「Deposition」に関連した英語例文の一覧と使い方(318ページ目) - Weblio英語例文検索

To solve the problem wherein a multicolor multilayered film generally obtained by laminating a metal oxide or the like by a vapor deposition technique can be decorated and is beautiful but, especially a crack occurs or adhesion can not kept when a hard thin metal oxide film or the like is formed on the surface of the flexible elastomer resin.例文帳に追加

一般的に酸化金属等を蒸着技術等で積層した多色多層膜は加飾でき美しいものであるが、特に、軟質素材であるエラストマー樹脂の表面に硬くて薄い酸化金属膜等を形成することはクラックの発生や密着性が維持できず商品化がされていない。 - 特許庁

Since a deposition amount of Ba required for a desired life time for all kinds of cathode ray tube can be determined by carrying out a designated life test for one or plural kinds of cathode ray tubes, the cathode ray tube can be efficiently designed.例文帳に追加

Ｂａ量〔ｍｇ〕＝Ａ×ｔ×Ｉａ＋Ｂ×Ｃ ただし、ｔ ：陰極線管に要求されるライフ時間〔ｈｏｕｒ〕 Ｉａ：平均動作電流〔ｍＡ〕 Ａ ：Ｂａ量とゲッタ寿命との関係に依存する量 Ｂ ：陰極線管内面の表面積〔ｃｍ^2〕 Ｃ ：陰極線管の製造時に残留している不純ガス量に依存する量 - 特許庁

The method for manufacturing a semiconductor light-emitting device includes the steps of forming a semiconductor deposition layer 150 having a plurality of columnar parts 110 on a semiconductor substrate 101, forming a buried insulating layer 120, made of resin-based material around the columnar parts, and forming a chip separated from the wafer.例文帳に追加

半導体発光装置の製造方法は、半導体基板１０１上に、複数の柱状部１１０を有する半導体堆積層１５０を形成する工程、柱状部の周囲に樹脂系の材料からなる埋込み絶縁層１２０を形成する工程、および、ウェハを分離してチップを形成する工程、を含む。 - 特許庁

Moreover, the method of manufacturing the electrode for the lithium battery includes interface part forming step of forming the interface part containing the lithium metal oxide on the current collector by a sputtering method, and an upper layer part forming step of forming the upper layer part containing the lithium metal oxide on this interface part by a vapor-deposition method.例文帳に追加

また、本発明のリチウム電池用電極の製造方法は、集電体上にスパッタリング法によりリチウム金属酸化物を含む界面部を形成する界面部形成工程と、この界面部上に蒸着法によりリチウム金属酸化物を含む上層部を形成する上層部形成工程とを備える。 - 特許庁

To provide an electrophotographic photoreceptor excellent in surface mechanical durability and oxidation resistance, suppressing an image defect caused by deposition of a discharge product, while having excellent sensitivity and low friction against sliding and high water repellency, and easily maintaining these characteristics at a high level with time.例文帳に追加

表面の機械的耐久性や耐酸化性に優れ、放電生成物の付着に起因する画像欠陥も抑制できると共に、感度にも優れ、摺動に対する低摩擦や高撥水性、さらにこれらの特性を経時的に高いレベルで維持することが容易な電子写真感光体を提供すること。 - 特許庁

The dielectric multilayer film mirror reflecting a specific wavelength region is made by joining at least two sheets of dielectric multilayer film structures 10 each of which is prepared by film-depositing a pair of dielectric multilayer films 2 having a both surfaces-symmetric structure on both surfaces of the substrate 1 according to an atomic layer deposition (ALD) method.例文帳に追加

特定波長域を反射させる誘電体多層膜ミラーであって、基板１の両面に両面対称構造を有する一対の誘電体多層膜２が原子層堆積（ＡＬＤ）法により成膜された誘電体多層膜構造体10を２枚以上接合して成ることを特徴とする。 - 特許庁

In the method for synthesizing carbon nanotubes 4 by catalytic vapor deposition of carbon from a vapor phase on a catalyst layer 3 formed on a support member 1, in order to alter the physical, chemical and/or electrically conductive properties of carbon nanotubes, ion beams 2 are used before, during and/or after formation of the carbon nanotubes 4.例文帳に追加

カーボンナノチューブの物理的、化学的及び／又は導電性特性を変更するために、イオンビーム２をカーボンナノチューブ４形成の前、間及び／又は後に用いる、気相からのカーボンの触媒蒸着により、支持体部材１上に形成された触媒層３にカーボンナノチューブ４を合成する方法とする。 - 特許庁

In an intermittent etching process where the etching mode is switched intermittently to a deposition mode, the level switching timing of a bias voltage being applied to a substrate is delayed from the switching timing of atmospheric gas being introduced into a vacuum chamber by a time t_d required for switching the composition of the atmospheric gas in the vacuum chamber.例文帳に追加

エッチングモードを間歇的にデポモードに切り替える間歇エッチング方式のプラズマエッチング法において、基板に印加するバイアス電圧のレベルの切替えタイミングを、真空チャンバ内の雰囲気ガスの組成が切り替わるのに必要とする時間ｔ_ｄだけ、真空チャンバに導入する雰囲気ガスの切替えタイミングから遅らせる。 - 特許庁

The food package bag comprises a sealant layer (A)1 made of a molten composite having a low melting point polyolefin resin and a polyester resin, a vapor deposition layer (B)2 and a biaxially stretched polyester film layer (C)3 laminated in this sequence, and the layer (A)1 is placed inside the bag.例文帳に追加

低融点ポリオレフィン樹脂とポリエステル樹脂とからなる溶融組成物から形成されたシーラント層（Ａ）１と、蒸着層（Ｂ）２と、二軸延伸ポリエステルフィルム層（Ｃ）３とがこの順に積層されてなる包装材料を用いて、前記層（Ａ）１が袋の内側になるように形成された食品包装用袋。 - 特許庁

The thin film deposition apparatus has a pair of electrodes which are arranged to form a discharge space with discharge surfaces facing each other to generate the high frequency electric field in the discharge space, and a retaining mechanism to tightly attach a base material to the electrodes and retain them so as to be along at least one electrode in the discharge space.例文帳に追加

この薄膜形成装置には、互いの放電面が対向されて放電空間を形成するように配置され、放電空間内に高周波電界を発生させる一対の電極と、放電空間内で少なくとも一方の電極に沿うように、基材を電極に密着させて保持する保持機構とが設けられている。 - 特許庁

To provide an inexpensive target capable of reducing particles produced during the sputtering that is a problem in a multi-fraction target applied to cope with the jumboizing of the target for thin film deposition used in manufacturing products of flat panel displays such as semi-conductor, magnetic disk and liquid crystal at low cost.例文帳に追加

半導体、磁気ディスク、液晶等の平面表示装置（フラットパネルディスプレイ）等の製品の製造に用いられている薄膜形成用のターゲットの大型化に対応するために適用されている多分割ターゲットで問題となっている、スパッタリング時に発生するパーティクルを抑制するための低コストなターゲットを提供する。 - 特許庁

To provide a plating method on a glass substrate capable of depositing an electroless plating membrane having excellent adhesiveness by performing the chemical bond of a silane coupling agent in a state of deposition or hydrogen bond to a surface of the glass substrate through dehydration condensation, and a magnetic recording medium manufacturing method using the plating method.例文帳に追加

ガラス基板表面に対して付着や水素結合の状態にあるシランカップリング剤を脱水縮合反応により化学結合させることにより、密着性の優れた無電解めっき膜を形成することが可能なガラス基板へのめっき方法及びそれを用いた磁気記録媒体の製造方法を提供する。 - 特許庁

The electro-chemical deposition system generally includes: a mainframe having a mainframe wafer transfer robot; a loading station disposed so as to contact with the mainframe; one or more processing cells disposed so as to contact with the mainframe; and an electrolyte supply connected to the one or more processing cells with fluid.例文帳に追加

電気化学堆積システムは、通常、メインフレーム・ウェーハ移送ロボットを有するメインフレームと、前記メインフレームに接するように配置されたローディング・ステーションと、前記メインフレームと接するように配置された一つ以上の処理セルと、および前記一つ以上の電気処理セルに流体で接続された電解液供給とを具備する。 - 特許庁

In the method for successively forming the buffer layer of zinc oxide and the zinc oxide crystalline film on the substrate of, for example, sapphire by an organic vapor deposition process, the zinc oxide buffer layer is formed by utilizing gas of an organic metallic compound like zinc acetylacetonate containing zinc and oxygen without using other gases containing oxygen.例文帳に追加

例えばサファイアの基板上に酸化亜鉛のバッファ層と酸化亜鉛結晶膜とを有機金属気相堆積法で順次形成する方法において、その酸化亜鉛バッファ層は亜鉛と酸素を含む亜鉛アセチルアセトナートのような有機金属化合物のガスを利用して、酸素を含む他のガスを用いることなく形成される。 - 特許庁

Nitric acid solution containing one kind or two or more kinds of elements selected from a group comprising platinum group elements other than palladium, technetium, tellurium and selenium is electrolyzed with a constant current in the coexistence of palladium, and the platinum group elements, technetium, tellurium and selenium are separated and recovered by electrolytic reductive deposition of the elements on a cathode.例文帳に追加

パラジウム以外の白金族元素、テクネチウム、テルル及びセレンからなる群から選ばれる１種又は２種以上の元素を含む硝酸溶液をパラジウムの共存下で定電流電解し、前記元素を陰極に電解還元析出させて白金族元素、テクネチウム、テルル及びセレンを分離回収する。 - 特許庁

To provide a piping connection structure in which deposition of products due to reaction gas can be prevented by efficiently heating a piping connection part in spite of provision of a flange and a seal member on it, and a seal member usable for the piping connection structure.例文帳に追加

本発明は、フランジが設けられ、且つシール部材が設けられた配管接続部であっても、配管接続部を効率的に加熱して反応ガスによる生成物の堆積を防止することのできる配管接続構造、及びそのような配管接続構造に用いるシール部材を提供することを目的とする。 - 特許庁

A measuring part 112 detects, as the first resonance frequency, a resonance frequency of the quartz oscillator 110 before the liquid drop delivered from the delivery head 103 is deposited on the electrode 110b, and detects a resonance frequency of the quartz oscillator 110 after the deposition, as the second resonance frequency.例文帳に追加

測定部１１２は、吐出ヘッド１０３から吐出される液滴が電極１１０ｂに付着前の水晶振動子１１０の共振周波数を第１の共振周波数として検出し、また、その付着後の水晶振動子１１０の共振周波数を第２の共振周波数として検出する。 - 特許庁

A film deposition apparatus 100 includes a chamber 1, a reaction gas supply part 14 supplying a reaction gas 26 into the chamber 1, an inert gas supply part 4 supplying an inert gas 25 into the chamber 1, a hollow cylindrical liner 2 disposed in the chamber 1 and a susceptor 7 on which a semiconductor substrate 6 is loaded provided in the liner 2.例文帳に追加

成膜装置１００は、チャンバ１と、チャンバ１内に反応ガス２６を供給する反応ガス供給部１４と、チャンバ１内に不活性ガス２５を供給する不活性ガス供給部４と、チャンバ１内に設けられた中空筒状のライナ２と、ライナ２内に設けられ、半導体基板６が載置されるサセプタ７とを有する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a low core loss grain oriented magnetic steel sheet in which excellent film adhesion is maintained on a film even when the heat treatment such as baking of tension application type coating and stress relief annealing are further performed on the film after the formation of the film by a chemical vapor deposition method.例文帳に追加

化学気相蒸着法によって被膜を被成した後に、さらに該被膜上への張力付与型コーティングの焼き付けや歪取焼鈍等の熱処理を行った場合にあっても、優れた被膜密着性が上記被膜において維持される、低鉄損方向性電磁鋼板の製造方法について提案する。 - 特許庁

To provide a film forming method capable of embedding even a fine recessed section with a high step coverage by forming a Mn containing thin film, a CuMn containing alloy thin film, or the like by heat treatment such as CVD (Chemical Vapor Deposition) and greatly reducing the cost of a device by performing continuous processing with one and the same processor.例文帳に追加

Ｍｎ含有膜やＣｕＭｎ含有合金膜等を、ＣＶＤ等の熱処理によって形成することにより、微細な凹部でも、高いステップカバレッジで埋め込むことができ、しかも、同一の処理装置で連続的な処理を行うようにして装置コストを大幅に低減化することができる成膜方法を提供する。 - 特許庁

The joint strength is improved by increasing the width and height of an over-deposition in the final bead on a joint weld equipped with a backing tool.例文帳に追加

この方法は、開先加工した後に裏当金の製作と裏当金取付の仮付溶接を必要とし、その後の継手溶接では、裏当金が残留している為、仮付溶接の残留や裏当金と母材との間に応力集中をもたらす有害なノッチが残留することになり、継手性能を阻害する要因となっている。 - 特許庁

After a fourth copper film is deposited on the third copper film 107 by means of an electrolytic deposition technique to perfectly fill up the contact hole 102 and the wiring groove 103, metal crystallites construction the copper films are grown through a heat treatment to cause the third copper film 107 and the fourth copper film 108 to combine together.例文帳に追加

電解メッキ法により第３の銅膜１０７の上に第４の銅膜１０８を接続孔１０２及び配線溝１０３が完全に埋まるように成膜した後、熱処理により銅膜を構成する金属結晶を成長させると共に第３の銅膜１０７と第４の銅膜１０８とを一体化させる。 - 特許庁

After forming the first luminous layer 11 by depositing the first luminous material and the second luminous material simultaneously with a prescribed ratio, the deposition of the first luminous material is stopped and the second luminous layer 12 is formed by depositing only the second luminous material.例文帳に追加

第１の発光材料の蒸着と第２の発光材料の蒸着とを所定の蒸着比率で同時に行うことにより第１の発光層１１を形成した後、第１の発光材料の蒸着を停止した状態で第２の発光材料のみの蒸着を行って第２の発光１２層を形成する。 - 特許庁

In performing sputtering deposition under an oxidizing atmosphere of the barrier layer which constructs the thin-film transistor, a Cu alloy sputtering target is used, which is constructed of a Cu alloy which has a component composition consisting of Al of 1 to 10 atom%, Ca of 0.1 to 2 atom%, and the balance comprising Cu and inevitable impurities (1% or less).例文帳に追加

薄膜トランジスターを構成するバリア層の酸化雰囲気でのスパッタ成膜に、Ａｌ：１〜１０原子％、Ｃａ：０．１〜２原子％を含有し、残りがＣｕと不可避不純物（ただし、１％以下）からなる成分組成を有するＣｕ合金で構成してなるＣｕ合金スパッタリングターゲットを用いる。 - 特許庁

Ruthenium-containing precursors for ruthenium-containing films deposition comprises a ruthenium precursor selected from the group consisting mainly of: Ru(XOp)(XCp), Ru(XOp)_2, Ru(allyl)_3, RuX(allyl)_2, RuX_2(allyl)_2, Ru(CO)_x(amidinate)_y, Ru(diketonate)_2(amidinate)_2, their derivatives and any mixture thereof.例文帳に追加

Ｒｕ（ＸＯｐ）（ＸＣｐ）、Ｒｕ（ＸＯｐ）_2、Ｒｕ（アリル）_3、ＲｕＸ（アリル）_2、ＲｕＸ_2（アリル）_2、Ｒｕ（ＣＯ）_x（アミジネイト）_y、Ｒｕ（ジケトネイト）_2（アミジネイト）_2、それらの誘導体およびそれらの混合物から実質的になる群から選ばれるルテニウム前駆体を含むルテニウム含有フィルム堆積用ルテニウム含有前駆体。 - 特許庁

Mask identification marks 109 contained with the information on the kinds of the masks, lot numbers, etc., by the formation of carbon material patterns by irradiation with an FIB the formation of dye material patterns by an ink jet method, or the deposition of seals previously formed with the patterns are annexed outside the arrangement regions of the resist patterns 102 on a resist mask substrate 101.例文帳に追加

レジストマスク基板１０１上のレジストパターン１０２の配置領域外に、ＦＩＢ照射によるカーボン材パターン形成、インクジェット法による染料剤パターン形成によって、あるいは予めパターン形成されたシールの被着によって、マスクの種類，ロット番号等の情報が入ったマスク識別マーク１０９を付設する。 - 特許庁

To provide a method for forming a thin film, which forms a thin film on the inner surface of the tubular material with a chemical vapor deposition process while forming a tubular material by drawing a base material having a shape resembling to the tubular material; an apparatus for forming the thin film ; and a method for manufacturing such a tubular material.例文帳に追加

管状材と相似する形状を有する母材を延伸することにより管状材に成形するとともに、化学的気相成長法によりその管状材の内面に薄膜を形成することができる薄膜形成方法及び薄膜形成装置、並びに、そのような管状材の製造方法を提供する。 - 特許庁

The detection of the residual amount of the developer is performed by counting the number of pixels of the image subjected to development from the time when the deposition of the developer is no more detectable by a developer detecting sensor 45, and estimating the amount corresponding to the count value from the amount of the developer when the developer detecting sensor 45 turns to a non-detection state.例文帳に追加

現像剤の残留量の検出は、現像剤検知センサ４５によって現像剤の堆積が検知できなくなったときから現像を行った画像の画素数をカウントし、このカウント値に対応する量を、現像剤検知センサ４５が非検知状態となったときの現像剤量から減じて推定する。 - 特許庁

To provide a polycarbonate resin optical molding material having high definition transfer property which is suitable for definition transfer property and fast cycle molding property for the form of a stamper and which extremely suppresses deposition on the stamper as for the production of an optical recording medium by molding a polycarbonate resin, in particular, as for the production of a high-density recording medium.例文帳に追加

ポリカーボネート樹脂を成形してなる光記録媒体、とりわけ高密度記録媒体の製造に関して、スタンパー形状に対する精密転写性、高速サイクル成形性に好適であり、且つ、スタンパーへの付着物を極めて抑制した高精密転写性ポリカーボネート樹脂光学用成形材料を提供する。 - 特許庁

To provide an easily bonding polyester film which has excellent adhesion to a vapor-deposited metal layer, accordingly shows excellent gas barrier property, water vapor barrier in particular after vapor deposition, and keeps the excellence in adhesion to a base film and the gas barrier property after a high temperature hot water treatment such as boiling, retort or the like, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

蒸着金属層との優れた接着性を有し、それにより蒸着後のガスバリア性，とりわけ水蒸気バリア性に優れ，かつ、ボイル、レトルトなどの高温熱水処理を施した後も、基材フィルムとの優れた接着性，ガスバリア性を有する易接着性ポリエステルフィルムおよびその製造方法を提供する。 - 特許庁

Generation of spatter S is reduced by interposing resistance members 5, 5 having the electric resistance higher than that of works 1, 2 and having the melting point higher than the boiling point of the works 1, 2 between the works 1, 2 and the electrodes 3, 3, and deposition of the resistance members 5, 5 on the works 1, 2 is suppressed.例文帳に追加

電気抵抗値が被接合部材１，２よりも高く、かつ、融点が被接合部材１，２の沸点よりも高い抵抗部材５，５を、被接合部材１，２と電極３，３との間に介在させることで、スパッタＳの発生を少なくし、かつ、抵抗部材５，５の被接合部材１，２への付着を抑える。 - 特許庁

The first reflection layer 32 and the second reflection layer 34 are formed by vacuum vapor deposition or sputtering, the light made incident from the translucent window 31 repeats total reflection on the first reflection layer 32, the second reflection layer 34 and the total reflection surface, illumination distribution is equalized and the light is emitted from the translucent pattern 33.例文帳に追加

第１反射層３２及び第２反射層３４は真空蒸着あるいはスパッタによって成膜され、前記透光窓３１から入射した光が、第１反射層３２、第２反射層３４及び全反射面で全反射を繰り返し、照度分布が均一化されて透光パターン３３より出射される。 - 特許庁

To provide a vapor deposition mask 1 for an organic EL element maintaining a good junction between a mask body 2 and a frame 3 by preventing deterioration of an adhesive layer 8 interposed between the mask body 2 and the frame 3, contributing to improvement of reliability of precision reproducibility of a light-emitting layer, and to provide a manufacturing method of the same.例文帳に追加

マスク本体２と枠体３との間に介在された接着剤層８の変質を防いで、マスク本体２と枠体３との良好な接合状態を長期にわたって維持し、以て発光層の再現精度の信頼性向上に寄与できる有機ＥＬ素子用蒸着マスク１およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

When a user of the radio terminal equipment 1 desires to print out electronic mail and an image or the like received by the radio terminal equipment 1, the terminal equipment 1 is connected to the information printer 2 installed in a convenience store or the like, after depositing a coin to a coin deposition port 22, a user has only to instruct print-out.例文帳に追加

無線端末装置１の利用者は、無線端末装置１で受信した電子メールや画像などをプリントアウトさせたい時、コンビニエンスストアなどに設置してある情報プリント装置２に無線端末装置１を接続し、金銭投入口２２から硬貨を投入した後、プリントアウトを指示すればよい。 - 特許庁

To obtain a convenient patterning method employing a metal mask and a method for forming a pattern connected with a large number of circuit units on the surface and rear of a substrate with high connection reliability, in which different patterning can be realized at the electrode part and the wiring part on the circuit board by physical deposition without changing a metal mask set once.例文帳に追加

金属マスクを用いる簡易なパターニング方法で、基板の表裏両面に多数個の回路ユニットが連結されたパターンを接続信頼性のある方法で、且つ、回路基板上の電極部位と、配線部位とでそれぞれ異なるパターニングを、一度セットした金属マスクを交換することなく、物理蒸着にて実現する。 - 特許庁

The apparatus includes a housing 100, a crucible 120 built in the housing 110, a heating portion which is positioned around the crucible 12 built in the housing 110 in order to heat the crucible 12, and a nozzle portion injecting the deposition materials vaporized from the crucible 120 into a substrate 220 disposed at an exterior of the housing 110 through an injection nozzle 140.例文帳に追加

ハウジング110と、前記ハウジング110に内蔵された坩堝120と、前記ハウジング110に内蔵されながら坩堝120を加熱するために周辺に設けられた加熱部と、前記坩堝120から蒸発された蒸着物質が噴射ノズル140を介してハウジング110の外部に位置された基板220に噴射されるように設けられたノズル部と、を含んでなる。 - 特許庁

A method is provided for preventing any damage generated on a surface of a paper container by coating the surface with a varnish composition 4 containing a silicone and an antistatic agent, or for preventing deposition of dust on the surface of the paper container by applying and printing the varnish composition containing the silicone and the antistatic agent on the paper container.例文帳に追加

シリコーン及び帯電防止剤を含むワニス組成物４を表面に塗布して、紙容器表面に生じる傷を防止する方法、または紙容器にシリコーン及び帯電防止剤を含むワニス組成物を塗布に印刷して、紙容器表面への埃の付着を防止する方法を提供する。 - 特許庁

Before the deposition of the III-V compound semiconductor film 17 with the MBE method, forming the homoepitaxial film 15 on a polished surface 13a of the semiconductor single crystal wafer 13 reduces a dependency of an optical characteristic of the III-V compound semiconductor film 17 on the presence of a chemical etching process on the main surface of the wafer.例文帳に追加

III−Ｖ化合物半導体膜１７をＭＢＥ法で堆積するに先立って、半導体単結晶ウエハ１３の研磨面１３ａ上にホモエピタキシャル膜１５を形成すると、ウエハ主面のケミカルエッチング処理の有無に関するIII−Ｖ化合物半導体膜１７の光学特性の依存性が低減される。 - 特許庁

To provide a metal vapor deposition biaxially oriented polyester film which maintains the characteristics of practical use without losing heat resistance, aroma retention, water resistance and the like which are outstanding characteristics, has good twist retention and bending properties, enables twist wrapping, bending packaging or secured bending and is excellent in gas barrier properties.例文帳に追加

優れた特性である耐熱性、保香性、耐水性等を失うことなく実用面の特性を維持し、良好なひねり保持性、折曲げ性を具備し、ひねり包装や折曲げ包装、又は折曲げ固定の可能で、かつ、ガスバリア性に優れた金属蒸着二軸延伸ポリエステルフィルムを供給すること。 - 特許庁

The side communication hole 104a is arranged on the inner side surface of the holding frame 104 opposite to the sub direction orthogonal to the main direction to a film deposition chamber exhaust unit 108 from an opposing gas feed unit 107 in a plane parallel to the surface of a substrate loading stand 105.例文帳に追加

側部連通孔１０４ａは、側部連通孔１０４ａは、基板載置台１０５の表面に平行な平面において、対向しているガス供給部１０７から成膜室排気部１０８への主方向に垂直な副方向に対向している押さえ枠１０４の内側側面に配置されている。 - 特許庁

In the apparatus for manufacturing the porous glass preform 4 by depositing glass fine particles produced by the flame hydrolysis reaction of a gaseous starting material on a starting member 1 arranged vertically, a plurality of intake ports 5 are provided along the ceiling of the reaction chamber on the side wall of a reaction chamber provided with a burner 2 for deposition.例文帳に追加

垂直に配置された出発部材１に、原料ガスの火炎加水分解反応により生成したガラス微粒子を堆積させて多孔質ガラス母材４を製造する装置において、堆積用バーナ２を備えた反応室の側壁に、該反応室の天井に沿って複数の吸気口５を有することを特徴としている。 - 特許庁

To avoid the problem that a threshold voltage of a transistor is shifted to the negative side to deteriorate a channel mobility, by previously forming a nitrogen-silicon bond layer on a surface of a silicon oxide film, eliminating a hiding period of forming a silicon nitride film by a chemical vapor deposition method, and suppressing nitriding of a silicon oxide-silicon boundary.例文帳に追加

酸化シリコン膜表面に予め窒素−シリコン結合層を形成して、化学的気相成長法による窒化シリコン膜形成の潜伏時間を解消し、酸化シリコン−シリコン界面の窒化を抑えることで、トランジスタのしきい値電圧が負側にシフトし、チャネル移動度を劣化させる問題を回避する。 - 特許庁

To provide a mudguard structure for a trailer protecting various kinds of supplementary facilities such that the various kinds of supplementary facilities generate no action failure by inhibiting a deposition of muddy water and snow against the various kinds of supplementary facilities mounted to a lower part of a trailer and reducing a burden of a cleaning work of a driver.例文帳に追加

トレーラ下部に取り付けられた各種附帯設備に対する泥水や雪などの付着を抑制することにより、各種附帯設備が動作不良を起こさないように各種附帯設備を保護するとともに、運転者の清掃作業の負担を軽減することができるトレーラの泥よけ構造を提供すること。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an R-T-B based sintered magnet which can reduce occurrence of deposition between an R-T-B based sintered magnet and a support body, and also achieves an efficient supply of a heavy rare earth element RH from RH supply sources to R-T-B based sintered magnet bodies.例文帳に追加

Ｒ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石と支持体との溶着の発生を減少させるとともに、ＲＨ供給源からＲ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石体へ重希土類元素ＲＨの供給を効率よくすることができる、Ｒ−Ｔ−Ｂ系焼結磁石の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a membrane separation device capable of reducing the frequency of cleaning with chemicals by suppressing the deposition of sludge to a membrane element and, thereby, increasing the quantity of permeated water obtained per unit term without making the whole system large-sized in regard to the membrane separation device that filtrates treated water from the treated sludge by using the membrane element.例文帳に追加

膜エレメントを使用して処理汚泥から処理水を濾過する膜分離装置に対し、膜エレメントに対する汚泥の付着を抑制することで薬液洗浄の頻度を低減し、これによって、システム全体を大型にすることなしに単位期間当たりに得られる透過水量の増大を図る。 - 特許庁