１０３よりキャリアがドープされたカーボンナノチューブ１０４を成長する。 - 特許庁

To provide a method for using activated nitrogen atom, capable of solving problems in the case using conventional ammonia as nitrogen feed source in MOCVD method (organometallic compound chemical vapor deposition method) for growing a III group metal nitride thin film on a substrate.例文帳に追加

基板上にIII族金属窒化物薄膜を成長させるＭＯＣＶＤ法において、従来のアンモニアを窒素供給源として使用する場合の課題を解決し得る、活性化窒素原子を使用する方法を提供すること。 - 特許庁

Thus, an austenitic stainless steel foil having crystal orientation properties preferable for a vapor deposition substrate of a high-temperature superconducting material is produced, while greatly reducing the production cost of the material.例文帳に追加

これにより、高温超伝導材料の蒸着基板として望ましい結晶配向性を有するオーステナイト系ステンレス鋼箔を製造することが可能になり、高温超伝導材料の製造コストを大幅に低減することが可能になる。 - 特許庁

The spectroscopic detection mechanism 18 includes a spectroscopic detector 182, and detects the emission spectrum of a plasma area when ions at least in plasma collide with the target 13 to generate vapor deposition particles on a substrate Waf.例文帳に追加

分光検出機構１８は、分光検出器１８２を含み、少なくともプラズマ中のイオンがターゲット１３に衝突して基板Ｗａｆへの蒸着粒子が生成される際のプラズマ領域の発光スペクトルを検出する。 - 特許庁

The electrode 52 is constituted as a laminated film of a gate electrode base film 48 formed by electron gun vapor deposition or sputtering and a gate electrode metallic layer 51 formed on the film 48 by electroplating.例文帳に追加

ゲート電極は、電子銃蒸着法又はスパッタ法で形成されたゲート電極下地膜４８と、ゲート電極下地膜上に電解メッキ法によって被着させたゲート電極金属層５１との積層膜として構成されている。 - 特許庁

Particularly, a high frequency plasma enhances chemical vapor deposition(PECVD) is adopted, preferably, together with an acetylene-ammonia compound, and moreover, cobalt is typically used as catalytic metal, so that the above result can be obtained.例文帳に追加

特に、本発明は高周波プラズマ・エンハンストか悪気相成長法（ＰＥＣＶＤ）を、好ましくは、アセチレン−アンモニア化合物と共に、また、典型的には触媒金属としてコバルトを使用し、前記のような結果を得ることができる。 - 特許庁

To obtain a carbon nanotube which can directly be used as an electron emission source in a cold cathode type picture display device without removing a porous inorganic carrier on which a metallic catalyst is supported by a thermochemical vapor deposition method.例文帳に追加

熱化学気相成長法により、金属触媒を担持させた多孔性無機担体を除去することなく、直接、冷陰極型画像表示装置の電子放出源として使用することができるカーボンナノチューブを得ることを目的とする。 - 特許庁

To provide a simple method capable of obtaining a good quality ruthenium film superior in long-term preservation stability, furthermore, little in residual impurities, and also capable of forming ruthenium film by using the material for chemical vapor deposition.例文帳に追加

長期間の保存安定性に優れ、しかも残留不純物量が少ない良質なルテニウム膜を得ることができるおよびその化学的気相材料を用いてルテニウム膜を形成する簡易な方法を提供すること。 - 特許庁

The packaging material for the retort comprises at least a polyethylene terephthalate film layer, a vapor deposition layer of an inorganic oxide and a film layer comprising a polyethylene film or an ethylene/α-olefin copolymer polymerized using a single site catalyst.例文帳に追加

少なくとも、ポリエチレンテレフタレートフィルム層、無機酸化物の蒸着フィルム層、および、シングルサイト触媒を用いて重合したエチレンまたはエチレン−αオレフィン共重合体フィルム層からなることを特徴とするレトルト用包材。 - 特許庁

This hard vinyl chloride base material covered with a metal is covered with a metal film layer by vapor deposition through the surface modified layer of the base material, the surface modified layer being arranged on the surface of the base material composed of the hard vinyl chloride.例文帳に追加

硬質塩化ビニルからなる基材の表面に表面改質層が設けられ、前記基材の表面改質層を介して、蒸着による金属薄膜層が被覆してなる金属被覆された硬質塩化ビニル基材。 - 特許庁

In the method of treating the aluminum nitride thin film for the purpose of improving surface and bonding characteristics, microwave plasma treatment is carried out, after the vapor deposition of the aluminum nitride thin film, as a step of aftertreatment for the thin film.例文帳に追加

表面及び結合特性の向上を目的とする窒化アルミニウム薄膜の処理方法において、窒化アルミニウム薄膜蒸着後に前記薄膜の後処理工程としてマイクロ波プラズマ処理をすることを特徴とする。 - 特許庁

Thus, e.g., in the case the insulating film is vapor-deposited on a substrate 6 arranged in the vacuum vessel 7, the deposition of the insulating film evaporated in the vacuum vessel 7 on the surface of the anode 5 can be suppressed.例文帳に追加

それにより、例えば真空容器７内に配置された基板６に絶縁膜が蒸着される場合に、真空容器７内で蒸発せしめられた絶縁膜が陽極５の表面に堆積してしまうのを抑制することができる。 - 特許庁

This vapor deposition apparatus has a flow-rate control device 6 for individually controlling amounts of a spouted gas to a plurality of sectioned regions by which a plurality of gas-spouting holes in a shower head 14 are concentrically sectioned from the center part toward the outer perimeter.例文帳に追加

シャワーヘッド１４における複数のガス噴出孔を中心部から外周に向かって同心に区画した複数の領域に対して、ガスの噴出量を個別に制御する流量制御装置６が設けられている。 - 特許庁

The metallic luster thermal transfer recording medium keeps at least a release layer, an anchor layer, a metal vapor deposition layer, and an adhesion layer laid overlying a base, with a transfer control layer interposed between the base and the release layer.例文帳に追加

基材上に少なくとも離型層、アンカー層、金属蒸着層、接着層を積層した金属光沢熱転写記録媒体において、基材と離型層の間に転写制御層を設ける金属光沢転写記録媒体である。 - 特許庁

The vapor deposition part 3 is formed by a sputtering method, and the part where it is not formed is set to be one or more regions selected from an IH part B, an infrared heating part A, a liquid crystal display part D, and a light emitting element display part C.例文帳に追加

そして、蒸着膜３は、スパッタ法により形成し、また非形成部は、ＩＨ部Ｂ、赤外線加熱部Ａ、液晶表示部Ｄ、及び発光素子表示部Ｃの中から選択した一またはニ以上の領域とする。 - 特許庁

To provide a substrate which simultaneously satisfies the formation of a seed crystal for crystal growth and the formation of random recesses in the interface of a substrate and a crystal layer, when a crystal for an LED (Light Emitting Diode) is grown on the substrate by CVD (Chemical Vapor Deposition).例文帳に追加

基板の上にＣＶＤでＬＥＤのための結晶成長させるとき、結晶成長の種結晶を形成することと、基板と結晶層の界面にランダムな凹みを設けることを同時に満たす基板を提供する。 - 特許庁

Further, the vapor deposition pot is provided with heaters for the evaporation chamber and heaters for the pressure-controlling chamber in which temperature can be set mutually independently so as to hold the temperature of the pressure-controlling chamber to the one higher than that of the evaporation chamber.例文帳に追加

更に、前記蒸着坩堝には、前記圧力制御室の温度を、前記蒸発室の温度より高く保つように、互いに独立して温度設定が可能な蒸発室用ヒータと圧力制御室用ヒータとを設けた。 - 特許庁

This electrophotographic photosensitive body is constituted in such a manner that a film is formed by a vapor deposition method using the metallic complex in which nitrogen atom, oxygen atom and metallic ion have a specified coordination environment and, thereupon, a charge generation layer and a charge transport layer are successively formed.例文帳に追加

本発明は、窒素原子と酸素原子と金属イオンが特定の配位環境を有する金属錯体を蒸着法により形成した膜とし、その上に順次、電荷発生層、電荷輸送層を形成する構成である。 - 特許庁

To provide a high density plasma chemical vapor deposition apparatus in which a PID phenomenon is suppressed while maintaining gap fill capability at a forming process for an HDP CVD, and to provide a method for manufacturing a semiconductor element using the apparatus.例文帳に追加

ＨＤＰ ＣＶＤの形成工程時にギャップフィル能力を維持しながらも、ＰＩＤ現象を抑制できる高密度プラズマ化学気相蒸着装置及びそれを用いた半導体素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a duplex zone showerhead with which step coverage of the metal thin film, vapor deposition speed, texture, adhesion characteristic or the like can be improved by uniformly carrying out the chemical treatment when a metal thin film is vapor-deposited by a CVD method with chemical treatment using a catalyst or the like and to provide a chemical-enhanced CVD using the same.例文帳に追加

触媒などの化学的処理によってＣＶＤ法で金属薄膜を蒸着するときに化学的処理を均一に行なえるようにすることで、金属薄膜のステップカバレッジ、蒸着速度、テクスチャ、接着特性などを改善することができるデュプレックスゾーンシャワーヘッド及びこれを適用するケミカルエンハンストＣＶＤ装置を提供すること。 - 特許庁

The thin film deposition system comprises: a treatment chamber; a treatment vapor application part applying treatment vapor to the first electrodes 91 and the second electrodes 92 of a plurality of crystal oscillators 9 in the treatment chamber; and an exhaust part provided at the bottom of the treatment chamber and exhausting a gas in the treatment chamber from the lower parts of the plurality of crystal oscillators 9.例文帳に追加

無機膜形成装置は、処理チャンバ、処理チャンバ内において複数の水晶振動子９の第１電極９１および第２電極９２に処理蒸気を付与する処理蒸気付与部、および、処理チャンバの底部に設けられて複数の水晶振動子９の下方から処理チャンバ内のガスを排気する排気部を備える。 - 特許庁

To provide a production method for a barrier film by which in a step of vapor-depositing an inorganic oxide on a base material, the electrification of secondary electrodes to the barrier film is prevented while maintaining high efficiency of reaction between oxygen plasma and metal evaporated matter evaporated from a vapor deposition source etc., thereby damage to the barrier film can be prevented while maintaining high productive efficiency.例文帳に追加

基材に無機酸化物を蒸着する工程において、蒸着源より蒸発した金属蒸発物等と酸素プラズマとの高い反応効率を維持しつつバリア性フィルムへの２次電子の帯電を防止することにより、高い生産効率を維持しつつバリア性フィルムの損傷を防止することのできるバリア性フィルムの製造方法を提供する。 - 特許庁

This radiological image conversion panel having a stimulable phosphor layer on a support has a characteristic wherein the stimulable phosphor layer is formed by a vapor-phase method (namely, a vapor-phase deposition method) so as to have the film thickness of 50μm -1 mm and a protection layer having a thermoplastic resin is formed on the phosphor layer.例文帳に追加

支持体上に輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変換パネルにおいて、輝尽性蛍光体層が気相法（気相堆積法ともいう）により５０μｍ〜１ｍｍの膜厚を有するように形成され、該蛍光体層上に熱硬化性樹脂を有する保護層が形成されることを特徴とする放射線像変換パネル。 - 特許庁

The deposit apparatus 26 includes a processing container housing the wafer W, a holding table provided in the processing container for holding the wafer W, a resist film vapor deposition head 72 supplying vapor of a molecule resist of a low-molecular compound to the wafer W held by the holding table, and a vacuum mechanism depressurizing an atmosphere inside the processing container to a vacuum atmosphere.例文帳に追加

成膜装置２６は、ウェハＷを収容する処理容器と、処理容器内に設けられ、ウェハＷを保持する保持台と、保持台に保持されたウェハＷに対して、低分子化合物の分子レジストの蒸気を供給するレジスト膜用蒸着ヘッド７２と、処理容器内の雰囲気を真空雰囲気に減圧する減圧機構と、を有している。 - 特許庁

To provide a surface treatment method for stably vapor depositing an easily oxidizable vapor deposition material such as aluminum on an article to be treated such as a rare earth based permanent magnet without taking a long time for obtaining high vacuum degree and without using a special device, to provide a surface treatment apparatus suitable for performing this method, and the like.例文帳に追加

高い真空度を得るために長時間をかけたり、特別の装置を使用したりすることなく、アルミニウムのような易酸化性蒸着材料を希土類系永久磁石のような被処理物に安定に蒸着させるための表面処理方法、この方法を実施するために好適な表面処理装置などを提供すること。 - 特許庁

The surface treatment method is characterized in that a wire type Al vapor deposition material containing Cu and/or Mg is vaporized while continuously supplied to a heated melting and vaporizing section so as to vapor deposit an Al coating film containing Cu and/or Mg by 0.1 wt.% to 20 wt.% on the surface of the object to be treated.例文帳に追加

本発明の表面処理方法は、Ｃｕおよび／またはＭｇを含むワイヤー状Ａｌ蒸着材料を、加熱した溶融蒸発部に連続供給しながら蒸発させることで、Ｃｕおよび／またはＭｇを０．１ｗｔ％〜２０ｗｔ％含むＡｌ被膜を被処理物の表面に蒸着形成することを特徴とする。 - 特許庁

With the manufacturing method of an electronic device or a plastic board for an organic EL element with a vapor barrier layer and a gas barrier layer, the vapor barrier layer and the gas barrier layer are made of inorganic/organic laminated films consisting of at least a pair of an inorganic layer and an organic layer, and that, the organic layer is formed by a thermochemical deposition method or a plasma polymerization method.例文帳に追加

水蒸気バリア層、及びガスバリア層を有する電子デバイス、又は有機ＥＬ素子用プラスチック基板の製造方法であって、水蒸気バリア層、及びガスバリア層を少なくとも一対の無機層と有機層とからなる無機／有機積層膜で形成し、且つ有機層を熱化学蒸着法、或いはプラズマ重合法を用いて形成することである。 - 特許庁

To provide a method for solving such problems that negative electric charge is charged on a plastic film, etc., by the incidence of a released secondary electron and abnormal discharge is generated just before winding and damage/fracture of deposited film is caused when an insulating evaporation material such as silicon oxide is vapor-deposited on a plastic film, etc., in a winding type electron beam vacuum vapor deposition device.例文帳に追加

巻き取り式電子ビーム真空蒸着法において、プラスチックフィルム等に酸化珪素等の絶縁性からなる蒸発物質を蒸着する際、放出される２次電子の入射により、プラスチックフィルム等に負の電荷が帯電し、巻き取る直前に異常放電が発生し、蒸着膜の損傷・破壊を招く問題を解決する方法を提供する。 - 特許庁

The transparent polyester film for vapor deposition and the transparent vapor-deposited polyester film each comprises a biaxially oriented polyester film characterized in that it satisfies a thickness of 5 to 100 μm, a surface oligomer content of 20 mg/m^2 or lower, a film melting subpeak temperature Ts of 190 to 235°C, and a film diethylene glycol content of 2.0 wt.% or lower.例文帳に追加

本発明の透明蒸着用ポリエステルフイルム及びその透明蒸着ポリエステルフイルムは、２軸配向ポリエステルフイルムであって、表面オリゴマー量が２０ｍｇ／ｍ^２以下であり、フイルムの融解サブピーク Ｔｓが１９０〜２３５℃であり、フイルム中のジエチレングリコール量が２．０重量％以下である厚さ５〜１００μｍを満たすことを特徴とするものである。 - 特許庁

The thermal transfer sheet is provided wherein a metallic luster layer area having a specular brightness equal to that of an aluminum vapor deposited film by applying or printing a highly bright coating agent onto one side of a substrate film of the thermal transfer sheet while a method for forming the metallic luster layer area is formed by not using the metal vapor deposition but coating or printing.例文帳に追加

熱転写シートの基材フィルムの片面に、高輝度コーティング剤を塗布または印刷することによって、アルミニウム蒸着膜と同等の鏡面状の輝度を持つ金属光沢層領域を形成した熱転写シート、および金属蒸着ではなく、塗布または印刷することによって該金属光沢層領域を形成する方法。 - 特許庁

A packaging laminate 1 is constituted by providing a barrier layer 4 comprising a vapor deposition membrane 3 of inorg. oxide by a plasma chemical vapor growth method on one surface of an unstretched polypropylene film 2 with a thickness of 15-50 μm and applying a substrate film to the surface of the barrier layer 4 through an adhesive layer 6 by dry lamination.例文帳に追加

厚さ１５〜５０μｍの無延伸ポリプロピレンフィルムの一方の面に、プラズマ化学気相成長法による無機酸化物の蒸着薄膜からなるバリア層を設け、更に、該バリア層の面に、ラミネ−ト用接着剤層を介して、基材フィルムをドライラミネ−トした構成からなることを特徴とするスナック食品包装用積層体に関するものである。 - 特許庁

In the method for manufacturing a magnetic recording medium by forming at least a magnetic layer on a substrate and then forming a lubrication layer by vacuum vapor deposition, the lubrication layer is formed by using a lubricant refined to have regulated mol.wt. and depositing the vapor of the lubricant on the magnetic layer or on a protective layer formed on the magnetic layer.例文帳に追加

基板上に少なくとも磁性層を形成した後、真空蒸着法によって潤滑層を形成する磁気記録媒体の製造方法において、分子量精製された潤滑剤を用い、潤滑剤蒸気を前記磁性層又は磁性層上に形成した保護層の表面に蒸着させることにより前記潤滑層を形成する。 - 特許庁

The method for manufacturing carbon nanotubes includes the processes of: preparing a substrate tilted in a one-dimensional or two-dimensional direction from a specified crystallographic orientation with high symmetry; vapor-depositing a catalyst metal along the atomic steps appearing on the substrate surface; and growing carbon nanotubes by chemical vapor deposition (CVD) on the catalyst metal as nuclei.例文帳に追加

特定の対称性の高い結晶方位から１次元方向又は２次元方向に傾いた基板を用意し、その基板表面に現れる原子ステップに沿って触媒金属を蒸着する工程と、その触媒金属を核としてカーボンナノチューブをケミカルベーパーデポジション（ＣＶＤ）成長させる工程を含む、カーボンナノチューブの製造方法。 - 特許庁

In the manufacturing method forming a positive electrode made of lithium manganate on a substrate by a vapor phase method, a manganese oxide is used as a raw material of manganese of lithium manganate or a partial substitution compound of lithium manganate, the manganese oxide is put into a vapor deposition source container 61, and energy for vaporization is applied in oxygen-containing atmosphere.例文帳に追加

気相法によって基材上にマンガン酸リチウムの正極を形成する、製造方法であって、マンガン酸リチウムまたはマンガン酸リチウムの部分置換型化合物の、マンガンの原料に酸化マンガンを用い、酸化マンガンを蒸着源容器６１に入れ、酸素含有雰囲気中で、蒸発用エネルギーを投入することを特徴とする。 - 特許庁

A gaseous mixture of an organic silicon compound having aliphatically unsaturated radicals and comprising no oxygen in molecules (such as trimethyl vinyl silane) and aliphatically unsaturated hydrocarbon (such as ethylene or acetylene) is used as a reactive gas and is fed to the surface of a polylactic acid base material, and, by plasma CVD (Chemical Vapor Deposition), a vapor deposited film is deposited on the polylactic acid base material.例文帳に追加

脂肪族不飽和基を有し且つ分子中に酸素を有していない有機ケイ素化合物（例えばトリメチルビニルシラン）と、脂肪族不飽和炭化水素（例えばエチレン或いはアセチレン）との混合ガスを反応性ガスとして使用し、該反応性ガスをポリ乳酸基材上に供給してのプラズマＣＶＤにより、ポリ乳酸基材上に蒸着膜を形成する。 - 特許庁

The vapor deposition angle is controlled and the uniform alignment layer can be obtained by providing a slit between a substrate and a vaporization source and applying an electric field to the slit, in alignment control of a liquid crystal display panel wherein an inorganic compound is vapor- deposited from a direction oblique to the substrate, with respect to the manufacturing method and the manufacturing equipment for the liquid crystal device.例文帳に追加

液晶装置の製造方法及び製造装置に関して、基板に対して斜め方向から無機化合物を蒸着して行う、液晶表示パネルの配向制御において、基板と蒸発源との間にスリットを設け、前記スリットに電界をかけることで蒸着角を制御し均一な配向膜を得ることができる。 - 特許庁

To provide a method capable of forming a thin film consisting of a compound of a plurality of materials greatly varying in melting points and consequently greatly varying in vapor pressures by a vacuum vapor deposition method and of obtaining a compound thin film having sufficient characteristics by performing a heat treatment within the same vacuum condition and to provide a method for forming an MbB_2 superconducting thin film by using the above method.例文帳に追加

融点が大きく異なる、従って、蒸気圧が大きく異なる複数の物質の化合物からなる薄膜を、真空蒸着法で形成でき、かつ、同一真空内で熱処理して十分な特性の化合物薄膜を得ることができる方法を提供し、また、この方法を用いたＭｇＢ_２ 超伝導薄膜の形成方法を提供する。 - 特許庁

The retardation compensating element 10 comprises one birefringence laminated body 10A or a plurality of birefringence laminated bodies 10A constituted by laminating (a) layers (a≥2) of inorganic oblique vapor deposition films 13A to 13D having different oblique vapor deposition directions on a surface of a translucent base material 11.例文帳に追加

位相差補償素子１０は、透光性基材１１の表面に斜方蒸着方向の異なるａ層（ａ≧２）の無機斜方蒸着膜１３Ａ〜１３Ｄが積層された複屈折性積層体１０Ａを、単数又は複数備えたものであり、複屈折性積層体１は、第ｉ番目（１≦ｉ≦ａ）に成膜された無機斜方蒸着膜１３Ａ〜１３Ｄのレターデーション値ｄ・Δｎ（ｄは膜厚、Δｎは複屈折率）をＲｅ（ｉ）としたとき、下記式（i）及び（i i）を充足するものである。 - 特許庁

The moving apparatus for the deposition source comprises: a shelf mounted/fixed with a vapor deposition apparatus; a drive shaft coupled with the shelf in such a way that the shelf can be selectively reciprocated to the vertical direction; and a weight-reducing member in such a way the shelf is coupled with one end part and a counterweight is mounted with the other end.例文帳に追加

蒸着機が搭載／固定された棚と、この棚が選択的に垂直往復移動されることができるように連動設置された駆動軸と、棚が一端部と締結されて、カウンターウェイトが他端部に装着された重さの軽減部材と、が具備されてなされることを特徴とする蒸着源用移動装置を提供する。 - 特許庁

In the method for depositing a nanocrystal silicon thin film on a substrate, the thin film is deposited at least with a hydrogen gas and a silane based gas as raw materials by a plasma chemical vapor deposition process, the pressure at the inside of the film deposition chamber is reduced, and further, a pulse bias is applied to the substrate.例文帳に追加

基板上にナノ結晶シリコン薄膜を形成する成膜方法であって、該薄膜は少なくとも水素ガス及びシラン系ガスを原料としてプラズマ化学気相成長法により成膜され、成膜室内が減圧されるとともに前記基板にパルスバイアスが印加されることを特徴とするナノ結晶シリコン薄膜の成膜方法とする。 - 特許庁