意味 | 例文 (999件) |
Vapor Depositionの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 5223件
The metal vapor deposition composite sheet is constituted by bonding the thermoplastic film and the nonwoven fabric through an adhesive and a metal layer is formed on the surface on the side opposite to the bonding surface with the nonwoven fabric of the film.例文帳に追加
本発明の複合シートは、熱可塑性フィルムと不織布とが接着剤を介することなく接着されてなり、該フィルムの不織布との接着面に対して反対側の表面に金属層が形成されていることを特徴とするものである。 - 特許庁
A recording track T1 formed by vapor deposition of a spiral magnetic body is formed on the front face of a magnetic recording medium, and a recording track T0 which is spiral in the same direction as the recording track T1 on the front face is formed on the rear face as shown by a dotted line.例文帳に追加
磁気記録媒体は、渦巻状の磁性体を蒸着した記録トラックT_1 と、裏面にも点線で示すように表面方向から見て表面の記録トラックT_1と同一方向で渦巻状とされた記録トラックT_0 が形成されている。 - 特許庁
The method includes a step of, flowing a plurality of reaction gases consisting of SiH4, N2, NH3 and N2O in identical point of time without the bypass of SiH4 gas, and a step of carrying out a vapor deposition of a PE-SiON film material by turning on the HF-RF power in the chamber.例文帳に追加
SiH_4ガスのバイパスなしにSiH_4、N_2、NH_3、N_2Oの複数の反応ガスを同一時点でチャンバ内にフローさせる段階と、前記チャンバにHF−RFパワーをターンオンさせてPE−SiON膜質蒸着をなす段階と、を含む。 - 特許庁
To provide a semiconductor manufacturing apparatus which utilizes plasma and is adaptable to plasma etching, physical or chemical vapor deposition, photoresist stripping and the like to be used for semiconductor wafers, flat-panel displays, printed circuit boards, and a variety of thin-film work processes.例文帳に追加
半導体ウェーハ、平板画面、印刷回路基板及び多様な薄膜加工工程で使用されるプラズマエッチングと物理的または化学的蒸気蒸着法、フォトレジストストリッピング等に適用されるプラズマを利用した半導体製造装置を提供する 。 - 特許庁
To provide conditions to form a high-performance stain proof layer having durability being at a practically sufficient level for producing a fluorine-containing organic silicon compound so as to mainly impart a stain-proof function in a dry process such as vapor deposition.例文帳に追加
蒸着等の乾式プロセスで主に防汚機能を付加するフッ素含有有機ケイ素化合物を形成する場合に、実用上満足できるレベルの耐久性を持つ高性能の防汚層を形成するための条件を提供する。 - 特許庁
To provide a method for forming an oxide superconductive film, which forms a thick oxide-superconductive film with high superconducting characteristics by improving a film-forming rate, in the method for forming the oxide superconductive film with the use of a laser vapor-deposition process.例文帳に追加
レーザー蒸着法を用いる酸化物超電導膜の成膜方法において、成膜速度を向上させて、高超電導特性の酸化物超電導膜の厚膜を成膜できる酸化物超電導膜の成膜方法の提供を課題とする。 - 特許庁
The method for manufacturing the catalyst for synthesizing isobutylene includes a process of chemical gas phase vapor deposition of at least one kind of element selected from the group consisting of tin, germanium, indium, gallium and lead on MFI structure zeolite containing platinum.例文帳に追加
白金を含有するMFI構造ゼオライトに対して、スズ、ゲルマニウム、インジウム、ガリウムおよび鉛からなる群から選ばれる少なくとも1種の元素を化学気相蒸着させる工程を含む前記イソブチレン合成用触媒の製造方法。 - 特許庁
In the method of depositing the gas barrier film, when a silicon nitride film is formed on a substrate as a gas barrier layer using capacitively coupled chemical vapor deposition, silane gas and ammonia gas are used as a gas material, and nitrogen gas is used as a discharge gas.例文帳に追加
本発明のガスバリア膜の成膜方法は、容量結合型CVD法を用いて窒化シリコン膜を基板にガスバリア膜として成膜するに際し、原料ガスとして、シランガスおよびアンモニアガスを用い、放電ガスとして、窒素ガスを用いる。 - 特許庁
To provide a group IV metal precursor having excellent volatility and thermal properties and chemical stability to hydrolysis, and suitable for the chemical vapor deposition for a multicomponent metal oxide thin film containing a group IV metal such as titanium in particular.例文帳に追加
優秀な揮発性と熱的特性を示し、加水分解に対する化学的安定性が卓越して特にチタニウムのようなIV族金属を含む多成分系金属酸化物薄膜の蒸着に適するIV族金属前駆体を提供する。 - 特許庁
To provide an oxygen gas barrier molding by imparting to the synthetic resin molding, oxygen gas barrier performance comparable to the silica film by the vapor deposition in the low temperature treatment and the short time processing, without using an expensive vacuum device by using a silazane compound.例文帳に追加
シラザン化合物を用いることで高価な真空装置を使用せず、低温処理ができ且つ短時間の処理で、蒸着法によるシリカ膜に匹敵する酸素ガスバリア性能を、合成樹脂成形体に付与させた酸素ガスバリア成形体を提供する。 - 特許庁
The aqueous dispersion gives a laminated film which has good oxygen barrier property and high adhesivity to polyolefin-based materials by coating on the vapor deposition layer surface of a plastic film on a substrate.例文帳に追加
この水性分散液は、基材上にセラミックの蒸着層を有するプラスチックフィルムの蒸着層面にコーティングされることによって、酸素バリア性に優れると共に、ポリオレフィン系の材料に対して優れた接着性を有する積層フィルムとなる。 - 特許庁
This electrode material of a lithium secondary battery is characterized in that a carbon fiber prepared by a vapor phase deposition method with multiple carbon network layers each forming a bottomless cup shape stacked and with the end faces of the carbon network layers exposed.例文帳に追加
本発明に係るリチウム二次電池の電極材では、底の無いカップ形状をなす炭素網層が多数積層した、気相成長法による炭素繊維であって、炭素網層の端面が露出している炭素繊維からなることを特徴とする。 - 特許庁
The first single crystal semiconductor layer is epitaxially grown to form a second single crystal semiconductor layer with the plasma chemical vapor deposition method using the silane system gas and hydrogen of 50 times or more in the flow rate ratio for the silane system gas as the raw material gas.例文帳に追加
シラン系ガスとシラン系ガスに対して流量比で50倍以上の水素とを原料ガスとして、プラズマ化学気相成長法により第1単結晶半導体層をエピタキシャル成長させて第2単結晶半導体層を形成する。 - 特許庁
To realize a ferroelectric capacitor including a strontium bismuth tantalate film having high remnant polarization density even with a thickness of 100 nm or thinner by the MOCVD (Metalorganic Chemical Vapor Deposition) method, especially the ferroelectric capacitor having a three-dimensional structure.例文帳に追加
MOCVD法により、100nm以下の膜厚においても高い残留分極密度を有するタンタル酸ストロンチウムビスマス膜を備えた強誘電体キャパシタ、特に立体的な構造を有する強誘電体キャパシタを実現できるようにする。 - 特許庁
To provide a field-emission electron source and a manufacturing method of its carbon nanotube, that can reduce work function on the nanotube surface and increase emission current, by causing vapor-deposition of lithium on the carbon nanotube and using it as a cathode.例文帳に追加
カーボンナノチューブにリチウムを蒸着させ陰極として用いることにより、ナノチューブ表面の仕事関数を下げ、放出電流の増大を図ることができる電界放出型電子源及びそのカーボンナノチューブの製造方法を提供する。 - 特許庁
To provide a vapor deposition apparatus which suppresses variation in the oscillation wavelength of a nitride base compound semiconductor element to be manufactured and manufactures a plurality of nitride base compound semiconductor elements having high yield from one semiconductor substrate.例文帳に追加
作製される窒化物系化合物半導体素子の発振波長のバラツキを抑え、一枚の半導体基板から良品の割合が高い窒化物系化合物半導体素子を複数作製することが可能な気相成長装置を提供する。 - 特許庁
When coating osmium on a metal plate 16, such as an iris plate of an electron microscope as a metal plate in which micropores are made, hydrogen gas is added in addition to sublimation gas, consisting of osmium oxide using the plasma excitation chemical vapor phase deposition method.例文帳に追加
例えば微小な孔を空けた金属板である電子顕微鏡の絞りプレート等の金属板16にオスミウムのコーティングを施す際に、プラズマ励起化学気相堆積法において、酸化オスミウムからなる昇華ガスに加えて水素ガスを添加する。 - 特許庁
After nitrogen ions and/or oxygen ions are injected in a mold surface, the vapor deposition of titanium or chromium and the injection of oxygen ions are simultaneously and/or alternately performed in a nitrogen gas atmosphere to form a titanium nitride film or chromium nitride film on the mold surface.例文帳に追加
型表面に窒素イオン又は/及び酸素イオンを注入した後、窒素ガス雰囲気内でチタン又はクロムの蒸着と酸素イオンの注入とを同時に/又は交互に行って型表面に窒化チタン又は窒化クロム膜を形成させる。 - 特許庁
A surface of the support body is processed with energy irradiation before forming the stimulable phosphor layer, in this manufacturing method for the radiographic image conversion panel having the stimulable phosphor layer formed by a vapor deposition method and a protection layer, on the support body.例文帳に追加
支持体上に、気相堆積法により形成した輝尽性蛍光体層及び保護層を有する放射線画像変換パネルの製造方法において、該輝尽性蛍光体層の形成前に支持体表面をエネルギー照射処理する。 - 特許庁
An active layer 5 is formed on this substrate, and then a semiconductor active layer 6 of different conductivity type is formed on the active layer 5 by a chemical vapor deposition method or a diffusion method so that a PN-joint face having a stereoscopic structure can be formed.例文帳に追加
この基板に、活性層5を形成し、次に、化学的気相成長法あるいは拡散法により、活性層5の表面に異種伝導型の半導体活性層6を形成して、立体的構造を持つPN接合面を形成する。 - 特許庁
To provide a solid carbon based evaporation source which does not require not only equipment for a solid carbon based vapor deposition source but also equipment for the other evaporation source at the time when a plurality of thin film layers including carbon based thin films are stacked to deposit on a substrate.例文帳に追加
基板上に炭素系薄膜を含む複数の薄膜層を積層して形成する際に、固体炭素系蒸着源用の設備に加えて、他の蒸発源用の設備を必要としない固体炭素系蒸発源を提供する。 - 特許庁
To provide a vapor deposition system where the componential composition composing a phosphor layer formed on a substrate is uniformized, and the brightness of a radiation image transformation panel composed of the phosphor layer can be uniformized, and to provide a radiation image transformation panel.例文帳に追加
基板に形成される蛍光体層を構成する成分組成の均一化を図り、この蛍光体層からなる放射線画像変換パネルの輝度の均一化を図ることができる蒸着装置及び放射線画像変換パネルを提供すること。 - 特許庁
To provide a liquid crystal device which can be prevented from having a defect in the alignment of liquid crystal due to abnormality of alignment film caused by a defective vapor-deposition area of an inorganic material occurred at a slope and its vicinity of a projection or recessed part of a base layer of an alignment film.例文帳に追加
配向膜の下地層の凸部又は凹部の斜面及びその近傍に生じた無機材料の蒸着不良領域による配向膜異常に起因して液晶の配向不良が起こることを防止できる液晶装置の提供。 - 特許庁
The magnetic recording medium has such constitution that a magnetic layer having a ferromagnetic metal thin film is formed at a main plane of a non-magnetic supporter of long-length, and a protective layer containing carbon formed by chemical vapor deposition utilizing an ion source including a hollow cathode is formed on this magnetic layer.例文帳に追加
長尺状の非磁性支持体の一主面に強磁性金属薄膜を有する磁性層を形成し、この磁性層上に、ホローカソードを含むイオン源を利用する化学気相成長法により炭素を含有する保護層を形成する。 - 特許庁
To provide a mask for vapor deposition in which, even when it is influenced by heat, and its intra-plane temperature distribution is made uneven, the adverse influence by the unevenness of the temperature distribution can be eliminated as possible, and which can correspond to patterning with high precision.例文帳に追加
蒸着用マスクが熱の影響を受けてその面内温度分布が不均一になる場合であっても、その温度分布の不均一さによる悪影響を極力排除することができ、高精度なパターニングに対応することを可能にする。 - 特許庁
To provide a method for producing a copper-containing film, in which a ruthenium-containing film is formed on a substrate by a chemical vapor deposition method (hereinafter referred to as a CVD method), and then a continuous copper-containing thin film is produced on the film.例文帳に追加
本発明の課題は、銅含有膜の製造に当たり、基板上にルテニウム含有膜を化学気相蒸着法(以下、CVD法と称する)した後、当該膜状に連続的な銅含有薄膜を製造する方法を提供することにある。 - 特許庁
Processing gas is exhausted from a CVD(chemical vapor deposition) reactor through a pumping gap 12, where the pumping gap 12 is so structured that its part near an exhaust pump 17 that communicates with a pumping path 13 is set smaller in cross sectional area than that of its other part located on the opposite side.例文帳に追加
CVDリアクタの処理ガスを排出する経路であるポンピングギャップ部12は、ポンピング流路13が連通する排気ポンプ17に近い側とその反対側とでは、断面積が排気ポンプ17側の方を小さく設定する。 - 特許庁
To provide a solution raw material for organic metal chemical vapor deposition hard to be frozen even in a cold district, and having excellent film compositional controllability and step coverage, and to provide a complex oxide dielectric thin film formed by using such raw material.例文帳に追加
寒冷地であっても凍結し難く、かつ優れた膜の組成制御性及び段差被覆性を有する有機金属化学蒸着法用溶液原料及び該原料を用いて作製された複合酸化物系誘電体薄膜を提供する。 - 特許庁
The composition ratio of the rare earth element RE to copper in the precursor thin film 102 formed is made to stoichiometry of the chemical formula RE_2CuO_4 by controlling the feed rate of the rare earth element RE and copper in vapor deposition.例文帳に追加
蒸着における希土類元素REおよび銅の供給量を制御することなどにより、形成される前駆体薄膜102における希土類元素REおよび銅の組成比を、化学式RE_2CuO_4の化学量論組成にする。 - 特許庁
A first granulated powder 15 or the second granutated 21 is made by using the granule 14 or the calcined powder obtained by crushing the granule after calcination and then, the ZnO vapor deposition material 17 comprising a ZnO sintered compact is produced through molding and sintering.例文帳に追加
粒状体14又はこれを仮焼後に解砕して得る仮焼粉末を用いて、第1造粒粉末15又は第2造粒粉末21を作製し、成形、焼結を経て、ZnO焼結体からなるZnO蒸着材17を作製する。 - 特許庁
To provide a method for producing high-purity lead bis (β-diketonate) used for forming Pb (Zr, Ti) O3 membrane which is a ferroelectric substance by CVD(chemical vapor deposition) method and having each ≤0.1 ppm of metallic element impurities substantially without containing particles with high yield.例文帳に追加
強誘電体のPb(Zr,Ti)O_3膜をCVD法で形成するための、金属元素不純物が各0.1ppm以下でかつパーティクルが実質的にない高純度の鉛ビス(β−ジケトネート)の高収率な製造方法を提供する。 - 特許庁
A vapor deposition mask is arranged, both ends of a mask frame 21 in which element substrates have been laid are supported by a transfer belt 200, a roller 100 revolves, and thereby the transfer belt 200 moves, and the mask frame 21 moves.例文帳に追加
蒸着マスクを配置し、素子基板が載置されたマスクフレーム21の両端部が搬送用ベルト200によって支えられ、回転ローラ100が回転することによって搬送用ベルト200が移動するとともにマスクフレーム21が移動する。 - 特許庁
Although Fig is not shown, but thereafter metal is deposited through the resist mask 12 by a vapor deposition method; and the metal located higher than the resist mask 12 is removed by a lift-off process to form the standard sample, wherein the recess parts of the silicon substrate 10 have been filled with the metal.例文帳に追加
図示を省略するが、その後、レジストマスク12の上から蒸着法によりメタルをデポジションし、リフトオフプロセスにより、レジストマスク12より上のメタルを除去し、シリコン基板10の窪み部にメタルが埋め込んだ標準サンプルを形成する。 - 特許庁
An engraving depth of a photogravure roll is made to be laterally symmetrical from around a central part toward around both ends and to be stepwise shallow, and an amount of gas barrier composition coated on an inorganic oxide vapor phase deposition membrane is reduced at the end parts.例文帳に追加
グラビアロールの彫刻の版深を、中央部近傍から両端部近傍に向けて左右対称、かつ段階的に浅くなるように設け、無機酸化物の蒸着膜上に塗布するガスバリア性組成物の端部の塗布量を減少させる。 - 特許庁
The partially or wholly fabricated tourmaline is adhered to the frame, etc., by using arbitrary methods, such as welding, vapor deposition, plating and adhering, and the fabricated tourmaline is adequately adhered by using the arbitrary methods of the tourmaline fabricated to an adequate width of the outer peripheries of the surfaces of the spectacle lenses.例文帳に追加
融着、蒸着、メッキ、接着等、任意の方法を用いて部分的にまた全体的に加工された電気石を付着したり、眼鏡レンズの表面の外周適宜幅に加工された電気石を任意の方法を用いて付着させたりする。 - 特許庁
Holding substrates 2 composed of various materials are pasted to a mask 1 in which various circuit patterns or the like are formed by adhesion or the other method, so as to be integrated; thus a high precision mask for vapor deposition stabilized to thermal expansion is composed.例文帳に追加
各種の回路パターン等が形成されたマスク1に対して種々の材料よりなる保持基板2を、接着あるいはその他の方法で貼り合わせて一体化し、熱線膨張に対して安定化した高精度な蒸着用マスクを構成する。 - 特許庁
A chemical vapor deposition system 10 includes: a housing 12 having an entry 30 and an exit 32; and a deposition chamber 14 defined by lower and upper housing 16, 18 having a seal assembly 22 at their horizontal junction which is higher than both the entry 30 and the exit 32, through which glass substrates G to be coated are introduced and exited from the deposition chamber 14.例文帳に追加
化学蒸着システム10は、入口30及び出口32を備えたハウジング12を備え、下側及び上側ハウジング部分16,18によって構成される堆積チャンバ14を有し、下側及び上側ハウジング部分16,18の水平結合部にシールアセンブリ22を備え、水平結合部は前記入口30及び出口32の双方よりも高い位置にあり、前記入口30は、コーティングされるガラスシート基板Gをチャンバ14に導入し、前記出口32は該コーティングガラスシート基板をチャンバ14から出す。 - 特許庁
To provide a printing ink composition for an alumina vapor-deposited film which has the excellent printability and adhesion to enable decoration printing when printing is performed on a transparent vapor deposition film on a surface of which an alumina is deposited, and has the excellent laminate suitability to expand the applicable field as a packaging container when lamination is performed.例文帳に追加
表面にアルミナが蒸着された透明蒸着フィルムに印刷された時に、優れた印刷適性及び接着性を有することで、美粧印刷を可能にするとともに、ラミネート加工が行われた場合には、優れたラミネート適性を有することで、包装容器として適用できる分野を拡大させる、アルミナ蒸着フィルム用印刷インキ組成物を提供する。 - 特許庁
The organic vapor deposition apparatus 1 includes a vacuum tank 2 in which a substrate 3 is arranged, a plurality of evaporation sources 5h, 5d, 6h, and 6d, arranged outside of the vacuum tank 2, and evaporating organic materials, and a surface evaporator 4 for discharging vapor of the evaporation material supplied from the plurality of evaporation sources 5h, 5d, 6h, and 6d toward the substrate 3.例文帳に追加
本発明の有機蒸着装置1は、基板3が配置される真空槽2と、真空槽2の外部に設けられ、有機材料を蒸発させる複数の蒸発源5h、5d、6h、6dと、複数の蒸発源5h、5d、6h、6dから供給された蒸発材料の蒸気を基板3に向って放出するための面蒸発器4とを備えている。 - 特許庁
This ALD thin film vapor deposition apparatus includes a reaction vessel 100 in which a wafer is incorporated and is vapor-deposited, a first reaction gas feeding line 220 connecting a first reaction gas feeding part 210 and the reaction vessel 100 and a cleaning gas feeding line 340 connected with the first gas feeding line 220 and feeding cleaning gas for cleaning the reaction vessel 100.例文帳に追加
ALD薄膜蒸着装置は、ウェーハが内蔵されて蒸着される反応容器100と、第1反応ガス供給部210と反応容器100とを連結する第1反応ガス供給ライン220と、第1反応ガス供給ライン220と連結されて反応容器100をクリーニングするためのクリーニングガスを供給するクリーニングガス供給ライン340とを含む。 - 特許庁
The radiation image conversion panel which has stimulable phosphor layers on a support is characterized in that at least one of the stimulable phosphor layers is formed by a vapor phase method (or a vapor phase deposition method) so that its film thickness will be 50 μm to 1 mm and two or more rare-earth compounds are contained in the phosphor composition.例文帳に追加
支持体上に輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変換パネルにおいて、少なくとも1層の該輝尽性蛍光体層が気相法(気相堆積法ともいう)により50μm〜1mmの膜厚を有するように形成され、蛍光体組成中に希土類化合物を2種類以上均一に含有していることを特徴とする放射線画像変換パネル。 - 特許庁
In a radiation image conversion panel having at least a stimulable phosphor layer on a support body, at least one layer of the stimulable phosphor layer is formed by a vapor phase method (also referred to as vapor phase deposition method) so as to have film thickness of 50 μm or more and grain size of the stimulable phosphor body in the layer is 90 nm or more.例文帳に追加
支持体上に、少なくとも1層の輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変換パネルにおいて、該輝尽性蛍光体層の少なくとも1層が、気相法(気相堆積法ともいう)により50μm以上の膜厚を有するように形成され、且つ、該層中の輝尽性蛍光体の結晶子サイズが90nm以上であることを特徴とする放射線画像変換パネル。 - 特許庁
In the process for producing the oxide superconductive thin film, an oxide superconductive thin film 13 is deposited on a substrate 10 including a sapphire single crystal substrate 11 so as to have the film thickness exceeding 0.7 μm without any crack, by a laser beam vapor deposition method in which the substance 4 scattered from a target 1 by irradiating the target 1 with laser beams 3 is vapor-deposited on the substrate.例文帳に追加
本発明の酸化物超電導薄膜の製造方法は、ターゲット1にレーザー光3を照射することによりターゲット1から飛散した物質4を基板10上に蒸着させるレーザー蒸着法により、サファイア単結晶基板11を含む基板10上に酸化物超電導薄膜13をクラックなしに0.7μmを超える膜厚で形成することを特徴とする。 - 特許庁
This radiological image conversion panel having a stimulable phosphor layer on a support has a characteristic wherein at least one stimulable phosphor layer is formed by a vapor-phase method (namely, a vapor-phase deposition method) so as to have the film thickness of 50μm - 1 mm, the support is constituted of a thermoplastic resin, and a carbon fiber is mixed in the thermoplastic resin.例文帳に追加
支持体上に輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変換パネルにおいて、少なくとも1層の該輝尽性蛍光体層が気相法(気相堆積法ともいう)により50μm〜1mmの膜厚を有するように形成され、該支持体が熱可塑性樹脂で構成され、熱可塑性樹脂中に炭素繊維が混合されていることを特徴とする放射線画像変換パネル。 - 特許庁
This radiological image conversion panel having a stimulable phosphor layer on a support has a characteristic wherein at least one stimulable phosphor layer is formed by a vapor-phase method (namely, a vapor-phase deposition method) so as to have the film thickness of 50μm - 1 mm and a protection layer having at least one layer of a thermoplastic resin is formed on the phosphor layer.例文帳に追加
支持体上に輝尽性蛍光体層を有する放射線画像変換パネルにおいて、少なくとも1層の該輝尽性蛍光体層が気相法(気相堆積法ともいう)により50μm〜1mmの膜厚を有するように形成され、該蛍光体層上に少なくとも1層の熱可塑性樹脂を有する保護層が形成されていることを特徴とする放射線画像変換パネル。 - 特許庁
Further there is provided a laminate layer 1 including a substrate 11, a cured coating film 12 formed by coating and curing the resin composition for undercoat for metal depositions on the substrate 11, a metal deposition layer 13 formed by vapor-depositing metal on the cured coating film 12, and a topcoat layer 14 formed by coating and curing a composition for topcoat on the metal deposition layer 13.例文帳に追加
さらに、基材11と、該基材11上に該金属蒸着向けアンダーコート用樹脂組成物を塗布硬化させて形成した硬化塗膜12と、該硬化塗膜12上に金属を蒸着させて形成した金属蒸着層13と、該金属蒸着層13上にトップコート用組成物を塗布硬化させて形成したトップコート層14とを有する積層体1。 - 特許庁
The method for manufacturing carbon nanotubes comprises a step of manufacturing a substrate equipped with a metal fine particle layer on a basic substrate by dropping and drying, on the basic substrate, a catalyst solution containing metal fine particles fabricated by an active liquid surface continuous vacuum deposition method, and a step of arranging the substrate in a chamber and subjecting the substrate to a chemical vapor deposition (CVD) treatment to manufacture the carbon nanotubes.例文帳に追加
活性液面連続真空蒸着法により作製した金属微粒子を含む触媒溶液を基礎基板上に滴下し乾燥させ基礎基板上に金属微粒子層を備える基板を製造する工程と、基板をチャンバー内に配置し基板に化学気相成長(CVD)処理しカーボンナノチューブを製造する工程とを含むカーボンナノチューブの製造方法。 - 特許庁
The method includes (a) a step of providing the template formed with CNT or CNT sequence, (b) a step of forming the inorganic nanotubes on the external side of the CNT by performing vapor deposition of inorganic materials on the template by an atomic layer deposition (ALD) method and (c) a step of obtaining the inorganic nanotubes or an inorganic nanotube sequence by the interrelated inorganic nanotubes by removing the CNT.例文帳に追加
イ)CNTまたはCNT配列が形成されたテンプレートを設ける段階と、ロ)原子層蒸着(ALD)法により前記テンプレート上に無機物の蒸着を行い、前記CNTの外側面に無機物ナノチューブを形成する段階と、ハ)前記CNTを除去して相互関連した無機物ナノチューブによる無機物ナノチューブまたは無機物ナノチューブ配列を得る段階とを含む。 - 特許庁
A manufacturing method for an electrode for a storage battery comprises: forming a metal layer including a side edge part on a current collector; and forming, as an active material layer, a crystalline silicon layer including silicon whisker on the current collector and a metal layer by a low pressure chemical vapor deposition (LPCVD) method for heating by deposition gas including silicon.例文帳に追加
集電体上に、辺縁部を有する金属層を形成し、集電体及び金属層上に、シリコンを含む堆積性ガスを用いて加熱する低圧化学蒸着(LPCVD:Low Pressure Chemical vapor deposition)法により、シリコンウィスカを含む結晶性シリコン層を活物質層として形成する蓄電電池用の電極の作製方法である。 - 特許庁
The method for depositing a film including a noble metal on the substrate in a reaction chamber comprises treatment with a hydrogen halide or gaseous halide of a metal halide or an organometallic compound and depositing a film including a noble metal reaction product and the noble metal derived from an oxygen-containing reaction product by using an atomic layer deposition process which is a vapor deposition process.例文帳に追加
反応チャンバ中の基板上に貴金属を含む薄膜を堆積するための方法であって、該方法は、以下を含む: 該基板を水素ハライド又は金属ハライドの気体ハライド又は有機金属化合物を用いて処理すること;及び 貴金属反応物及び酸素含有反応物からの該貴金属を含む薄膜を、気相堆積プロセスである原子層堆積プロセスを用いて堆積すること。 - 特許庁
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