「reaction substrate」に関連した英語例文の一覧と使い方(22ページ目) - Weblio英語例文検索

A source/drain layer 24 made of a polycrystalline semiconductor thin film containing impurities is formed on a substrate 21 by a reactive thermal CVD method which utilizes reaction energy of a plurality of different gases.例文帳に追加

複数の異なるガスの反応エネルギーを利用する反応性熱ＣＶＤ法によって、不純物を含有する多結晶性の半導体薄膜からなるソース・ドレイン層２４を基板２１上に形成する。 - 特許庁

A plurality of vaporized organic monomers are sprayed through plasma produced in a reaction chamber to a heated substrate surface to form a copolymer film containing a plurality of organic monomers in the skeleton.例文帳に追加

気化させた複数の有機モノマーを、反応室内に生成されたプラズマを介して、加熱した基板表面に吹き付け、複数の有機モノマーを骨格に含む共重合高分子膜を成膜させる。 - 特許庁

A specific probe substrate and a minute quantity of sample of a new compound inhibitor are automatically dispensed into a multi-well reaction plate previously filled with thawed human microsome, a buffer, and a cofactor.例文帳に追加

特異的プローブ基質及び新規化合物阻害剤の少量サンプルを、解凍されたヒト・ミクロソーム、バッファー、及び補因子が事前に充填されているマルチウエル反応プレート内に自動的に小分けする。 - 特許庁

Conventionally, a reaction in which a raw material substrate is limited to expensive trifluoromethanesulfonic acid is newly found to progress even in a fluorosulfuric acid ester suitable for production on a large amount scale.例文帳に追加

従来、原料基質として高価なトリフルオロメタンスルホン酸エステルに限られていた反応が、大量規模での生産にも適したフルオロ硫酸エステルでも良好に進行することを新たに見出した。 - 特許庁

To provide a plasma treatment device using a rotary electrode in which a reaction gas can be sufficiently supplied to a narrowed clearance between the rotary electrode and a substrate and no surface treatment characteristic distribution does not occur.例文帳に追加

回転電極を用いたプラズマ処理装置において、狭小になった回転電極と基板との間隙に十分な反応ガスを供給することができ、表面処理特性分布が発生しない。 - 特許庁

A sugar transferase (VinC enzyme) catalyzez the reaction for forming vicenistatin by using dTDP-vicenisamine as a substrate and a gene (vinC gene) encodes the enzyme.例文帳に追加

更に本発明により、ｄＴＤＰ−ビセニサミンを基質としてビセニスタチンを生成する反応を触媒する糖転移酵素（ＶｉｎＣ酵素）、およびそれをコードする遺伝子である遺伝子（ｖｉｎＣ遺伝子）が与えられた。 - 特許庁

The substrate for reaction chip is composed of an organic polymer, which reduces the relative fluorescence intensity of visible light transmitted through a slide glass for fluorescence microscope to 10 or smaller, when fluorescence spectra are measured.例文帳に追加

蛍光スペクトルを測定したとき、蛍光顕微鏡用スライドガラスに対する可視光における相対蛍光強度が１０以下であることを特徴とする有機系高分子からなる反応チップ用基板。 - 特許庁

When an oxidase substrate is measured, a reaction part having a carbon fiber felt member to which oxidase is fixed by a chemical modification method is arranged upstream, and the hydrogen peroxide measuring part is arranged downstream.例文帳に追加

また、オキシダーゼ基質の計測にあたり、上流に、オキシダーゼを化学修飾法により固定化した炭素繊維フェルト部材を有する反応部、下流に、前述の過酸化水素計測部を配置する。 - 特許庁

To provide a laminate obtained by laminating a layer to be etched having high smoothness and a thermal reaction type resist material on a substrate, the surface of which has a curved surface shape or a concave-convex shape.例文帳に追加

表面が曲面形状または凹凸 形状を有する基板上に、平滑性の高い被エッチング層と熱反応型レジスト材料を積層した積層体を設けることを目的の一つとする。 - 特許庁

When pressing down a manual handle 13 and removing a hand from the handle after connectors are press-fitted into a substrate by the pressure head, the pressure head support plate 21 ascends with the pressure head 22 in reaction to the press-fitting and exceeds the operation origin.例文帳に追加

手動ハンドル１３を押し下げて加圧ヘッドによりコネクタを基板に圧入した後手を離すと、反動で加圧ヘッド２２とともに加圧ヘッド支持板２１も上昇し、動作原点を超える。 - 特許庁

To provide a radical cleaning method which removes a SiO_2 film formed on a Si substrate and which is capable of also removing a residual product reattached to a reaction chamber (vacuum chamber) when residual products such as (NH_4)_2SiF_6 attached to the Si substrate is removed.例文帳に追加

Ｓｉ基板上に形成されたＳｉＯ_２膜を除去するラジカルクリーニング方法であって、Ｓｉ基板に付着した（ＮＨ_４）_２ＳｉＦ_６等の残留生成物を除去する際に反応室（真空槽）内へ再付着した残留生成物も除去することができるラジカルクリーニング方法を提供する。 - 特許庁

This invention provides an interaction detection part A, in which at least an edge-free working electrode W is formed in a prescribed region of a substrate surface 11 facing the reaction field 2 of interaction between a substance for detection and a target substance in a substrate 1 for bioassay, such as DNA chip.例文帳に追加

本発明では、ＤＮＡチップなどバイオアッセイ用基板１において、少なくとも、作用電極Ｗが、検出用物質と標的物質との間の相互作用の反応場２に臨む基板面１１の所定領域に、エッジフリーに形成された相互作用検出部Ａを提供する。 - 特許庁

By carrying out the coating pretreatment using the coating pretreatment liquid, the coating pretreatment film 130 of excellent adhesion to the substrate and to the coating film 140, and of excellent film cohesion and excellent flexibility, can be produced while suppressing forming of a substrate reaction layer 120.例文帳に追加

上記塗装前処理液を用いて塗装前処理を行うことで、基材反応層１２０の形成を抑制しつつ、基材および塗膜に対する密着性に優れ、かつ皮膜凝集力および柔軟性に優れた塗装前処理皮膜を形成することができる。 - 特許庁

In the single cell for the fuel cell, a solid electrolyte layer 9 is arranged in a groove or a hole providing an air electrode layer 5 and a fuel electrode layer 6 on a substrate 10, an electrochemical reaction fluid is formed in a solid electrolyte layer interface, and a conductive material 3 is inserted in the substrate 10.例文帳に追加

固体電解質層９を空気極層５及び燃料極層６を基板１０に設けた溝又は孔に配置して成り、該固体電解質層界面に電気化学的な反応場を形成し、基板１０に導電性材料３を貫入した燃料電池用単セルである。 - 特許庁

To provide a method for accelerating a chemical reaction for forming an oxide or hydroxide film on the surface of a substrate in an open-to- atmosphere CVD method, especially a method for efficiently forming the oxide or hydroxide film at a temperature of the substrate of ≤200°C, and to provide an apparatus used in the same.例文帳に追加

大気開放型ＣＶＤ法において、基材表面に酸化物あるいは水酸化物膜を形成する化学反応を促進する方法、特に基材温度２００℃以下で酸化物あるいは水酸化物膜を効率良く形成する方法、及び該方法に使用する装置を提供する。 - 特許庁

To facilitate the separation and connection of an electrode and a power supply by the cutting junction work of upper and lower chambers in a substrate-processing apparatus where the upper and lower chambers for demarcating a reaction chamber can be alienated, and the electrode for carrying out substrate processing is provided in the upper chamber.例文帳に追加

反応室を画成する上チャンバと下チャンバとが離反可能に設けられ、前記上チャンバに基板処理を行う為の電極が設けられた基板処理装置に於いて、上チャンバと下チャンバの離反接合作業で、電極と電源との切離し、接続を容易にする。 - 特許庁

The lithographic printing plate is characterized by containing a substance which generates an active species performing a bonding reaction with a substrate by light on the substrate and having a recording layer wherein hot-melt particles which are not capsule particles containing a substance which is liquid at room temperature in their cores are main ingredients.例文帳に追加

支持体上に、光により支持体と結合反応する活性種を発生する物質を含有し、かつ、コアに室温で液状の物質を含むカプセル状粒子でない熱溶融性粒子を主成分とする記録層を有することを特徴とする平版印刷版。 - 特許庁

The high-frequency power of 13.56 MHz is applied to a substrate S including the insulating film I in the range of 50-300 W while exposing the substrate S to the plasma, whereby the insulating film I is etched in a condition where an etching reaction by an ion component in the plasma becomes dominant.例文帳に追加

上記絶縁膜Ｉを有する基板Ｓをこのプラズマに曝しつつ、該基板Ｓに対し５０Ｗ〜３００Ｗの範囲で１３．５６ＭＨｚの高周波電力を印可することにより、プラズマ中のイオン成分によるエッチング反応が支配的となる条件で絶縁膜Ｉをエッチングする。 - 特許庁

The biosensor 1 includes an insulating substrate 101; an electrode including a working pole 102, a counter pole 103 and a reference pole 105 provided on the insulating substrate 101; and a reaction layer 104 provided to contact the electrode, the layer including a redox enzyme and an electron receptor.例文帳に追加

バイオセンサ１は、絶縁性基板１０１と、絶縁性基板１０１に設けられている作用極１０２、対極１０３および参照極１０５からなる電極と、電極と接するように設けられ、酸化還元酵素および電子受容体を含む反応層１０４と、を備える。 - 特許庁

This optical element molding die includes the substrate having a surface with a standard electrode potential getting negative in an oxidation reaction, a protection layer with the standard electrode potential getting positive, provided on the substrate, and an aluminum anodic oxidation layer provided on the protection layer.例文帳に追加

酸化反応における標準電極電位が負である表面を持つ基板と、前記基板の上に設けられた前記標準電極電位が正となる保護層と、前記保護層の上に設けられたアルミニウム陽極酸化層と、を有することを特徴とする光学素子成形用金型。 - 特許庁

The method of manufacturing a laminated substrate 10 includes: a step of forming an uncured resin layer 14A which is configured with a thermosetting resin having a reaction ratio of 0-85% on a substrate 12; and a step of sputter-depositing an SiO_2 layer 16 on the upside 14a of the resin layer 14A.例文帳に追加

本発明に係る積層基板１０の製造方法は、基板１２上に、反応率が０〜８５％である熱硬化性樹脂で構成された未硬化樹脂層１４Ａを形成する工程と、未硬化樹脂層１４Ａの上面１４ａにＳｉＯ_２層１６をスパッタ成膜する工程とを備える。 - 特許庁

In a separation layer dissipation process α, the temperature of a reaction chamber (heat treatment temperature T_x) is elevated to about 1,000°C and a protection layer B having a film thickness of about 10 μm is separated from a ground substrate side (a sapphire substrate 101 having a buffer layer 102) by pyrolytically decomposing (vaporizing) a separation layer A.例文帳に追加

分離層消失工程αでは、反応室の温度（熱処理温度Ｔ_X ）を約１０００℃まで昇温し、分離層Ａを熱分解（気化）することにより、下地基板側（バッファ層１０２を有するサファア基板１０１）から膜厚約１０μｍの保護層Ｂを分離する。 - 特許庁

This molecular construct has a capture portion and a substrate portion, wherein the capture portion operates to isolate the construct from a medium of a sample and the substrate portion acts on the construct and provide a reaction site making it possible that a detectable and measurable physical change takes place.例文帳に追加

本発明は、捕捉部分と基質部分を有する分子構築体に関し、捕捉部分は構築体をサンプルの媒質から分離する働きをし、基質部分は構築体に作用し、検出および測定することができる物理的な変化を起こすことを可能にする反応部位を提供する。 - 特許庁

To prevent the contamination of a target caused by a gaseous starting material or reaction gas to be introduced at the time of performing an ALD (Atomic Layer Deposition) process in the case a film deposition system is composed so that film deposition by an ALD process and film deposition by a sputtering process can be performed to a treatment substrate on a substrate stage in the same chamber.例文帳に追加

同一チャンバ内で基板ステージ上の処理基板に対し、ＡＬＤ法による成膜とスパッタリング法による成膜とを行い得るように成膜装置を構成する場合に、ターゲットが、ＡＬＤ法を行う際に導入する原料ガスや反応ガスによって汚染されないようにする。 - 特許庁

At the time of detecting the antigen by the enzyme immunity measurement method, by using the substrate to be activated electrochemically when dissolved by the enzyme reaction the electrochemical antigen detection method by measuring the electrochemical response of the activated substrate and the device for the same.例文帳に追加

酵素免疫測定法により抗原を検出するに際し、酵素反応により分解されると電気化学的に活性化される基質を用い、この活性化基質の電気化学的応答を測定することからなる抗原の電気化学的抗原検出法と、それに用いる装置である。 - 特許庁

Provided are: a method for etching a glaze substrate, which enables application of a deep and even etching at one time by etching while applying an ultrasonic wave to an etching liquid and removing a reaction product by the cavitation; and a method for manufacturing a partially convexed protrusion type glazed substrate by using the etching method.例文帳に追加

エッチング液に超音波をかけ、そのキャビテーションにより反応生成物を除去しながらエッチングを行うことにより、一度に深く均一なエッチングを施すことが可能なグレーズ基板のエッチング方法、およびそのエッチング方法を用いた部分凸型グレーズ基板の製造方法。 - 特許庁

After the nucleic acid and a silane coupling agent are bonded covalently beforehand by reactions of each labile group, a hydrolytic group of the silane coupling agent and the solid-phase substrate surface are bonded covalently by a dehydration condensation reaction, to thereby immobilize the nucleic acid on the solid-phase substrate surface.例文帳に追加

あらかじめ核酸とシランカップリング剤とを各反応活性基の反応により共有結合させた後に、前記シランカップリング剤の加水分解性基と固相基板表面とを脱水縮合反応により共有結合させて前記核酸を固相基板表面に固定する。 - 特許庁

The laminated reaction unit is made by using a plurality of thermal catalyst elements A comprising the porous metal substrate, an oxide layer formed on the surface of the metal substrate, and an oxide semiconductor carried by the oxide layer, and laminating the catalyst elements A so as to face the flow of a gas containing materials to be decomposed and to leave a predetermined space between them.例文帳に追加

多孔金属基材と、金属基材の表面に形成した酸化被膜層と、この被膜層上に酸化物半導体を担持した熱触媒素子Ａを複数枚用い、被分解物が含まれるガスの流れに対面し、かつ、所定の間隙を隔てて積層した積層型反応ユニット。 - 特許庁

In this method, a reaction of raw material in a nozzle SP is suppressed by setting the nozzle SP hard to receive an effect of a convective heat transferred in vertical direction from the substrate 22 under heating due to locating the nozzle SP on an off-position of a vertical upward area R of the substrate 22.例文帳に追加

本方法においては、噴出口ＳＰを基板２２の鉛直上方領域Ｒから外れた位置に配置することで、加熱中の基板２２から鉛直方向に伝搬する対流熱の影響を受け難くし、噴出口ＳＰ内での原料の反応を抑制することとした。 - 特許庁

The substrate coated with an inorganic coat comprising a metal element and an element of group 5B or group 6B is manufactured by mixing (i) a substrate, (ii) a metal compound and (iii) a liquid compound of an element of group 5B or group 6B, and reacting the mixture in a heterogeneous reaction system.例文帳に追加

(i)基材、(ii)金属化合物、及び(iii)液状の５Ｂ族元素化合物若しくは６Ｂ族元素化合物を混合し、不均一反応系で反応させることによって、金属元素、及び５Ｂ族若しくは６Ｂ族元素からなる無機被膜により被覆された基材を製造する。 - 特許庁

Thus, when the stage WST, for example, moves, the stage supporting member 18 moves by specified amount in the direction opposite in the stage WST under the drive reaction for absorbing the force, so that the momentum is preserved for the substrate for the entire substrate stage device, causing no change in the center of gravity of the entire device.例文帳に追加

このため、例えばステージＷＳＴが移動した際に、その駆動反力によりステージ支持部材１８がステージＷＳＴと反対向きに所定量移動してその力を吸収するため、基板ステージ装置全体で運動量が保存され、装置全体の重心位置は変化しない。 - 特許庁

In the baking pre-treatment step, a wire material 20 that is the tape-like substrate with the MOD film formed thereon is wound to form a pancake-like coil, and a reaction inhibition layer 19 is disposed between radially adjacent parts of the tape-like substrate in the pancake-like coil.例文帳に追加

焼成前処理工程では、ＭＯＤ膜が形成されたテープ状基材である線材２０を巻回してパンケーキ状コイルを形成するとともに、パンケーキ状コイルにおける径方向に隣接するテープ状基材の部分の間に反応抑制層１９を配置する。 - 特許庁

The method includes: a step of forming a metal oxide film on a silicon substrate, and forming a silicate film by inducing a solid phase reaction between the metal oxide film and the silicon substrate by heat treatment; and a step of forming a high dielectric constant insulating film on the silicate film.例文帳に追加

半導体装置の製造方法は、シリコン基板上に金属酸化膜を形成し、この金属酸化膜と前記シリコン基板とを熱処理により固相反応させることでシリケート膜を形成する工程と、このシリケート膜上に高誘電率絶縁膜を形成する工程と、を有する。 - 特許庁

To prevent the contamination of a target caused by a gaseous starting material or reaction gas to be introduced at the time of performing an ALD process in the case that a film deposition system is composed so that film deposition by the ALD process and film deposition by a sputtering process can be performed to a substrate to be treated on a substrate stage in the same chamber.例文帳に追加

同一チャンバ内で基板ステージ上の処理基板に対し、ＡＬＤ法による成膜とスパッタリング法による成膜とを行い得るように成膜装置を構成する場合に、ターゲットが、ＡＬＤ法を行う際に導入する原料ガスや反応ガスによって汚染されないようにする。 - 特許庁

The raw material 4 in the reaction chamber 2 is heated by irradiation with a laser beam to sublimate; the sublimated raw material is re-crystallized on the base substrate 3 to grow a compound semiconductor single crystal; and then the compound semiconductor single crystal is separated from the base substrate 3 by using the laser beam.例文帳に追加

反応容器２内の原料４にレーザ光を照射して加熱することで昇華させ、昇華した原料を下地基板３上で再結晶化させて化合物半導体単結晶を成長させ、その後にレーザ光を利用して化合物半導体単結晶を下地基板３から分離する。 - 特許庁

This material having a substrate having at least 2 surfaces is provided such that at least one of the surfaces of the substrate has a water-soluble factor in a discrete domain, and the water-soluble factor contains a substance causing an exothermic reaction on making contact with water.例文帳に追加

少なくとも２つの表面を有する基体を有する物品において、基体の少なくとも一つの表面が、離散領域に水溶性要素を有しており、しかも、水溶性要素は、水と接触したとき、発熱反応を引き起こす物質を含有している、物品。 - 特許庁

The glass master disk 10 for the information recording medium wherein a silica glass film 2 is formed on a glass substrate 1 is obtained by applying a solution containing an alkoxy silane on the glass substrate 1 having a flattened surface and then heating the solution to perform hydrolysis reaction of the alkoxy silane.例文帳に追加

平坦化された表面を有するガラス基板１上に、アルコキシシランを含有する溶液を塗布した後、加熱してアルコキシシランの加水分解反応を行うことによって、ガラス基板１上にシリカガラス膜２が形成された情報記録媒体用ガラス原盤１０を得る。 - 特許庁

The hydride vapor-growth device 1 supplies a first reactive gas containing a group III element halide and a second reactive gas containing a group V element hydride to a substrate S in a reaction tube 11 for forming group III-V semiconductor crystals on the substrate S.例文帳に追加

ハイドライド気相成長装置１は、III族元素のハロゲン化物を含む第一の反応ガスと、Ｖ族元素の水素化物を含む第二の反応ガスとを、反応管１１内の基板Ｓに対して供給し、前記基板Ｓ上にIII-V族半導体結晶を形成するものである。 - 特許庁

This method of forming a thin film on a semiconductor substrate, which uses a plasma CVD processing apparatus having a reaction chamber and a susceptor, is defined by including a preprocessing step of forming a surface layer on the susceptor to eliminate electrostatic attraction between the semiconductor substrate and the susceptor.例文帳に追加

反応チャンバと、サセプタを有するプラズマCVD処理装置を使って、半導体基板上に薄膜を成膜する方法において、サセプタ上に表面層を形成する前処理工程を含み、表面層によって半導体基板とサセプタとの静電吸着が無くなることを特徴とする方法。 - 特許庁

Respective exothermic resistors 30a and 30b are provided on the semiconductor substrate 10, and a gas reaction layer 80, subjected to the contact with a gas to be detected, is provided on the semiconductor substrate 10 so as to cover the lefthand exothermic resistor 30a to constitute a gas detection part 90 for detecting gas.例文帳に追加

そして、その半導体基板１０上には、各発熱抵抗体３０ａ，３０ｂが設けられ、左側発熱抵抗体３０ａを覆うようにして、被検出ガスが接触するガス反応層８０が設けられ、ガスを検知するガス検知部９０が構成されている。 - 特許庁

In order to manufacture the display panel, a panel producing process in which the display panel 1 is made up by using a substrate having prescribed thickness and a chemical treatment process in which the display panel 1 is immersed into a liquid chemical 17 and a definite amount of a substrate surface is removed by a chemical reaction to reduce thickness of the display panel 1, are performed.例文帳に追加

表示パネルを製造する為、所定の肉厚を有する基板を用いて表示パネル１を作り込むパネル作成工程と、表示パネル１を薬液１７に浸漬し、化学反応により基板の表面を一定量除去して肉厚を薄くする化学処理工程とを行う。 - 特許庁

In the formation of a pattern of a chemical amplification type resist 10 utilizing an acid catalyzed reaction, the surface of a silicon substrate (semiconductor substrate) 20 is wet-treated by rinsing with an aqueous solution 70 of about pH 4.0-10.0 between exposure and PEB.例文帳に追加

酸触媒反応を利用した化学増幅系レジスト（レジスト）１０のパターン形成において、図１に示すように露光（図１の（ｃ））とＰＥＢ（図１の（ｅ））との間にＰＨ４．０〜１０．０程度の水溶液７０でシリコン基板（半導体基板）２０の表面をリンスするウエット処理（図１の（ｄ））をする。 - 特許庁

To provide a substrate processing apparatus which can reduce the number of replenishing a liquid raw material to a tank while maintaining controllability in supplying a reaction gas, in the substrate processing apparatus in which the liquid raw material is vaporized and supplied to a processing chamber using the small tank for storing the liquid raw material.例文帳に追加

液体原料を貯蔵するタンクに小型のものを用いて、前記液体原料を気化し、処理室へ供給する基板処理装置において、反応ガス供給の制御性を維持しつつ、タンクへの液体原料補給の回数を減少させることができる基板処理装置を提供する。 - 特許庁

To provide a deposition method that can form a film by using a method to alternately feed different kinds of source gases to cause reaction on a substrate even if a gas kind less clinging to a substrate surface is used as a source gas.例文帳に追加

本発明は、基板表面に吸着しにくいガス種を原料ガスとして用いた場合でも、異なる種類の原料ガスを交互に供給しながら基板上で反応させる方法により成膜を行なうことができる成膜方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

A material 3 which is transformed or has the electric conductivity degraded by heat and chemical reaction, a coil 1, and a capacitor 2 constituted by providing electrodes on both sides of an insulating substrate 5 are formed on the substrate 5 and are connected in series by a wiring pattern of a conductor.例文帳に追加

絶縁性の基材５上に、熱、化学反応によって変形もしくは電気伝導度が劣化する物質３とコイル１と基材５の両面上に電極を設けてなるコンデンサ２とが形成され、導体の配線パターンによって直列接続されたことを特徴とする。 - 特許庁