「Vapor Deposition」に関連した英語例文の一覧と使い方(94ページ目) - Weblio英語例文検索

In the process for heating a porous glass synthesized by the vapor phase deposition in the presence of a fluorine compound, the fluorine compound and a substance which reacts with the fluorine compound and liberates fluorine gas are simultaneously added to liberate fluorine gas into the atmosphere where the porous glass is present.例文帳に追加

気相法により合成した多孔質ガラスをフッ素化合物の存在下で加熱する工程にて、フッ素化合物および該フッ素化合物と反応してフッ素ガスを遊離する物質を同時に添加し、前記多孔質ガラスの存在する雰囲気中にフッ素ガスを遊離する。 - 特許庁

The method for forming the refractory metal nitride film, in which the refractory metal nitride film is formed according to a chemical vapor phase deposition method by using a source gas and a reduction gas containing a refractory metallic alkyl amino compound, comprises a step of activating the reduction gas.例文帳に追加

高融点金属のアルキルアミノ化合物を含むソースガスと還元性ガスとを使用して半導体基板上に化学気相成長法により高融点金属窒化膜を形成する高融点金属窒化膜の形成方法であって、還元性ガスを活性化する工程を含むことを特徴とする。 - 特許庁

In the piezoelectric ceramic vibrator comprising the vibration electrode 3 formed on both principal faces of the piezoelectric ceramic plate 1, the vibration electrode 3 has a background layer 3a formed on the piezoelectric ceramic plate 1 by electroless plating and a vapor-deposition film 3b formed on the background layer 3a.例文帳に追加

圧電磁器板１の両主面に振動電極３を形成してなる圧電磁器振動体であって、振動電極３が、圧電磁器板１上に無電解メッキにより形成された下地層３ａと、該下地層３ａに設けられた蒸着膜３ｂとにより形成されていることを特徴とする。 - 特許庁

As a result, even when the alignment layer 16 is formed by using an oblique vapor deposition method in a state in which a level difference section 17 is arranged on the third interlayer insulating film 43, the alignment layer 16 is formed over the entire level difference section 17 and a pixel electrode 9a, without unevenness.例文帳に追加

この結果、第３層間絶縁膜４３上に段差部１７を設けた状態で斜方蒸着法を用いて配向膜１６を形成した場合でも、段差部１７及び画素電極９ａ上全体にムラなく配向膜１６が形成されていることになる。 - 特許庁

The radiographic image conversion panel is composed by forming the stimulable phosphor layer 12 on the side of a heat-resistant resin layer 11b of a support 11, consisting of a substrate 11a and the layer 11b coating at least one surface of the substrate 11a by vapor phase deposition method.例文帳に追加

基板１１ａと該基板１１ａの少なくとも一方の面に塗設された耐熱性樹脂層１１ｂとからなる支持体１１の前記耐熱性樹脂層１１ｂ側に輝尽性蛍光体層１２が気相堆積法により形成されてなる放射線画像変換パネルである。 - 特許庁

To improve worsening of moisture-proofness caused by breakage of a vapor-deposition layer in a moisture-proof protection film to allow usage in a satisfactory condition for a long period, in a radiation image converting panel using stimulable phosphor.例文帳に追加

本発明の目的は、輝尽性蛍光体を用いた放射線画像変換パネルにおいて、防湿性保護フィルムの蒸着層の破壊による防湿性低下が改良され、長期間に渡り良好な状態で使用することの出来る放射線画像変換パネルを提供することにある。 - 特許庁

The optical fiber preform which is a preform for a porous structure optical fiber including a photonic crystal optical fiber comprises a core passed with a light, a clad of a porous structure for surrounding the core, and the outermost clad which is surrounded by the outside of the clad of a porous structure and is formed by the method of vapor-phase axial deposition.例文帳に追加

光子結晶光ファイバーを含む多孔構造光ファイバー用母材であって、光が通過するコアと、コアを取り囲む多孔構造のクラッドと、多孔構造のクラッドの外側を取り囲み、気相軸蒸着法で形成された最外側のクラッドと、を備える光ファイバー母材である。 - 特許庁

The problems are solved by providing the oxide superconductor tape filament in which the oxide superconductor is formed on the Ag substrate for the oxide superconductor by means of a chemical vapor phase deposition method in which silver minute particles are laminated and heat-melting treated on the surface of crystal-oriented silver or silver alloy.例文帳に追加

結晶配向された銀或いは銀合金表面に銀微粒子が積層され、加熱溶融処理された酸化物超電導体用銀基材上に、化学的気相法によって酸化物超電導体が成膜された酸化物超電導体テープ線材とすることによって、解決される。 - 特許庁

To provide a method for correcting a photomask deficiency defect by which an FIB (focused ion beam) correction device can be used as a tool to correct a minute edge deficiency defect portion in a circuit pattern part, the deficiency defect region of the circuit pattern part is subjected to vapor deposition with high accuracy, and the photomask having excellent cleaning durability can be obtained.例文帳に追加

回路パターン部の微小なエッジ欠損欠陥部を修正するツールとしてＦＩＢ修正装置を用いることができ、精度良く回路パターン部の欠損欠陥領域に蒸着するとともに、フォトマスクの耐洗浄性に優れたフォトマスク欠損欠陥修正方法を提供する。 - 特許庁

To further improve a method for recycling an organometallic compound for MOCVD(Metal Organic Chemical Vapor Deposition) in which an unreacted organometallic compound is extracted from a used raw material having been subjected to a CVD stage and is recycled and to provide a method for efficiently extracting an organometallic compound of higher purity.例文帳に追加

本発明は、薄膜形成工程を経た使用済み原料から未反応の有機金属化合物を抽出するＭＯＣＶＤ用の有機金属化合物のリサイクル方法であって、この使用済み原料を改質処理した後に、未反応の有機金属化合物を抽出するものである。 - 特許庁

To obtain a high-purity Bi(dpm)3 [bismuth tris(dipivaloylmethanate)] used as a bismuth raw material for producing a ferroelectric thin film such as SrBi2Ta2O9 or an oxidic superconductive thin film such as Bi2Sr2CaCu2O8 by CVD(chemical vapor deposition) method and having high heat stability and good sublimability when supplied.例文帳に追加

ＳｒＢｉ_２Ｔａ_２Ｏ_９などの強誘電体薄膜やＢｉ_２Ｓｒ_２ＣａＣｕ_２Ｏ_８などの酸化物超電導体薄膜をＣＶＤ法で作製するためのビスマス原料として、供給時に、熱安定性が高く、よく昇華する高純度のＢｉ（ｄｐｍ）_３を提供する。 - 特許庁

The active matrix substrate 61 has: a reflection electrode 30 having a flattened surface; a second insulating film 32 arranged on the reflection electrode 30 and having a flattened surface; and an alignment layer 33 arranged on the second insulating film 32 and composed of an oblique vapor deposition film.例文帳に追加

アクティブマトリクス基板６１は、表面が平坦化された反射電極３０と、反射電極３０上に配置され且つ表面が平坦化された第２の絶縁膜３２と、第２の絶縁膜３２上に配置され且つ斜方蒸着膜からなる配向膜３３とを有する。 - 特許庁

A state with a mold pattern 121 formed is provided by processing a silicon carbide film 102 formed by the chemical vapor deposition process.例文帳に追加

ＣＶＤ法で形成された炭化珪素膜１０２を加工してモールドパターン１２１が形成された状態とし、次に、シリコン基板１３１の主表面にモールドパターン１２１が当接された状態とし、この状態で、支持体基板１０１とシリコン基板１３１との間に電圧が印加された状態とする。 - 特許庁

To provide a thermocouple-type temperature sensor of superior durability with characteristics that are less apt to deteriorate, even in exhaust gas, manufactured by a very simple method, such as fusion quenching or vapor deposition method of a crystalline solid, and is capable of accurately measuring the temperature in a fine objective area.例文帳に追加

排ガス中でも特性が劣化し難く耐久性に優れ、また結晶性固体の溶融急冷や蒸着法等の極めて簡便な方法で製造が可能であり、さらに微細な対象領域の温度を精度良く測定できる熱電対式温度センサの提供。 - 特許庁

The superconductive tape wire rod 11 is fabricated by forming a first intermediate layer 13, a second intermediate layer 14, a superconductive layer 15, and a protection layer 16 in order on one side of a substrate 12 by vapor deposition, and adhering a stabilizing layer 17 by solder 18 on the surface of the protection layer 16.例文帳に追加

基板１２の片面に第１中間層１３、第２中間層１４、超電導層１５及び保護層１６を順次蒸着により形成し、保護層１６の表面にハンダ１８により安定化層１７を接着して、超電導テープ線材１１を作製する。 - 特許庁

To provide a magnetic recording medium which has a high C/N characteristic even in a short wavelength region in particular and makes higher density recording possible as a magnetic recording medium of a large capacity for the next generation, such as a magnetic recording tape formed with a magnetic layer by a vapor deposition method and a method of manufacturing the same.例文帳に追加

蒸着法により磁性層が形成されてなる磁気記録テープなど、次世代の大容量の磁気記録媒体として、特に短波長領域においても高Ｃ／Ｎ比特性を有してさらなる高密度記録化が可能な磁気記録媒体と、その製造方法を提供する。 - 特許庁

In the mask body 20, pattern regions 30 of six faces composed of a plurality of through holes 31 are arranged at the position corresponding to the opening 11 of the frame body 10 rectangularly as the whole, and the through holes 31 for passing vapor deposition materials are arranged at each pattern region 30.例文帳に追加

マスク本体２０には、枠体１０の開口１１に対応する位置に、複数の通過孔３１からなる６面のパターン領域３０が全体として矩形状に配置され、各パターン領域３０には蒸着材料通過用の通過孔３１が配列されている。 - 特許庁

Thus, the partial pressure of the reaction gas and the bonding ratio between the silicon and metal are previously obtained per film deposition condition such as the kind of the vapor depositing material 31 and the kind of the reaction gas, and the partial pressure of the reaction gas is controlled on the basis of the result, so that the silicide film having a desired bonding ratio can be obtained.例文帳に追加

従って、蒸着材料３１の種類と、反応ガスの種類等の成膜条件毎に、反応ガスの分圧と、ケイ素と金属との結合比率を求めておき、その結果に基づいて反応ガスの分圧を制御すれば、所望の結合比率のシリサイド膜を得ることができる。 - 特許庁

To provide a method capable of obtaining a thin film, having a resistivity suitable as the light-absorbing layer of a solder cell in a method for forming an Ib-IIIb-VIb2 compound semiconductor (CuInS2) thin film by a CVD method (chemical vapor deposition method), using an organic metallic compound as its raw material.例文帳に追加

有機金属化合物を原料として用いたＣＶＤ法によりＩｂ−ＩＩＩｂ−ＶＩｂ_2 族化合物半導体（ＣｕＩｎＳ_2 ）薄膜を形成する方法において、太陽電池の光吸収層として適切な抵抗率の薄膜が得られる方法を提供する。 - 特許庁

The raw material for chemical vapor deposition consists of the tantalum compound expressed by formula (I), a titanium compound expressed by formula (II) and an organic solvent used at need, and in which the difference in thermal oxidation decomposition temperature between the tantalum compound and the titanium compound is <50°C in terms of an absolute value.例文帳に追加

下記一般式（I）で表されるタンタル化合物、下記一般式（II）で表されるチタニウム化合物及び必要に応じて用いられる有機溶媒からなり、上記タンタル化合物と上記チタニウム化合物との熱酸化分解温度の差が絶対値で５０℃未満である化学気相成長用原料。 - 特許庁

In a process of forming the organic functional layer in a plurality of pixel regions 33 of element substrate 30 provided with the pixel regions 33, a vapor deposition boat 10 is used which is partitioned by a barrier rib BH coping with the plurality of pixel regions 33 and which has a plurality of material arranging parts 20 at which a heater 50 is installed.例文帳に追加

複数の画素領域３３を備える素子基板３０の画素領域３３に有機機能層を形成する工程で、複数の画素領域３３に対応して隔壁ＢＨにより区画され、ヒータ５０が設けられた複数の材料配置部２０を有する蒸着ボート１０を用いる。 - 特許庁

The scintillator panel 30 comprises a scintillator 12 formed on one surface of a substrate 10, and an organic film 14 covering the whole surface of the substrate 10, from the whole surface of the scintillator 12 to the opposite surface of the formed surface of the scintillator 12, and is formed as one body by vapor deposition.例文帳に追加

シンチレータパネル３０は、基板１０の一方の表面上にはシンチレータ１２が形成されており、シンチレータ１２の表面全体から基板１０のシンチレータ１２形成面の反対面までの基板１０の略全面を覆って一体として蒸着形成されている有機膜１４を有している。 - 特許庁

To provide a vapor deposition equipment capable of suppressing a high-temperature-atmosphere and corrosive gas in a chamber so that it flows not from all directions, but from only one direction even if it flows out without giving thermal damage due to radiation of heat to devices in all the directions outside the chamber.例文帳に追加

チャンバー外部の全方位にある装置に熱の輻射による熱ダメージを与えることなく、チャンバー内部の高温雰囲気かつ腐食性のあるガスが、例え流れ出しても、全方位ではなく一方向のみから流れ出すように抑えることができる気相成長装置を提供する。 - 特許庁

To provide a feed width-aligning lamination method for controlling a shim or a pattern joint so as not to overlap the same with a pattern printed later when the film having the pattern or the like formed thereto by a hologram or metal vapor deposition is laminated on a sheet.例文帳に追加

本発明は、ホログラムや金属蒸着の模様等が形成されたフィルムを枚葉紙にラミネートする際に、シムまたは柄の繋ぎ目が後から印刷する絵柄にかからないように制御する送り幅合わせラミネート方法および送り幅合わせラミネート装置に関するものである。 - 特許庁

In this vapor phase deposition device, a space is provided between the contact surfaces of a shower head and a shower plate, and thereby, a gas passed through the gas discharge holes passes the space, and is discharged from plate holes provided at positions shifted from the gas discharge holes.例文帳に追加

本発明の気相成長装置は、上記課題を解決するために、シャワーヘッドとシャワープレートとの接面の間に空間を設けることにより、ガス吐出孔を通過したガスが空間を通り、ガス吐出孔とずれた位置に設けられたプレート孔から吐出することを特徴としている。 - 特許庁

As an Si material source for the metallic Si melt layer 18, a metallic Si film with a thickness of about 50-200 μm is formed on the single crystal SiC substrate through vapor phase deposition, or a metallic Si plate of a similar thickness is stacked on the substrate to control the thickness of the metallic Si melt layer 18.例文帳に追加

金属Si融液層18のSi材料供給源としては、前記単結晶SiC基板上に厚さ50以上200μｍ以下程度の金属Si膜を気相法で形成させるか、基板上に同程度の厚みの金属Si板を重ねて金属Si融液層18の厚みを制御する。 - 特許庁

The present invention relates to a method for manufacturing the optical preform by means of an internal vapor deposition process, in which use is made of an energy source and a substrate tube, in which the energy source is movable over the length of the substrate tube between a point of reversal at the supply side and a point of reversal at the discharge side.例文帳に追加

本発明は、内部蒸着プロセスによって光学予備成形物を製造する方法に関し、エネルギー源および基体管が使用され、エネルギー源は供給側の反転ポイントと排出側の反転ポイントの間で基体管の全長にわたって移動可能である。 - 特許庁

The method for producing the thin film of the nitride on the sapphire substrate comprises the steps of: hydrotreating the sapphire substrate at a high temperature: irradiating it with an electron beam; depositing the nitride to form the thin film on the substrate treated with the electron beam by a metal organic chemical vapor deposition method; and forming a pattern of the thin film of the nitride.例文帳に追加

サファイア基板上への窒化物薄膜の製造方法において、高温水素処理を行ったサファイア基板に電子線を照射し、この電子線処理基板に有機金属化学堆積法によって窒化物薄膜を堆積し、窒化物薄膜を描画する。 - 特許庁

The resultant material gas is exhausted from an exhaust port 34 of a chamber member 31 to the side of a CVD (Chemical Vapor Deposition) system 1, but the atomized liquid materials 26a and 26b which have not been vaporized, particles 27 produced by the solidification of the liquid material or the like are captured by a vaporization filter 35.例文帳に追加

これによって生成された材料ガスはチャンバ本体３１の排出口３４からＣＶＤ装置１側へと排出されるが、気化されなかった霧状液体材料２６ａ，２６ｂや液体材料が固化して生成されたパーティクル２７等は、気化フィルタ３５によって捕捉される。 - 特許庁

Furthermore, gas partial pressure detection means 219a-219c at near the completion time of film-forming process and gas partial pressure detection means 320a-320c at near the starting time of the film-forming process are respectively installed at the discharge exit side 224 and the taking-in entrance side 225 of the vapor deposition chamber 202.例文帳に追加

また、蒸着室２０２の搬出口側２２４および搬入口側２２５には、それぞれ成膜過程終了時間付近のガス分圧検出手段２１９ａ〜２１９ｃ、成膜過程開始時間付近のガス分圧検出手段３２０ａ〜３２０ｃが設けられている。 - 特許庁

To provide a barrier film enhanced in the close adhesiveness with a vapor deposition membrane of an inorg. oxide, improved in the gas barrier properties to oxygen gas and steam and excellent in transparency, heat resistance, flexibility and laminate strength and a laminated material using the same.例文帳に追加

無機酸化物の蒸着薄膜との密接着性を向上させ、その酸素ガスおよび水蒸気等に対するガスバリア性に改良し、更に、透明性、耐熱性、柔軟性、ラミネ−ト強度等に優れたバリア性フィルムおよびそれを使用した積層材を提供することである。 - 特許庁

PROCESS OF FORMING SUBSTANCE FILM TO ENHANCE EFFICIENCY OF VAPOR DEPOSITION OF NOBLE METAL FILM ON FERROELECTRIC FILM, MANUFACTURING METHOD OF FERROELECTRIC FILM CAPACITOR USING METHOD, FERROELECTRIC FILM CAPACITOR FORMED BY METHOD, SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE HAVING FERROELECTRIC FILM CAPACITOR, AND ITS MANUFACTURING METHOD例文帳に追加

強誘電膜上で貴金属膜の蒸着率を向上させうる物質膜の形成方法、この方法を利用した強誘電膜キャパシタの製造方法及びこの方法で形成された強誘電膜キャパシタ、このような強誘電膜キャパシタを備える半導体メモリ装置及びその製造方法 - 特許庁

The method of laminating the decorative metallic film protected by the protective film on the resin substrate includes the steps of: laminating a polymer film formed by vapor deposition polymerization and the decorative metallic film on the resin substrate; and subsequently laminating the protective film by using the organic solvent.例文帳に追加

保護膜で保護された金属装飾膜を樹脂製基材に積層する方法であって、前記樹脂製基材上に、蒸着重合法による高分子膜と、金属装飾膜とを積層した後、有機溶剤を用いて保護膜を積層することを特徴とする。 - 特許庁

In a heat treating method of P-type impurity doped gallium nitride compound semiconductor crystal, a heat cycle heat treatment for repeating sudden heating treatment and sudden cooling treatment is performed on the P-type impurity doped gallium nitride compound semiconductor crystal formed by growing it by an metal organic vapor phase deposition method.例文帳に追加

有機金属気相成長法により成長して成るｐ型不純物ドープ窒化ガリウム系化合物半導体結晶を急熱処理、急冷処理を繰り返すヒートサイクル熱処理することを特徴とするＰ型窒化ガリウム系化合物半導体結晶の熱処理方法にある。 - 特許庁

To provide a transparent vapor deposition film enhanced in barrier properties against an oxygen gas and steam by investigating the characteristics of a base material film, keeping high gas barrier properties stably and having good transparency, impact resistance, hot water resistance or the like, and its manufacturing method.例文帳に追加

基材フィルムの特性を検討し、酸素ガス、水蒸気に対するバリア性を向上させ、高いガスバリア性を安定して維持すると共に、良好な透明性、および、耐衝撃性、耐熱水性等を備えた透明蒸着フィルムおよびその製造法を提供することを目的とするものである。 - 特許庁

To provide a liquid crystal display device array substrate and a method of manufacturing the same for improving haze defects which occur when gas used in a gate insulating film vapor deposition process and a transparent conductive material react when formed of a transparent conductive material of a storage capacitor electrode.例文帳に追加

ストレージキャパシタの電極の透明導電性物質で形成する場合に、ゲート絶縁膜蒸着工程の時使用されるガスと、前記透明導電性物質が反応して発生されるヘイズの不良を改善するための液晶表示装置アレイ基板、及び製造方法を提供する。 - 特許庁

The method for producing a hydrophobic layer on an optical substance, which has an alkaline earth metal fluoride or alkali metal fluoride layer as the outermost layer or comprises alkaline earth metal fluoride or alkali metal fluoride, comprises a step of performing thermal vapor deposition by using polyfluorocarbon in a high vacuum.例文帳に追加

本発明は、最外層としてアルカリ土類金属またはアルカリ金属フッ化物の層を有するか、またはアルカリ土類金属またはアルカリ金属フッ化物からなる光学的基材上に、高真空中でのポリフルオロカーボンを用いる熱蒸着により、疎水性層を製造する方法に関する。 - 特許庁

To provide a copper thin-film vapor phase deposition method, which can form a copper thin-film containing no residual impurity such as carbon and having high film quality, with high reproducibility, by using an inexpensive high-purity copper plate and inexpensive chlorine, hydrogen chloride, or chlorine and hydrogen as source gases.例文帳に追加

安価な高純度銅板と安価な塩素、塩化水素または塩素および水素とを原料ガスとして用いて炭素のような不純物を残留せず、かつ膜質が良好な銅薄膜を再現性よく形成することが可能な銅薄膜の気相成長方法を提供する。 - 特許庁

The organic EL element is formed including a stage of forming an anode electrode 5 on an organic flattening layer 4 formed on a matrix array substrate, and a stage of forming an SiO anode flattening layer 11 between adjacent anode electrodes 5 using a vacuum ultraviolet chemical vapor deposition growth method.例文帳に追加

マトリクスアレイ基板上に形成された有機平坦化層４上にアノード電極５を形成する工程と、隣り合うアノード電極５の間に真空紫外光化学気相成長法を用いてＳｉＯアノード平坦化層１１を形成する工程と、を含んで有機ＥＬ素子を形成する。 - 特許庁

When the aluminum cathode foil for the electrolytic capacitor is manufactured after a Ti coating 7 is formed on a roughened aluminum substrate 6 by vapor deposition in a metal film forming process, an organic binder containing carbon particulates 2 dispersed therein is applied on it, and heated in a carbon particulate fixing process.例文帳に追加

電解コンデンサ用のアルミニウム陰極箔を製造するにあたって、金属膜形成工程において、粗面化したアルミニウム基材６にＴｉ皮膜７を蒸着により形成した後、カーボン微粒子定着工程において、カーボン微粒子２を有機系のバインダーに分散したものを塗布し、加熱する。 - 特許庁

To obtain a laminate-type electrophotographic photoreceptor which is produced by laminating an oxotitanium phthalocyanine vapor deposition film to a charge transport layer and has a sufficient sensitivity to a long-wave light source such as a semiconductor laser and long-term storage stability.例文帳に追加

本発明は、オキソチタニウムフタロシアニン蒸着膜と電荷輸送層とを積層した積層型電子写真用感光体において、半導体レーザー等の長波長光源に対して十分な感度と長期保存性を有する積層型電子写真用感光体を提供することを目的としている。 - 特許庁

To provide a vacuum deposition apparatus which quantitatively grasps a position irradiated with an electron beam on a vapor-depositing raw material, and even when the position irradiated with the electron beam has been deviated from the aiming position, corrects the irradiated position with adequate reproducibility and accuracy.例文帳に追加

本発明の目的は、蒸着原料に対する電子ビームの照射位置を定量的に把握し、電子ビームの照射位置が狙いの位置からずれた場合でも、再現性良く、精度良く、照射位置の修正が可能な真空蒸着装置を提供することである。 - 特許庁

A hydrogen barrier coated article and its surface treatment method can be obtained by coating at least one layer of 0.1-10 μm of oxides such as aluminum oxide, titanium oxide and silicon oxide on the surface of a stainless steel pipe and the surface of containers by the physical vapor deposition method.例文帳に追加

アルミニウム酸化物、チタニウム酸化物、あるいはケイ素酸化物等の酸化物をステンレス鋼パイプ及び容器類の表面に、物理的蒸着方法により０．１〜１０μmを少なくとも１層以上被覆することにより水素バリヤ被覆物品及びその表面処理方法を提供するものである。 - 特許庁

Preferably, the liquid-impermeable catalyst layer is formed through at least one process chosen from electroplating, vapor deposition, sputtering and ion plating, has a thickness of 0.5-30 μm and has a platinum group metal deposited inside or on its surface through electroless plating.例文帳に追加

前記液不透過性触媒層が電気めっき、蒸着法、スパッタ法、イオンプレーティングのいずれかの１つ以上の方法により形成され、その厚さが０．５μｍから３０μｍであること、前記隔膜の表面或いはまた内部に、無電解めっきによる白金族金属を担持していることが好ましい。 - 特許庁

A colored titanium alloy which can be colored with a high degree of freedom and exhibits excellent film adhesion can be produced by the vapor deposition of metal particles on a titanium alloy coated with a resin- made primer followed by the coating with a resin containing a pigment and a dye.例文帳に追加

樹脂製プライマを塗布したチタン合金に金属粒子を蒸着し、顔料および染料を含有させた樹脂でコーティングを施すことにより、着色性に自由度があり、かつ優れた皮膜密着性を有する着色チタン合金を製造することができる。 - 特許庁