「FIELD-EFFECT」に関連した英語例文の一覧と使い方(89ページ目) - Weblio英語例文検索

To make the recording density higher for magnetic recording by reducing what is called side erasure caused by what is called recording magnetic field fringe effect while using the same manufacturing process of a thin film magnetic recording head as conventional one, namely, while avoiding such a problem in the manufacturing process as depositing a wide one on a narrow one.例文帳に追加

薄膜磁気記録ヘッドの製造工程は従来と同じにしたまま、すなわち、幅狭なものの上に幅広なものを成膜するという製造工程上の問題を生じないまま、いわゆる記録磁界フリンジングによるサイドイレースを減少させ、これにより、磁気記録の高密度化を図ることを課題とする。 - 特許庁

A memory element 1 comprises a field effect transistor element which is composed of two impurity diffusion areas 11, a gate electrode 13, and a gate insulating layer 12 on a p-type silicon board 10; and a variable resistance element which is composed of a lower electrode 19, an upper electrode 21, and a variable resistance layer 20 interposed between the lower and upper electrodes 19, 21.例文帳に追加

メモリ素子１は、ｐ型シリコン基板１０に、２箇所の不純物拡散領域１１とゲート電極１３およびゲート絶縁層１２から構成される電界効果型トランジスタ素子部と、下部電極１９と上部電極２１とで可変抵抗層２０を挟み構成された可変抵抗素子部とからなる。 - 特許庁

To provide a transition and raising method for lawn in lawn field for withering winter grass through attachment to the leaves of ryegrass of winter lawn without affecting bermudagrass of summer lawn strong to salt damage and producing fertilizer effect through simultaneously administering potassium chloride-magnesium chloride to bermudagrass.例文帳に追加

この発明は、塩害に強い夏芝のバミューダーグラスには影響を与えず、冬芝のライグラスの葉に付着させることにより、枯れ死させ、バミューダーグラスには、塩化カリウム・塩化マグネシウムを同時に投与することにより肥料効果もあげる芝生場における芝生の切り替え育成方法を開発・提供するものである。 - 特許庁

The insulated gate field effect transistor has a channel forming region of a semiconductor substrate for internally forming a channel layer and opposing a gate electrode 19 through a gate insulating film 17, and a source-drain region 10 having a conductivity type reverse to that of the channel forming region and formed separately in contact with the channel forming region.例文帳に追加

ゲート絶縁膜１７を介してゲート電極１９と対向し、内部にチャネル層が形成される半導体基板のチャネル形成領域と、当該チャネル形成領域と逆の導電型を有し、チャネル形成領域に各々接し互いに離れて形成されているソース・ドレイン領域１０と、を有する。 - 特許庁

The junction type field effect transistor formed on a semiconductor substrate 100 is constituted with inclusion of a source region 101, a drain region 102, a channel region 103 formed between the source region 101 and the drain region 102, and a gate region 107 formed under at least the channel region 103.例文帳に追加

半導体基板１００に形成された接合形電界効果トランジスタは、ソース領域１０１と、ドレイン領域１０２と、ソース領域１０１とドレイン領域１０２との間に形成されたチャネル領域１０３と、少なくともチャネル領域１０３の下に形成されたゲート領域１０７とを含で構成される。 - 特許庁

This field-effect semiconductor memory 10 is composed of a structure, wherein a semiconductor substrate 11, a source-drain region 12, ferroelectric 13 and dielectric 14 formed in a trench 17, a gate electrode 15 and a source-drain electrode 16 disposed there, and the film thickness of the dielectric 14 is thin at the bottom face of the trench 17 and thick at the side face.例文帳に追加

電界効果型半導体メモリ装置10は、半導体基板11，ソ−ス・ドレイン領域12，溝17に形成された強誘電体13および誘電体14，ゲ−ト電極15，ソ−ス・ドレイン電極16を配置した構造からなり、そして、誘電体14の膜厚が、溝17の底面で薄く、側面で厚くした構造からなる。 - 特許庁

With the use of a mis-orientated wafer 10 with a plurality of steps 11 and terraces 12 formed by rearranged surface silicon atoms, a MOS field-effect transistor is structured with a very thin crystalline silicon dioxide film 15 which is grown epitaxially on the terrace 12 of the wafer 10 as a gate insulating film.例文帳に追加

表面シリコン原子の再配列によって形成した複数のステップ１１およびテラス１２を有するミスオリエンテーション基板１０を用いて、その基板１０のテラス１２上にエピタキシャル成長させた極薄の結晶質二酸化シリコン膜１５をゲート絶縁膜としてＭＯＳ電界効果型トランジスタを構成する。 - 特許庁

To provide a field effect device using organic semiconductor single-crystal having excellent mechanical flexibility, compatibility with light emitting element or light receiving element, and price competitiveness, and having the degree of freedom of selecting various organic semiconductor materials, and a steep switching characteristic, and a method for manufacturing the device.例文帳に追加

機械的柔軟性、発光素子や受光素子との適合性、価格競争力などに優れ、様々な有機半導体材料を選択できる自由度および急峻なスイッチング特性を有する、有機半導体単結晶を用いた電界効果デバイスおよび該電界効果デバイスの製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device for forming a nonvolatile memory transistor and a MOS field-effect transistor on an identical semiconductor substrate capable of decreasing a fluctuation in film thickness of a top film of the nonvolatile memory with the reduced number of processes and an improved yield.例文帳に追加

不揮発性メモリトランジスタとＭＯＳ電界効果トランジスタとを同一の半導体基板上に形成する半導体装置の製造方法において、工程数を削減し、歩留まりを向上させ、不揮発性メモリトランジスタのトップ膜の膜厚ばらつきを低減可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A second silicon carbide semiconductor layer 11 having a band gap larger than that of a first silicon carbide semiconductor layer 10 is formed in the first silicon carbide semiconductor layer 10 to form a channel region in a Schottky gate type field effect transistor on one side of an interface between the first and second semiconductor layers 10 and 11.例文帳に追加

第１の炭化珪素半導体層１０に、それよりもバンドギャップの大きい第２の炭化珪素半導体層１１を形成することにより、ショットキーゲート型電界効果トランジスタにおけるチャネル領域を第１の炭化珪素半導体層１０の、第２の炭化珪素半導体層１１との界面側に形成する。 - 特許庁

By using the concave structure, and by a method which combines the fringe field effect to a drift rubbing, a bump production or an opening of the electrode, the gradient direction of the liquid crystal molecules is changed, a multi-domain is formed by the method, a disclination line of a translucent region is fixed in the boundary of the area and a chromatic dispersion is decreased.例文帳に追加

この凹構造を利用し、並びに定向ラビング、或いはバンプ製作、或いは電極の開口にフリンジフィールド効果を結合させる方式により、液晶分子の傾き方向を変え、これによりマルチドメインを形成し、並びに透光区のディスクリネーションラインをエリアの境界部分に固定し、且つ色分散を減少する。 - 特許庁

*Based on worldwide and Japanese development trends, the needs of society and the market, concretely explain the advantages (performance, price, CO2 reduction effect, improvement in safety, etc.) and to what industry and field they will contribute when they are achieved. 例文帳に追加

※従来の技術・製品との比較における優位性（性能・価格・ＣＯ２削減効果、安全性向上など）、実現した場合にどのような産業・分野に貢献することになるのかなどにつき、世界的及び日本国内での開発動向や社会的ニーズ・市場ニーズ等を踏まえて具体的に記載すること。 - 経済産業省

A semiconductor device is a p-channel MOS field-effect transistor which comprises a semiconductor substrate, a gate oxide film provided on the semiconductor substrate, a gate electrode provided on the gate oxide film, and two p^+ source/drain diffusion regions formed in an n-well region in the semiconductor substrate, each having a p^- offset region.例文帳に追加

半導体装置は、半導体基板と、半導体基板上に設けられたゲート酸化膜と、ゲート酸化膜上に設けられたゲート電極と、半導体基板内のｎウエル領域に形成され、それぞれＰ^−のオフセット領域を有する２つのＰ^＋のソース／ドレイン拡散領域とを有する、Ｐチャネル型ＭＯＳ電界効果トランジスタである。 - 特許庁

The display device having an image reading function is miniaturized and made compact by forming new element constitution having a semiconductor device for display and a semiconductor device for receiving light in one pixel, that is, having a semiconductor device (an insulation gate type electric field effect semiconductor device) performing both display control and light receiving control in one pixel.例文帳に追加

１つの画素内に表示用半導体装置と受光用半導体装置を有する新規な素子構成、すなわち、１つの画素内に表示と受光の両方の制御を行う半導体装置（絶縁ゲート型電界効果半導体装置）を有する構成とすることで、画像読み取り機能を有する表示装置を小型化、コンパクト化する。 - 特許庁

The semiconductor device has a field effect transistor formed of a semiconductor substrate, a gate insulation film formed on the substrate and a gate electrode formed on the gate insulation film, wherein the gate insulation film contains silicon oxynitride (SiON) as a major component and the state of strain of the gate insulation film is a compression strain state.例文帳に追加

半導体基板と、前記基板上に形成されるゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜の上に形成されるゲート電極とを有する電界効果型トランジスタが形成され、前記ゲート絶縁膜が酸窒化シリコン（SiON）を主成分とし、前記ゲート絶縁膜のひずみ状態が圧縮ひずみ状態であることを特徴とする半導体装置である。 - 特許庁

In the hetero-junction field effect transistor element 100, a distance between an intersection A 110 of primary gate wiring 105 and secondary wiring 106 and an intersection B 116 of a gate electrode 102a as one end in a plurality of gate electrodes 102 and the primary gate wiring 105 is set at 10 μm or less.例文帳に追加

ヘテロ接合型電界効果トランジスタ素子１００において、第１次ゲート配線１０５と第２次ゲート配線１０６の交点Ａ：１１０と、複数のゲート電極１０２において一方の端をなすゲート電極１０２aと第１次ゲート配線１０５との交点Ｂ：１１６の間の距離は１０μｍ以下となるよう配置されている。 - 特許庁

In the field-effect transistor which has a source region 3, a channel region 4, and a drain region 5 within the nitride system semiconductor, a gate electrode 7 is made of tungsten, tungsten alloy, molybdenum, or molybdenum alloy, and the carrier concentration of the source region 3 is higher than the carrier concentration of the channel region 4.例文帳に追加

ナイトライド系半導体内に、ソース領域３、チャネル領域４およびドレイン領域５を有する電界効果トランジスタにおいて、ゲート電極７がタングステン、タングステン合金、モリブデンまたはモリブデン合金からなり、ソース領域３のキャリア濃度がチャネル領域４のキャリア濃度よりも高いことを特徴とする電界効果トランジスタを構成する。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of a semiconductor device suitably controlling the concentration of nitrogen in a gate insulating film according to predetermined characteristics required for each transistor, while suppressing the deterioration of characteristics in the transistors and the complicatedness of a manufacturing process with regard to the manufacturing method of the semiconductor device having a field effect transistor containing nitrogen in the gate insulating film.例文帳に追加

ゲート絶縁膜に窒素を含有する電界効果トランジスタを有する半導体装置の製造方法に関し、トランジスタの特性劣化や製造工程の複雑化を抑制しつつ、各トランジスタに要求される所定の特性に基づいてゲート絶縁膜中の窒素濃度を適宜制御しうる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The present protective circuit for the field effect transistor 10 is a protective circuit for a Schottky gate HFET in which a series of diodes 14 including 5 diodes 12 connected in series in the normal direction and one diode 16 in the reverse direction are connected in parallel, and a gate line Vgg connected to the gate electrode of the HFET is grounded via the protective circuit 10.例文帳に追加

本電界効果トランジスタの保護回路１０は、ショットキーゲートＨＦＥＴの保護回路であって、縦続接続させた５個の順方向のダイオード１２からなるダイオード列１４と、１個の逆方向のダイオード１６とを並列接続した回路であって、ＨＦＥＴのゲート電極に接続されたゲート線Ｖｇｇは、保護回路１０を介して接地されている。 - 特許庁

To provide a reliable method and a device which enable design-keeping transition from an existing non-fin design structure to a functionally identical structure based on a technology of a double-gate fin-base field-effect transistor FinFET in a metal-oxide semiconductor MOS, a device of a complementary metal-oxide semiconductor CMOS, and designing chips of the semiconductors.例文帳に追加

金属酸化物半導体（ＭＯＳ）、相補型金属酸化物半導体（ＣＭＯＳ）のデバイス、並びにそれらのチップ設計に於いて、既存の非フィン設計構造からＦｉｎＦＥＴ（ダブル・ゲート・フィン・ベース電界トランジスタ）技術に基づく機能的に同一の構造に設計を維持したまま移行する事ができる信頼できる方法及び装置の提供。 - 特許庁

To provide an ER gel, in which electric rheology particles (ER particles) are not precipitated/flocculated even when allowed to stand for a long period and stable ER effect is exhibited, returning to original state when application of voltage is stopped, having good controlling property of shear stress by electric field, free from leaching of a liquid electric insulation medium and keeping good storage stability.例文帳に追加

長期間静置しても電気レオロジー粒子（ＥＲ粒子）が沈降・凝集せず、安定したＥＲ効果を示し、電圧印加を止めると短い時間で元の状態に戻り、電界による剪断応力の良好なコントロール性と液状電気絶縁性媒体の滲出がなく良好な保存安定性が維持されるＥＲゲルを提供する。 - 特許庁

The semiconductor element includes a semiconductor nano-wire 1 having a first region 7 provided with pn junction or pin junction, and a second region 8 provided with a field effect transistor structure; a pair of electrodes (2, 3) to be connected to both ends of the semiconductor nanowire 1; and a gate electrode 4 provided on at least one part of the second region via an insulation layer 5.例文帳に追加

ＰＮ接合またはＰＩＮ接合を備える第１の領域７と、電界効果型トランジスタ構造を備える第２の領域８とを有する半導体ナノワイヤ１と、半導体ナノワイヤ１の両端に接続される一対の電極（２，３）と、第２の領域の少なくとも一部に絶縁層５を介して設けられているゲート電極４とを備えている。 - 特許庁

A field-effect type transistor using a metal oxide film for the channel includes a channel region, and a source region and a drain region with a lower oxygen content and higher conductivity than the channel region in the metal oxide, in which the channel region exhibits semiconductor characteristics and the oxygen content decreases with depth below the surface.例文帳に追加

金属酸化物をチャネルに用いる電界効果型トランジスタであって、 前記金属酸化物中にチャネル領域と、前記チャネル領域に比べて酸素濃度が低く導電性の高いソース領域及びドレイン領域とを有し、前記チャネル領域は半導体性を示し、かつ表面から深さが増すにつれて酸素濃度が低くなっている。 - 特許庁

The Coulomb barriers of the nuclei present within the molecules 2 are reduced by the field screening effect of the polarization charge of the dielectric 1, whereby intramolecular nuclear fusion reactivity can be enhanced and the nuclear fusion reactions caused by the nuclei within the molecules 2 can be continuously brought about even in a low-temperature environment such as room temperature.例文帳に追加

誘電体の分極電荷による電場遮蔽効果により、上記分子内部に存在する原子核のクーロン障壁を低減してやることで、分子内核融合反応率を高めることができ、室温程度の低温環境下でも上記分子内部の原子核同士による核融合反応を持続的に発生することができる。 - 特許庁

A unipolar Gunn effect element has laminated anode layer, travel layer, cathode layer and the gate electrode which is Schottky-jointed to the travel layer and donor impurity concentration is adjusted so that time average electron density in the travel layer is canceled so as to make time average field strength to be constant is installed for solving said problem.例文帳に追加

上記問題を解決するために、本件発明では、積層されたアノード層、走行層、カソード層、走行層にショットキー接合したゲート電極を有し、走行層中の時間平均電子密度を相殺するようドナー不純物濃度を調整することで時間平均電界強度を一定とした、ユニポーラ型ガン効果素子を提供する。 - 特許庁

An AV (audio and visual) amplifier related to the embodiment conducts the acoustic processing for providing sound field effect corresponding to the respective format in parallel, specifying the timing with the format of the input audio signal Sain switched to reserve the switching to the audio signal output by the switching part after T1 of transitional period from the timing.例文帳に追加

本発明の実施形態に係るＡＶアンプは、それぞれのフォーマットに対応した音場効果を与える音響処理を並行して行うとともに、入力されるオーディオ信号Ｓａｉｎのフォーマットが切り替わったタイミングを特定して、そのタイミングからＴ１経過後に切替部において出力すべきオーディオ信号への切り替えを予約する。 - 特許庁

To provide an electronic application instrument, noticing the electromagnetic field distribution determined by the size of a metallic casing, on which the electronic instrument is mounted, and the distribution of a current which flows on the surface of the metal casing, while being compatible with the reduction of leakage electromagnetic waves at the resonance frequency of the metal casing and a heat radiating effect especially, without complicating the constitution.例文帳に追加

電子機器が搭載される金属筐体寸法で決まる共振周波数の電磁界分布、および金属筐体表面を流れる電流分布に着目し、構成を複雑にすることなく、とくに金属筐体の共振周波数での漏洩電磁波の低減と放熱効果を両立した電子応用機器を提供することにある。 - 特許庁

The carbon nanotube field-effect transistor comprises a channel 4 electrically connecting the source electrode 2 and the drain electrode 3 structure by a carbon nanotube and arranged on the surface of a gate insulating film 5 formed on the gate electrode 1, and uses a dielectric material having relative permittivity higher than that of an SiO_2as a material of the gate insulating film 5.例文帳に追加

本発明のカーボンナノチューブ電界効果トランジスタは、ソース電極２とドレイン電極３間を電気的に接続するチャネル部４をカーボンナノチューブによって構成すると共に、ゲート電極１上に形成されたゲート絶縁膜５表面に配置し、前記ゲート絶縁膜５の材料として、ＳｉＯ_２よりも高い比誘電率を有する誘電材料を用いた。 - 特許庁

An exemplary structure for a gate electrode for a Field Effect Transistor comprises a lower portion 326 formed of a first metal material having a recess 326a and a first resistance; and an upper portion 328 formed of a second metal material having a protrusion 328a and a second resistance, wherein the protrusion extends into the recess, wherein the second resistance is lower than the first resistance.例文帳に追加

電界効果トランジスタのゲート電極の例は、凹部３２６ａを有し、かつ、第一抵抗を有する第一金属材料からなる下側部分３２６と、突起３２８ａを有し、かつ、第二抵抗を有する第二金属材料からなる上側部分３２８とからなり、突起が凹部に延伸し、第二抵抗は第一抵抗より小さい材料で形成される。 - 特許庁

The diamond field effect transistor has a P-type nitride layer containing at least one of Al, Ga, B and In on P-type diamond, and also includes: a source electrode and a drain electrode coming in electric ohmic contact with a heterojunction between the P-type diamond and P-type nitride layer; and a gate electrode on the P-type nitride layer between the source electrode and the drain electrode.例文帳に追加

Ｐ型ダイヤモンド上に、少なくともＡｌ、Ｇａ、Ｂ、Ｉｎの１つを含むＰ型窒化物層を有し、Ｐ型ダイヤモンドとＰ型窒化物層との間のヘテロ接合に電気的にオーミック接触するソース電極およびドレイン電極と、ソース電極とドレイン電極との間のＰ型窒化物層上にゲート電極を有することを特徴とする。 - 特許庁

The SRAM device uses a field effect transistor as the selection transistor having a gate to drive the transistor and a terminal to control a threshold voltage, which are electrically separated from each other, and the SRAM device includes a circuit for gradually increasing, on a reading operation, a voltage to be supplied to a threshold control terminal of the selection transistor from a voltage at the start of the reading.例文帳に追加

電気的に切り離されたトランジスタ駆動用のゲート及びしきい値制御用の端子を有する電界効果トランジスタを選択トランジスタとして用い、前記選択トランジスタのしきい値制御用端子に対して与える電圧を、読み出し動作時には、読み出し開始時の電圧から徐々に増加させていく回路を具備したＳＲＡＭ装置。 - 特許庁

To provide an eddy current measuring sensor capable of performing a hardening depth/hardness measuring test with high detection precision by the strong magnetic field in a probe type coil even when a high-frequency hardening unit largely changed in its outer diameter is inspected and capable of further reducing edge effect, and an inspection method using the same.例文帳に追加

外径が大きく変化するような高周波焼入れ部品を検査する場合であっても、プローブ型コイルにおける強い磁界により高い検出精度で焼入れ深さ／硬度測定試験を行うことができ、さらにエッジ効果を低減させることが可能となる、渦流計測用センサ、及び、渦流計測用センサによる検査方法を提供する。 - 特許庁

In an element substrate 10, a conductive film 11 for detecting temperature, in which impurity is doped in a semiconductor layer formed at the same time with a semiconductor layer of field effect transistors 30, is provided, and the data conversion part 113 performs correction corresponding to resistance change of the conductive film 11 for detecting temperature, when the digital driving signal is created.例文帳に追加

素子基板１０には、電界効果型トランジスター３０の半導体層と同時に形成された半導体層に不純物をドープしてなる温度検出用導電膜１１が設けられており、データ変換部１１３は、デジタル駆動信号を生成する際に温度検出用導電膜１１の抵抗変化に対応する補正を行なう。 - 特許庁

In the diamond field effect transistor, a first surface layer containing hydrogen is formed on diamond; on the first surface layer, a source electrode, a gate electrode and a drain electrode are arranged, in this order; and a protective layer containing fluorine is formed on the first surface layer of the diamond crystal between the source electrode and the gate electrode and between the gate electrode and the drain electrode.例文帳に追加

ダイヤモンド上に水素を含む第１の表面層があり、その上にソース電極、ゲート電極、ドレイン電極が順に並んでおり、ソース電極−ゲート電極間、およびゲート電極−ドレイン電極間の上記ダイヤモンド結晶の第１の表面層上に、フッ素を含む保護層があることを特徴とするダイヤモンド電界効果トランジスター。 - 特許庁

The heterojunction field-effect transistor consisting of a nitride semiconductor includes a barrier layer 4, a cap layer 5 provided on the barrier layer 4, a gate electrode 10 provided on the cap layer 5 with the lower portion thereof buried in the cap layer 5, and a source electrode 9 and a drain electrode 8 provided on both sides of the gate electrode 10 and spaced from each other.例文帳に追加

本発明の窒化物半導体からなるヘテロ接合電界効果トランジスタは、バリア層４と、バリア層４上に設けられたキャップ層５と、キャップ層５に下部を埋没するようにしてキャップ層５上に設けられたゲート電極１０と、ゲート電極１０の両側に離間して夫々設けられたソース電極９及びドレイン電極８と、を備える。 - 特許庁

According to the typical configuration, at each completion of measurement, the strength of the given coil magnetic field H is returned to the initial value and the spin-valve type magnetoresistance effect elements 11, 12 are magnetically saturated, so that an operating point of current control is always performed at a fixed route from among routes having linearity in a hysteresis curve.例文帳に追加

この特徴的な構成によると、測定が完了するたびに、与えられるコイル磁界Ｈの強度が初期値に戻されるとともに、スピンバルブ型磁気抵抗効果素子１１，１２が磁化飽和されるから、電流制御の動作点は、常に、ヒステリシス曲線の線形性を有するルート部分のうち、一定のルート部分で行われることになる。 - 特許庁

The field effect transistor 10 includes a GaN layer 13 formed of i-type GaN, an AlGaN layer 14 formed of i-type AlGaN having a lattice constant different from that of the i-type GaN, and an AlInN layer 15 formed of i-type AlInN having an etching rate smaller than that of the i-type AlGaN formed sequentially on a sapphire substrate 11.例文帳に追加

電界効果トランジスタ１０では、サファイア基板１１上に、ｉ型のＧａＮからなるＧａＮ層１３と、ｉ型のＧａＮと格子定数が異なるｉ型のＡｌＧａＮからなるＡｌＧａＮ層１４と、ｉ型のＡｌＧａＮよりもエッチングレートが小さいｉ型のＡｌＩｎＮからなるＡｌＩｎＮ層１５とが順に形成されている。 - 特許庁

Moreover, by not forming the layer 14 under the lower parts of source and drain electrodes 30 and 32, a reduction in a series resistance between the electrodes 30 and 32 becomes possible and moreover, it becomes possible to reduce the effect of a DX center in the high-electric field region at the time of the operation of the FET.例文帳に追加

また、ソース電極３０およびドレイン電極３２の下方に部分結晶成長層１４を形成しないことによって、ソース電極３０とドレイン電極３２の間の直列抵抗を低減することが可能となり、更に、ＦＥＴ動作時の高電界領域におけるＤＸセンタの影響を低減することが可能となる。 - 特許庁

While the surface of channels of a field effect transistor is being scanned by a probe, the surface potential of the channels and potentials by trap charge just beneath the probe at each point are measured through potential measurement using an atomic force microscope, and the local mobility is calculated from the measured potentials, and further the distribution of mobility is obtained based on the mobilities calculated at each point.例文帳に追加

探針で電界効果トランジスタのチャンネル表面を走査しながら、各点において探針直下のチャンネルの表面電位およびトラップ電荷による電位を、原子間力顕微鏡を用いた電位測定により測定し求めた電位から局所的な移動度を算出し、さらに各点で算出された移動度に基づいて移動度分布を求める。 - 特許庁

A semiconductor structure including the vertical metal-insulator-metal capacitor, and a method for fabricating the semiconductor structure including the vertical metal-insulator-metal capacitor, each use structural components from a dummy metal oxide semiconductor field effect transistor located and formed over an isolation region located over a semiconductor substrate.例文帳に追加

垂直型金属−絶縁体−金属キャパシタを含む半導体構造体、及び垂直型金属−絶縁体−金属キャパシタを含む半導体構造体の製造方法がそれぞれ、半導体基板の上に配置された分離領域の上に配置され形成されたダミー金属酸化物半導体電界効果トランジスタからの構造コンポーネントを用いる。 - 特許庁

The cascode connection circuit of two field effect transistors (hereinafter, referred to "FET") comprises a first FET having a grounded source, a second FET having a source connected with the drain of the first FET, and a Schottky barrier diode having an anode connected with the source of the first FET, and a cathode connected with the gate of the second FET.例文帳に追加

２つの電界効果型トランジスタ（以下、「ＦＥＴ」という。）がカスコード接続されたカスコード接続回路であって、ソースが接地された第１のＦＥＴと、ソースが第１のＦＥＴのドレインに接続された第２のＦＥＴと、アノードが第１のＦＥＴのソースに接続され、カソードが第２のＦＥＴのゲートに接続されたショットキーバリアダイオードとを備えている。 - 特許庁

To provide a deodorization cover material which deodorizes odor attached or produced without generating new odor and furthermore, enables the prolonged use of it while making its higher effect last longer concerning a type which is used covering from above the source of odor such as a compost, a field after being fertilized, a garbage or excrements of pet animals.例文帳に追加

堆肥や施肥後の畑あるいは生ゴミ、ペットの排泄物の上など、においの発生源にかぶせて用いる消臭被覆材に関するもので、付着した臭気や発生する臭気を消臭し、新たな臭気を発生させることなく、更には、長期間にわたり高い効果を持続することができると共に使用可能な消臭被覆材 - 特許庁

The field effect transistor includes: a first impurity introduction region 110 which is formed on a first barrier layer 102 and is introduced with an impurity that is an shallow acceptor with respect to AlGaSb; and a second impurity introduction region 111 which is formed on a second barrier layer 104 and is introduced with an impurity that is an shallow acceptor with respect to AlGaSb.例文帳に追加

第１障壁層１０２に形成されてＡｌＧａＳｂに対して浅いアクセプタとなる不純物が導入された第１不純物導入領域１１０と、第２障壁層１０４に形成されてＡｌＧａＳｂに対して浅いアクセプタとなる不純物が導入された第２不純物導入領域１１１とを備える。 - 特許庁

The Faraday rotation element 2 arranged between both polarization control elements 9, 9 has fiber type constitution consisting of a core 21 having a non-reciprocal effect and a clad 23 formed on the outer periphery of the core 21 and a coat layer 10 consisting of a magnetic material for applying a magnetic field to the element 2 is formed on the outer periphery of the element 2.例文帳に追加

偏波制御素子９，９の間に配設するファラデー回転素子２を、非相反効果を有するコア２１と、このコア２１の外周に設けられたクラッド２３とからなるファイバー型の構成とし、さらにこのファラデー回転素子２の外周面上に、ファラデー回転素子２に磁界を作用させる磁性材からなる被覆層１０を設ける。 - 特許庁

The junction type field effect transistor comprises a p-type semiconductor film 2 formed on the front side of an n-type semiconductor C substrate 1, an n-type semiconductor film 3 involving a channel region 4 formed thereon, source and drain regions 5, 6 formed at both sides of the channel region on the semiconductor film 3, and a gate electrode 13 in contact with the n-type semiconductor substrate.例文帳に追加

ｎ型半導体Ｃ基板１の表（おもて）面に成膜されたｐ型半導体膜２と、その上に形成されたチャネル領域４を含むｎ型半導体膜３と、ｎ型半導体膜の上であって、チャネル領域の両側に形成されたソース、ドレイン領域５,６と、ｎ型半導体基板に接して設けられたゲート電極１３とを備える。 - 特許庁