「FIELD-EFFECT」に関連した英語例文の一覧と使い方(90ページ目) - Weblio英語例文検索

In the semiconductor device having a high performance field-effect transistor in which a channel region is formed of a carbon nanotube 1, chirality (n, m) of the carbon nanotube 1 is represented by n-m=3p+1, or n-m=3p-1 where p is an integer, and tensile or compression distortion occurs in the direction parallel with the carbon nanotube.例文帳に追加

チャネル領域がカーボンナノチューブ１で形成された電界効果トランジスタを有する半導体装置であって、カーボンナノチューブ１のカイラリティ（ｎ，ｍ）がｐを整数としてｎ−ｍ＝３ｐ＋１で、あるいは、ｎ−ｍ＝３ｐ−１で表され、カーボンナノチューブの軸と平行方向に引張り、あるいは、圧縮ひずみが加わっていることを特徴とする半導体装置。 - 特許庁

This field effect transistor further includes a third main terminal D2 positioned and adapted in order to enable a high input resistance control current means CS, which is coupled to the third main terminal D2, cause part e' of the flow of carriers to deviate from the first main terminal S to the third main terminal D2.例文帳に追加

この電界効果トランジスタはさらに第３の主端子（Ｄ２）を含み、この第３の主端子は、その第３の主端子（Ｄ２）に結合された高入力抵抗電流制御手段（ＣＳ）がキャリアの流れの一部（ｅ’）を第１の主端子（Ｓ）から第３の主端子（Ｄ２）に偏向させることができるように配置され構成されている。 - 特許庁

To provide a semiconductor device such as an organic field effect transistor in which source and drain electrodes have superior adhesiveness to a base, in which ohmic contact sufficient to a semiconductor layer is formed in a contact region with a current passage, and which has an electrode structure that can be manufactured with good productivity in a simple process; and to provide a manufacturing method of the device.例文帳に追加

ソース及びドレイン電極が、下地に対する優れた密着性を有し、かつ、電流通路との接触域において半導体層に対し良好なオーミック接触を形成し、しかも簡易な工程で生産性よく製造できる電極構造を有する、有機電界効果トランジスタなどの半導体装置及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a mobile communication system which limits a transmission output of a mobile station so that the electric field strength around the mobile station is limited within a predetermined range wherein no adverse effect is given on a medical electronic apparatus without the need for revamping the existing mobile station while continuing a mobile communication service.例文帳に追加

移動体通信サービスを継続しながら、移動局周辺の電界強度が医用電子機器などへ悪影響を及ぼさないあらかじめ定められた範囲内に収まるように、移動局の送信出力を制限することのできる移動体通信システムを、既存移動局を改修することなしに提供することを目的とする。 - 特許庁

The semiconductor device includes a support substrate 6, an insulating layer 8 formed on the support substrate 6, a semiconductor layer which is formed on the insulating layer 8 and has a thickness partially changing at least at two steps, and an insulating gate type field-effect transistor formed in a semiconductor region containing a region where the semiconductor layer is relatively thick and a region where the semiconductor layer is relatively thin.例文帳に追加

支持基板６と、支持基板６上に設けられた絶縁層８と、絶縁層８上に設けられた部分的に少なくとも厚さが２段階に異なる半導体層と、半導体層の相対的に厚い領域と薄い領域とを含んでなる半導体領域に設けられた絶縁ゲート型電界効果トランジスタと、を有する半導体装置である。 - 特許庁

When a current transiently flows through the secondary winding w2, respective ends of the series circuit of the detection windings wd1, wd2 generate a voltage to turn on one of field effect transistors Q1, Q2 and to turn off the other according to a direction of the transient current, such that a voltage having prescribed polarity is generated between respective electrodes of output terminals of a rectification circuit.例文帳に追加

検出用巻線ｗｄ１及びｗｄ２の直列回路の各端は、二次巻線ｗ２に電流が過渡的に流れると、その向きに応じて、整流回路の出力端の各極に所定の極性の電圧が発生するように、電界効果トランジスタＱ１及びＱ２の一方をオンし他方をオフさせるような電圧を発生させる。 - 特許庁

A high-mobility Ge channel field effect transistor with a layered heterostructure incorporates multiple semiconductor layers on a semiconductor substrate, and a channel structure of a compressively strained epitaxial Ge layer having a higher barrier or a deeper confining quantum well and having an extremely high hole mobility for complementary MODFETs and MOSFETs.例文帳に追加

半導体基板上に複数の半導体層と、より高いバリアまたはより深い閉じ込め量子井戸を有し、相補型ＭＯＤＦＥＴおよびＭＯＳＦＥＴのための非常に高い正孔移動度を有する圧縮ひずみエピタキシャルＧｅ層のチャネル構造を取り込み、層状ヘテロ構造をもつ高移動度Ｇｅチャネル電界効果トランジスタを形成する。 - 特許庁

A manufacturing method for forming an insulating gate-type field effect transistor on silicon carbide includes a first oxidation process and a second oxidation process by an oxidation temperature higher than an oxidation temperature in the first oxidation process in a gate oxidized film manufacturing process by thermal oxidation.例文帳に追加

炭化珪素上に絶縁ゲート型電界効果トランジスタを形成する製造方法であって、熱酸化によるゲート酸化膜製造工程において、第一酸化工程と上記第一酸化工程における酸化温度よりも高い酸化温度による第二酸化工程を少なくとも含むことを特徴とする、絶縁ゲート型半導体装置のゲート酸化膜の製造方法である。 - 特許庁

Article 13 (1) Neither an director nor an employee (meaning in this Article a person other than directors engaged in the business of a corporation on a regular basis) of a corporation shall hold at the same time a position as an director of another corporation where the effect of such an interlocking directorate may be substantially to restrain competition in any particular field of trade. 例文帳に追加

第十三条　会社の役員又は従業員（継続して会社の業務に従事する者であつて、役員以外の者をいう。以下この条において同じ。）は、他の会社の役員の地位を兼ねることにより一定の取引分野における競争を実質的に制限することとなる場合には、当該役員の地位を兼ねてはならない。 - 日本法令外国語訳データベースシステム

To optimize a visual field angle for each image display means or the plurality of image display means as a whole according to a type of a game machine even when the plurality of image display means for respectively independently displaying images are included in order to drastically mitigate the constraints of performance display matched with game progress and improve a performance effect further.例文帳に追加

遊技の進行に合わせた演出表示の制約を大幅に緩和して演出効果をさらに高めるために、それぞれが独立して画像表示を行う複数の画像表示手段を設けた場合であっても、遊技機のタイプに応じて個々の画像表示手段あるいは複数の画像表示手段全体に対する視野角を最適化すること。 - 特許庁

In the organic field effect transistor 1 provided with an organic semiconductor layer 4, and a source electrode 2 and a drain electrode 3, which are bonded to the organic semiconductor layer 4, ohmic bonding faces 8A and 9A and Schottky bonding faces 8B and 9B are formed in bonding faces 8 and 9 with the organic semiconductor layer 4 and the source electrode 2 or the drain electrode 3.例文帳に追加

有機半導体層４と有機半導体層４に接合したソース電極２及びドレイン電極３とを備えた有機電界効果トランジスタ１の、有機半導体層４とソース電極２及びドレイン電極３の少なくとも一方との接合面８，９に、オーミック接合面８Ａ，９ＡとＳｃｈｏｔｔｋｙ接合面８Ｂ，９Ｂと形成する。 - 特許庁

This manufacturing method of this organic field-effect transistor includes processes of: growing a plurality of flake-like organic semiconductor single crystals 15a on a base 20; and transferring the plurality of flake-like organic semiconductor single-crystals 15a to a substrate 10 for a device provided with a gate insulation film 12 for a plurality of transistors, and electrodes 11, 13 and 14.例文帳に追加

本実施形態に係る有機電界効果トランジスタは、基台２０上に複数の薄片状の有機半導体単結晶１５ａを成長させる工程と、複数のトランジスタ用のゲート絶縁膜１２及び電極１１，１３，１４を備えるデバイス用基板１０に、複数の薄片状の有機半導体単結晶１５ａを転写する工程と、を有する。 - 特許庁

A system for modeling an integrated circuit including at least one insulated gate field-effect transistor comprises a generator means (MLB) for defining parameter representating of mechanical stresses applied to the active area of the transistor, and a processing means (MT) for determining at least several electric parameters (P) of the transistor while taking account of the stress parameters.例文帳に追加

少なくとも１つの絶縁ゲート電界効果トランジスタを含む集積回路をモデル化するシステムにおいて本システムは、トランジスタの動作領域に加えられる機械的応力を表すパラメータを定義する生成手段（MLB）と、応力パラメータを考慮してトランジスタの少なくともいくつかの電気パラメータ（P）を決定する処理手段（MT）とを含む。 - 特許庁

The storage means 12 is stored with a 1st database 121 wherein terms regarding diseases and symptoms and general medicines having terms entered into an effect field of an attached document are related to each other and a 2nd database 122 wherein synonyms for technical terms, general terms, etc., among the terms regarding the diseases and symptoms are related to each other.例文帳に追加

記憶手段１２には、疾患・症状に関する用語と、当該用語が添付文書の効能・効果の欄に記載された一般用医薬品とが関連付けられた第１のデータベース１２１と、前記疾患・症状に関する用語のうち、専門的用語や一般的用語等の類義語同士が関連付けられた第２のデータベース１２２とが記憶されている。 - 特許庁

To provide a reversibly thermally color-changing velour tone fabric giving a peculiar touch feeling due to a soft touch by napping, also sensitive in color-changing function and excellent in decorating effect, and a toy such as a stuffed toy or a clothing having a high commercial value by applying the fabric in the toys and clothing field.例文帳に追加

起毛による柔軟な風合いを有して特異な触感が得られ、且つ、鋭敏な変色機能を有する、装飾効果に優れた可逆熱変色性ベロア調生地、及び、前記可逆熱変色性ベロア調生地を玩具や衣料分野等に応用することにより商品価値の高いぬいぐるみ等の玩具や衣料を提供できる。 - 特許庁

To provide an electrode film/silicon carbide structure whose structure is easy and its manufacturing process is simple and short preventing an electrode film from peeling, to provide a silicon carbide schottky barrier diode, to provide a field effect transistor of a metal-silicon carbide semiconductor structure, to provide the optimum method for forming an electrode film, and to provide a method for manufacturing an electrode film/silicon carbide structure.例文帳に追加

電極膜の剥離を防止しつつ、構造が容易で製造工程が簡易で短い電極膜／炭化珪素構造体、炭化珪素ショットキバリアダイオード、金属−炭化珪素半導体構造電界効果トランジスタ、電極膜の成膜最適化方法および電極膜／炭化珪素構造体の製造方法を提供することにある。 - 特許庁

On each of the radiation axes that pass through a center O, in the radial direction, inside the region where the magnetic field varies as a linear function of the direction of the radiation axis, the position of the detector 10 on the X-Y coordinate can be known, by detecting the variations in the electrical resistance of each of the magnetoresistance effect elements inside the detector 10.例文帳に追加

中心Ｏを通り半径方向に延びるそれぞれの放射軸上において、放射軸の方向の磁界の強度が一次関数で変化する領域内では、前記検知器１０内の各磁気抵抗効果素子の電気抵抗の変化を検知することで、検知器１０のＸ−Ｙ座標上の位置を知ることができる。 - 特許庁

When the level of the signal is high, a variable amplifier circuit 7 discriminates that the deterioration of a high-frequency component is large and operates an auxiliary deflecting coil 5 to increase its velocity modulating effect when the level of the color difference signal is high by changing a superimposed deflecting magnetic field by increasing the current flowing to the coil 5 so that the scanning speed of a beam current may be changed.例文帳に追加

増幅可変回路７は、色差信号のレベルが大きい場合には、高域成分の劣化が大きいと判断し、補助偏向コイル５に流れる電流を増加させることで重畳偏向磁界を変化させて、その結果ビーム電流の走査速度を変化させて色差信号レベルの大きい所では速度変調効果を強くするように動作させる。 - 特許庁

To solve the following problems: a depletion layer is formed in an M-type contact layer by an n-type compound semiconductor contact layer of a field-effect transistor and interface charge existing in the interface with an insulating film provided on it, and in association with this a part serving passage of current is narrowed to lower a cutoff frequency Ft.例文帳に追加

電界効果トランジスタのｎ型化合物半導体コンタクト層と、その上に設けられた絶縁膜との界面に存在する界面電荷により、Ｍ型コンタクト層内に空乏層が形成され、それに伴い電流の通り道となる部分が狭窄し、遮断周波数Ｆｔが低下するという課題に対する解決手段を提供する。 - 特許庁

To obtain a sanitary agent composition which achieves excellence in deodorizing effect on odors such as those of ammonia, indole and compounds containing sulfur, especially compound odors traditionally regarded as very difficult in handling, and moreover, can ease or reduce irritation and itching derived from histamine, to say nothing of so-called four major offensive smells becoming problems in the field of nursing.例文帳に追加

介護の現場で問題となるいわゆる四大悪臭は勿論のこと、アンモニア臭、インドール臭および含硫黄化合物臭などの臭気、特に従来から対処が極めて困難であるとされていた複合臭に対する消臭効果が優れ、しかもヒスタミン由来による刺激や痒みを緩和、軽減することのできる衛生剤組成物を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor element provided with a boron phosphide-based semiconductor layer which can reduce leakage of an element driving current, improve photoelectric conversion efficiency as a light-emitting element, improve an opposite direction voltage, cause a gate electrode to have high voltage resistance as an electric field effect transistor, and improve the pinch-off characteristic of a drain current.例文帳に追加

燐化硼素系半導体層を備える半導体素子において、素子駆動電流の漏洩を低減することができ、発光素子として光電変換効率を高くでき、逆方向電圧も高くでき、また電界効果型トランジスタとしてゲート電極を高耐圧性とし、ドレイン電流のピンチオフ特性も改善することができるようにする。 - 特許庁

To prevent misoperations or thermal breakdowns of a semiconductor element, by rapidly externally radiating a large heart at operation time of the element, when housing a high output semiconductor element, such as a Schottky barrier field effect transistor made of a compound semiconductor, as the material in a package for housing the element which has a metal base and a ceramic frame.例文帳に追加

金属基体とセラミック枠体を具備する半導体素子収納用パッケージにおいて、化合物半導体を素材としたショットキーバリア型電界効果型トランジスタなどの高出力の半導体素子を収納する場合において、半導体素子の作動時の大きな発熱を速やかに外部に放熱させて、半導体素子の誤作動や熱破壊を防ぐこと。 - 特許庁

The output sections have a field effect transistor 19 having a gate electrostatic capacitance connected to the signal lines so as to be connected in series to the capacitor 15 and an output circuit 20 for outputting the signal corresponding to the information according to the switching action of this transistor 19 so as to make the switching action corresponding to the change in the charge quantities.例文帳に追加

出力部は、前記電荷量の変化に対応したスイッチング動作をなすべく前記キャパシタと直列的に接続されるように信号線に接続されたゲート静電容量を備える電界効果トランジスタ１９と、該トランジスタのスイッチング動作に応じて前記情報に対応した信号を出力する出力回路２０とを備える。 - 特許庁

This plant controller is made to apply an electric brake by outputting a command value to the effect that it should zero an exciting current to an excitation current control means 63a on one hand, and switching on an earth disconnector 56 after completion of the trip of a transmission breaker 55 on the other thereby severally controlling the exciting currents to be supplied to the field winding of a plurality of generator-motors.例文帳に追加

励磁電流を零にすべき旨の指令値を励磁電流制御手段６３ａ、６３ｂに対して出力する一方、送電遮断器５５のトリップが完了したのち接地断路器５６を投入し、複数の発電電動機の界磁巻線に供給する励磁電流をそれぞれ制御して電気ブレーキを印加するようにしたものである。 - 特許庁

The spin valve type huge magnetoresistance effect element comprises a first antiferromagnetic layer 1, a fixed magnetic layer 2 connected to the first antiferromagnetic layer 1, a nonmagnetic conductive layer 3, a free magnetic layer 4 changing in the magnetizing direction by the signal magnetic field, and a second antiferromagnetic spacer layer 22 to be long distance exchange connected to the magnetic layer 4 via the spacer layer 21.例文帳に追加

第１の反強磁性層１と、この第１の反強磁性層１と接合する固定磁性層２と、非磁性導電層３と、信号磁界により磁化方向が変化する自由磁性層４と、この自由磁性層４に非磁性スペーサ層２１を介して長距離交換結合される第２の反強磁性層２２とを有する構成とする。 - 特許庁

Moreover, the magnetoresistive effect device 5 is equipped with a pair of magnetization setting layers 24L, 24R which are arranged adjacent to both sides of stacked matter consisting of the base layer 21 and the perpendicularly biased magnetic field impression layer 22 and a pair of electrode layers 25L, 25R which are arranged adjacent to both sides of stacked matter consisting of the coupling layer 23 and the MR element 50.例文帳に追加

磁気抵抗効果装置５は更に、下地層２１と縦バイアス磁界印加層２２からなる積層体の両側部に隣接するように配置された一対の磁化設定層２４Ｌ，２４Ｒと、結合層２３とＭＲ素子５０からなる積層体の両側部に隣接するように配置された一対の電極層２５Ｌ，２５Ｒを備えている。 - 特許庁

A Darlington amplifier is constituted by connecting a gate terminal of a first primary stage source grounding MOSFET (metal oxide semiconductor field effect transistor) 51 with a transmission track 1 on the input side, connecting a drain terminal with a gate terminal of a first rear stage source grounding MOSFET 52 and connecting a drain terminal of the first rear stage source grounding MOSFET 52 with a transmission track 3 on the output side.例文帳に追加

第１の初段ソース接地ＭＯＳＦＥＴ５１のゲート端子を入力側伝送線路１に接続し、ドレイン端子を第１の後段ソース接地ＭＯＳＦＥＴ５２のゲート端子に接続し、第１の後段ソース接地ＭＯＳＦＥＴ５２のドレイン端子を出力側伝送線路３に接続し、ダーリントン増幅器を構成する。 - 特許庁

To obtain a rotating machine which can reduce eddy current loss generated in the housing by suppressing generation of induction magnetic field on the periphery of a lead wire being led out of the housing even if the distance between the bearing for supporting the rotating shaft is shortened, and can reduce generation of heat or voltage drop in the lead wire by suppressing increase of wiring resistance in the lead wire resulting from skin effect.例文帳に追加

この発明は、回転軸を軸支する軸受間距離を短くしても、ハウジング外に引き出される口出し線周辺での誘導磁場の発生を抑えて、ハウジングに発生する渦電流損失を低減し、かつ表皮効果による口出し線での配線抵抗の増加を抑え、口出し線での発熱や電圧降下を低減できる回転機を得る。 - 特許庁

To provide a magnetic detection element wherein optimal quality of material and thickness of a fixed magnetic layer are selected when an NOL (Nano Oxide Layer) having specular effect is used inside the fixed magnetic layer, and further, profile of the NOL is rationalized, so that high resistance change ratio (ΔR/R) and monodirective exchange bias magnetic field (Hex^* ) can be obtained.例文帳に追加

特に固定磁性層の内部に鏡面反射効果を有するＮＯＬを用いたときに、前記固定磁性層の最適な材質及び膜厚を選択し、さらには前記ＮＯＬの形状を適正化し、高い抵抗変化率（ΔＲ／Ｒ）と一方向性交換バイアス磁界（Ｈｅｘ＊）を得ることが可能な磁気検出素子を提供することを目的としている。 - 特許庁

A thin film field effect transistor has at least a gate electrode, a gate insulating film, an active layer, a source electrode and a drain electrode formed on a substrate, wherein a resistive layer is connected electrically between the active layer and at least one of the source electrode and drain electrode.例文帳に追加

基板上に、少なくとも、ゲート電極、ゲート絶縁膜、活性層、ソース電極及びドレイン電極を有する薄膜電界効果型トランジスタであって、前記活性層と前記ソース電極及び前記ドレイン電極の少なくとも一方との間に抵抗層が電気的に接続して配されていることを特徴とする薄膜電界効果型トランジスタ。 - 特許庁

To provide the structure of a fin-type field-effect transistor (FinFET) having an embedded oxide layer 130 on a substrate 110, at least one-layer first structure 112 on the embedded oxide layer and at least one-layer second fin structure 114 on the embedded oxide layer and a manufacturing method of the same.例文帳に追加

基板１１０の上の埋め込み酸化膜層１３０、この埋め込み酸化膜層の上にある少なくとも１層の第１のフィン構造１１２、およびこの埋め込み酸化膜層の上にある少なくとも１層の第２のフィン構造１１４を有するフィン型電界効果トランジスタ（ＦｉｎＦＥＴ）の構造および製造方法を提供すること。 - 特許庁

The liquid crystal display device in this invention is the one 20 provided with the data storage function having electric field effect transistors as active elements, and is characterized by that pixel circuits 261 have a data holding function and a data reading function, or the data holding function (memory transistors STij) and the data reading function are added thereto.例文帳に追加

本発明の液晶表示装置は、電界効果型トランジスタを能動素子として有するデータ記憶機能付き液晶表示装置２０であって、画素回路２６１は、データ保持機能およびデータ読出し機能を有し、または画素回路２６１には、データ保持機能（メモリ用トランジスタＳＴ_ij）およびデータ読出し機能が付属してなることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a shift register circuit which is constituted by using field effect transistors and in which malfunction and an operation characteristic can be improved by suppressing variation of a transistor characteristic caused by a time integration value of a signal level applied to a gate electrode, its drive control method, a display driving device, and a readout driving device.例文帳に追加

電界効果トランジスタを用いて構成されるシフトレジスタ回路において、ゲート電極に印加される信号レベルの時間積分値に起因するトランジスタ特性の変動を抑制して、誤動作や動作特性の改善を図ることができるシフトレジスタ回路及びその駆動制御方法並びに表示駆動装置、読取駆動装置を提供する。 - 特許庁

A protective circuit against electrostatic breakdown composed of an insulated gate field effect transistor is replaced with an equivalent circuit using a bipolar transistor, a current flowing at least from a collector to a substrate between a current flowing from the collector to the substrate and a current flowing from an emitter to a substrate is expressed by two current sources, and the protective resistance to electrostatic breakdown is simulated by circuit simulation.例文帳に追加

絶縁ゲート型電界効果トランジスタによって構成される静電破壊保護素子を、バイポーラトランジスタを用いた等価回路に置き換え、コレクタから基板に流れる電流とエミッタから基板に流れる電流の内の少なくともコレクタから基板に流れる電流を２つの電流電源によって表し、静電破壊保護耐性を回路シミュレーションする。 - 特許庁

Plural memory cells are divided into blocks of one or more, memory cells in each block are provided on the same semiconductor substrate 10, and a memory cell is composed of a field effect transistor having a source 14a, a drain 14b, a floating gate 16, and a control gate 18, and their sources are commonly coupled so as to be connected electrically.例文帳に追加

複数のメモリセルは１以上のブロックに分割され、各ブロック内のメモリセルは、同一の半導体基体１０上に設けられ、ソース１４ａ・ドレイン１４ｂ、浮遊ゲート１６および制御ゲート１８を有する電界効果トランジスタによりそれぞれ構成され、それらのソースが互いに電気的に接続されるように共通に繋がっている。 - 特許庁

To provide a liquid development device and an image forming apparatus which are designed such that the need for the application of electric field for the removal of residual liquid developer on an image carrier after development is eliminated, driving force for cleaning is restrained, thereby degradation in the durability of the developer carrier is prevented, satisfactory cleaning effect is ensured, and image density is stabilized.例文帳に追加

現像後、現像剤担持体上に残存する液体現像剤を除去するにあたり、電界印加の必要がなく、クリーニングのための駆動力も抑えて現像剤担持体の耐久性を損なわず、且つ十分なクリーニング効果を有し、画像濃度を安定化することのできる液体現像装置及び画像形成装置を提供する。 - 特許庁

In a molecular TFT (molecular electric field effect transistor) 10 including a nano-tube 15, a drain electrode 12 and a source electrode 13 are formed on substrate 11 via an insulating film, and the nano-tube 15 is disposed between the drain electrode 12 and the source electrode 13, and is covered with a ferroelectric 18.例文帳に追加

ナノチューブ１５を含んでなっている分子ＴＦＴ（分子電界効果トランジスタ）１０であって、基板１１上に絶縁膜を介してドレイン電極１２及びソース電極１３が形成され、ドレイン電極１２とソース電極１３との間にナノチューブ１５が配置されるとともに、ナノチューブ１５が強誘電体１８によって被覆されている。 - 特許庁

Semiconductor device includes a field effect transistor having a gate electrode comprised of side wall insulating films on a plurality of active regions, and a wiring formed on an element isolation region by using the same material as the gate electrode where the side wall insulating films are selectively removed and then a silicide layer thicker than that of the gate electrode is formed.例文帳に追加

半導体装置は、複数の活性領域にサイドウォール絶縁膜を備えたゲート電極を持つ電界効果トランジスタを有し、素子分離領域上にゲート電極と同一材料を用いて形成された配線を有し、素子分離領域上ではサイドウォール絶縁膜が選択的に除去され、ゲート電極のシリサイド層より厚いシリサイド層が形成される。 - 特許庁

To provide a solution for forming an insulating thin film that can be applied at low temperature, has high insulation and dielectric constant properties, and allows surface processing, the insulating thin film formed using the same, a field effect transistor having superior performance using the insulating thin film as a gate insulating layer and a method of manufacturing the same, and an image display device.例文帳に追加

低温で塗布形成可能で高い絶縁性と誘電率を有し、かつ表面処理可能な絶縁性薄膜の形成用溶液、それを用いて形成した絶縁性薄膜、絶縁性薄膜をゲート絶縁層として用いることで優れた性能を有する電界効果型トランジスタ及びその製造方法並びに画像表示装置を提供する。 - 特許庁

The field effect transistor (FET) includes a plurality of device layers disposed vertically in a stack, each device layer has a source region, a drain region and a plurality of nanowire channels 110 connecting the source region and the drain region, wherein the source and drain regions of one or more of the device layers are doped with an n-type dopant or a p-type dopant.例文帳に追加

電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）インバータは、スタック内で垂直方向に配置された複数のデバイス層を含み、各デバイス層は、ソース領域、ドレイン領域、及びソース領域とドレイン領域を接続する複数のナノワイヤ・チャネル１１０を有し、ここで１つ又は複数のデバイス層のソース及びドレイン領域はｎ型ドーパント、又はｐ型ドーパントでドープされる。 - 特許庁

In the field effect transistor wherein a substrate 10, a diamond semiconductor layer 11, and a compound semiconductor layer 12 are formed in this order, the diamond semiconductor layer 11 is formed of (111)-plane diamond and the compound semiconductor layer 12 is formed of a (0001)-plane hexagonal compound semiconductor or (111)-plane hexagonal compound semiconductor.例文帳に追加

基板１０、ダイヤモンド半導体層１１、化合物半導体層１２がこの順で形成された電界効果トランジスタにおいて、ダイヤモンド半導体層１１を（１１１）面ダイヤモンドにより構成すると共に、化合物半導体層１２を（０００１）面の六方晶化合物半導体、あるいは、（１１１）面の立方晶化合物半導体により構成する。 - 特許庁

Because in the vertical alignment mode, alignment of liquid crystal molecules is controlled so as to make them align nearly radially from the center of the polygonal or circular transparent electrode to the outside, an adverse effect of an electric field produced on the wire parts to the alignment of the liquid crystal molecules is reduced by disposing the wires nearly vertical to the outside edges of the transparent electrodes.例文帳に追加

垂直配向方式では、多角形又は円形の透明電極の中心から外側へ略放射状に液晶分子の配向が制御されるので、配線を透明電極の外形辺に対して略垂直に配置することにより、その配線部分に生じる電界が液晶分子の配向に与える悪影響を低減することができる。 - 特許庁

The total code size to provide the same effect by inserting a NOP field including values equivalent to the number of NOP instructions into each instruction for which stand-by time is required until use of a result of the instruction such as a load instruction and a branching instruction instead of the conventionally inserted NOP instruction is possible.例文帳に追加

ロード命令や分岐命令の様にその命令の結果が利用出来るようになるまでに待ち時間が必要な命令に対して、従来挿入されているＮＯＰ命令の代わりに、このＮＯＰ命令の数に等しい値を含むＮＯＰフィールドをそれぞれの命令の中に挿入することで、同一効果をもたらす総コードサイズを削減する。 - 特許庁

To provide an MOS transistor circuit employing a double insulated gate field effect transistor (FET) in which high-speed operation of a unit circuit is made compatible with reduction of power consumption during out-of-use (annotation), at a normal time, or on standby, a CMOS transistor circuit employing the same, SRAM cell circuit, CMOS-SRAM cell circuit, and integrated circuit.例文帳に追加

単位回路の、高速動作と未使用時（注を入れる）または定常時または待機時における消費電力の減少を両立させた二重絶縁ゲート電界トランジスタを用いたＭＯＳトランジスタ回路およびそれを用いたＣＭＯＳトランジスタ回路、ＳＲＡＭセル回路、ＣＭＯＳ−ＳＲＡＭセル回路、集積回路を提供することである。 - 特許庁

A channel layer 3 and an etch stop layer 8 at least are sequentially formed on a semiconductor substrate 1, and InGaP having an In composition ratio of 0.66-0.9 is used as the etch stop layer 8 of the field effect compound semiconductor device where a gate electrode 10, which is in Schottky contact with the etch stop layer 8, is formed on the etch stop layer 8.例文帳に追加

半導体基板１上に、少なくとも、チャネル層３及びエッチングストッパ層８が順次設けるとともに、、前記エッチングストッパ層８上に該エッチングストッパ層８とショットキー接触するゲート電極１０を設けた電界効果型化合物半導体装置の前記エッチングストッパ層８としてＩｎ組成比が０．６６〜０．９のＩｎＧａＰを用いる。 - 特許庁