「CSP」に関連した英語例文の一覧と使い方(5ページ目) - Weblio英語例文検索

To reduce the number of processes for forming a protective film for protecting the rear and peripheral side face of a semiconductor device in the semiconductor device called a CSP (chip size package).例文帳に追加

ＣＳＰと呼ばれる半導体装置において、その裏面および周側面を保護するための保護膜の形成工程数を少なくする。 - 特許庁

To allow resist residual hard to be produced in a semiconductor device called CSP when a resist film for forming a polar electrode is peeled off.例文帳に追加

ＣＳＰと呼ばれる半導体装置において、柱状電極形成用メッキレジスト膜を剥離した際にレジスト残渣が発生しにくいようにする。 - 特許庁

To prevent a sealing film from separating from both the surface of wiring and the outer surface of a columnar electrode in a semiconductor device, such as CSP etc.例文帳に追加

ＣＳＰ等の半導体装置において、封止膜が配線の表面および柱状電極の外周面から剥離しにくいようにする。 - 特許庁

To provide CSP technology at wafer level with which a package can be resin-packaged by using only a photosensitive insulating material in a wafer process step (pre-process).例文帳に追加

感光性絶縁材料を利用して、ウェハプロセス工程（前工程）のみで樹脂封止可能な、ウェハレベルのＣＳＰ技術を提供する。 - 特許庁

To provide a double connected type longitudinally coupled DMS filter apparatus of a wafer level CSP structure whereby external terminals can be located at desired positions.例文帳に追加

外部端子電極を所望の位置に配設することのできるウェハレベルＣＳＰ構造の縦続縦結合ＤＭＳフィルタ装置を提供する。 - 特許庁

To mount flip chips and wafer level CSP with excellent connection reliability without using any special materials such as an underfill material.例文帳に追加

フリップチップやウエハレベルＣＳＰをアンダーフィル材などの特殊な材料を用いることなく接続信頼性の高い実装を可能とすることにある。 - 特許庁

When a BGA or chip scale package(CSP) integrated circuit IC 20 is manufactured, a solder joint of lowest reliability is identified in the IC.例文帳に追加

ＢＧＡまたはＣＳＰ集積回路（ＩＣ）（２０）を製造する際に、まずＩＣ内で最も信頼性が低いはんだボール接合部を識別する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device by which a semiconductor wafer in which a wafer level CSP is formed can be burned in surely.例文帳に追加

ウェハレベルＣＳＰを形成した半導体ウェハに対して確実にバーンインをすることができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The irradiation unit 60 irradiates the CSP tape 10 with green light 54 perpendicular thereto having large transmissivity relative to a solder resist 20.例文帳に追加

緑色光照射ユニット６０は、ソルダレジスト２０に対する透過率の大きな緑色光５４を、ＣＳＰテープ１０に垂直に照射する。 - 特許庁

The other terminal of the output capacity C1 is connected to an earth terminal GND of the CSP through rewiring 24 of the interposer 22.例文帳に追加

また、出力コンデンサＣ１の他方の端子は、インタポーザ２２の再配線２４を介してＣＳＰの接地端子ＧＮＤに接続されるようにした。 - 特許庁

To provide a socket capable of suitably attaching/detaching an electronic device including a surface mounted semiconductor device like a BGA or a CSP.例文帳に追加

ＢＧＡやＣＳＰのような表面実装型の半導体装置を含む電子装置を適切に着脱することが可能なソケットを提供する。 - 特許庁

To hardly release a sealing film from a surface of rewiring and an outer peripheral surface of a columnar electrode in a semiconductor device, such as a CSP or the like.例文帳に追加

ＣＳＰなどの半導体装置において、封止膜が再配線の表面および柱状電極の外周面から剥離しにくいようにする。 - 特許庁

To provide a very reliable semiconductor device which has the form of a CSP (chip size package) that can be more improved in heat dissipating properties and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

より優れた放熱性が得られるＣＳＰ（チップサイズパッケージ）の形態を有する高信頼性の半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To enable a semiconductor device called as a wafer level CSP to be improved in productivity and reduced in thickness ensuring mounting reliability for it.例文帳に追加

ウェハレベルＣＳＰと呼ばれる半導体装置において、その実装信頼性を保証しつつ、その生産性を改善し、また装置の厚みを薄くする。 - 特許庁

To make a mounting area small and to reduce total thickness even when a plurality of semiconductor structures called CSP (Chip Size Package) are mounted on a circuit board.例文帳に追加

ＣＳＰと呼ばれる半導体構成体を複数個回路基板上に実装しても、実装面積を小さくし、且つ、全体としての厚さを薄くする。 - 特許庁

To reduce the residue of resist generated upon separating a plating resist film for forming a pillar-type electrode, in a semiconductor device called as CSP (chip size package).例文帳に追加

ＣＳＰと呼ばれる半導体装置において、柱状電極を形成するためのメッキレジスト膜を剥離した際に発生するレジスト残渣を大幅に低減する。 - 特許庁

To provide a CSP semiconductor device capable of preventing the damage of the corner part of a semiconductor chip even when the surface of the semiconductor chip is exposed to the outside.例文帳に追加

半導体チップの表面が外部に露出しても、半導体チップの角部の破損の防止が可能なＣＳＰの半導体装置を提供する。 - 特許庁

To remove a resist residue generated when a plating resist film for forming a columnar electrode is released in a semiconductor device called a CSP.例文帳に追加

ＣＳＰと呼ばれる半導体装置において、柱状電極を形成するためのメッキレジスト膜を剥離した際に発生するレジスト残渣を除去する。 - 特許庁

To protect a semiconductor device of a CSP structure from both a stress applied to a protrusion electrode and a shearing stress applied to the lower part of the protrusion electrode.例文帳に追加

ＣＳＰ構造の半導体装置を、突起電極に加わる応力及び突起電極の下部に加わるせん断応力の両方から保護すること。 - 特許庁

To obtain an apparatus and a method for easily removing a BGA/CSP (ball grid array/chip size package) semiconductor package from a printed wiring board.例文帳に追加

本発明は、プリント配線基板のＢＧＡ／ＣＳＰタイプ半導体パッケージを容易に取り外すことのできる装置および取り外し方法を提供する。 - 特許庁

To manufacture a thin CSP substrate, without causing voids to be generated in resin or a wire bonded to a semiconductor chip to be exposed.例文帳に追加

樹脂部分にボイドを生じさせたり、半導体チップにボンディングされたワイヤを露出させたりすることなく、薄いＣＳＰ基板を製造できるようにする。 - 特許庁

The structure is suitably applied to a package equipped with an external connection terminal such as a solder bump directly under the integrated circuit chip, such as a CSP type package.例文帳に追加

ＣＳＰ型のパッケージのように、集積回路チップの直下に半田バンプのような外部接続端子を備えたパッケージに適用して好適である。 - 特許庁

To provide a semiconductor device for thinning a package, while keeping high reliability for each laminated IC chip in a stacked-type CSP.例文帳に追加

スタックトタイプのＣＳＰにおいて、積層する各ＩＣチップについて高信頼性を保ちつつパッケージの薄型化が達成される半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device of stacked-type CSP, which achieves the thickness reduction of a package while keeping the high reliability of each stacked chip.例文帳に追加

スタックトタイプのＣＳＰにおいて、積層する各チップについて高信頼性を保ちつつパッケージの薄型化が達成される半導体装置を提供する。 - 特許庁

The SAW device 1 is provided with the CSP-type SAW element 2 which is formed by directly joining a SAW chip 5 with a cover 6, and a flat-plate-like base 3.例文帳に追加

ＳＡＷデバイス１は、ＳＡＷチップ５とカバー６とを直接接合したＣＳＰ型のＳＡＷ素子２と平板状のベース３とを備える。 - 特許庁

To provide a component recognition device, a surface mounting machine and a component inspection device for further enhancement in the detection accuracy for variations in the height of leads on QFP or hemispherical terminals on BGA/CSP.例文帳に追加

ＱＦＰのリードやＢＧＡ，ＣＳＰの半球状端子の高さのばらつきの検出精度をより一層向上させることができるようにする。 - 特許庁

To remarkably reduce an IC packaging cost totally by reducing the cost of the IC package of CSP type and by simplifying even packaging.例文帳に追加

ＣＳＰタイプのＩＣパッケージのコストを削減を図り、実装についても簡略化を図ることにより、トータルでＩＣ実装コストを大幅に低減すること。 - 特許庁

The first computer 68 performs image processing, based on image data in each color from the CCD line sensor 66 and detects a defect of the CSP tape 16.例文帳に追加

第１のコンピュータ６８は、ＣＣＤラインセンサ６６からの各色毎の画像データに基づいて画像処理を行い、ＣＳＰテープ１６の欠陥を検出する。 - 特許庁

This heat-resistant adhesive composition for CSP substrates comprises 100 pts.wt. siloxane-modified polyamideimide resin and 1-150 pts.wt. thermosetting resin.例文帳に追加

シロキサン変性ポリアミドイミド樹脂１００重量部及び熱硬化性樹脂１〜１５０重量部を含有するＣＳＰ基板用耐熱性接着剤組成物。 - 特許庁

Then, the first and second semiconductor wafers are cut along a dicing street 22 to obtain a plurality of semiconductor devices having a structure in which two semiconductor components called CSP are laminated.例文帳に追加

この後、ダイシングストリート２２に沿って切断すると、ＣＳＰと呼ばれる半導体構成体を２つ積層した構造の半導体装置が複数個得られる。 - 特許庁

Thereafter, a semiconductor chip is encapsulated with a resin protective film or a molding resin while the soldered bump is exposed, so as to complete a chip-size semiconductor device(CSP).例文帳に追加

この後、はんだバンプを露出した状態に半導体チップを樹脂保護膜あるいはモールド成形樹脂で封止し、チップサイズの半導体装置（ＣＳＰ）とする。 - 特許庁

Semiconductor structures 3, referred to CSP, are arranged at a plurality of specified positions on a copper foil 1a having a size corresponding to a plurality of semiconductor devices.例文帳に追加

複数の半導体装置に対応するサイズの銅箔１ａ上の所定の複数箇所にＣＳＰと呼ばれる半導体構成体３を配置する。 - 特許庁

To provide a semiconductor package of inexpensive wafer level CSP capable of miniaturizing and having high-reliability without causing the performance degradation of a semiconductor device.例文帳に追加

半導体素子の性能劣化を引き起こすことなく、小型化が可能かつ高信頼性を有する安価なウエハレベルＣＳＰの半導体パッケージを提供する。 - 特許庁

A CSP 2 having solder bumps 1 formed on one side is mounted on the electrode part 3a of a printed wiring board 3 through the solder bumps 1.例文帳に追加

一面側に突出して形成されたはんだバンプ１を有するＣＳＰ２を、はんだバンプ１を介してプリント配線基板３の電極部３ａ上に搭載する。 - 特許庁

The lowest layer substrate 11 includes lower surface terminals 111 connected to all electrodes 1100 of a wafer level CSP 1000 through pogo pins 2000.例文帳に追加

最下層基板１１は、ウェーハレベルＣＳＰ１０００の電極１１００の総てがポゴピン２０００を介して接続される下面端子１１１を備える。 - 特許庁

To obtain a columnar electrode having upper surface of an expected shape being exposed by polishing after forming a sealing film in a semiconductor device called CSP.例文帳に追加

ＣＳＰと呼ばれる半導体装置において、封止膜形成後に、研磨により露出された柱状電極の上面の形状を所期の通りとする。 - 特許庁

To provide a manufacturing method, with which a highly reliable wafer level CSP can be manufactured at low cost, even when using a wafer of large aperture.例文帳に追加

口径の大きなウェハを使用する場合でも低コストで、かつ、信頼性の高いウェハレベルＣＳＰを製造することができる製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for inexpensively and stably manufacturing a multilayer wiring board having a cable section with a high integration degree capable of loading narrow pitch CSP.例文帳に追加

集積度が高く狭ピッチＣＳＰを搭載可能なケーブル部を有する多層配線基板を安価かつ安定的に製造する方法を提供する。 - 特許庁

To achieve a semiconductor device that can reduce the warpage of a wafer for improving a yield in wafer level CSP structure, and a method for manufacturing the semiconductor device.例文帳に追加

ウェハレベルＣＳＰ構造において、ウェハの反りを低減させて歩留まりを向上させることができる半導体装置およびその製造方法を実現する。 - 特許庁

To remove factors that increase the semiconductor chip size in a CSP (Chip Size Package) type semiconductor device which adopts POE (Pad On Element) technique and staggered electrode pad arrangement.例文帳に追加

ＰＯＥ（Pad On Element）技術と千鳥状の電極パッド配列とを採用したＣＳＰ（Chip Size Package）型の半導体装置において、半導体チップのサイズ増大要因をなくす。 - 特許庁

When arrangement of the connector 6 is same, a test for the CSP 5 different in an external form is possible by adjusting the fixing part 32.例文帳に追加

さらに、接続子６の配置が同じであれば、外形が異なっているＣＳＰ５に対しても、側部固定部３２を調整することにより、テストすることができる。 - 特許庁

To provide a method of inexpensively and stably manufacturing a multilayered wiring board having a cable part allowing mounting of a small-pitch CSP with a high-degree of integration.例文帳に追加

集積度が高く狭ピッチＣＳＰを搭載可能なケーブル部を有する多層配線基板を安価かつ安定的に製造する方法を提供。 - 特許庁

One bonding pad 1 of an IC chip is connected to two solder bumps 2 and 3 which are output terminals of a CSP by re-wiring layers 4a and 4b ((a) and (b)).例文帳に追加

ＩＣチップの一つのボンディングパッド１とＣＳＰの出力端子である２つのハンダバンプ２，３を再配線層４ａ，４ｂによって接続する（（ａ）（ｂ））。 - 特許庁

The film can be deposited by means of a direct current plasma CVD method in which a reactant gas comprising a nitrogen gas and at least one type of compound gas selected from a carbocyclic compound gas that comprises Csp^2 and a nitrogen-containing heterocyclic compound gas that contains Csp^2, nitrogen and/or silicon is discharged at 1,500 V or more.例文帳に追加

この膜は、Ｃｓｐ^２を含む炭素環式化合物ガスならびにＣｓｐ^２と窒素および／または珪素とを含む含窒素複素環式化合物ガスから選ばれる一種以上の化合物ガスと窒素ガスとを含む反応ガスを１５００Ｖ以上で放電させる直流プラズマＣＶＤ法により形成できる。 - 特許庁

A plurality of bumps 3, arranged in a lattice form are formed on the mounting section of a CSP 1, and a plurality of lands 4 are formed on a printed board 2 corresponding to the bumps 3.例文帳に追加

ＣＳＰ１の実装部に格子状に配列した複数のバンプ３を形成し、プリント基板２上にバンプ３に対応して複数のランド４を形成する。 - 特許庁