「reaction substrate」に関連した英語例文の一覧と使い方(21ページ目) - Weblio英語例文検索

The method of manufacturing a semiconductor device includes: a step of applying a solution wherein fine metal particles having a diameter of ≤20 nm are dispersed in a solvent, onto the semiconductor substrate; a step of evaporating the solvent; and a step of forming a metal-semiconductor compound thin film on a surface of the semiconductor substrate by causing the reaction between the fine metal particles and the semiconductor substrate.例文帳に追加

直径２０ｎｍ以下の金属微粒子を溶媒中に分散した溶液を、半導体基板上に塗布する工程と、溶媒を蒸発させる工程と、金属微粒子と半導体基板を反応させ、半導体基板表面に金属半導体化合物薄膜を形成する工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 特許庁

When depositing the insulating layer 12 as an underlayer on the substrate 11 during the manufacturing process of the magnetoresistive effect type head 10, oxygen atoms contained in the insulating layer 12 are prevented from entering the substrate 11 by arranging the reaction preventive layer 13 made of an insulating material between the substrate 11 and the insulating layer 12.例文帳に追加

基板１１と絶縁層１２との間に、絶縁性材料からなる反応防止層１３を設けることにより、磁気抵抗効果型ヘッド１０の製造工程において基板１１上に下地層としての絶縁層１２を形成する際に、絶縁層１２に含まれている酸素原子が基板１１内に侵入するのを防ぐことができる。 - 特許庁

To provide technology of preventing a plurality of reactive gases from being mixed on a substrate and suppressing the consumption of reactive gases when a thin film is formed by installing the substrate on a turntable, successively supplying a plurality of gases that mutually react to the surface of the substrate, and accumulating a number of layers of reaction products.例文帳に追加

回転テーブルに基板を載置し、この基板を回転させて基板の表面に互いに反応する複数の反応ガスを順番に供給して反応生成物の層を多数積層して薄膜を形成するにあたり、基板上にて複数の反応ガスが混合されることを防止しかつ反応ガスの消費量を抑えることができる技術を提供すること。 - 特許庁

In the laminated piezoelectric element in which the piezoelectric substrate layer 1 containing a Pb constituent and a conductive layer 2 containing a Pd constituent are alternately laminated each, the thickness of the reaction layer R of Pb and Pd on the interface between the piezoelectric substrate layer 1 and the conductive layer 2 should be 3% or smaller of the maximum thickness of the piezoelectric substrate layer 1.例文帳に追加

それぞれ、Ｐｂ成分を含む圧電体層１と、Ｐｄ成分を含む導体層２とを交互に積層してなる積層型圧電素子において、前記圧電体層１と前記導体層２との界面における前記ＰｂおよびＰｄとの反応層Ｒの厚みが、前記圧電体層１の最大厚みの３％以下であることを特徴とする。 - 特許庁

Regarding the method for forming a thin film, in a formation method of forming a tin oxide film on a substrate utilizing a chemical vapor deposition reaction, the substrate is heated during the formation, and simultaneously, the substrate is irradiated with ultraviolet rays having an ultraviolet irradiation intensity of 0.03 to 1 mW/cm^2.例文帳に追加

気相化学成長反応を利用して酸化錫膜を基体上に形成する形成方法において、形成中に基体を加熱すると同時に、紫外線の紫外線照射強度が０．０３ｍＷ／ｃｍ^２以上１ｍＷ／ｃｍ^２以下の紫外線を基体に照射することを特徴とする薄膜形成方法を提供する。 - 特許庁

The substrate support member 42A is installed inside a reaction vessel 41 of a semiconductor manufacturing device 40A to be used for the heat treatment of a substrate W, the inside of which is provided with a space having a heating element 44A to be conducted and heated, and the substrate support member 42A consists of a material containing nickel by 95 wt.% or more.例文帳に追加

半導体製造装置４０Ａの反応容器４１内部に設置されて基板Ｗの熱処理に使用される基板支持部材４２Ａであって、その内部には通電加熱される発熱体４４Ａを有する空間が設けられており、この基板支持部材４２Ａはニッケルを９５重量％以上含む材料からなる。 - 特許庁

In a substrate treating system provided with a gas feeding means for independently feeding a plurality of treatment gases from the periphery of a substrate 10 to be treated horizontally arranged within a reaction chamber 2 toward the center of the substrate 10, a gas ring 30 with a plurality of gas-blow off nozzles 37 and 38 provided in the same height on its inner periphery is provided on the gas feeding means.例文帳に追加

反応室２内に水平に配置した被処理基板１０の周辺から被処理基板１０の中心に向けて複数の処理ガスを独立して供給するガス供給手段を備えた基板処理装置において、前記ガス供給手段として、内周に同一高さの複数のガス吹出ノズル３７、３８を備えたガスリング３０を設ける。 - 特許庁

The method for removing the photoresist and the postetched residue comprises the steps of (a.) disposing a substrate having the photoresist and the postetched residue on the substrate, (b.) forming a reactive chemical species by adding a plasma gas composition containing a CHF3 as its one component, and (c.) exposing a surface of the substrate in a reaction chamber with its reactive chemical species.例文帳に追加

ａ．フォトレジストおよびポスト・エッチ残留物をその上に有する基板を反応チャンバ中に配置し、 ｂ．ＣＨＦ_3をその一成分として含むプラズマガス組成物を添加することによって反応性化学種を形成し、 ｃ．その反応性化学種に、反応チャンバ中の基板の表面を暴露して、フォトレジストおよびポスト・エッチ残留物を除去する 方法。 - 特許庁

A CPU 200 of a main control substrate 20 detects a time from the start to the end of the token detecting reaction by a photo sensor 331 of a token sensor 34a and considers the generations of an abnormality when the detected time becomes a prescribed value or less to output an abnormality generation signal to a subordinate control substrate 30 and to an external concentration terminal substrate 25.例文帳に追加

主制御基板２０のＣＰＵ２００は、メダルセンサ３４ａのフォトセンサ３３１がメダルの検出反応を開始してから終了するまでの時間を検出し、この検出した時間が所定値以下となった場合に、異常が発生したと見なし、異常発生信号をサブ制御基板３０及び外部集中端子基板２５に出力する。 - 特許庁

The substrate treating apparatus comprises a spin chuck 58 for rotatably holding the substrate W, a first nozzle 41 for supplying a removal liquid for removing the reaction product to the substrate W held at the chuck 58, an elevation cup 51 and a fixed cup 52 for capturing the liquid scattered from the substrate W, and an evacuating tube 35 for evacuation the atmosphere in the cut 51 and the cup 52.例文帳に追加

基板処理装置は、基板Ｗを回転可能に保持するスピンチャック５８と、スピンチャック５８に保持された基板Ｗに反応生成物を除去するための除去液を供給する第１ノズル４１と、基板Ｗから飛散する除去液を捕獲するための昇降カップ５１および固定カップ５２と、これらの昇降カップ５１および固定カップ５２内の雰囲気を排気する排気管３５とを備える。 - 特許庁

A solid substrate is suspended in depositing regions 12 and 14 by bonding with one or more rectilinear suspension supports, precursory material gas is provided adjacently to the solid substrate 20, the precursory material gas is chemically brought into reaction to form a solid deposit on the solid substrate, and, moreover, the deposit is separated from the substrate to recover a soild article.例文帳に追加

１以上の直線状サスペンジョンサポートとの結合で堆積領域中に固体基体をつるし、固体基体に近接して先駆物質ガスを提供し、先駆物質ガスを化学的に反応させ、固体堆積物を固体基体上に形成させ、さらに基体から堆積物を分離させることにより固体物品を回収することを含む化学蒸着によって固体物品を製造する方法が開示される。 - 特許庁

The method of manufacturing an electrode comprises a process of etching a ZnSe substrate 1 with an etchant and then forming a protective film 3 by depositing a deposit generated by the etching reaction on the etched surface of the ZeSe substrate 1, and a process of removing the protective film 3 formed on the surface of the ZeSe substrate 1 and then forming an electrode 4 on the exposed surface of the substrate 1.例文帳に追加

この電極製造方法は、ＺｎＳｅ基板１をエッチング液を用いてエッチングするとともに、エッチングされた表面に、エッチング反応で生成する析出物を堆積して保護膜３を形成する工程と、ＺｎＳｅ基板１の表面に形成された保護膜３を除去して、表面１１を露出させる工程と、露出した表面に電極４を形成する工程とを備える。 - 特許庁

In the thin-film manufacturing apparatus, a sensor 50 senses the film thickness of a semiconductor layer whose crystal is grown in a reaction vessel 10, based on the intensity change of the light emitted from a light source 30 and reflected by a substrate 90.例文帳に追加

検出器５０は、光源３０から出射され、基板９０によって反射光の強度変化に基づいて反応容器１０内で結晶成長された半導体層の膜厚を検出する。 - 特許庁

The method is also characterized by setting a gas pressure inside the above reaction vessel 8 at 10 kPa or higher, and employing plasma 5 having a two- dimensionally spreading shape which is formed to cover the sample substrate.例文帳に追加

前記反応容器８内部におけるガスの圧力を１０ｋＰａ以上に設定し、プラズマ５の形状が、試料基板を覆うように２次元的に拡がって形成されるプラズマを用いる。 - 特許庁

The substrate 3 is arranged in a reaction vessel 1 of vapor growth equipment 10 capable of ordinary pressure vapor growth and low pressure vapor growth.例文帳に追加

常圧気相成長および減圧気相成長が可能な気相成長装置１０の反応容器１内に配置したシリコン単結晶基板３の主表面上にシリコンエピタキシャル層を減圧気相成長する。 - 特許庁

In this continuous substrate take-up device, a reaction force adding member 40 is provided to pull a continuous sheet 1 after passing a carrying roller 10a on the opposite side to a take-up roller 10b to take up the continuous sheet 1 with constant force.例文帳に追加

搬送ローラ１０ａを経由した連続シート１を、この連続シート１を巻き取る巻き取りローラ１０ｂとは反対側の方向に一定の力で引っ張る反力付加部材４０を設ける。 - 特許庁

The insulating layer has an advantage of suppressing chemical reaction which can be caused between silicon in the silicon-based substrate, the electrically conductive layer, and all layers such as a bonding coat deposited on the electrically conductive layer.例文帳に追加

この絶縁層は、ケイ素ベース基材のケイ素と、導電層およびこの導電層の上に堆積されるボンディングコートなどのあらゆる層との間に起こり得る化学反応を抑制するという利点がある。 - 特許庁

The raw material aqueous solution is put in an atomization container 21 of a raw material atomization device 2, and a temperature of a substrate 8 set on a bottom part of a reaction space 61 is increased to 400°C by a heater 7.例文帳に追加

原料水溶液を原料霧化装置２の霧化容器２１内に入れると共に、反応空間６１の底部にセットした基板８をヒータ７によって４００℃まで昇温させる。 - 特許庁

On a side face of a reaction container 16, a shower head 150 is provided as a gas introduction part which introduces various types of gases supplied from a plurality of gas supply lines onto a substrate S.例文帳に追加

反応容器１６０の側面には、複数のガス供給ラインから供給された複数種のガスを基板Ｓ上に導入するガス導入部としてのシャワーヘッド１５０が設けられている。 - 特許庁

In a step of roughening a doped polysilicon surface for forming a capacitor, after a semiconductor substrate is held in a reaction chamber heated uniformly at a predetermined pressure for a predetermined time, a gas is introduced.例文帳に追加

キャパシタを形成するドープトポリシリコンの表面を粗面化する工程において、均一に加熱された反応室内で、所定の圧力、所定の時間、半導体基板を保持した後、ガスを導入する。 - 特許庁

To provide a substrate treatment apparatus that can execute the removal treatment of reaction products without damaging a metal film, even if a middle rinse process is omitted.例文帳に追加

中間リンス工程を省略した場合においても、金属膜に損傷を与えることなく反応生成物の除去処理を実行することが可能な基板処理装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

The visible light-curable material does not cause foreign-body reaction in vivo and can obtain a decomposition property according to a wound-healing process by using gelatin as a substrate of gelation and suitably is used in application to medical materials such as hemostatic agent.例文帳に追加

ゼラチンをゲル化の基質として用いることにより、生体内で異物反応を起こさず、損傷治癒過程に応じた分解性を得ることができ、止血剤等の医療応用において好適である。 - 特許庁

To provide a mechanism capable of reducing a difference in processed dimensions caused by a difference in density of a pattern, when processing the pattern formed on a semiconductor substrate by chemical reaction with a reactive gas.例文帳に追加

半導体基板に形成されたパターンを、反応性ガスとの化学反応により加工する場合に、当該パターンの疎密差に伴う加工寸法差を低減することができる仕組みを提供する。 - 特許庁

To provide a cleaning method of a semiconductor manufacturing device, which easily removes reaction by-products with no effect on a film forming process, and suppresses contamination of a processed semiconductor substrate.例文帳に追加

成膜プロセスに影響することなく、容易に反応副生成物を除去し、被処理半導体基板への汚染を抑制することが可能な半導体製造装置の清浄化方法を提供する。 - 特許庁

When a part P receives upward reaction after contacting a substrate T, the compression spring is expanded to reduce the load on the load cell, and the amount of reduction is detected as a pressurizing force.例文帳に追加

部品Ｐが基板Ｔに接地してから上向き反力を受けると、圧縮スプリングを伸ばす結果、ロードセルへの載荷荷重が減少し、その減少分が押し付け圧力として検出される。 - 特許庁

This configuration enables production of the IC card with stable hardening reaction of isocyanate group in the reactive hot melt adhesive agent layer and stable solid state properties free from substrate distortion and sheet peeling.例文帳に追加

この構成によって、反応型ホットメルト接着剤層中のイソシアネート基の硬化反応が安定した、しかも、基板変形やシートはがれ等のない安定した物性のＩＣカードを製造することができる。 - 特許庁

In a reaction chamber 10, a substrate S is provided in such a way that bias voltage by a bias power source 11 can be applied to it and also a sputtering target 20 is disposed in close vicinity to a plasma window 12a.例文帳に追加

反応室１０内には、基板Ｓがバイアス電源１１によるバイアス電圧が印加できるように設けられるとともに、プラズマ窓１２ａに近接してスパッタ用のターゲット２０が配設される。 - 特許庁

To provide a vapor deposited ceramic coated material which is surely and safely coated with ceramics over the entire substrate surface with coating treatment by substantially one time of CVD reaction and a method for manufacturing the same.例文帳に追加

実質的に１回のＣＶＤ反応による被覆処理で確実かつ安全に基材全面にセラミックスが被覆された気相蒸着セラミックス被覆材とその製造方法を提供する。 - 特許庁

The silicon carbide substrate is heat treated in a vacuum or an atmosphere of inert gas at 600 to 1100°C, and a silicide film is formed only through a silicide reaction of the silicon film against the refractory metal film.例文帳に追加

そして、真空または不活性ガスの雰囲気の６００乃至１１００℃の温度で加熱処理を施して、シリコン膜と高融点金属膜とのシリサイド反応のみから、シリサイド膜を生成する。 - 特許庁

In a vapor-phase growth process, by supplying monosilane gas at a level not lower than 550°C to less than 750°C to the principal surface of the silicon substrate W in the reaction vessel, the silicon epitaxial layer is formed in vapor phase growth.例文帳に追加

反応容器内のシリコン基板Ｗの主表面上に、５５０℃以上７５０℃未満でモノシランガスを供給することによりシリコンエピタキシャル層を気相成長させる気相成長工程を行う。 - 特許庁

To provide a resonant vibration device having stable characteristics by reducing the variation and uniformity of the resonance frequencies of a vibration device due to an internal reaction occurring in an airtight sealing package in joining a sealing substrate.例文帳に追加

封止基板の接合での気密封止パッケージで発生する内部応力による振動デバイスの共振周波数の変化やばらつきを低減し安定した特性の共振振動デバイスを提供する。 - 特許庁

To provide an epoxy resin composition which prevents the generation of an outgas on curing reaction and on solder reflow treatment, when an electric element is joined or sealed to a substrate with an epoxy resin composition, and is sufficiently cured.例文帳に追加

基板に電気素子をエポキシ樹脂組成物で接合又は封止する場合に、硬化反応時及び半田リフロー処理時にアウトガスの発生を抑制し、エポキシ樹脂組成物を十分に硬化させる。 - 特許庁

To provide an immunological sensor capable of suppressing the steric hindrance of the bonding reaction of antibody modified electrochemical emission substance, including liposome and the antigen fixed to an electrode substrate to obtain a high signal.例文帳に追加

抗体を修飾した電気化学発光物質内包リポソームと電極基板に固定された抗原との結合反応の立体障害を抑制し、高いシグナルが得られる免疫センサを提供する。 - 特許庁

The composition for plating contains a gellant, electroconductive ions for performing an electrochemical reaction, and a solvent, and is discharged in a sol state on a substrate 20 through an opening 13 to form a prescribed pattern shape in a gel state.例文帳に追加

ゲル化剤と、電気化学反応を行うための導電性イオンと、溶媒と、を有し、ゾル状態で開口１３を介して基板２０の上に吐出されゲル状態の所定のパターン形状。 - 特許庁

Since the migration of Cr in the substrate is inhibited by the Cr-trapping material, migration of Cr to the catalytic active component and reaction of Cr with the alkali metal or alkaline earth metal can be suppressed.例文帳に追加

Ｃｒ捕捉材によって基材中のＣｒの移動が阻止されるので、Ｃｒが触媒活性成分側へ移動してアルカリ金属又はアルカリ土類金属と反応するのを抑制できる。 - 特許庁

The method forms the vanadium-based film consisting of one or more layers of a VN film 14, a VCN film 16, and a VC film 18, on the surface of an inorganic substrate 12, by causing reaction with ion plating.例文帳に追加

ＶＮ膜１４、ＶＣＮ膜１６及びＶＣ膜１８のいずれか一層又は二層以上からなるバナジウム系被膜をイオンプレーティングにより無機基材１２の表面に反応成膜させる方法。 - 特許庁

To provide a biosensor capable of measuring a specific substrate concentration in a bio-component accurately in a short time by improving a reaction layer containing an enzyme into a homogeneous layer quickly-dissolvable in sample liquid.例文帳に追加

酵素を含む反応層を均一な層で、試料液に速やかに溶解するように改良して、生体成分中の特定基質濃度を短時間で正確に測定できるバイオセンサを提供する。 - 特許庁

The enzymic reaction product is obtained by passing a fed solution containing the substrate convertible to the D-amylose through a D-amylose-producing immobilized enzyme and/or a bioreactor using immobilized microorganisms.例文帳に追加

酵素反応産物が、Ｄ−アロース生産固定化酵素および／または固定化微生物を用いたバイオリアクターにＤ−アロースに変換可能な基質を含む供給溶液を通すことで得られたものである。 - 特許庁

The coated superalloy article (18) is manufactured by forming a protective coating structure (32) on a surface of a nickel-based superalloy substrate (34) that is susceptible to the formation of SRZ (secondary reaction zone) (46).例文帳に追加

ＳＲＺ（二次反応帯（４６））の形成を起こし易いニッケル基超合金基体（３４）の表面に保護被膜構造物（３２）を設置することで被覆超合金物品（１８）が製造される。 - 特許庁

To provide a substrate-processing apparatus, capable of suppressing increase in a profile dimension of the apparatus per reaction furnace, while increasing the number of cassettes capable being contained in the apparatus to a maximum limit.例文帳に追加

装置内に収容できるカセットの個数を最大限に増やしながら、１反応炉当たりの装置外形寸法の増大を抑制することができるようにした基板処理装置を提供する。 - 特許庁

An insulating side wall layer 16 made of a resin material is arranged on the substrate 11 in a manner to form a reaction vessel 20 with a configuration to have these electrodes on the bottom surface thereof.例文帳に追加

また、これらの電極をその底面に具備するような形態をもつ反応槽２０が基板１１上に形成されるように、樹脂材料で構成された絶縁性の側壁層１６が形成されている。 - 特許庁

Thereafter, the inside of the reaction vessel is purged by an inert gas 112 heated to 700°C to obtain a condition that the inert gas 112 is supplied on the silicon substrate 101 and the oxidizing gas is removed.例文帳に追加

この後、反応容器の内部を７００℃に加熱した不活性ガス１１２によってパージし、シリコン基板１０１の上に不活性ガス１１２が供給されて酸化ガスが除去された状態とする。 - 特許庁

By providing the conductor film 15a, the reaction of the aluminum in the conductor films 16a-16c to the silicon of the semiconductor substrate 1 is restrained or prevented at the reflowing of the conductor films 16a-16c.例文帳に追加

導体膜１５ａを設けたことにより、導体膜１６ａ〜１６ｃのリフロ時に、導体膜１６ａ〜１６ｃ中のアルミニウムと半導体基板１のシリコンとが反応するのを抑制または防止できる。 - 特許庁

To prevent electrical discharge from happening between a discharge electrode of an activating means and a placing means in a substrate processing device which is equipped with an activating means positioned inside or along a reaction chamber.例文帳に追加

活性化手段を反応室内部または反応室に沿って備えている基板処理装置において、活性化手段の放電用電極と載置手段との間での放電を防止できるようにする。 - 特許庁

Both the agents are simultaneously delivered to a substrate W forming a SOG(spin-on-glass) film 1, so that in a state in which the MTAS and reaction acceleration liquid are mixed with each other, they are supplied to the SOG film 1.例文帳に追加

ＳＯＧ膜１が形成された基板Ｗに両液を同時に吐出することにより、ＭＴＡＳと反応促進液とが混合された状態にてＳＯＧ膜１上に供給される。 - 特許庁