「Deposition」に関連した英語例文の一覧と使い方(293ページ目) - Weblio英語例文検索

The insulating material deposited on the TFT substrate has a thickness such that residual insulating material sufficient to cover the residual dopant left on the chamber walls by the deposition process on the substrate carried out previously is coated on the chamber walls.例文帳に追加

ＴＦＴ基板上に堆積された絶縁材料は、その前に行われた基板への堆積プロセスによってチャンバ壁面に残留した残留ドーパントを覆うに充分な残留絶縁材料をチャンバ壁面に被覆させるような厚さをもつべきである。 - 特許庁

To provide a method for inhibiting the deposition of a transition metal in the reaction liquid after a reaction using a transition metal complex catalyst containing an organophosphorus ligand, thus efficiently taking the transition metal complex catalyst out of the reaction system as a liquid containing itself.例文帳に追加

有機リン配位子を含有する遷移金属錯体触媒を用いた反応後の反応液中における遷移金属の析出を抑制し、遷移金属錯体触媒はその含有液として反応系外に効率良く取り出す方法を提供する。 - 特許庁

The coated cutting tool includes a PcBN base 10 directly deposited, by chemical deposition, on one or more surfaces of a base including polycrystalline cubic boron nitride (PcBN) in which an α-alumina single layer exceeds 80 wt.%.例文帳に追加

α−アルミナ単層層が８０重量パーセントを超える多結晶立方晶窒化ホウ素（ＰｃＢＮ）を含む基体の１つ以上の表面上に、化学蒸着により直接堆積されるＰｃＢＮ基体１０を含む、コーティングされた切削工具を提供する。 - 特許庁

The deposition system for forming one or more III-V semiconductor materials on a surface of the substrate may include one or more such thermalizing gas injectors configured to direct the precursor to the substrate via the plurality of gas columns.例文帳に追加

１つ又は複数のＩＩＩ−Ｖ族半導体材料を基板の表面に形成するための堆積システムは、前駆体を複数のガスコラムを介して基板に誘導するように構成された１つ又は複数のそのような熱運動化ガス噴射器を含むことができる。 - 特許庁

The electrochemical deposition method for the anthracite colored coating for metallic parts includes a first step of depositing a gold-nickel alloy by means of an electrolytic bath, a second step of treating the gold-nickel alloy by means of a diluted acid bath.例文帳に追加

金属部品を無煙炭色にコーティングする本発明の電気化学堆積方法は、電解質浴の手段により、金−ニッケル合金を堆積する第１ステップと、希釈した酸性浴の手段で、前記金−ニッケル合金を処理する第２ステップとを有する。 - 特許庁

To provide a reforming method of a high temperature type fuel cell for supplying gas containing hydrogen and carbon monooxide produced by taking place a reaction between dimethyl ether as fuel gas and carbon dioxide to an anode, wherein deposition of carbon is inhibited during the reforming.例文帳に追加

燃料ガスとしてジメチルエーテルを使用し、これと二酸化炭素を反応させて生じた水素および一酸化炭素を含有する気体を、アノードに供給する高温型燃料電池の改質方法において、改質時に炭素が析出することを防止する。 - 特許庁

A plurality of carbon nanotubes are grown on a metal substrate made of an Ni-based alloy containing ≥Ni 20 atom% in the presence of a metal catalyst and in a reactive atmosphere using a method to grow carbon nanotubes by chemical vapor deposition (CVD).例文帳に追加

Ｎｉ２０原子％以上を含有するＮｉ基合金よりなる金属基板上に金属触媒の存在下にカーボンナノチューブを化学気相成長（ＣＶＤ）させる方法を用い、反応雰囲気下に複数のカーボンナノチューブを成長させることを特徴とする。 - 特許庁

The electrostatic chuck member is characterized in having a vapor-phase deposition evaporated film of amorphous carbon and hydrogen solids containing superparticles of metal oxides and also containing hydrogen by 15 to 40 at% on an external surface of an electrostatic chuck member composed of an electrode layer and an electric insulating layer.例文帳に追加

電極層と電気絶縁層とからなる静電チャック部材の外表面に、金属酸化物の超微粒子を含み、水素含有量が１５〜４０ａｔ％であるアモルファ状炭素・水素固形物の気相析出蒸着膜を有する静電チャック部材。 - 特許庁

To prevent an ink viscosity increase and deposition in a cap of an inkjet recording device including a recording head containing a pigment ink and a dying ink that reacts with the pigment ink, and a common cap that simultaneously batch suction recovers the inks that have reacted.例文帳に追加

顔料インクと該顔料インクと相反応する染料インクを搭載した記録ヘッドと、該相反応するインクを同時に一括吸引回復する共通キャップとで構成したインクジェット記録装置において、該キャップ内でインクが増粘、堆積することを防止する。 - 特許庁

In the chemical vapor deposition method, a dielectric material is formed in a trench formed on a substrate, where the method includes a step of generating water vapor by bringing hydrogen gas and oxygen gas into contact with a water vapor generation catalyst, and providing the water vapor to a processing chamber.例文帳に追加

基板上に形成されたトレンチ内に誘電体材料を形成する化学気相堆積法であって、水素ガス及び酸素ガスを水蒸気生成触媒と接触させることにより水蒸気を生成して、水蒸気を処理チャンバに提供するステップを含む。 - 特許庁

To provide a chlorination method in a circulating bathtub using a chlorine-based chemical which is free from a risk of clogging of chemical feed piping due to deposition of calcium hydroxide etc., and inhibits generation of a chlorine smell remarkably impairing comfortability of bathing.例文帳に追加

塩素系薬剤を用いた循環浴槽における塩素処理方法において、水酸化カルシウム等の析出による薬注配管閉塞のおそれがなく、入浴の快適性を著しく損なう「カルキ臭」の発生を抑制する塩素処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of selectively applying electroless nickel and electroless gold plating on a fine pattern on a printed wiring board by efficiently removing inorganic filler material remaining on a front layer of an insulating layer after roughening, and controlling abnormal deposition outside of the pattern.例文帳に追加

粗化後の絶縁層表層に残存している無機充填材を効率よく除去することにより、プリント配線板の微細パターンの上に、選択的に無電解ニッケル及び無電解金めっきを施し、パターン外の異常析出を抑制する方法を提供する。 - 特許庁

Polyimide minute particles or polyamide minute particles having an average particle size of 30 nm to 10 μm are subjected to the electroless deposition to form metal film on the surface of the minute particles.例文帳に追加

平均粒径３０ｎｍ〜１０μｍのポリイミド微粒子又はポリアミド微粒子の表面に無電解メッキ処理を施すことにより、当該微粒子の表面上に金属皮膜を形成することを特徴とする、金属皮膜を有するポリマー微粒子の製造方法に係る。 - 特許庁

To reduce the combustion speed difference of an organic binder by uniformizing the deposition of the organic binder of a first electrode layer to glass frit in a method of manufacturing a plasma display by baking a dielectric layer simultaneously with an electrode having the first electrode layer and a second electrode layer.例文帳に追加

第一の電極層と第二の電極層を有する電極と誘電体層を同時に焼成するプラズマディスプレイの製造方法において、第一の電極層の有機バインダーのガラスフリットへの付着を均一にして、有機バインダーの燃焼速度差を少なくする。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a silicon oxide film electret by which a sufficiently high deposition rate is obtained with less contained materials such as moisture and hydrogen, the silicon oxide film electret and an ECM(Electret Capacitor Microphone) provided with the silicon oxide film electret.例文帳に追加

水分や水素等の挟雑物が少なく、十分に高い成膜速度が得られるシリコン酸化膜エレクトレットの製造方法、同製造方法によって得られたシリコン酸化膜エレクトレット、および、同シリコン酸化膜エレクトレットを備えたＥＣＭを提供する。 - 特許庁

A barium titanate dielectric layer 203 is formed on the lower electrode 202 through an aerosol deposition method, an insulating layer 210 is formed around the barium titanate dielectric layer 203, and then an upper electrode 204 is formed on the dielectric layer 203.例文帳に追加

次いで下部電極２０２上にエアロゾルデポジション法によってチタン酸バリウム誘電体層２０３を形成し、更にチタン酸バリウム誘電体層２０３の周囲に絶縁層２１０を形成し、この後、誘電体層２０３の上部に上部電極２０４を形成した。 - 特許庁

To provide a substantially excellent exhaust gas purification catalyst and exhaust gas purification method capable of removing nitrogen oxides in exhaust gas, and preventing the catalyst from decreasing a capacity due to the deposition of carbon materials on the catalyst even with high concentration of the nitrogen oxides in the exhaust gas.例文帳に追加

排ガス中の窒素酸化物を除去でき、且つ排ガス中の窒素酸化物濃度が高い場合でも触媒上への炭素質の堆積による性能低下を起こすことがない、実用的に優れた排ガス浄化触媒及び排ガス浄化方法を提供する。 - 特許庁

The plastic container 1 is made up by coating its interior or exterior or both of the interior and the exterior with a zinc oxide film 10 which is formed by plasma chemical vapor deposition method and includes 0.1 atom.% or more of carbon atoms.例文帳に追加

容器１の内面または外面、あるいは両面に酸化亜鉛の薄膜１０がコーティングされ、その薄膜１０がプラズマ助成式ＣＶＤ法により形成され、その薄膜中に０．１atom％以上の炭素原子を含むプラスチック容器１とするものである。 - 特許庁

To provide an industrially advantageous manufacturing method for tetrahydrofuran comprising manufacturing tetrahydrofuran from 1,4-butanediol as a raw material using an acid catalyst having a pKa value of 4 or lower that permits avoidance of deposition of a solid byproduct to stably attain high productivity.例文帳に追加

ｐＫａ値が４以下の酸触媒を用いて１，４−ブタンジオールを原料にしてテトラヒドロフランを製造する方法において、固形副生物の析出を回避して、安定的に高い生産性が得られる工業的に有利なテトラヒドロフランの製造方法を提供する。 - 特許庁

The semiconductor capacitor includes an upper electrode 130, a lower electrode 110, a tantalum oxide film 120 formed on the lower electrode by chemical vapor deposition by using a source gas comprising ozone and a tantalum precursor containing atom or atomic group combined with tantalum by coordination bonding.例文帳に追加

下部電極１１０、タンタル原子と配位結合する原子又は原子団を含むタンタル前駆体及びオゾンガスをソースガスとして前記下部電極上に化学気相蒸着したタンタル酸化膜１２０及び上部電極１３０を含んで構成される。 - 特許庁

To provide an apparatus for depositing a metal material of prosthesis for dentistries in which a system to heat an electrolyte bath, a beaker, a swirling system, an anode, a cathode and a power supply unit are installed to shorten the deposition period.例文帳に追加

電解質浴を加熱するシステムと、ビーカと、撹拌システムと、アノードと、カソードと、給電ユニットが設けられた、補綴の金属製の歯科用成形部材を電気めっきにより析出する装置において、析出時間が短縮されるようにした、装置を提供する。 - 特許庁

Accordingly, even when the whole of the door 12 is returned to ordinary temperature after treatment of electro-deposition coating baking drying is applied, the door outer panel 14 is suppressed from being contracted in the state that position deviation in the vehicle longitudinal direction is generated on a Heming bonding part 18.例文帳に追加

従って、ドア１２全体が電着塗装焼付け乾燥等の処理が施された後に常温に戻された場合でも、ヘミング結合部１８に車両前後方向の位置ズレが生じた状態でドアアウタパネル１４が収縮されることが抑制される。 - 特許庁

To provide an exhaust gas denitration device capable of reducing a burden of the maintenance such as dust cleaning by suppressing a deposition of dust between the upper stage unit and lower stage unit stacked in a catalytic device, and by minimizing the increase in pressure loss with time.例文帳に追加

触媒装置内に積み重ねた上段ユニットと下段ユニット間へのダストの堆積を抑制し、経時的な圧力損失の上昇を最小限に抑え、これによりダスト清掃等のメンテナンスの負担を軽減することができる排ガス脱硝装置を提供する。 - 特許庁

To solve the problem wherein emitter resistance is increased and reliability is lowered, in a method for manufacturing a self-aligned bipolar transistor of conventional technology, since voids occur at the deposition of an emitter N^+-type polysilicon because the aspect ratio of an opening for emitter formation is large in the transistor.例文帳に追加

従来技術の自己整合型バイポーラトランジスタの製造方法は、エミッタ形成用の開口部のアスペクト比が大きいため、エミッタ用Ｎ ^＋型ポリシリコンの成膜においてボイドが発生し、エミッタ抵抗の増加や信頼性の低下という問題点が発生する。 - 特許庁

The manufacturing method of a molding die for an optical element is characterized in that it comprises forming an amorphous alloy layer on a base body by an aerosol deposition method, and thereafter forming and creating an optical surface transcript plane by diamond cutting or heating press molding the amorphous alloy layer.例文帳に追加

アモルファス合金層をエアロゾルデポジション法により基体上に形成した後、前記アモルファス合金層をダイアモンド切削または加熱プレス成形し光学面転写面を成形創成することを特徴とする光学素子成形用金型の製造方法。 - 特許庁

Material gas via the diffusion relay pipe 132 is introduced to a gas discharge pipe 133 through a communicating part 138, is discharged to a side of the substrate W in a deposition room 101 from the gas discharge port 134, and is supplied onto the substrate W.例文帳に追加

これらの拡散中継管１３２を経由した原料ガスは、最後に、連通部１３８を通ってガス吐出管１３３に導入され、ガス吐出口１３４より成膜室１０１内の基板Ｗの側に吐出されて基板Ｗの上に供給される。 - 特許庁

In a charging and depositing method of charged material such as iron ore and coke within a blast furnace, the charged material is charged while scanning a surface of the deposited material and measuring a deposition profile by detection media during turning of a shooter, or for every turning.例文帳に追加

高炉の内部に鉄鋼石やコークス等の装入物を装入し、堆積させる方法であって、シュータの旋回中、もしくは一回の旋回毎に、検出媒体で堆積物の表面を走査して堆積プロフィールを測定しながら装入物を装入する。 - 特許庁

To provide a leveling agent used for manufacturing a semiconductor, which does not form a void, exhibits a decrease in overplating including such as swellings, provides a smooth, planar deposition on various feature sizes and uses various electrolyte concentration.例文帳に追加

ボイドを形成せず、盛り上がりをはじめとするオーバープレーティングの減少を示し、種々のフィーチャーサイズの上の滑らかで平坦な堆積物を提供し、および種々の電解質濃度を使用する、半導体製造において使用するためのレベリング剤を提供する。 - 特許庁

To provide a coating device which prevents generation of deposition resulting from reaction of a metal compound with water, and forms a metal oxide film with high film forming efficiency at a high film forming speed, and to provide a coating method for forming the metal oxide film on a substrate using the device.例文帳に追加

金属化合物と水の反応堆積物の発生を防止し、高い成膜効率および成膜速度で金属酸化物膜を成膜できるコーティング装置、および該装置を用いて、基板に金属酸化物膜を成膜するコーティング方法の提供。 - 特許庁

Sticking preventing shields 261, 262, 263 and 264 for preventing the sticking of a material released from a substrate 9 to a specific place are provided to be changeable in a pretreatment etching chamber 2, where the surface of the substrate 9 is etched before the film deposition by sputtering.例文帳に追加

スパッタリングによる成膜処理に先立ち基板９の表面をエッチングする前処理エッチングチャンバー２内には、基板９から放出された材料が特定の場所に付着するのを防止する防着シールド２６１，２６２，２６３，２６４が交換可能に設けられている。 - 特許庁

A through hole 11 is formed on a board 10, a first conductor layer 12 is formed by plating, a through hole insulating layer 14 is formed by sputtering or vapor deposition, a second conductor layer 16 is formed by plating, and a wiring board which has a coaxial through hole conductor is manufactured.例文帳に追加

基板１０に、スルーホール１１を設け、第１導体層１２をメッキにより形成し、スルーホール絶縁層１４をスパッタまたは蒸着により形成し、第２導体層１６をメッキにより形成して、同軸スルーホール導体を備えた配線用基板を製造する。 - 特許庁

To produce vapor deposition source made of an organic compund which can rapidly and uniformly be heated even in case of having low thermal conductivity, a thin film can stably be deposited in the surface of an article, and the organic compound is not scattered at the time of working and carrying.例文帳に追加

熱伝導性の悪い有機化合物でも素早くかつ均一に有機化合物を加熱することができ、物品表面に薄膜を安定に形成でき、なおかつ加工や運搬の際に有機化合物が飛散しないような蒸着源を製造する。 - 特許庁

Before vapor deposition of a thin film on a sheet-like substrate 2 in a substrate holding drum 10, the surface of the substrate 2 is subjected to friction treatment by friction rollers 4, 6, 8 and 9, the surface condition of the substrate 2 is unified, anisotropy is provided thereon or suppressed.例文帳に追加

シート状の基板２が基板保持ドラム１０において薄膜を蒸着される前に、基板２の表面が摩擦ローラー４、６、８、９によって摩擦処理を施されて、基板２の表面状態を均一化し、または、異方性を持たせ、または、異方性を抑制する。 - 特許庁

The method for producing the mask comprises: a first step where the atoms of a mask material are deposited to form an atomic layer deposited film A on a substrate S using an atomic layer deposition method; and a second step where the atomic layer deposited film A on the substrate S is selectively oxidized or nitrided.例文帳に追加

原子層堆積法を用い、基板Ｓ上にマスク材料の原子を堆積させて原子層堆積膜Ａを形成する第一工程と、基板Ｓ上の原子層堆積膜Ａを選択的に酸化または窒化する第二工程と、を有することを特徴とする。 - 特許庁

When forming a film of rare earth elements on a metal base 1 by using an electron beam deposition device 30, an insert crucible 37 is first put inside a recess formed on the upper part of a water cooled hearth 33 made of Cu, and a material 38 is put in the crucible 37.例文帳に追加

電子ビーム蒸着装置３０を用いて金属基材１に希土類金属膜を成膜するに際して、まず、Ｃｕからなる水冷ハース３３の上部に形成された凹部にインサート坩堝３７を嵌め込み、インサート坩堝３７に原料３８を収容する。 - 特許庁

Temperature measurement data from a fire detection sensor 16 are transmitted to a crane automatic operation controller 20, and the crane automatic operation controller 20 decides the presence/no presence of fire occurrence on the basis of deposition level measurement data and temperature measurement data, and specifies the position of a fire source.例文帳に追加

火災検知センサ１６からの温度計測データがクレーン自動運転制御装置２０に送られ、クレーン自動運転制御装置２０は、堆積レベル計測データと温度計測データをもとに、火災発生の有無を判定し、火災源の位置を特定する。 - 特許庁

Thereby, since an exposed face of a conductive barrier film 17a of the second embedded interconnection L2 is nitrided, oxidation of the exposed part of the conductive barrier film 17a can be suppressed or prevented, during subsequent film deposition of an insulating film 15b for interconnection cap.例文帳に追加

これにより、埋込第２層配線Ｌ２の導電性バリア膜１７ａの露出面が窒化されるので、その後の配線キャップ用の絶縁膜１５ｂの成膜時に導電性バリア膜１７ａの露出部が酸化されてしまうのを抑制または防止することができる。 - 特許庁

To provide an organic matter vapor deposition system by which, in a state where a substrate is almost vertically stood, organic matter is vapor-deposited, so as to form an organic thin film, and which is applicable to a large-sized substrate, and can form an organic thin film with a uniform thickness as well.例文帳に追加

本発明は、基板をほぼ垂直で起立した状態で有機物を蒸着して有機薄膜を形成して大型基板に適用可能で、かつ、均一な厚さの有機薄膜を形成することができる有機物蒸着装置を提供するためのものである。 - 特許庁

The member of the ink cartridge is constituted by sticking a barrier film obtained by successively providing a pre-treatment layer 2, a transparent vapor deposition thin film layer 4 composed of inorganic oxide, and a gas barrier coating film layer 5 to at least one side of a transparent plastic film base material 1 or sticking a transparent film thereto further.例文帳に追加

透明プラスチックフィルム基材１の少なくとも片面に、前処理層２、無機酸化物からなる透明蒸着薄膜層４、ガスバリア性被膜層５を順次設けたバリアフィルムもしくは、さらに透明フィルムを貼り合わせたインクカートリッジ用部材。 - 特許庁

To provide an ink-jet recording device which prevents deviation of ink deposition in an ink receptacle, makes efficient use of the capacity of the ink receptacle, and carries out carriage location control at the time of idle ejection operation, according to a single control manner without being influenced by a driving mode of an idle ejection head.例文帳に追加

本発明は、インク受け内部のインク堆積の偏りを防ぎ、インク受け部の容積を効率的に使用でき、かつ空吐出の動作時のキャリッジ位置制御方法が空吐出ヘッド駆動モードに左右されず一つの制御方法により行うことができる。 - 特許庁

In the EB vapor deposition apparatus (1) having a planetary (9) in the product chamber part (3), sticking preventing plates on the inside wall of the product chamber part (3) are eliminated or the number is reduced by arranging blind sticking preventing plates (19) and sticking preventing top plates (20) to cover the planetary (9) by surrounding.例文帳に追加

プロダクトチャンバー部（３）内にプラネタリィ（９）を有したＥＢアルミ蒸着装置（１）において、プラネタリィ（９）を取り囲むように覆うブラインド防着板（１９）、防着天板（２０）を配置することで、プロダクトチャンバー部（３）内壁の防着板数を無くす又は減少させる。 - 特許庁

Further, in the continuous thin film circuit pattern consisting of a plurality of films of different materials, a plurality of complicated films can be easily deposited by performing one movement during the film deposition of each layer, and performing reciprocation of the number equivalent to one half of the layer number.例文帳に追加

また、異なる材料の複層の膜からなる連続した薄膜回路パターンは各層の成膜中に一回の移動を行い、層数の半分に相当する回数の往復移動を行うことで、複雑な複層膜を簡単に形成することが可能である。 - 特許庁

A steel shape measuring unit 11 or a unit 12 for measuring the coating deposition on the steel plate is provided on the downstream side of the gas reducer, and the current of the electromagnet 5 may be corrected based on information measured by these measuring units.例文帳に追加

気体絞り装置の下流側に、鋼板の形状測定装置１１あるいは鋼板に付着しためっき付着量の測定装置１２を設け、これらの測定装置により計測された情報に基づき電磁石５の電流値を修正してもよい。 - 特許庁

By the above, since the molecules having dipole moment of 0.5 D as impurities can be prevented from being taken into the EL element at the time of vapor deposition, the organic EL element having high light emission efficiency, with few deterioration of brightness with the passage of time at strong light emission, can be obtained.例文帳に追加

これにより、蒸着時に不純物としての双極子モーメントが０．５Ｄの分子が素子に取り込まれることを防ぐことができるので、高発光効率、かつ高発光時の経時輝度劣化が極めて少ない有機ＥＬ素子を得ることができる。 - 特許庁

A thin oxide film 8 having a thickness of ≤15 nm is formed by thermal oxidation and is annealed in gaseous N2, H2, NH3, Ar, or the like, and then an oxide film 9 thicker than the thin oxide film 8 is formed by deposition to obtain a prescribed oxide film thickness.例文帳に追加

熱酸化による１５ｎｍ以下の薄い酸化膜８の形成と、その後のＮ２、Ｈ２、ＮＨ３、Ａｒなどのガス中でのアニールとをおこなった後、堆積法にて前記薄い酸化膜８よりも厚い酸化膜９を更に形成し、所定の酸化膜厚とする。 - 特許庁